JP2013012570A - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】フリップチップパッケージの反りまたは剥離を抑制する。
【解決手段】配線基板１００上には、バンプ３２０を介して、半導体チップ３００が搭載されている。また、配線基板１００上のうち、半導体チップ３００の周囲には、スティフナ４００が設けられている。このスティフナ４００は、半導体チップ３００の周囲に接着された接着部４２０と、半導体チップ３００の上面とのなす角θが０度より大きく、９０度より小さい傾斜部と、を備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。

近年、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）などの様々なフリップチップパッケージの半導体装置が提案されている。

特許文献１（特開２０００−２２３６２７号公報）には、以下のようなフリップチップパッケージが記載されている。半導体チップの素子形成面には、ロウ材からなるバンプが形成されている。このバンプを溶融接着することにより、半導体チップと配線基板とは、接続されている。半導体チップのバンプ側表面の対向面には、リッドが接着されている。また、リッドは、配線基板と同等の熱膨張係数と弾性率を有する材料で形成されている。また、リッドの中央には、半導体チップの一部が露出するように、開口部が設けられている。さらに、その開口部には、金属ブロックが嵌合して、半導体チップに接着されている。このようなフリップチップパッケージであることにより、半導体チップと配線基板を接続するバンプに加わる応力と、半導体チップそのものに加わる応力を低減するとともに、放熱効果も確保することができるとされている。

特開２０００−２２３６２７号公報

上記特許文献１に記載されているフリップチップパッケージに関して、発明者は、さらに以下のようなことに着目した。配線基板と半導体チップとの熱膨張係数の差により、これらの間に熱応力が発生する。発明者は、この熱応力により、フリップチップパッケージに、反りまたは剥離が生じる可能性があることを見出した。

本発明によれば、
配線基板と、
前記配線基板上に、バンプを介して搭載された半導体チップと、
前記配線基板上のうち、前記半導体チップの周囲に設けられたスティフナと、
を備え、
前記スティフナは、
前記半導体チップの周囲に接着された接着部と、
前記半導体チップの上面とのなす角が０度より大きく、９０度より小さい傾斜部と、
を備える半導体装置が提供される。

本発明によれば、
配線基板の上面に、バンプを介して、半導体チップを配置する工程と、
前記バンプを溶融させ、前記配線基板と前記半導体チップとを接合する接合工程と、
前記配線基板のうち、前記半導体チップの周囲に接着される接着部と、前記半導体チップの上面とのなす角が０度より大きく、９０度より小さい傾斜部と、を備えるスティフナを、前記配線基板の上面に接着するスティフナ搭載工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。

本発明によれば、半導体チップの周囲に、スティフナが設けられている。このスティフナは、半導体チップの周囲に接着された接着部と、半導体チップの上面とのなす角が０度より大きく、９０度より小さい傾斜部と、を備えている。この半導体装置において、温度が低くなるとき、配線基板は熱収縮する。このため、スティフナには、半導体チップに近づく方向に応力が加えられる。したがって、スティフナの傾斜部によって、半導体チップを配線基板に押し付けることができる。よって、フリップチップパッケージの反りまたは剥離を抑制することができる。

本発明によれば、フリップチップパッケージの反りまたは剥離を抑制することができる。

第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。 第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 第１の実施形態の効果を説明するための図である。 第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 第５の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。 第６の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。 第７の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。 第９の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。 第１０の実施形態に係るスティフナの構成を示す図である。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

（第１の実施形態）
図１を用い、第１の実施形態に係る半導体装置１０について説明する。この半導体装置１０は、以下の構成を備えている。配線基板１００上には、バンプ３２０を介して、半導体チップ３００が搭載されている。また、配線基板１００上のうち、半導体チップ３００の周囲には、スティフナ４００が設けられている。このスティフナ４００は、半導体チップ３００の周囲に接着された接着部４２０と、半導体チップ３００の上面とのなす角θが０度より大きく、９０度より小さい傾斜部と、を備えている。以下、詳細を説明する。

図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）におけるＡ−Ａ'線断面図を示している。また、図１（ｂ）は、半導体装置１０を上面側から見た平面図を示している。

図１（ａ）のように、半導体装置１０は、配線基板１００を備えている。配線基板１００は、半導体チップ３００を搭載して、マザーボードなどの他の配線基板（不図示）に接続するための板状部材である。具体的には、この配線基板１００は、たとえば、インターポーザである。

また、配線基板１００の上面および下面には、配線層（不図示）が設けられている。この上面および下面に設けられた配線層は、それぞれ、配線基板１００内に設けられた貫通ビア（不図示）を介して、接続している。また、配線基板１００の下面に設けられた配線層の下側には、はんだボール１２０が形成されている。一方、配線基板１００の上面に設けられた配線層の上には、端子１４０が形成されている。

ここで、配線基板１００を構成する材料としては、ガラスエポキシ樹脂、またはセラミックなどが挙げられる。なお、配線基板１００に用いられるガラスエポキシ樹脂の熱膨張係数（後述α_１）は、およそ、１２ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下である。また、配線基板１００に用いられるセラミックの熱膨張係数は、およそ、５ｐｐｍ／℃以上１２ｐｐｍ／℃以下である。

また、配線基板１００上には、バンプ３２０を介して、半導体チップ３００が搭載されている。この半導体チップ３００の基板は、たとえばシリコン基板である。この半導体チップ３００には、たとえば、ＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体素子（不図示）が形成されている。また、半導体チップ３００上には、多層配線層（不図示）が形成されている。

多層配線層の最上層には、上記したバンプ３２０が設けられている。このバンプ３２０は、多層配線層に設けられた複数のビア（不図示）および配線（不図示）を介して、上記した半導体素子に接続している。また、このバンプ３２０は、たとえば、はんだバンプ、めっきバンプ、またはワイヤバンプなどである。そのバンプ３２０の材料は、たとえば、Ｓｎを含む合金である。具体的には、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｂｉなどである。

半導体チップ３００は、素子搭載面が配線基板１００側になるように、配線基板１００上に設けられている。また、半導体チップ３００のバンプ３２０は、平面視で、配線基板１００の端子１４０と重なるように配置されている。このように、半導体チップ３００は、配線基板１００と電気的に接続されている。

なお、バンプ３２０は、配線基板１００の上面側に形成されていてもよい。この場合、半導体チップ３００には、電極パッド（不図示）が設けられおり、この電極パッドとバンプ３２０が接続されている。

半導体チップ３００と配線基板１００との間には、アンダーフィル材２００が充填されている。このアンダーフィル材２００は、配線基板１００と半導体チップ３００との間を封止し、当該接合部分を物理的に保護するために設けられている。

ここで、配線基板１００の熱膨張係数をα_１、半導体チップ３００の熱膨張係数をα_２としたとき、α_１＞α_２である。なお、半導体チップ３００がシリコン基板である場合は、α_２は、およそ２．４ｐｐｍ／℃である。上記した配線基板１００の材料のいずれの場合においても、上記式を満たす。このような場合に、たとえば、後述するように、温度が低くなるとき、反りが発生する可能性がある。

配線基板１００上のうち、半導体チップ３００の周囲には、スティフナ４００が設けられている。ここで、スティフナ４００とは、半導体チップ３００を固定するために、半導体チップ３００の周囲から当該半導体チップ３００を支持するように、配線基板１００上に設けられた固定部材のことである。

また、スティフナ４００は、半導体チップ３００の周囲に接着された接着部４２０と、半導体チップ３００の上面とのなす角θが０度より大きく、９０度より小さい傾斜部４４０と、を備えている。

スティフナ４００の形状は、少なくとも、上記した接着部４２０および傾斜部４４０を有していればよい。したがって、スティフナ４００の形状は、様々な形状とすることができる。具体的には、たとえば、板状とすることができる。これにより、スティフナ４００の接着部４２０および傾斜部４４０は、たとえば、板状部材が屈曲することにより、形成されている。

接着部４２０は、配線基板１００の上面に接して接着されている。接着部４２０は、たとえば、接着剤（不図示）などにより、配線基板１００に接着されている。接着部４２０と配線基板１００との絶縁性を保つ場合、接着剤としては、たとえば、有機系の非導電性接着剤である。一方、接着部４２０を配線基板１００の何れかの端子（不図示）と接続してグランドに接地するなどの場合、接着剤としては、たとえば、導電性接着剤、または、上記バンプ３２０と同材料のはんだなどである。

接着部４２０の一端は、平面視で配線基板１００よりも内側に配置されている。すなわち、接着部４２０は、配線基板１００よりも外側に延出していない。これにより、製造工程において、半導体装置１０の両端を持つ際に、スティフナ４００が剥離することを抑制することができる。

また、傾斜部４４０と半導体チップ３００の上面とのなす角θは、配線基板１００が収縮したとき、配線基板１００の収縮応力を、どの程度の強さの応力に変換して、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けるかに基づいて決定される。上述のように、傾斜部４４０と半導体チップ３００の上面とのなす角θは、たとえば、０度より大きく、９０度より小さい。より好ましくは、θは、３０度以上６０度以下である。これにより、傾斜部４４０は、配線基板１００が収縮したときに、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。さらに、θが上記範囲内であることにより、半導体装置１０の面積を過度に大きくすることがない。

ここでいう「配線基板１００が収縮したとき」とは、半導体装置１０において、温度が低くなるとき、熱膨張係数の異なる二つの部材が接合されていることにより、熱膨張係数α_１の小さい配線基板１００が熱収縮することをいう。また、「温度が低くなるとき」とは、後述する製造工程のうち、接合工程において高温で接合した後に冷却する工程を行う場合、または、半導体装置１０の使用環境が通常の温度から低温に変化する場合などを含む。このような場合に、傾斜部４４０は、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。この作用効果については、詳細を後述する。

傾斜部４４０は、接着部４２０よりも半導体チップ３００側に配置されている。傾斜部４４０の底面は、少なくとも、半導体チップ３００の露出側の角部（符号不図示）を含む方向に向くように配置されている。

上述のように、接合工程後の冷却工程において、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける作用効果を得たい場合、傾斜部４４０は、半導体チップ３００の角部に接していることが好ましい。また、傾斜部４４０は、半導体チップ３００に応力をかけた状態で接していてもよい。さらには、傾斜部４４０は、弾性変形した状態で半導体チップ３００に接していてもよい。なお、上記の場合、傾斜部４４０と半導体チップ３００とは、固定されていない。これにより、製造工程後、および製造工程後の半導体装置１０の使用時において、反りを抑制することができる。

一方、半導体装置１０の使用環境が通常の温度から低温に変化するときに、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける作用効果を得たい場合には、上記した傾斜部４４０が半導体チップ３００に接している形態のほか、以下のような配置も可能である。上記場合には、通常時の傾斜部４４０は、半導体チップ３００から離間して配置されていてもよい。このとき、当該離間している距離は、低温となった場合に、配線基板１００の収縮量に基づいて、半導体チップ３００と傾斜部４４０が接することができる距離であることが好ましい。

スティフナ４００としては、剛性のある板状部材であることが好ましい。具体的には、たとえば、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ４１０、ＳＵＳ４３０、４２アロイ、またはＡｌ合金（Ａ５０５２Ｐ）などの金属板が挙げられる。

ここで、第１の実施形態では、配線基板１００の熱膨張係数をα_１、スティフナ４００の熱膨張係数をα_３としたとき、α_１＞α_３であることが好ましい。熱膨張係数α_１、α_３の単位をｐｐｍ／℃としたとき、具体的には、下記のような部材の組み合わせとなる。配線基板１００を構成する材料がガラスエポキシ樹脂である場合（１２≦α_１≦２０）、スティフナ４００の材料としては、４２アロイ（α_３＝３）、ＳＵＳ４３０（α_３＝１０．４）、ＳＵＳ４１０（α_３＝１１）、またはＳＵＳ３０４（α_３＝１７．３）などであることが好ましい。一方、配線基板１００を構成する材料がセラミックの場合（５≦α_１≦１２）、４２アロイ（α_３＝３）、ＳＵＳ４１０（α_３＝１１）、またはＳＵＳ４３０（α_３＝１０．４）などであることが好ましい。これにより、配線基板１００が収縮したとき、スティフナ４００の収縮量を配線基板１００よりも小さくすることができる。すなわち、配線基板１００が収縮したとき、スティフナ４００の接着部４２０を縮小させることなく、スティフナ４００は半導体チップ３００に近づけることができる。したがって、確実に、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける方向の応力を発生させることができる。

なお、傾斜部４４０が半導体チップ３００に応力をかけた状態で接している場合は、スティフナ４００の材料としては、上記熱膨張係数α_３によらず、どの材料を選択してもよい。

また、スティフナ４００の厚さは、用いた材料の剛性、質量などを考慮して決められる。具体的には、その厚さは、０．１ｍｍ以上１０ｍｍである。より好ましくは、その厚さは、０．３ｍｍ以上３ｍｍである。スティフナ４００の厚さが上記範囲内であることにより、軽量化できるとともに、上記した半導体チップ３００を押し付ける機能を有することができる。なお、スティフナ４００の厚さが上記下限値以下である場合は、剛性が弱く、半導体チップ３００を押し付ける効果を得ることが難しい。

また、スティフナ４００は、スペーサー（不図示）を介して、配線基板１００上に設けられていてもよい。このスペーサーの厚さを調整することにより、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける方向の応力の強さを調整することができる。

図１（ｂ）のように、半導体チップ３００は、平面視で配線基板１００の中央に配置されている。言い換えれば、半導体チップ３００は、平面視で、配線基板１００内で中心対称となるように配置されている。これにより、配線基板１００が収縮したときに、半導体チップ３００と配線基板１００との間に均等に応力を発生させることができる。すなわち、配線基板１００が収縮したときに、局所的に応力が強い部分を発生させることがない。

また、スティフナ４００は、半導体チップ３００の周囲を囲むように配置されている。ここでは、４つのスティフナ４００が、それぞれ半導体チップ３００の四辺に並んで設けられている。これにより、４方向からの収縮力に対して、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。

また、スティフナ４００のうち、接着部４２０および傾斜部４４０の形状は、平面視で台形となっている。ここでは、隣り合う接着部４２０は、互いの台形の側辺が接するように配置されている。これにより、半導体装置１０の全体の剛性を向上させることができる。

スティフナ４００のうち、傾斜部４４０は、平面視で、それぞれ半導体チップ３００の各辺に対向するように設けられている。傾斜部４４０の下面と、半導体チップ３００の各辺とは、平行である。これにより、配線基板１００が収縮したとき、傾斜部４４０の一部が半導体チップ３００と点で接するようなことがない。すなわち、配線基板１００が収縮したとき、傾斜部４４０は、半導体チップ３００と辺で接することができる。

また、傾斜部４４０の一部は、平面視で半導体チップ３００と重なっている。これにより、配線基板１００が収縮したとき、半導体チップ３００を配線基板１００に接触させることができる。

なお、平面視で対抗する位置にある二つのスティフナ４００は、半導体チップ３００を挟んで離間して配置されている。この二つのスティフナ４００が相互に半導体チップ３００の上部で接続、または干渉している場合、配線基板１００が収縮したとき、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける効果を得ることができない。

さらに、配線基板１００の上面は、封止樹脂（不図示）により封止されていてもよい。この場合、封止樹脂は、半導体チップ３００およびスティフナ４００を覆うように設けられている。これにより、半導体チップ３００をさらに保護することができる。なお、この場合では、上述のスティフナ４００は、半導体チップ３００に接していることが好ましい。

次に、図２〜図３を用い、第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法について、説明する。図２は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図３および図４は、第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法を説明するための断面図である。第１の実施形態に係る半導体装置１０の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、配線基板１００の上面に、バンプ３２０を介して、半導体チップ３００を配置する（Ｓ１２０）。次いで、バンプ３２０を溶融させ、配線基板１００と半導体チップ３００とを接合する（接合工程、Ｓ１３０）。次いで、配線基板１００のうち、半導体チップ３００の周囲に接着される接着部４２０と、半導体チップ３００の上面とのなす角θが０度より大きく、９０度より小さい傾斜部４４０と、を備えるスティフナ４００を、配線基板１００の上面に接着する（スティフナ搭載工程、Ｓ１４０）。以下詳細を説明する。

まず、図１で示されているように、以下のように、配線基板１００を準備する。はじめに、たとえば、板状の基材の上面および下面に、配線層を形成する。次いで、基材に貫通ビアホールを形成する。次いで、貫通ビアホールに、めっきにより金属を埋め込み、貫通ビアを形成する。次いで、配線層をパターニングする。次いで、基材の上面に形成された配線層の上に、端子１４０を形成する。以上のように、配線基板１００を形成する（以上、不図示）。

また、上記のように、配線基板１００を準備する工程と並行して、以下のように、半導体チップ３００を準備する。はじめに、たとえば、シリコン基板に、ＦＥＴなどの半導体素子（不図示）を形成する。次いで、多層配線層を形成する層間絶縁層に、ビアおよび配線を形成する。次いで、多層配線層の最上層に、バンプ３２０を形成する。次いで、ダイシングを行う。以上により、半導体チップ３００を形成する（以上、準備工程、Ｓ１１０）。

次いで、図２（ａ）のように、たとえば、ポッティング法により、配線基板１００の上面に、液状のアンダーフィル材２００を塗布する。なお、アンダーフィル材２００は、シート状でもよく、ラミネートにより形成してもよい。

次いで、図２（ｂ）のように、配線基板１００の上面に、バンプ３２０を介して、半導体チップ３００を配置する（Ｓ１２０）。このとき、半導体チップ３００のバンプ３２０を、平面視で、配線基板１００の端子１４０と重なるように配置する。なお、この段階では、バンプ３２０は、溶融しておらず、アンダーフィル材２００による仮接着の状態である。

次いで、図２（ｂ）の仮接着の状態から、たとえば、リフロー装置などにより、「バンプ溶融温度」まで上昇させて、バンプ３２０を溶融させ、配線基板１００と半導体チップ３００とを接合する（Ｓ１３０）。ここでいう「バンプ溶融温度」とは、半導体チップ３００におけるバンプ３２０が溶融し、配線基板１００における端子１４０と接合するための温度のことをいう。したがって、バンプ３２０の材料に応じて、適宜温度を調整する。具体的には、バンプ３２０がＳｎ−Ａｇである場合には、バンプ溶融温度は２２０℃である。また、この接合工程（Ｓ１３０）において、アンダーフィル材２００を硬化させてもよい。

次いで、図３（ａ）のように、配線基板１００のうち、半導体チップ３００の周囲に接着される接着部４２０と、半導体チップ３００の上面とのなす角θが０度より大きく、９０度より小さい傾斜部４４０と、を備えるスティフナ４００を、配線基板１００の上面に接着する（スティフナ搭載工程、Ｓ１４０）。なお、スティフナ４００の接着には、接着剤などを用いる。また、第１の実施形態では、スティフナ搭載工程を、上述のバンプ溶融温度で行う。このとき、たとえば、スティフナ４００の傾斜部４４０を、半導体チップ３００の角部に接触するように配置する。なお、この段階では、配線基板１００と半導体チップ３００との間には、反りを生じさせるような応力は生じていない。

次いで、配線基板１００の上面に、スティフナ４００が搭載された状態で冷却する（冷却工程、Ｓ１５０）。このとき、比較的大きい熱膨張係数α_１を有する配線基板１００は熱収縮する。これにより、スティフナ４００は半導体チップ３００に近づく方向に力が加えられる。したがって、スティフナ４００の傾斜部４４０によって、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。

さらに、上記図３（ａ）の形態から、配線基板１００の上面を、半導体チップ３００およびスティフナ４００を覆うように、封止樹脂（不図示）により封止してもよい。

次いで、図３（ｂ）のように、基材の下面に形成された配線層の下側に、はんだボール１２０を形成する（Ｓ１６０）。

以上のようにして、第１の実施形態に係るフリップチップパッケージの半導体装置１０を得る。

次に、図５を用い、第１の実施形態の効果について説明する。

図５は、第１の実施形態の効果を説明するための図である。また、図５は、上記した半導体装置１０において、「温度が低くなるとき」を示している。上述のように、「温度が低くなるとき」とは、接合工程（Ｓ１３０）後に冷却工程（Ｓ１５０）を行う場合、または、半導体装置１０の使用環境が通常の温度から低温に変化する場合などを含む。

図５のように、半導体チップ３００の周囲に、スティフナ４００が設けられている。このスティフナ４００は、上述のように、半導体チップ３００の周囲に接着された接着部４２０と、半導体チップ３００の上面とのなす角θが０度より大きく、９０度より小さい傾斜部４４０と、を備えている。

この半導体装置１０において、温度が低くなるとき、配線基板１００は熱収縮する。このとき、配線基板１００は、熱収縮による応力Ｆ_１が発生する。このため、スティフナ４００には、半導体チップ３００に近づく方向に応力Ｆ_２が加えられる。

応力Ｆ_２により、スティフナ４００が半導体チップ３００に近づこうとする。これにより、スティフナ４００の傾斜部４４０は、半導体チップ３００の角部に押し付けられる。したがって、半導体チップ３００には、傾斜部４４０の角度θや、スティフナ４００のヤング率に基づいて、配線基板１００に押し付けられる方向の応力成分Ｆ_３が働く。このようにして、スティフナ４００の傾斜部４４０によって、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。

以上のように、本実施形態によれば、フリップチップパッケージの反りまたは剥離を抑制することができる。

（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。第２の実施形態は、スティフナ搭載工程（Ｓ２４０）を「耐熱保証温度」で行う点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図６のように、接合工程（Ｓ２３０）までは、第１の実施形態と同様の工程を行う。なお、この接合工程（Ｓ２３０）は、高温のバンプ溶融温度で行う。

次いで、バンプ溶融温度から「耐熱保証温度」まで冷却する。ここでいう「耐熱保証温度」とは、ユーザーが半導体装置１０を使用しうる環境のうち、最も高い温度の環境を想定して、品質を保証するための温度のことをいう。この耐熱保証温度は、たとえば、上記したバンプ溶融温度よりも低い。具体的には、たとえば、車載用途の半導体装置１０である場合には、耐熱保証温度は１０５℃である。

この耐熱保証温度において、スティフナ４００を配線基板１００上に搭載する（Ｓ２４０）。以降の工程は、第１の実施形態と同様である。

第２の実施形態によれば、スティフナ搭載工程（Ｓ２４０）を「耐熱保証温度」で行う。これにより、耐熱保証温度より低い温度範囲において、スティフナ４００の傾斜部４４０によって、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。また、スティフナ搭載工程（Ｓ２４０）の耐熱保証温度は任意に設定することができ、ユーザーの使用温度に応じて、決定することができる。したがって、耐熱保証温度の範囲内において、配線基板１００と半導体チップ３００との反りまたは剥離等の不良が発生しないことを保証することができる。

なお、第２の実施形態では、耐熱保証温度がバンプ溶融温度よりも低い場合を説明したが、逆に、耐熱保証温度がバンプ溶融温度よりも高い場合であってもよい。

（第３の実施形態）
図７は、第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。第３の実施形態は、スティフナ搭載工程（Ｓ３５０）を冷却工程（Ｓ３４０）後に行う点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

第３の実施形態は、半導体装置１０の使用環境が通常の温度から低温に変化するときに、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける作用効果を得たい場合の実施形態である。

図７のように、接合工程（Ｓ３３０）までは、第１の実施形態と同様の工程を行う。

次いで、バンプ溶融温度から「常温」まで冷却する（Ｓ３４０）。ここでいう「常温」とは、製造工程において、クリーンルームなどの作業環境下における通常の温度のことをいう。具体的には、「常温」は、たとえば、２２℃のことである。

常温において、スティフナ４００を配線基板１００上に搭載する（Ｓ３５０）。このとき、スティフナ４００を、傾斜部４４０が半導体チップ３００から離間するように配置していてもよい。なお、当該離間している距離は、低温となった場合に、配線基板１００の収縮量に基づいて、半導体チップ３００と傾斜部４４０が接することができる距離であることが好ましい。以降の工程は、第１の実施形態と同様である。

第３の実施形態によれば、接合工程（Ｓ３３０）において、配線基板１００上に、半導体チップ３００を固定する。その後に、スティフナ搭載工程を行う。このようにして、半導体チップ３００の搭載と、スティフナ４００の搭載を別工程で行う。すなわち、半導体チップ３００の搭載と、スティフナ４００の搭載とを独立させている。これにより、半導体チップ３００を搭載する際に、位置ズレ等が発生することを抑制することができる。

また、第３の実施形態によれば、常温でスティフナ搭載工程（Ｓ３５０）を行う。これにより、半導体装置１０の使用環境が通常の温度から低温に変化するときに、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける作用効果を得ることができる。極低温での使用も予想される車載用途での半導体装置１０に特に有効である。

さらに、第３の実施形態によれば、スティフナ４００を、傾斜部４４０が半導体チップ３００から離間するように配置することができる。これにより、半導体装置１０の使用環境が通常の温度から低温に変化するときのみに、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。すなわち、半導体チップ３００に、不必要な過度のテンションをかけることがない。

（第４の実施形態）
図８は、第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。第３の実施形態は、スティフナ搭載工程（Ｓ３５０）を、冷却工程（Ｓ３４０）後に行い、再度加熱して行う点を除いて、第３の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図８のように、配置工程（Ｓ４２０）までは、第１の実施形態と同様に行う。第４の実施形態において、この段階では、配線基板１００と半導体チップ３００との間には、アンダーフィル材２００を形成しない。

次いで、バンプ溶融温度まで上昇させて、バンプ３２０を溶融させ、配線基板１００と半導体チップ３００とを接合する（Ｓ４３０）。

次いで、バンプ溶融温度から常温まで、冷却する（Ｓ４４０）。冷却した状態で、配線基板１００と半導体チップ３００との間に、アンダーフィル材２００を注入する（アンダーフィル材注入工程、Ｓ４５０）。

次いで、再度加熱して、スティフナ４００を配線基板１００上に搭載する（Ｓ４６０）。このとき、たとえば、アンダーフィル材２００の硬化温度まで上昇させる。これにより、スティフナ４００を搭載するための加熱と、アンダーフィル材２００の硬化のための加熱を兼ねることができる。

以降の工程は、第３の実施形態と同様である。

第４の実施形態によれば、第３の実施形態と同様にして、半導体チップ３００の搭載と、スティフナ４００の搭載を別工程で行う。これにより、半導体チップ３００を搭載する際に、位置ズレ等が発生することを抑制することができる。

また、第４の実施形態によれば、スティフナ搭載工程（Ｓ４６０）を、アンダーフィル材２００の硬化温度で行う。これにより、スティフナ４００を搭載するための加熱と、アンダーフィル材２００の硬化のための加熱を兼ねることができる。

（第５の実施形態）
図９は、第５の実施形態に係る半導体装置１０の構成を示す図である。第５の実施形態は、以下の点を除いて、第１の実施形態と同様である。半導体チップ３００上には、放熱板５００が設けられている。また、スティフナ４００は、放熱板５００を介して、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける。以下、詳細を説明する。

図９（ａ）は、図９（ｂ）におけるＡ−Ａ'線断面図を示している。また、図９（ｂ）は、半導体装置１０を上面側から見た平面図を示している。

図９（ａ）のように、半導体チップ３００上には、放熱板５００が設けられている。放熱板５００は、たとえば、接着剤などにより、半導体チップ３００の上面に接着されている。

放熱板５００の材料は、たとえば、熱伝導性の良い金属が好ましい。具体的には、放熱板５００の材料は、たとえば、Ｃｕである。

第５の実施形態では、スティフナ４００は、半導体チップ３００ではなく、放熱板５００の一部と接している。これにより、スティフナ４００は、放熱板５００を介して、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。

また、放熱板５００には、たとえば、平坦部５２０および傾斜部５４０が設けられている。放熱板５００の傾斜部５４０は、スティフナ４００の傾斜部４４０の下面と接するように形成されている。すなわち、スティフナ４００の傾斜部４４０の傾斜角と、放熱板５００の傾斜部５４０の傾斜角とは等しい。これにより、スティフナ４００は、線ではなく面により接していることにより、安定的に、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。

また、放熱板５００の傾斜部５４０は、スティフナ４００の傾斜部４４０とは固定されていない。配線基板１００が熱収縮してスティフナ４００が近づいたとき、スティフナ４００の傾斜部４４０は、配線基板１００の傾斜部５４０を滑りながら、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける。

図９（ｂ）のように、平面視での放熱板５００の面積は、少なくとも半導体チップ３００以上の面積を有している。これにより、スティフナ４００の傾斜部４４０は、半導体チップ３００の角部ではなく、放熱板５００と接することができる。したがって、上述のように、スティフナ４００は、放熱板５００を介して、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。

図９（ａ）の場合では、上述のように、スティフナ４００の傾斜部４４０の下面は、平面視で半導体チップ３００の外側において、放熱板５００の傾斜部５４０と接している。

スティフナ４００の傾斜部４４０の一部は、平面視で放熱板５００と重なっている。したがって、本実施形態では、スティフナ４００の傾斜部４４０の一部が、平面視で半導体チップ３００と重なっていない形態であってもよい。

なお、放熱板５００の下面は、半導体チップ３００の上面と同じ大きさとすることができる。この場合、放熱板５００の傾斜部５４０は、平面視で半導体チップ３００の側辺よりも内側に形成されていてもよい。

第５の実施形態における半導体装置１０の製造方法では、放熱板５００を取り付ける工程は、どのタイミングで行ってもよいが、たとえば、スティフナ搭載工程の前に、放熱板５００を取り付ける工程を行うことが好ましい。

第５の実施形態によれば、半導体チップ３００上には、放熱板５００が設けられている。これにより、配線基板１００が熱収縮してスティフナ４００が近づいたとき、スティフナ４００は、放熱板５００を介して、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。したがって、放熱板５００を介していることにより、スティフナ４００によって、半導体チップ３００を損傷させることがなく、配線基板１００と半導体チップ３００との反りまたは剥離を抑制することができる。

（第６の実施形態）
図１０は、第６の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。第６の実施形態は、以下の点を除いて、第５の実施形態と同様である。放熱板５００は、平面視で半導体チップ３００よりも外側に延出している延出部５６０を備えている。以下、詳細を説明する。

図１０（ａ）は、図１０（ｂ）におけるＡ−Ａ'線断面図を示している。また、図１０（ｂ）は、半導体装置１０を上面側から見た平面図を示している。

図１０（ａ）のように、第５の実施形態と同様に、半導体チップ３００上には、放熱板５００が設けられている。

放熱板５００には、平面視で半導体チップ３００よりも外側に延出している延出部５６０が設けられている。この延出部５６０は、たとえば、スティフナ４００の傾斜部４４０に接するように形成されている。すなわち、延出部５６０は、第４の実施形態における傾斜部５４０をさらに長くしたものである。

放熱板５００の延出部５６０は、たとえば、板状部材を屈曲させることにより形成されている。具体的には、放熱板５００は、たとえば、プレス加工により形成されている。なお、放熱板５００の四つ角は、分割されていてもよい。

放熱板５００の延出部５６０は、スティフナ４００の傾斜部４４０とは固定されていない。配線基板１００が熱収縮してスティフナ４００が近づいたとき、スティフナ４００の傾斜部４４０は、配線基板１００の延出部５６０を滑りながら、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける。

放熱板５００の延出部５６０の一端は、たとえば、半導体チップ３００の上面よりも下まで延出している。この場合、スティフナ４００の傾斜部４４０の高さは、たとえば、放熱板５００の上面よりも低くすることができる。これにより、放熱板５００の上面全体を開放することができる。また、たとえば、放熱板５００の上面にヒートスプレッダなどをさらに設けることもできる。

図１０（ｂ）のように、放熱板５００の延出部５６０の一端は、たとえば、半導体チップ３００の側辺よりも外側に延出している。なお、放熱板５００の下面は、少なくとも半導体チップ３００以上の大きさであればよい。

第６の実施形態によれば、放熱板５００には、平面視で半導体チップ３００よりも外側に延出している延出部５６０が設けられている。これにより、スティフナ４００の傾斜部４４０が、放熱板５００と接する面積が広くなる。したがって、第４の実施形態よりも、さらに安定的に半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。

（第７の実施形態）
図１１は、第７の実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。第７の実施形態は、以下の点を除いて、第１の実施形態と同様である。配線基板１００は、半導体チップ３００の搭載面に、スティフナ４００の接着部４２０の一端を係止する段差部１６０を備えている。以下、詳細を説明する。

図１１（ａ）は、図１１（ｂ）におけるＡ−Ａ'線断面図を示している。また、図１１（ｂ）は、半導体装置１０を上面側から見た平面図を示している。

図１１（ａ）のように、配線基板１００は、半導体チップ３００の搭載面に、スティフナ４００の接着部４２０の一端を係止する段差部１６０を備えている。この段差部１６０は、たとえば、配線基板１００の基材を切削加工することにより、同じ材料で形成されたものである。

一方で、この段差部１６０は、配線基板１００とは別の部材によって形成されていてもよい。この場合、配線基板１００とほぼ同等の熱膨張係数を有する材料で形成されていることが好ましい。また、具体的には、別部材で形成された段差部１６０としては、無酸素銅を用いることができる。

スティフナ４００の接着部４２０の側面は、段差部１６０と接している。これにより、半導体チップ３００からの反力を生じても、段差部１６０で止めることができる。

第７の実施形態によれば、配線基板１００は、半導体チップ３００の搭載面に、スティフナ４００の接着部４２０の一端を係止する段差部１６０を備えている。配線基板１００が熱収縮してスティフナ４００が近づいたとき、スティフナ４００には半導体チップ３００から反力を受ける。このとき、上記のように段差部１６０が設けられていることにより、この半導体チップ３００からの反力を受け止めることができる。したがって、より確実に、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。

以上の第７の実施形態によれば、配線基板１００に段差部１６０が設けられている場合を説明したが、その場合に限定されるものではない。別の方法でも、スティフナ４００の接着部４２０が配線基板１００に係止していればよい。たとえば、スティフナ４００の接着部４２０の下面に、凸部（不図示）が形成されていてもよい。これにより、当該凸部が配線基板１００内に入り込み、スティフナ４００を係止することができる。また、たとえば、スティフナ４００の接着部４２０がＬ字に曲げられており、当該Ｌ字に曲げられた部分が配線基板１００の段差部１６０に接していてもよい。これにより、より確実にスティフナ４００を係止することができる。

（第８の実施形態）
第８の実施形態は、以下の点を除いて、第５の実施形態と同様である。配線基板１００の熱膨張係数をα_１、スティフナ４００の熱膨張係数をα_３、放熱板５００の熱膨張係数をα_４としたとき、α_１＜α_３かつα_１＜α_４である。また、スティフナ４００の接着部４２０と配線基板１００とを接着する接着剤の硬化温度は、放熱板５００と半導体チップ３００とを接着する接着剤の硬化温度よりも低い。以下、詳細を説明する。

第８の実施形態における半導体装置１０の外観は、図９で示されているように、第５の実施形態と同様である。第５の実施形態では、温度が低くなったときに、スティフナ４００によって、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。これに対して、第８の実施形態では、温度が高くなったときに上記効果を得ることができる。

配線基板１００の熱膨張係数をα_１、スティフナ４００の熱膨張係数をα_３、放熱板５００の熱膨張係数をα_４としたとき、α_１＜α_３かつα_１＜α_４である。

熱膨張係数α_１、α_３、α_４の単位をｐｐｍ／℃としたとき、具体的には、下記のような部材の組み合わせとなる。配線基板１００を構成する材料がガラスエポキシ樹脂である場合（１２≦α_１≦２０）、スティフナ４００の材料としては、Ａｌ合金（Ａ５０５２Ｐ）（α_３＝２３．８）である。一方、配線基板１００を構成する材料がセラミックの場合（５≦α_１≦１２）、Ｃｕ（１４．８≦α_３≦１６．８）、ＳＵＳ３０４（α_３＝１７．３）、またはＡｌ合金（Ａ５０５２Ｐ）（α_３＝２３．８）などである。また、放熱板５００の材料としては、スティフナ４００と同じ材料を用いることができる。

配線基板１００の熱膨張係数α_１よりも、スティフナ４００の熱膨張係数α_３または放熱板５００の熱膨張係数α_４の方が大きいため、常温では、スティフナ４００および放熱板５００は、配線基板１００よりも縮んでいる。すなわち、スティフナ４００と放熱板５００は、少なくとも相互に応力はかかっていない。また、たとえば、スティフナ４００と放熱板５００は接しておらず、互いに離間して配置されている。また、当該離れている距離は、スティフナ４００と放熱板５００の熱膨張係数に基づいて決められている。

常温から温度が高くなるとき、スティフナ４００は膨張することにより、放熱板５００を配線基板１００側に押し付ける。なお、配線基板１００も膨張するが、その膨張量よりもスティフナ４００の膨張量の方が大きい。これにより、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付けることができる。

また、スティフナ４００の接着部４２０と配線基板１００とを接着する接着剤の硬化温度は、放熱板５００と半導体チップ３００とを接着する接着剤の硬化温度よりも低い。これにより、スティフナ搭載工程において、さきにスティフナを固定した状態で、放熱板５００を固定することができる。

第８の実施形態における半導体装置１０の製造方法は、以下の点で、第５の実施形態と異なる。

配線基板１００と半導体チップ３００とを接合する接合工程の後に、常温まで冷却する工程を行う。

次いで、常温の状態で、半導体チップ３００上に、放熱板５００を接着剤で仮接着する。次いで、配線基板１００上にスティフナ４００を接着剤で仮接着する。ここで、上述のように、スティフナ４００の接着部４２０と配線基板１００とを接着する接着剤の硬化温度は、放熱板５００と半導体チップ３００とを接着する接着剤の硬化温度よりも低い。

次いで、上記構成の半導体装置１０を、加熱炉に投入して、それぞれの接着剤を硬化させる。このとき、スティフナ４００を固定する接着剤の硬化温度の方が、放熱板５００を固定する接着剤の硬化温度よりも低いため、スティフナ４００の方が先に配線基板１００上に固着される。さらに、温度を上昇させると、スティフナ４００は、接着部４２０が固定されながら膨張することにより、傾斜部４４０が放熱板５００を配線基板１００側に押し付ける。その後、配線基板１００側に押し付けられた状態で、放熱板５００は半導体チップ３００上に固着される。次いで、常温まで冷却する。

以上のようにして、第８の実施形態における半導体装置１０を得る。

第８の実施形態によれば、配線基板１００の熱膨張係数α_１よりも、スティフナ４００の熱膨張係数α_３と放熱板５００の熱膨張係数α_４の方が大きい。これにより、温度が高くなったときに、半導体チップ３００を配線基板１００に押し付ける効果を得ることができる。

また、第８の実施形態によれば、スティフナ４００の接着部４２０と配線基板１００とを接着する接着剤の硬化温度は、放熱板５００と半導体チップ３００とを接着する接着剤の硬化温度よりも低い。これにより、スティフナ４００の傾斜部４４０を利用して、放熱板５００を半導体チップ３００上に押し付けて固着させることができる。

（第９の実施形態）
図１２は、第８の実施形態に係る半導体装置１０の構成を示す図である。第９の実施形態は、スティフナ４００が２つである点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図１２（ａ）は、図１２（ｂ）におけるＡ−Ａ'線断面図を示している。また、図１２（ｂ）は、半導体装置１０を上面側から見た平面図を示している。

図１２（ａ）のように、第１の実施形態と同様に、スティフナ４００は、半導体チップ３００を挟んで対向する位置に配置されている。

図１２（ｂ）のように、第８の実施形態では、スティフナ４００は、２つで構成されていてもよい。たとえば、図１２（ｂ）の半導体チップ３００に対して左右の位置に、２つのスティフナ４００が配置されている。一方で、半導体チップ３００に対して上下の位置には、スティフナ４００が設けられていない。

２つのスティフナ４００の配置は、熱応力の分布に応じて、調整されている。配線基板１００が長方形である場合は、たとえば、長手方向の熱応力が強いため、スティフナ４００は、この長手方向において、互いに対向するように配置されている。すなわち、配線基板１００の短辺に並んで、スティフナ４００が配置されている。

図１２（ｂ）の配置に限られず、半導体チップ３００の対角線上に配置されていてもよい。その場合、スティフナ４００は、接着部４２０がＬ字形であってもよい。

第９の実施形態によれば、スティフナ４００は、２つ配置されている。配線基板１００が熱応力によって変形することで、反りまたは剥離が発生するとき、たとえば、２つのスティフナ４００は、その熱応力が顕著な方向に合わせて、互いに対向するように配置することができる。

また、第９の実施形態によれば、スティフナ４００が配置されていない配線基板１００上に、他の半導体チップ（不図示）やディスクリート部品（不図示）を搭載することができる。
（第１０の実施形態）
図１３は、第９の実施形態に係るスティフナ４００の構成を示す図である。第１０の実施形態は、スティフナ４００が一部品で形成されている点を除いて、第１の実施形態と同様である。以下、詳細を説明する。

図１３（ａ）は、図１３（ｂ）におけるＢ−Ｂ'線断面図を示している。また、図１３（ｂ）は、スティフナ４００を上面側から見た平面図を示している。同様にして、図１３（ｃ）は、図１３（ｄ）におけるＢ−Ｂ'線断面図を示している。また、図１３（ｄ）は、スティフナ４００を上面側から見た平面図を示している。

図１３（ａ）、図１３（ｂ）は、屈曲加工する前のスティフナ４００を示している。一方、図１３（ｃ）、図１３（ｄ）は、屈曲加工後のスティフナ４００を示している。

図１３（ａ）のように、スティフナ４００は、一部品により形成されている。ここでは、スティフナ４００は、たとえば、１枚の金属板から形成されている。

図１３（ｂ）のように、スティフナ４００は、中心に矩形状の開口部（符号不図示）と、開口部の角部から外形の角部に向けて設けられたスリット部（符号不図示）と、を有している。このスティフナ４００は、たとえば、エッチング加工により形成されている。

図１３（ｃ）のように、２つのスリット部の一端を結んだ直線で屈曲させることにより、スティフナ４００の４つの傾斜部４４０が形成されている。屈曲させる直線部分は、あらかじめ、ハーフエッチングが施されていてもよい。

第９の実施形態では、スティフナ４００は、第１の実施形態と同様に配置することができる。すなわち、図１（ｂ）において、半導体チップ３００は、スティフナ４００の開口部の下の中央に配置されている。また、４つの傾斜部４４０は、半導体チップ３００の４辺にそれぞれ平行になるように配置されている。

第１０の実施形態によれば、スティフナ４００が一部品で形成されている。これにより、半導体装置１０の剛性を向上させることができる。また、スティフナ搭載工程を短縮化することができる。また、第１０の実施形態によれば、スティフナ搭載工程において、半導体チップ３００が開口部の中心に来るように自己整合的に配置することができる。

以上の実施形態においては、スティフナ４００が板状である場合を説明したが、板厚が半導体チップ３００の上面よりも高い部材を用いて、切削加工により傾斜部４４０を形成したスティフナ４００であってもよい。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

１０ 半導体装置
１００ 配線基板
１２０ はんだボール
１４０ 端子
１６０ 段差部
２００ アンダーフィル材
３００ 半導体チップ
３２０ バンプ
４００ スティフナ
４２０ 接着部
４４０ 傾斜部
５００ 放熱板
５２０ 平坦部
５４０ 傾斜部
５６０ 延出部

Claims (10)

1. 配線基板と、
   前記配線基板上に、バンプを介して搭載された半導体チップと、
   前記配線基板上のうち、前記半導体チップの周囲に設けられたスティフナと、
   を備え、
   前記スティフナは、
   前記半導体チップの周囲に接着された接着部と、
   前記半導体チップの上面とのなす角が０度より大きく、９０度より小さい傾斜部と、
   を備える半導体装置。
2. 請求項１に記載の半導体装置において、
   前記配線基板の熱膨張係数をα_１、前記半導体チップの熱膨張係数をα_２としたとき、α_１＞α_２である半導体装置。
3. 請求項１または２に記載の半導体装置において、
   前記傾斜部の一部は、平面視で前記半導体チップと重なっている半導体装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置において、
   前記半導体チップ上に設けられた放熱板をさらに備え、
   前記スティフナは、前記放熱板を介して、前記半導体チップを前記配線基板に押し付ける半導体装置。
5. 請求項４に記載の半導体装置において、
   前記放熱板は、平面視で前記半導体チップよりも外側に延出している延出部を備える半導体装置。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置において、
   前記配線基板の熱膨張係数をα_１、前記スティフナの熱膨張係数をα_３としたとき、α_１＞α_３である半導体装置。
7. 請求項４または５に記載の半導体装置において、
   前記配線基板の熱膨張係数をα_１、前記スティフナの熱膨張係数をα_３、前記放熱板の熱膨張係数をα_４としたとき、α_１＜α_３かつα_１＜α_４であり、
   前記スティフナの前記接着部と前記配線基板とを接着する接着剤の硬化温度は、前記放熱板と前記半導体チップとを接着する接着剤の硬化温度よりも低い半導体装置。
8. 請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置において、
   前記配線基板は、前記半導体チップの搭載面に、前記スティフナの前記接着部の一端を係止する段差部を備える半導体装置。
9. 配線基板の上面に、バンプを介して、半導体チップを配置する工程と、
   前記バンプを溶融させ、前記配線基板と前記半導体チップとを接合する接合工程と、
   前記配線基板のうち、前記半導体チップの周囲に接着される接着部と、前記半導体チップの上面とのなす角が０度より大きく、９０度より小さい傾斜部と、を備えるスティフナを、前記配線基板の上面に接着するスティフナ搭載工程と、
   を備える半導体装置の製造方法。
10. 請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
    前記配線基板の上面に前記スティフナが搭載された状態で冷却する工程を備える半導体装置の製造方法。

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