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  1. 半導体装置において、
    第１主表面及び前記第１主表面の反対側の第２主表面を有する半導体ダイと、
    前記半導体ダイの前記第１主表面に配置された制御電極及び第１主電極と、
    前記半導体ダイの前記第２主表面に配置された第２主電極と、
    対応する電極に電気的に接続される第１基部、及び、外部部材に電気的に接続するための第１接続部をそれぞれ有する複数の第１導電クリップと、
    前記制御電極及び前記第１主電極を覆うように配された保護層と、
    前記各第１導電クリップの前記第１基部と各電極とを接続する導電性接着素材の層とを備え、
    前記各第１導電クリップの前記第１基部は、前記保護層の開口部を通じて、前記導電性接着素材の層によって前記制御電極及び前記第１主電極にそれぞれ電気的に接続されており、
    少なくとも、前記制御電極に接続される第１導電クリップの第１基部は、前記制御電極を覆うように形成される前記保護層の開口部よりも大きく形成されており、
    前記第２主電極は、前記第２基部、前記第２接続部、および前記第２基部と前記第２接続部とを接続する第２延長部を有する第２導電クリップに接続され、当該第２延長部は、少なくとも前記半導体ダイの第２主表面と前記半導体ダイの前記第１主表面との間に伸びるように形成されており、
    前記第１導電クリップの第１接続部および第２導電クリップの第２接続部は、ともに前記第１主表面の直下に形成されており、
    前記各第１導電クリップの第１基部及び第１接続部が、前記半導体ダイの外周より外にはみ出さずに当該外周よりも内側に形成されてなることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記複数の第１導電クリップは、前記第１接続部と前記第１基部との間隔を空ける第１延長部をそれぞれ備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 各第１導電クリップの前記第１延長部は、実質的に各第１導電クリップの前記第１基部に対して垂直に伸び、
    各第１導電クリップの前記第１接続部は、実質的に各第１導電クリップの前記第１基部に対して並行であること
    を特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  4. 前記半導体ダイは、ＭＯＳＦＥＴであること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  5. 前記制御電極に接続される前記第１導電クリップの第１基部と、前記保護層との間に接着の層が設けられており、当該第１基部と半導体ダイとの間の接続が強化されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  6. 前記導電性接着素材の層は、はんだから成ること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  7. 前記導電性接着素材は、導電性エポキシから成ること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  8. 前記複数の第１導電クリップは、それぞれ、前記第１基部と前記第１接続部とを繋ぐ第１延長部を備え、
    前記各第１延長部は、各第１基部及び各第１接続部と一体で形成されていること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  9. 前記第１接続部の少なくとも一つは、バンプであること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  10. 前記第１接続部の少なくとも一つは、平坦な接続面を有する円柱であること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  11. 前記第１接続部の少なくとも一つは、平坦な接続面を有する一段高い部分であること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  12. 半導体装置において、
    第１主表面及び前記第１主表面の反対側の第２主表面を有する半導体ダイと、
    前記半導体ダイの前記第１主表面に配置された第１主電極と、
    前記半導体ダイにおける前記第１主表面と反対側の前記第２主表面に配置された第２主電極と、
    前記第２主電極と電気的に接続される第２基部、外部部材に電気的に接触するための第２接続部、及び、前記第２基部と前記第２接続部を繋ぎ、前記半導体ダイの第１主表面と前記半導体ダイの第２主表面との間に伸びる第２延長部を備える第２導電クリップと、
    前記第１主電極と電気的に接続される第１基部、及び、外部部材に電気的に接触するための第１接続部とを備える第１導電クリップと、を備え、
    前記第１接続部および第２接続部は、前記第１主表面の直下に形成されており、
    前記第１導電クリップの第１基部及び第１接続部が、前記半導体ダイの外周より外にはみ出さずに当該外周よりも内側に形成されてなることを特徴とする半導体装置。
  13. 前記半導体ダイは、ＭＯＳＦＥＴであること
    を特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 保護層が少なくとも一つの電極に配され、
    前記保護層は、前記第１導電クリップの一つの第１基部と前記電極の一つとを電気的に接続する導電層を囲んでいること
    を特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
  15. 前記第１導電クリップの第１基部と、前記保護層との間に接着の層が設けられており、当該第１基部と半導体ダイとの間の接続が強化されてなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 前記導電層は、はんだから成ること
    を特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
  17. 前記導電層は、導電性エポキシから成ること
    を特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
  18. 前記第１導電クリップは、第１基部と第１接続部とを繋ぐ第１延長部を備え、
    前記第１延長部は、前記第１基部及び第１接続部と一体で形成されていること
    を特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6930397B2 (en) * 2001-03-28 2005-08-16 International Rectifier Corporation Surface mounted package with die bottom spaced from support board
US7208347B2 (en) * 2003-02-28 2007-04-24 Siemens Aktiengesellschaft Connection technology for power semiconductors comprising a layer of electrically insulating material that follows the surface contours
US7692316B2 (en) 2004-10-01 2010-04-06 International Rectifier Corporation Audio amplifier assembly
US20060145319A1 (en) * 2004-12-31 2006-07-06 Ming Sun Flip chip contact (FCC) power package
CN100435324C (zh) * 2004-12-20 2008-11-19 半导体元件工业有限责任公司 具有增强散热性的半导体封装结构
JP4917296B2 (ja) * 2005-10-28 2012-04-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
EP1946364A1 (en) * 2005-11-01 2008-07-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Methods of packaging a semiconductor die and package formed by the methods
DE102005061015B4 (de) * 2005-12-19 2008-03-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils mit einem vertikalen Halbleiterbauelement
US20070215997A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Martin Standing Chip-scale package
US7663212B2 (en) * 2006-03-21 2010-02-16 Infineon Technologies Ag Electronic component having exposed surfaces
US7733659B2 (en) * 2006-08-18 2010-06-08 Delphi Technologies, Inc. Lightweight audio system for automotive applications and method
DE102007009521B4 (de) * 2007-02-27 2011-12-15 Infineon Technologies Ag Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
US8222078B2 (en) * 2009-07-22 2012-07-17 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Chip scale surface mounted semiconductor device package and process of manufacture
CN201629397U (zh) * 2009-11-30 2010-11-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 集成电路组合
US20120175688A1 (en) * 2011-01-10 2012-07-12 International Rectifier Corporation Semiconductor Package with Reduced On-Resistance and Top Metal Spreading Resistance with Application to Power Transistor Packaging
US9536800B2 (en) 2013-12-07 2017-01-03 Fairchild Semiconductor Corporation Packaged semiconductor devices and methods of manufacturing
US10192846B2 (en) 2014-11-05 2019-01-29 Infineon Technologies Austria Ag Method of inserting an electronic component into a slot in a circuit board
US10064287B2 (en) 2014-11-05 2018-08-28 Infineon Technologies Austria Ag System and method of providing a semiconductor carrier and redistribution structure
US10553557B2 (en) * 2014-11-05 2020-02-04 Infineon Technologies Austria Ag Electronic component, system and method
CN109979825A (zh) * 2017-12-15 2019-07-05 胡志良 阵列批次式封装元件晶粒的电路元件制作方法

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3403438A (en) * 1964-12-02 1968-10-01 Corning Glass Works Process for joining transistor chip to printed circuit
US3871014A (en) * 1969-08-14 1975-03-11 Ibm Flip chip module with non-uniform solder wettable areas on the substrate
US3972062A (en) * 1973-10-04 1976-07-27 Motorola, Inc. Mounting assemblies for a plurality of transistor integrated circuit chips
GB1487945A (en) * 1974-11-20 1977-10-05 Ibm Semiconductor integrated circuit devices
US4604644A (en) * 1985-01-28 1986-08-05 International Business Machines Corporation Solder interconnection structure for joining semiconductor devices to substrates that have improved fatigue life, and process for making
JPS63281451A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH01161707A (ja) * 1987-12-17 1989-06-26 Nec Corp チップ部品
JPH0357251A (ja) * 1989-07-26 1991-03-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH04159704A (ja) * 1990-10-23 1992-06-02 Nec Corp 電気二重層コンデンサ
JP2984068B2 (ja) * 1991-01-31 1999-11-29 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH05129516A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Hitachi Ltd 半導体装置
CA2089435C (en) * 1992-02-14 1997-12-09 Kenzi Kobayashi Semiconductor device
JP2833326B2 (ja) * 1992-03-03 1998-12-09 松下電器産業株式会社 電子部品実装接続体およびその製造方法
JPH0637143A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US5394490A (en) * 1992-08-11 1995-02-28 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having an optical waveguide interposed in the space between electrode members
US5313366A (en) * 1992-08-12 1994-05-17 International Business Machines Corporation Direct chip attach module (DCAM)
JPH06244231A (ja) * 1993-02-01 1994-09-02 Motorola Inc 気密半導体デバイスおよびその製造方法
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
JP2795788B2 (ja) * 1993-02-18 1998-09-10 シャープ株式会社 半導体チップの実装方法
US5703405A (en) * 1993-03-15 1997-12-30 Motorola, Inc. Integrated circuit chip formed from processing two opposing surfaces of a wafer
US5510758A (en) * 1993-04-07 1996-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer microstrip wiring board with a semiconductor device mounted thereon via bumps
JP3258764B2 (ja) * 1993-06-01 2002-02-18 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに外部引出用電極およびその製造方法
US5397921A (en) * 1993-09-03 1995-03-14 Advanced Semiconductor Assembly Technology Tab grid array
US5734201A (en) * 1993-11-09 1998-03-31 Motorola, Inc. Low profile semiconductor device with like-sized chip and mounting substrate
US5367435A (en) * 1993-11-16 1994-11-22 International Business Machines Corporation Electronic package structure and method of making same
US5454160A (en) * 1993-12-03 1995-10-03 Ncr Corporation Apparatus and method for stacking integrated circuit devices
JPH07193184A (ja) * 1993-12-27 1995-07-28 Fujitsu Ltd マルチチップモジュールの製造方法及びマルチチップモジュール
US5578869A (en) * 1994-03-29 1996-11-26 Olin Corporation Components for housing an integrated circuit device
HU212428B (en) * 1994-05-13 1996-06-28 Egyt Gyogyszervegyeszeti Gyar Process to prepare pharmaceutical compositions containing gemfibrozyl
JP3377867B2 (ja) * 1994-08-12 2003-02-17 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
JP2546192B2 (ja) * 1994-09-30 1996-10-23 日本電気株式会社 フィルムキャリア半導体装置
US5532512A (en) * 1994-10-03 1996-07-02 General Electric Company Direct stacked and flip chip power semiconductor device structures
JP3138159B2 (ja) 1994-11-22 2001-02-26 シャープ株式会社 半導体装置、半導体装置実装体、及び半導体装置の交換方法
JPH08335653A (ja) * 1995-04-07 1996-12-17 Nitto Denko Corp 半導体装置およびその製法並びに上記半導体装置の製造に用いる半導体装置用テープキャリア
US5655703A (en) * 1995-05-25 1997-08-12 International Business Machines Corporation Solder hierarchy for chip attachment to substrates
US5674785A (en) * 1995-11-27 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Method of producing a single piece package for semiconductor die
US5726502A (en) * 1996-04-26 1998-03-10 Motorola, Inc. Bumped semiconductor device with alignment features and method for making the same
JP2000049184A (ja) * 1998-05-27 2000-02-18 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6423623B1 (en) * 1998-06-09 2002-07-23 Fairchild Semiconductor Corporation Low Resistance package for semiconductor devices
EP0966038A3 (en) * 1998-06-15 2001-02-28 Ford Motor Company Bonding of semiconductor power devices
US6133634A (en) * 1998-08-05 2000-10-17 Fairchild Semiconductor Corporation High performance flip chip package
JP2000077435A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3867881B2 (ja) * 1998-09-09 2007-01-17 新電元工業株式会社 半導体装置
KR20000057810A (ko) * 1999-01-28 2000-09-25 가나이 쓰토무 반도체 장치
JP4408475B2 (ja) * 1999-02-23 2010-02-03 三洋電機株式会社 ボンディングワイヤを採用しない半導体装置
JP3895884B2 (ja) * 1999-03-25 2007-03-22 三洋電機株式会社 半導体装置
US6624522B2 (en) * 2000-04-04 2003-09-23 International Rectifier Corporation Chip scale surface mounted device and process of manufacture
JP3639515B2 (ja) * 2000-09-04 2005-04-20 三洋電機株式会社 Ｍｏｓｆｅｔの実装構造の製造方法
US6391687B1 (en) * 2000-10-31 2002-05-21 Fairchild Semiconductor Corporation Column ball grid array package
US6717260B2 (en) * 2001-01-22 2004-04-06 International Rectifier Corporation Clip-type lead frame for source mounted die
US6711317B2 (en) * 2001-01-25 2004-03-23 Lucent Technologies Inc. Resiliently packaged MEMs device and method for making same
US6469398B1 (en) * 2001-03-29 2002-10-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2003110077A (ja) * 2001-10-02 2003-04-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6781227B2 (en) * 2002-01-25 2004-08-24 International Rectifier Corporation Compression assembled electronic package having a plastic molded insulation ring

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