JP2011049311A - 半導体パッケージ及び製造方法 - Google Patents

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    • H01L2924/1615—Shape
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Abstract

【課題】半導体パッケージの放熱板組立において、生産工程を簡素化し、生産コストを低減し、品質の向上を図る。
【解決手段】配線基板３５に搭載された半導体素子３２に、面３１ａの一部又は全部に凸状曲面の部分３４を形成した半導体素子用放熱板３１を載置する放熱板載置工程と、平面を有する押圧板Ｎの平面部を、前記凸状曲面の部分３４に押し付けて、半導体素子用放熱板３１を半導体素子３２に押付けることにより、自動的に半導体素子用放熱板３１と半導体素子３２との面合せを行う自動面合せ工程とを有する半導体パッケージの製造方法を提供する。また、半導体素子３２を搭載した配線基板３５と、半導体素子３２に接合された半導体素子用放熱板３１とを有し、かつ、半導体素子用放熱板３１が、半導体素子３２の反対側の面３１ａの一部又は全部に、凸状曲面の部分３４を形成している半導体パッケージを提供する。
【選択図】図５

Description

本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
半導体素子を搭載した半導体パッケージは、電子機器用の配線基板（マザーボード）等に搭載され、情報、通信等の広い分野に渡って使用されている。特に半導体素子が作動時に発熱を伴う場合には、半導体パッケージ自体が放熱の機能を備えている。半導体素子が配線基板に直接接合された、フリップチップ接続のパッケージにおいては、放熱のため、半導体素子の背面に放熱板を設けた構造がよく用いられる。放熱板は、ヒートスラグ、ヒートスプレッダ等とも呼ばれ、その材料には、熱伝導性に優れた金属材料等が使用される。
図１は、従来の半導体パッケージにおける、放熱板の使用状態を例示する図である。図１の（ａ）に、半導体素子１１を収容する凹部１２を有し、サーマルグリス１３を通して半導体素子１１から流入してくる熱流を表面から放熱するための放熱板１４を示す。放熱板１４は、接着剤１５により基板１６に固定されて、半導体パッケージ１００を形成している。基板１６の、半導体素子１１の反対側の面１６ａの接続端子１７には、はんだボール１８が接続されており、マザーボード等の他の基板に接続されるための外部接続端子を形成する。
図の（ｂ）は、中央に凹型領域１９を有する基板２０と組み合わせて用いられる平板の放熱板２１を有する半導体パッケージの例である。図の（ｃ）は、基板２３の中央の凹型領域２２に埋め込まれた、平板の放熱板２４を有する半導体パッケージを示している。凹型領域２２における半導体素子１１の占める空間以外の空間部分は、封止材料２２により充填されている（特許文献１）。
図２は、従来の、放熱板２６と半導体素子１１の背面との平行出しと接合を行う装置を例示する図である。この装置による平行出しは、以下の通りに行う。センサ２７を用いて、半導体素子１１の背面１１ｂとその面に対向する放熱板２６の面２６ａとの距離を光反射等により平行状態を測定する。測定結果に基づき、平行出し機構２８を用いて、放熱板２６を位置制御し、接合面１１ｂと２６ａとの平行度を所定の値にして、半導体素子１１に接合する。平行出し機構２８の摺動機構には、エアーベアリング等が使用される（特許文献２）。
特表２００４−５２３１２８号公報 特開２００６−０４９７３２号公報
従来の、放熱板を有する半導体パッケージの組立ての製造においては、半導体素子の背面と、その面と対向する放熱板の面との平行状態を保つため、製造において、複雑な構造の設備を使用し、また、複雑な工程を要していた。そのため、生産工程の簡素化、生産コストの低減及び品質の向上に課題を有していた。
上記目的を達成するため、第１の発明は、配線基板に搭載された半導体素子に、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に凸状曲面の部分を形成した半導体素子用放熱板を載置する放熱板載置工程と、平面を有する押圧板の平面部を、前記凸状曲面の部分に押し付けて、前記半導体素子用放熱板を前記半導体素子に押付けることにより、自動的に前記半導体素子用放熱板と前記半導体素子との面合せを行う自動面合せ工程とを有する半導体パッケージの製造方法を提供する。
また、上記目的を達成するため、第２の発明は、半導体素子を搭載した配線基板と、半導体素子用放熱板とを有し、前記半導体素子用放熱板は、前記半導体素子に接合され、かつ、半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に、凸状曲面の部分を形成している半導体パッケージを提供する。
本発明により、半導体パッケージの放熱板組立において、生産工程を簡素化し、生産コストを低減し、品質の向上を図ることができる。
従来の半導体パッケージにおける、放熱板の使用状態を例示する図である。 従来の、放熱板２６と半導体素子１１の背面との平行出しと接合を行う装置を例示する図である。 本発明の第１の実施の形態に係る、半導体素子用放熱板３１を例示する図である。 本発明の第２の実施の形態に係る、半導体素子を搭載した配線基板と半導体素子用放熱板とを有する半導体パッケージを例示する図である。 本発明の第３の実施の形態に係る、半導体パッケージの製造方法における「自動面合せ」を説明する図である。 本発明の第３の実施の形態に係る、半導体パッケージの製造方法の工程を例示する図である。 本発明の第４の実施の形態に係る、半導体素子用放熱板に放熱フィンを設けた半導体パッケージを例示する図である。 本発明の第５の実施の形態に係る、複数の半導体素子とそれぞれの半導体素子用放熱板との同時の自動面合せを開始するときの状態を例示する図である。
以下、図面を参照して、本発明を実施するための最良の実施の形態を説明する。なお、各図の説明において、各図に共通している同一構成部分については、その部分に同一の符号を付し、重複する場合にはその説明を省く。
〈第１の実施の形態〉
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体素子用放熱板３１を例示する図である。半導体素子用放熱板３１の、半導体素子３２に対向する面３１ｂは、接合層３３を介して半導体素子３２と接合されている。半導体素子用放熱板３１は、放熱側の面３１ａの一部分または全部に、滑らかな凸状曲面の部分３４を形成している。放熱側の面３１ａの中央部に設け、盛り上がった凸形状、または、なだらかな曲面の凸形状等、種々の形状とすることができる。通常、放熱側の面３１ａの中央部の位置に凸形状の最高地点を置く。また、凸状曲面の製作上の都合等で、凸状曲面の裾野の部分は、凹状曲面を呈していてもよい。
熱放散を要する半導体パッケージの構造において、半導体素子と半導体素子用放熱板とが、片当たりすることなく平行度を保って放熱の効率を上げることが重要である。両者の平行度を精度よく保つため、製造方法として「自動面合せ」を行う。この自動面合せのため、凸状曲面の部分を有する半導体素子用放熱板を使用する。
図３の（ａ）は、半導体素子用放熱板３１の放熱側の面３１ａの一部分が凸状曲面の部分３４をなし、かつ、面３１ａの他の部分が平面である場合を示している。
図３の（ｂ）においては、放熱側の面３１ａの全体が凸状曲面の部分３４をなす場合を示している。
ここに、「自動面合せ」とは、放熱板と半導体素子を接合する際に、プレス機械の押圧板の平坦な面が、放熱板の凸状曲面の部分を押すことにより、放熱板が自動的に回転して、放熱板及び半導体素子の各接合面の平行度を得る方法である。その詳細は、後出の〈第３の実施の形態〉で説明する。
図３における接合層３３を構成する物質は、熱伝導性を示唆して、ＴＩＭ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｍａｔｅｒｉａｌ）と呼ばれ、樹脂としては、例えば、シリコンポリマー系樹脂が用いられる。その他、ＴＩＭには、インジウム、インジウムの合金等の金属、カーボンを含有した樹脂又はカーボンを含有した金属等を使用することができる。
半導体素子用放熱板の形状寸法としては、例えば、図３の（ｃ）の平面視した形状について、１辺の長さＷが１５〜６０ｍｍの正方形、または、長辺の長さＷ１が１５〜６０ｍｍの長方形で、厚さｄは、１〜３ｍｍである。凸状曲面の部分の高さｈは、例えば、１辺の長さＷが４０ｍｍの正方形の場合に、４０μｍである。
放熱板の材質としては、例えば、熱伝導性に優れた無酸素銅Ｃ１０２０、銀、アルミニウム、または、それらの合金等を使用する。
放熱板の製造は、鍛造加工、機械切削等により行われる。
図３において、半導体素子３２が搭載されている配線基板３５の形態の例は、ＰＧＡ（Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）である。配線基板３５の形態は、ＰＧＡに限らず、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）またはＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等の形態でもよく、また、電子応用機器に使用されるマザーボード等の配線基板であってもよい。
なお、図３の配線基板３５の半導体素子３２側の面上において、配線基板３５と半導体素子用放熱板３１との間隙の部分には、チップコンデンサ等の受動部品または他の半導体素子等が搭載される場合もある。
〈第１の実施の形態の効果〉
半導体パッケージの製造において、半導体素子と半導体素子用放熱板との自動面合せを可能にする機構を提供して、半導体素子用放熱板３１と半導体素子３２との接合面間の平行度を容易に確保することができ、半導体素子の放熱効果を高めることができる。従って、品質の向上及び生産性の向上を図ることができる。
〈第１の実施の形態の変形例〉
本発明の第１の実施の形態の変形例は、半導体素子用放熱板の凸状曲面の部分の材料が、半導体素子用放熱板の他の部分の材料と異なる半導体素子用放熱板の例である。材料としては、プレス機械からの押付け力に耐えることのできる金属、または樹脂を使用することできる。樹脂を使用する場合には、半導体素子用放熱板の面３１ａの中央部３６（図３の（ｃ））に、樹脂を塗布して滑らかな曲面の盛り上がった形状等を形成し、硬化させた後、自動面合せを行う。そして、半導体素子用放熱板と半導体素子との相互位置関係を定めた後に、その樹脂を削除してもよい。樹脂等の削除により、放熱面３１ａを平坦にする場合、例えば、接合面が平坦な放熱フィンを接合する場合等に、樹脂削除の方法を利用することができる。
〈第１の実施の形態の変形例の効果〉
自動面合せを行った後、放熱面が平坦な半導体素子用放熱板を得ることができる。接合面に平坦性を必要とする放熱フィン機構等の取り付けに、特に有効である。
〈第２の実施の形態〉
図４は、本発明の第２の実施の形態に係る、半導体素子を搭載した配線基板と半導体素子用放熱板とを有する、半導体パッケージを例示する図である。半導体パッケージは、半導体素子を囲むような形状の凹部を放熱板の半導体素子側の面に有し、または、配線基板にキャビティ（凹型領域）を有したパッケージである。
図４の（ａ）は、半導体素子３２の占有空間を確保するための凹部４１を有する、半導体素子用放熱板４２ａを特徴とする半導体パッケージである。（ｂ）は、半導体素子３２を収容するキャビティ４３を有する配線基板４５ｂの周縁部４４と接合している、平板の半導体素子用放熱板４２ｂを特徴とし、（ｃ）は、半導体素子３２を収容するキャビティ４３内に設けられた、平板の半導体素子用放熱板４２ｃを特徴としている。
図４の（ａ）の半導体パッケージにおいて、半導体素子３２の背面３２ａと、半導体素子用放熱板４２ａの対向面４６ａとは、接合層３３で接合され、半導体素子用放熱板４２ａと配線基板４５ａとは接合層４７で接合されている。接合層３３及び４７の材料としては、シリコンポリマー系の樹脂が使用される。
半導体素子用放熱板の寸法としては、例えば、凹部４１を形成する周壁４８の幅Ｄが２〜３ｍｍ、凹部４１の深さＣａが、０．５〜０．９ｍｍである。
図４の（ａ）における凹部４１の深さＣａの値は、半導体素子３２の厚さ、接合層３３の厚さ及びバンプ４９等の高さを合計した値より、小さく設定することができる。この寸法の設定により、半導体素子用放熱板４２ａは、その周壁４８を対向する配線基板４５ａに突き当てることなく、半導体素子３２の背面３２ａと対向面４６ａとが平行となるように、優先的に回転することができる。従って、「自動面合せ」が容易になる。なお、半導体素子３２等の厚さの合計値と、凹部４１の深さＣａの値との差により、半導体素子用放熱板４２ａの周壁４８と配線基板４５ａとに隙間を生じるが、接合層４７の厚さを適宜選んで、接合層４７を間隙に十分に充填させることができる。従って、半導体素子用放熱板４２ａの周壁４８と配線基板４５ａとを確実に接合することができる。
図４の（ｂ）におけるキャビティ４３の深さＣｂの値についても、上記の凹部４１のＣａと同様に、半導体素子３２の厚さ、接合層３３の厚さ及びバンプ４９等の高さを合計した値より、小さく設定することができ、半導体素子用放熱板４２ｂの優先的な回転が確保でき、「自動面合せ」を行うことができる。また、接合層４７を十分に充填させることにより、半導体素子用放熱板４２ｂと配線基板４５ｂの周縁部４４とを確実に接合することができる。
なお、図４の（ａ），（ｂ）及び（ｃ）について、配線基板４５ａ，４５ｂ及び４５ｃの形態は、ＰＧＡの例を示したが、ＬＧＡ、ＢＧＡまたはマザーボード等を使用することができる。
〈第２の実施の形態の効果〉
半導体素子用放熱板が凹部を有し、または、配線基板がキャビティを有する場合の、半導体素子と半導体素子用放熱板との接合は、これらの閉空間における接合であるため、従来の、接合面の相互距離把握と接合の押付け方向の設定は困難を伴うものであった。半導体素子の側面からの接合部位の計測、測定が困難であったからである。しかし、本発明の、凸状曲面の部分を有する半導体素子用放熱板を使用すれば、容易に自動面合せを行うことができるので、一連の高精度の接合の工程を容易に実施することができ、放熱効果の優れた半導体パッケージを得ることができる。従って、品質の向上、生産性の向上を図ることができる。
〈第３の実施の形態〉
本発明の第３の実施の形態は、自動面合せ工程を有する半導体パッケージの製造方法の例である。
（自動面合せと片当たり）
本発明に係る「自動面合せ」は、半導体素子と半導体素子用放熱板のおのおのの接合面を相互に平行の位置に定めるための方法で、プレス機械等に測定、制御の機構を設けることなく、プレス機械等の押付け力のみによって、接合すべき対象部品が自動的に作動し、いわば、ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｍｅｎｔ（自動調芯）ともいうべき動作によって、接合面の平行度を出す方法である。
図５は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体パッケージの製造方法における「自動面合せ」を説明する図である。なお、自動面合せの動きの理解を容易にするため、図の一部は誇張されている。
図５の（ａ）は、半導体素子用放熱板３１と半導体素子３２の各接合面３１ｂと３２ａとが平行である状態を示す。
図５の（ｂ）は、接合面３１ｂと３２ａとが平行でなく、半導体素子の接合面３２ａの左端Ｐ点、中央Ｑ点、右端Ｒ点のうち、Ｐ点の箇所が、接合層３３を介して、半導体素子用放熱板３１上に片当たりしている状態を示している。片当たりは、半導体素子用放熱板３１の接合面３１ｂと半導体素子３２の接合面３２ａとが平行でない結果、生じる。平行でないのは、測定または接合の動作に起因する。具体的には、例えば、半導体素子用放熱板３１の厚さの不均一性、プレス機械等の押付け力の方向のずれ等いくつかの要因によるものである。製造の過程で、それぞれの要因を個別に解決することは困難である。また、仮に、片当たりした状態で半導体素子と半導体素子用放熱板とが接合された場合には、未接合部分の空間またはボイドが生じて、放熱機能が十分でなく接合強度を有しない半導体パッケージとなる。従って、各接合面間の片当たり状態を避け、平行出しをすることが重要である。
（片当たり時の半導体素子用放熱板の動き）
図５の（ｂ）に示す片当たりの状態になり、押付け力がかかると、半導体素子接合面３２ａの、点Ｐの箇所の接合層３３が圧迫される。流動性を有する接合層３３は、点Ｐの箇所における肉厚が減少して、半導体素子用放熱板３１と半導体素子３２とが点Ｐにおいてほぼ接した状態となり、点Ｐにおいて、両者間に強い反力が発生する。点Ｐにおいて片当たりしている一方で、点Ｑ、Ｒ付近においては反力が発生せず、無負荷状態となる。半導体素子用放熱板３１の全体は、プレス機械の押圧板Ｎにより、矢印Ｘの方向に押されているので、半導体素子用放熱板３１が受ける偶力のモーメントの釣り合いが崩れる。すると、半導体素子用放熱板３１は、点Ｐを中心として、矢印Ａの方向に回転し始める。そして、この回転の動きは、接合面間が平行となって、偶力のモーメントが釣り合いの状態となるまで継続する。すなわち、図５の（ａ）に示すような半導体素子用放熱板３１の面３１ｂが、半導体素子３２の面３２ａに平行な状態となるまで、継続する。平行状態においては、接合面における矢印Ｘの方向の発生応力は、点Ｐ，Ｑ，Ｒを含め、ほぼ全ての点において、等しくなり、半導体素子用放熱板３１にかかる力の偶力のモーメントが釣り合うこととなる。さらに、プレス機械等によるＸ方向の押付け力によって、接続層３３の粘度等の物性値に応じて、半導体素子用放熱板の面３１ｂと半導体素子の面３２ａとの面間距離が定まる。以上のように、半導体素子の面と半導体素子用放熱板の面との平行度の自動調整を、プレス機械等に、測定、制御の機構を設けることなく、行わせることができる。
なお、接合層が流動性を有する場合について、半導体素子用放熱板の動きを説明したが、接合層の材料が金属等のような硬い場合であっても、半導体素子用放熱板にかかる力の偶力のモーメントが釣り合う状態は同様であり、半導体素子の面と半導体素子用放熱板の面との「自動面合せ」を行うことができる。
（半導体パッケージの製造方法）
図６は、本発明の第３の実施の形態に係る、半導体パッケージの製造方法の工程を例示する図である。工程は、ステップ１．放熱板載置工程（Ｓ１０１）、ステップ２．自動面合せ工程（Ｓ１０２）、ステップ３．接合層硬化工程（Ｓ１０３）を有している。半導体パッケージの構造として、図３の（ａ）の例を参照して説明する。
（ステップ１．放熱板載置工程）
半導体素子を搭載した配線基板３５を準備して、半導体素子３２の放熱面（通常集積回路面の裏面）３２ａに接合層３３を塗布する。接合層３３の部材は、ＴＩＭといい、例えば、シリコンポリマー系樹脂を使用する。ＴＩＭを塗布し半硬化状態とする手順は、周知の樹脂塗布技術に従う。次に、ＴＩＭが塗布された半導体素子３２に、凸状曲面の部分３４を形成した半導体素子用放熱板３１を載置する。その他、ＴＩＭには、インジウム、インジウムの合金等の金属、カーボンを含有した樹脂又はカーボンを含有した金属等を使用することができる。ＴＩＭが流動性を有しない硬い材料の場合であっても、工程を進めることができる。
（ステップ２．自動面合せ工程）
プレス機械等（図示せず）を用いて、半導体素子用放熱板３１を半導体素子３２の側に向かって押付け、自動面合せを行う。自動面合せについては、前出の〈第３の実施の形態〉において詳説したので、説明を省く。
（ステップ３．接合層硬化工程）
周知の樹脂硬化技術に従って、接合層の硬化を行う。図４の半導体パッケージの例に示されているように、半導体素子用放熱板が、半導体素子との接合層３３以外に、配線基板との接合層４７等を有している場合には、接合層４７等の肉厚を確保しながら、半導体素子との自動面合せを行う。半導体パッケージにおける接合層４７の肉厚の値は、例えば、０．２〜０．２５ｍｍである。
〈第３の実施の形態の効果〉
自動面合せ、すなわち、半導体素子の接合面と半導体素子用放熱板の接合面との平行度の自動調整を、プレス機械等に測定、制御の機構を設けることなく、行わせることができる。従って、生産性の向上及び品質の向上を図ることができる。
〈第４の実施の形態〉
図７は、本発明の第４の実施の形態に係る、半導体素子用放熱板７１に放熱フィン７２を設けた半導体パッケージ７０を例示する図である。放熱フィン７２の接合により、半導体素子の放熱の熱効率を、さらに高めることができる。放熱フィン７２については、周知の種々の形状、材質を使用することができる。
放熱フィン７２と半導体素子用放熱板７１の放熱面７１ａとの接合層７３の材料としては、シート状またはジェル状のＴＩＭ、例えばシリコンポリマー系樹脂が用いられる。
さらに、放熱フィン７２の上面に冷却ファン７４を設けることにより、空気の強制対流等によって、放熱の熱効率を上げることができる。
〈第４の実施の形態の効果〉
半導体素子用放熱板のみの放熱機構と比較して、さらに高い放熱の熱効率を得ることができ、製品性能の向上を図ることができる。
〈第５の実施の形態〉
本発明の第５の実施の形態は、配線基板上に２次元配列した複数の半導体素子に対して半導体素子用放熱板の自動面合せ及び接合を行う、半導体パッケージの製造方法の例である。製造工程は、〈第３の実施の形態〉における工程と、半導体素子の個数以外は同様であるので、詳細の説明を省く。
図８は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体パッケージの製造方法について、複数の半導体素子３２ｐ，３２ｑ，３２ｒ及び３２ｓと、それぞれに対応する半導体素子用放熱板８２ｐ，８２ｑ，８２ｒ及び８２ｓとの同時の自動面合せを開始するときの状態を例示する図である。半導体素子用放熱板のそれぞれの凸状曲面の部分３４が、プレス機械の押圧板Ｎに接触して、矢印Ｘの方向に押付け力を受けている状態である。
半導体素子用放熱板８２ｐ等が載置されたままの状態から、プレス機械の押圧板Ｎにより、個々に押付け力を受けて、半導体素子３２ｐ等の面との平行度の自動調整が開始される。このようにして、個々の半導体素子用放熱板を、同時に、自動面合せすることができる。自動面合せについては、前出の〈第３の実施の形態〉及び図５の（ａ）と（ｂ）により説明した内容と重複するので、その記載を省く。
なお、同時自動面合せの際に、半導体素子用放熱板８２ｐ等の、配線基板８１の平面の方向等へのずれが予想される場合には、例えば、リテーナ（支持枠）８３を使用すれば、そのずれを防ぐことができる。
〈第５の実施の形態の効果〉
複数の半導体素子に対し、同時に、半導体素子用放熱板の自動面合せを行い、接合を行うことができるので、生産性の向上及び製造コストの削減を図ることができる。
〈本発明に係る他の実施の形態〉
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳説したが、本発明は、上述した実施の形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
３０，７０ 半導体パッケージ
３１，４２ａ，４２ｂ，４２ｃ，７１，８２ｐ，８２ｑ，８２ｒ，８２ｓ 半導体素子用放熱板
３１ａ 放熱側の面
３１ｂ 半導体素子用放熱板３１の、半導体素子３２に対向する面
３２，３２ｐ，３２ｑ，３２ｒ，３２ｓ 半導体素子
３２ａ 半導体素子３２の半導体素子用放熱板との接合面
３３，４７，７３ 接合層
３４ 凸状曲面の部分
３５，４５ａ，４５ｂ，４５ｃ，８１ 配線基板
４１ 凹部
４３ キャビティ
４４ 配線基板４５ｂのキャビティ４３の周縁部
４８ 半導体素子用放熱板４２ａの凹部４１を形成する周壁
４９ バンプ
７１ａ 半導体素子用放熱板７１の放熱面
７２ 放熱フィン
７４ 冷却ファン
８３ リテーナ（支持枠）
Ｃａ 凹部４１の深さ
Ｃｂ キャビティ４３の深さ
Ｄ 周壁４８の幅
Ｎ プレス機械の押圧板
Ｐ，Ｑ，Ｒ 半導体素子の接合面の点

Claims (7)

  1. 配線基板に搭載された半導体素子に、前記半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に凸状曲面の部分を形成した半導体素子用放熱板を載置する放熱板載置工程と、
    平面を有する押圧板の平面部を、前記凸状曲面の部分に押し付けて、前記半導体素子用放熱板を前記半導体素子に押付けることにより、自動的に前記半導体素子用放熱板と前記半導体素子との面合せを行う自動面合せ工程とを有する半導体パッケージの製造方法。
  2. 同一の配線基板上に搭載された複数の半導体素子に対して、それぞれの前記半導体素子に接合すべき前記半導体素子用放熱板を、前記それぞれの半導体素子の接合すべき面に載置し、前記半導体素子用放熱板と前記半導体素子とを接合する請求項１記載の半導体パッケージの製造方法。
  3. 前記凸状曲面の部分の材料が、前記半導体素子用放熱板の他の部分と異なる材料で形成した前記半導体素子用放熱板を使用し、前記自動面合せ工程終了後、前記凸状曲面の部分を除去することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体パッケージの製造方法。
  4. 半導体素子を搭載した配線基板と、
    半導体素子用放熱板とを有し、
    前記半導体素子用放熱板は、前記半導体素子に接合され、かつ、半導体素子との接合面と反対側の面の一部又は全部に、凸状曲面の部分を形成している半導体パッケージ。
  5. 前記凸状曲面の部分は、前記半導体素子用放熱板の他の部分と異なる材料で形成した請求項４記載の半導体パッケージ。
  6. 前記半導体素子用放熱板は、前記半導体素子の占有空間を確保する凹部を有し、かつ、前記凹部を形成する周壁と前記配線基板とが接合していることを特徴とする請求項４又は５記載の半導体パッケージ。
  7. 前記配線基板は前記半導体素子を収容するキャビティを有し、前記半導体素子用放熱板と、前記配線基板における前記キャビティ周縁部とが接合していることを特徴とする請求項４又は５記載の半導体パッケージ。
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