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Claims (18)

  1. 半導体装置において、
    第１主表面及び前記第１主表面の反対側の第２主表面を有する半導体ダイと、
    前記半導体ダイの前記第１主表面に配置された制御電極及び第１主電極と、
    前記半導体ダイの前記第２主表面に配置された第２主電極と、
    対応する電極に電気的に接続される第１基部、及び、外部部材に電気的に接続するための第１接続部をそれぞれ有する複数の第１導電クリップと、
    前記制御電極及び前記第１主電極を覆うように配された保護層と、
    前記各第１導電クリップの前記第１基部と各電極とを接続する導電性接着素材の層とを備え、
    前記各第１導電クリップの前記第１基部は、前記保護層の開口部を通じて、前記導電性接着素材の層によって前記制御電極及び前記第１主電極にそれぞれ電気的に接続されており、
    少なくとも、前記制御電極に接続される第１導電クリップの第１基部は、前記制御電極を覆うように形成される前記保護層の開口部よりも大きく形成されており、
    前記第２主電極は、前記第２基部、前記第２接続部、および前記第２基部と前記第２接続部とを接続する第２延長部を有する第２導電クリップに接続され、当該第２延長部は、少なくとも前記半導体ダイの第２主表面と前記半導体ダイの前記第１主表面との間に伸びるように形成されており、
    前記第１導電クリップの第１接続部および第２導電クリップの第２接続部は、ともに前記第１主表面の直下に形成されており、
    前記各第１導電クリップの第１基部及び第１接続部が、前記半導体ダイの外周より外にはみ出さずに当該外周よりも内側に形成されてなることを特徴とする半導体装置。
  2. 前記複数の第１導電クリップは、前記第１接続部と前記第１基部との間隔を空ける第１延長部をそれぞれ備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  3. 各第１導電クリップの前記第１延長部は、実質的に各第１導電クリップの前記第１基部に対して垂直に伸び、
    各第１導電クリップの前記第１接続部は、実質的に各第１導電クリップの前記第１基部に対して並行であること
    を特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
  4. 前記半導体ダイは、ＭＯＳＦＥＴであること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  5. 前記制御電極に接続される前記第１導電クリップの第１基部と、前記保護層との間に接着の層が設けられており、当該第１基部と半導体ダイとの間の接続が強化されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  6. 前記導電性接着素材の層は、はんだから成ること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  7. 前記導電性接着素材は、導電性エポキシから成ること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  8. 前記複数の第１導電クリップは、それぞれ、前記第１基部と前記第１接続部とを繋ぐ第１延長部を備え、
    前記各第１延長部は、各第１基部及び各第１接続部と一体で形成されていること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  9. 前記第１接続部の少なくとも一つは、バンプであること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  10. 前記第１接続部の少なくとも一つは、平坦な接続面を有する円柱であること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  11. 前記第１接続部の少なくとも一つは、平坦な接続面を有する一段高い部分であること
    を特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
  12. 半導体装置において、
    第１主表面及び前記第１主表面の反対側の第２主表面を有する半導体ダイと、
    前記半導体ダイの前記第１主表面に配置された第１主電極と、
    前記半導体ダイにおける前記第１主表面と反対側の前記第２主表面に配置された第２主電極と、
    前記第２主電極と電気的に接続される第２基部、外部部材に電気的に接触するための第２接続部、及び、前記第２基部と前記第２接続部を繋ぎ、前記半導体ダイの第１主表面と前記半導体ダイの第２主表面との間に伸びる第２延長部を備える第２導電クリップと、
    前記第１主電極と電気的に接続される第１基部、及び、外部部材に電気的に接触するための第１接続部とを備える第１導電クリップと、を備え、
    前記第１接続部および第２接続部は、前記第１主表面の直下に形成されており、
    前記第１導電クリップの第１基部及び第１接続部が、前記半導体ダイの外周より外にはみ出さずに当該外周よりも内側に形成されてなることを特徴とする半導体装置。
  13. 前記半導体ダイは、ＭＯＳＦＥＴであること
    を特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
  14. 保護層が少なくとも一つの電極に配され、
    前記保護層は、前記第１導電クリップの一つの第１基部と前記電極の一つとを電気的に接続する導電層を囲んでいること
    を特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
  15. 前記第１導電クリップの第１基部と、前記保護層との間に接着の層が設けられており、当該第１基部と半導体ダイとの間の接続が強化されてなることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
  16. 前記導電層は、はんだから成ること
    を特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
  17. 前記導電層は、導電性エポキシから成ること
    を特徴とする請求項１４に記載の半導体装置。
  18. 前記第１導電クリップは、第１基部と第１接続部とを繋ぐ第１延長部を備え、
    前記第１延長部は、前記第１基部及び第１接続部と一体で形成されていること
    を特徴とする請求項１６に記載の半導体装置。
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