DE10393769B4 - Halbleiterbauelement mit Klemmen zum Verbinden mit externen Elementen - Google Patents

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Abstract

Halbleiterbauelement, umfassend: eine Halbleiterplatte (10) mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche, die der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegt; eine Steuerelektrode (16) und eine erste Hauptelektrode (12), die auf der ersten Hauptoberfläche der Halbleiterplatte befestigt ist und eine zweite Hauptelektrode (14), die auf der zweiten Hauptoberfläche der Halbleiterplatte befestigt ist; mehrere leitfähige Klemmen (18, 20, 22) mit je einem Basisabschnitt (24, 26, 28), der elektrisch jeweils mit der Steuerelektrode sowie der ersten und der zweiten Hauptelektrode verbunden ist, und einem Kontaktabschnitt (30, 32, 34) für die Herstellung des elektrischen Kontakts zu einer externen Komponente, wobei eine Passivierungsschicht (38) über der Steuerelektrode und der ersten Hauptelektrode aufgebracht wurde und die Basisabschnitte der jeweiligen leitfähigen Klemmen durch ein leitendes Befestigungsmaterial (36) mit der Steuerelektrode und der ersten Hauptelektrode durch jeweils eine entsprechende Öffnung (44, 46) in der Passivierungsschicht elektrisch verbunden sind, wobei der Basisabschnitt einer leitfähigen Klemme größer als...

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiterbauelemente und insbesondere auf Aufbau-Halbleiterbauelemente mit Klemmen zum Verbinden mit externen Elementen.
  • Zur Verwendung in elektronischen Stromkreisen werden Halbleiterplatten auf Platten montiert, um Halbleiterbauelemente zu bilden, die direkt mit externen Elementen wie Leiterflächen auf einem Substrat verbunden werden können. Das Montieren von elektronischen Bauelementen schafft verschiedene Funktionen. Schutz der Halbleiterplatte vor Nässe und anderen zerstörenden Umweltelementen, elektrische Verbindung mit externen Elementen und Wärmeleitung der durch die Halbleiterplatte erzeugten Hitze sind nur einige der wichtigsten Funktionen eines elektronischen Gehäuses. Herkömmlich bekannte Platten wie DIP und SOIC Platten sprechen diese Funktionen an. Diese Gehäuse verwenden häufig einen Bleirahmen, der in einigen Fällen 4–5 mal so groß ist wie die Halbleiterplatte. Das Gehäuse der Halbleiterplatte gemäß dem herkömmlichen Design führt oft zu einem Halbleiterbauelement, das viel größer ist als die Platte selbst.
  • Aufgabenstellung
  • Der Trend zur Verkleinerung von elektronischen Systemen erfordert die maximale räumliche Auslastung. Eine Methode, die räumliche Auslastung zu verbessern, besteht in der Minimierung der Größe der Bauteile in dem Bauelement, um dadurch die Dichte der Bauteile zu erhöhen. Während die Erhöhung der Dichte der Bauteile zu einer Maximierung der Raumauslastung führt, müssen andere Herausforderungen wie effektive Hitzereduzierung und Minderung von parasitären elektrischen Auswirkungen zum Beispiel aufgrund von Verbindungswiderstand ebenso in jedem Entwurf beachtet werden.
  • Die Druckschrift DE 100 03 671 A1 beschreibt ein Halbleiter-Bauelement, bei dem ein erstes Metallteil mit einer ersten Elektrode des Halbleiterelements über einen ersten edelmetallhaltigen Metallkörper und ein zweites Metallteil mit einer zweiten Elektrode über einen zweiten edelmetallhaltigen Metallkörper verbunden ist.
  • Die Druckschrift JP 2000 243 887 A beschreibt einen Halbleiterkörper, der auf einer Inselstruktur angebracht ist. Eine pfostenartige Elektrode wird auf einen Elektrodenkontakt des Halbleiterbauteils befestigt. Ein Erstreckungsteil der Insel ist beinahe so weit gebogen, wie die pfostenartige Elektrode hoch ist.
  • Die Druckschrift JP 1 161 707 A beschreibt einen Bauteilkörper und Verbindungen, die sich in das Innere des Körpers biegen.
  • Die Druckschrift JP 2000 091 475 A beschreibt einen Halbleitergrundkörper, dessen eine Seite auf die Bodenfläche eines Metallgehäuses befestigt ist und dessen andere Seite mit einem externen Anschluss so angeordnet ist, dass er aus einer Öffnung der Metallgehäuses herausführt, das mit einem Isolierharz gefüllt wird. Ein Teil des Metallgehäuses ist im Wesentlichen parallel zu der Öffnungsseite gebogen.
  • Die Druckschrift JP 2000 277 542 A beschreibt eine Lötkugel, die auf der vorderen Oberfläche eines Halbleiterchips gebildet wird, um als erster äußerer Verbindungsanschluss zu dienen. Der Halbleiterchip wird auf einem Substrat befestigt und ein zweiter äußerer Verbindungsanschluss wird auf dem Substrat gebildet.
  • Die Druckschrift JP 63 281 451 A beschreibt für ein Siliziumbauteil einen S-förmigen Kurvenabschnitt einer bandförmigen Elektrode, die an die obere Seite eines Siliziumbauteils befestigt ist.
  • Die Druckschrift WO 99/65 077 A1 beschreibt ein Halbleiterbauteilgehäuse mit niedrigem Widerstand.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Ein Halbleiterbauelement nach der vorliegenden Erfindung ist in Anspruch 1 angegeben.
  • Andere Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung deutlich, die sich auf die entsprechenden Zeichnungen bezieht.
  • Ausführungsbeispiel
  • KURZBESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • zeigt eine Seitenansicht eines Halbleiterbauelements gemäß der ersten Darstellung.
  • zeigt eine Unteransicht des Bauelements aus .
  • zeigt eine Seitenansicht einer Klemme, die in dem Bauelement von verwendet wird.
  • ist eine Ansicht der Klemme aus der aus der Sicht in Richtung der 2B-2B Pfeile.
  • zeigt eine Seitenansicht einer Klemme, die in dem Bauelement aus verwendet wird.
  • ist eine Ansicht der Klemme aus aus der Sicht der 3B-3B Pfeile.
  • ist eine Ansicht der Klemme aus aus der Sicht der 3C-3C Pfeile.
  • zeigt ein Halbleiterplättchen mit einer Vielzahl von Halbleiterplatten, die sich gemäß Stand der Technik darin gebildet haben.
  • zeigt das Plättchen aus mit einer Passivierungsschicht, die sich darauf gebildet hat und mit Öffnungen, die Teile der oberen Elektrode der Halbleiterplatte sichtbar werden lassen.
  • zeigt das Plättchen aus mit Klemmen, die an den oberen Elektroden der Halbleiterplatten befestigt sind.
  • zeigt eine Unteransicht eines Halbleiterbauelements gemäß der zweiten Darstellung.
  • zeigt eine Seitenansicht des Bauelements aus , mit Sicht in Richtung der 8-8 Pfeile.
  • und zeigen jeweils eine Draufsicht und eine Seitenansicht (mit Sicht in Richtung der Pfeile 8b-8B auf ) einer Klemme, die in der zweiten Darstellung verwendet wird.
  • und zeigen jeweils eine Draufsicht und eine Seitenansicht (mit Sicht in Richtung der Pfeile 8D-8D auf ) einer Klemme, die in der zweiten Darstellung verwendet wird.
  • zeigt einen Querschnitt des Bauelements aus in Richtung der Linie 9-9.
  • – zeigen jeweils eine Draufsicht und eine Seitenansicht der Klemmen, die in der zweiten Darstellung verwendet werden.
  • – zeigen jeweils eine Draufsicht und eine Seitenansicht eines anderen Beispiels an Klemmen, die in der zweiten Darstellung der vorliegenden Erfindung verwendet werden können.
  • – zeigen jeweils die Draufsichten und Seitenansichten eines weiteren Beispiels an Klemmen, die in der zweiten Darstellung verwendet werden können.
  • zeigt das Halbleiterbauelement der ersten Darstellung auf einem Substrat.
  • zeigt das Halbleiterbauelement der zweiten Darstellung auf einem Substrat.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • Es wird auf 1A und 1B Bezug genommen; das erste Halbleiterbauelement umfasst das Halbleiterplättchen 10. Das Halbleiterplättchen 10 kann ein Leistungs-MOSFET sein. Die vorliegende Erfindung ist jedoch nicht auf Leistungs-MOSFETs beschränkt. Andere elektronische Halbleiterplättchen, wie beispielsweise IGBTs und dergleichen können ebenfalls anstelle eines MOSFET verwendet werden.
  • Das Halbleiterplättchen 10 weist zwei einander gegenüberliegende Hauptoberflächen auf. Auf der ersten Hauptoberfläche des Halbleiters 10 ist die erste Hauptelektrode 12 angeordnet, und auf der zweiten Hauptoberfläche ist die zweite Hauptelektrode 14 angeordnet. Das Halbleiterplättchen 10 weist außerdem eine Steuerelektrode 16 auf, welche auf der ersten Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens 10 angeordnet ist, und welche von der ersten Hauptelektrode 12 isoliert ist. Bei einem MOSFET können die erste und zweite Hauptelektrode Quellen- beziehungsweise Senkenkontakte sein, während die Steuerelektrode 16 herkömmlich als die Gatterelektrode bezeichnet wird.
  • Die Steuerelektrode 16 empfängt Steuersignale von einer externen Steuereinrichtung, deren Signale den Strom, der zwischen der ersten Hauptelektrode 12 und der zweiten Hauptelektrode 14 fließt, umschalten, wenn das Halbleiterbauelement 8 an seinem Platz in einer elektronischen Schaltung eingebaut ist.
  • Das Halbleiterbauelement 8 beinhaltet eine Mehrzahl von Klemmen bzw. Anschlussklemmen („terminals”) 18, 20, 22. Jede Klemme weist einen Basisabschnitt 24, 26, 28 und einen Kontaktabschnitt 30, 32, 34 auf. Die Funktion der Kontaktabschnitte 30, 32, 34 besteht darin, den Kontakt zu externen Elementen herzustellen. Die Basisabschnitte 24, 26, 28 sind mit der zweiten Hauptelektrode 14, der ersten Hauptelektrode 26 beziehungsweise der Steuerelektrode 16 durch eine Schicht des Plättchenbefestigungsmaterials 36, wie beispielsweise Lötmittel oder ein leitendes Epoxydharz, wie beispielsweise ein mit Silber angereichertes Epoxydharz, elektrisch verbunden. Die Passivierungsschicht 38 bedeckt die erste Hauptelektrode 12 und die Steuerelektrode 16 mit Ausnahme der Abschnitt, auf welchen das leitende Befestigungsmaterial 36 angeordnet ist, um die elektrische Verbindung mit den Basisabschnitten 26, 28 der entsprechenden Klemmen 20, 22 herzustellen.
  • Jede Klemme 18, 20, 22 weist auch eine Erweiterung 19, 21, 23 auf welche die entsprechenden Basisabschnitte 24, 26, 28 mit den Kontaktabschnitten 30, 32, 34 verbindet. Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel verlaufen die Erweiterungen 19, 21, 23 vertikal von einem Rand der entsprechenden Basisabschnitte 24, 26, 28 der Klemmen 18, 20, 22. Vorzugsweise sind die Kontaktabschnitte 30, 32, 34 in einem Abstand von den entsprechenden Basisabschnitten 24, 26, 28, aber parallel zu diesen orientiert, durch die entsprechenden Erweiterungen 19, 21, 23 angeordnet.
  • Die Kontaktabschnitte 30, 32, 34 sind vorzugsweise koplanar zueinander und sind gegenüberliegend über einer Hauptelektrode des Plättchens angeordnet. Eine Eigenschaft, die diese Anordnung ermöglicht, ist die Erweiterung 19, welche zwischen der ersten Hauptoberfläche und der zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens 10 verläuft und den Basisabschnitt 24 mit dem Kontaktabschnitt 30 verbindet, wodurch ein Weg für die elektrische Verbindung bereitgestellt wird, der von einer Position über der ersten Hauptoberfläche des Plättchens 10 und dessen zweiter Hauptoberfläche verläuft. Diese Konfiguration gestattet die Oberflächenmontage des Halbleiterbauelements auf einem Substrat.
  • Ein Basisabschnitt – z. B. 26, 28 – kann einen größeren Bereich haben, als er für die Herstellung einer elektrischen Verbindung zu einer Elektrode des Halbleiterplättchens 10 erforderlich ist. Zum Beispiel kann die Basis 28 der Klemme 22, welche eine elektrische Verbindung zur Steuerelektrode 16 herstellt, größer sein, als es für die Herstellung der elektrischen Verbindung zur Steuerelektrode 16 erforderlich ist. Unter diesem zusätzlichen Bereich kann erfindungsgemäß eine Schicht Klebstoff angebracht sein, um die Verbindung der Klemme 22 zur Oberseite des Halbleiterplättchens 10 weiter zu verstärken.
  • Es wird auf 2A–2B und 3A–3C Bezug genommen; die Klemmen 20, 22, welche mit der ersten Hauptelektrode 12 beziehungsweise der Steuerelektrode 16 verbunden sind, sind einheitliche Teile, die durch das Biegen eines Blechs aus einem leitenden Metall, wie beispielsweise ein Kupferblech, geformt werden, damit ein Basisabschnitt 24, 28 beziehungsweise ein Kontaktabschnitt 32, 34 bereitgestellt wird – verbunden und durch Erweiterungen 21, 23 mit einem Abstand versehen – der von einem Rand der Basisabschnitte 24, 28 zu einem Rand der Kontaktabschnitte 32, 34 verläuft. Die Klemme 18 kann entsprechend demselben Verfahren hergestellt werden, wie es hierin für die Herstellung der anderen Klemmen 20, 22 beschrieben wird.
  • Ein Halbleiterbauelement wird nach folgendem Verfahren hergestellt. Es wird auf 4 Bezug genommen; zuerst wird eine Halbleiterscheibe 40, wie beispielsweise eine Siliziumscheibe, bereitgestellt, auf welcher eine Mehrzahl von einzelnen Halbleiterplättchen 10 geformt wird. Die Halbleiterplättchen 10 in Scheibe 40 sind identisch und können MOSFETs, IGBTs oder dergleichen sein, welche auf einem Siliziumsubstrat gemäß jedem bekannten Verfahren geformt werden. Die Halbleiterplättchen 10 werden durch Straßen 42 getrennt, welche vom einen Rand der Scheibe 40 zu einem gegenüberliegenden Rand derselben verlaufen. Jedes Halbleiterplättchen umfasst wenigstens eine erste Hauptelektrode 12 und eine Steuerelektrode 16 auf. Die zweiten Hauptelektroden 14 für das Halbleiterplättchen 10 sind auf der gegenüberliegenden Oberfläche (nicht dargestellt) der Scheibe 8 angeordnet. Die Elektroden 12, 16 und 14 sind vorzugsweise lötbar.
  • Als Nächstes wird auf 5 Bezug genommen; es wird eine Passivierungsschicht 38 (1) mit den Öffnungen 44, 46 über der entsprechenden ersten Hauptelektrode 12 und der Steuerelektrode 16 gebildet. Die Passivierungsschicht 38 kann gebildet werden, indem eine Schicht von lichtempfindlichem Epoxydharz, über der gesamten oberen Oberfläche von Scheibe 40 aufgebracht wird, welche die ersten Hauptelektroden 12 und Steuerelektrode 16 und alle Bereiche zwischen diesen Elektroden bedeckt. Das Epoxydharz kann dann getrocknet und durch eine Maske ultraviolettem Licht ausgesetzt werden, um die Bereiche zu identifizieren und zu separieren, die entfernt werden, damit die Öffnungen 44, 46 entstehen. Die auf diese Weise identifizierten Bereiche werden dann entfernt, um die Öffnungen 44, 46 zu schaffen, welche Abschnitte der ersten Hauptelektroden 12 beziehungsweise der Steuerelektroden 16 freilegen. Das lichtempfindliche Epoxydharz wird dann gehärtet, beispielsweise durch Erhitzen, um die Passivierungsschicht 38 (1) mit den Öffnungen 44, 46 zu schaffen.
  • Die Öffnungen 44, 46 müssen nur die erforderliche Größe haben, um einen guten elektrischen Kontakt zwischen der ersten Hauptelektrode 12 und der Steuerelektrode 16 und den Basen der entsprechenden Klemmen herzustellen, und müssen sich nicht über die gesamte Oberfläche der Elektroden erstrecken. Darüber hinaus müssen die Öffnungen 44, 46 keinen Bereich der Elektrode freilegen, der dem Bereich der Basen der damit verbundenen Klemmen entspricht. Außerdem kann jedes andere geeignete Verfahren ebenfalls zur Erzeugung der Passivierungsschicht 38 (1) mit den Öffnungen 44, 46 verwendet werden.
  • Wenn die Öffnungen 44, 46 gebildet sind, wird das leitende Befestigungsmaterial 36 (1A) über den freigelegten Abschnitten der ersten Hauptelektroden 12 und der Steuerelektroden 16 aufgebracht. Lötmittel oder ein leitendes Epoxydharz können als leitendes Befestigungsmaterial 36 (1A) verwendet werden.
  • Als Nächstes wird auf 6 Bezug genommen; elektrisch leitende Klemmen werden auf dem leitenden Befestigungsmaterial 36 platziert, das über dem freigelegten Abschnitt jeder Elektrode 12, 16 aufgebracht wird. Zum Beispiel zeigt 6 die Klemmen 20, 22, welche unter Bezugnahme auf das Halbleiterbauelement 8 beschrieben wurden, die entsprechend an ihren entsprechenden Basen 26, 28 mit den ersten Hauptelektroden 12 und den Steuerelektroden 16 des Halbleiterplättchens 10 durch das leitende Befestigungsmaterial 36 (1A) verbunden sind. Wenn die leitenden Klemmen (z. B. Klemmen 20, 22) angebracht sind, wird das Lötmittel, wenn es als Befestigungsmaterial verwendet wird, aufgeschmolzen [reflown], und wenn ein leitendes Epoxydharz als leitendes Befestigungsmaterial verwendet wird, wird es gehärtet. Wenn der Basisabschnitt einer Klemme größer als der freigelegte Bereich ist, kann erfindungsgemäß eine Schicht Klebstoff zwischen dem Abschnitt der Basis, der sich außerhalb des freigelegten Bereichs befindet, aufgetragen werden, um die Stärke der Verbindung zwischen der Klemme und dem Halbleiterplättchen weiter zu erhöhen. Wahlweise kann ein flüssiges Epoxydharz über die Scheibe aufgetragen werden, das mindestens Teile der Basisabschnitte der Klemmen sowie andere Bereiche der Scheibe bedeckt, um die Stärke der Montage der Klemmen auf den Halbleiterplättchen 10 zu verbessern. Danach wird die Scheibe 40 entlang ihren Straßen 42 in die einzelnen Chips zerlegt – beispielsweise durch Sägen – um die einzelnen Halbleiterplättchen 10 herzustellen, von welchen jedes wenigstens eine leitende Klemme hat, die mit seiner ersten Hauptelektrode 12 und seiner Steuerelektrode 16 verbunden ist.
  • Eine andere Klemme, beispielsweise Klemme 18, wie sie unter Bezugnahme auf das Halbleiterbauelement 8 (1A) beschrieben wird, ist mit der zweiten Hauptelektrode 14 des Halbleiterplättchens 10 durch das leitende Befestigungsmaterial 36 (1A), wie beispielsweise Lötmittel oder ein leitendes Epoxydharz, elektrisch verbunden. Dies kann erreicht werden, indem jedes einzelne Plättchen 10 aufgenommen und seine zweite Hauptelektrode 14 auf dem Basisteil 24 der Klemme 18 platziert wird und dieselbe durch eine Schicht des leitenden Befestigungsmaterials 36 (1A), wie beispielsweise Lötmittel oder leitendes Epoxydharz, elektrisch verbunden wird. Erneut wird, wenn Lötmittel verwendet wird, dieses aufgeschmolzen, und wenn leitendes Epoxydharz verwendet wird, dieses gehärtet.
  • Alternativ werden die Plättchen zuerst durch Sägen vereinzelt, nachdem die Öffnungen in der Passivierungsschicht gebildet wurden, und dann werden die Klemmen an den Elektroden jedes Plättchens unter Verwendung eines leitenden Befestigungsmaterials angebracht.
  • Die Klemmen 18, 20, 22 können aus einem Kupfermatrix-Lead-Frame geschnitten werden, das ein Format ähnlich wie Kupferbänder oder Brücken hat, die in herkömmlichen Verpackungen verwendet werden. Die Klemmen 18, 20, 22 können an ihrem entsprechenden Platz unter Verwendung einer Brückenstanz- und Platzierungsoperation, wie sie an herkömmlichen Die-Bonding-Maschinen zu finden ist, angebracht werden. Gemäß einem bevorzugten Verfahren werden die Plättchen 10 auf den Klemmen 18 platziert und mit den Basisabschnitten 24 derselben durch ein geeignetes leitendes Befestigungsmaterial verbunden, das leitende Befestigungsmaterial wird aufgeschmolzen oder gehärtet und dann werden die Klemmen 18 aus dem Band zurechtgeschnitten, damit man die Halbleiterbauelemente 8 erhält.
  • Ein Halbleiterbauelement kann nach dem oben beschriebenen Verfahren hergestellt werden und es können Klemmen verschiedener Formen verwendet werden. Es wird auf 7 und 8 Bezug genommen, in welchen gleichen Zahlen gleiche Merkmale bezeichnen; das Halbleiterbauelement 48 umfasst das Halbleiterplättchen 10 mit den Klemmen 50, 52, 54, welche mit seinen Elektroden verbunden sind. Es wird auf 9 Bezug genommen, in welcher gleiche Zahlen gleiche Merkmale bezeichnen; die Klemmen 50, 52, 54 weisen einen Basisabschnitt 51, 53, 55 auf. Klemme 50, welche mit der zweiten Hauptelektrode 14 durch das leitende Befestigungsmaterial 36 verbunden ist, beinhaltet die Erweiterung 56, welche ihren Basisabschnitt 51 mit ihrem Kontaktabschnitt 58 verbindet. Die Erweiterung 56 bildet ein einheitliches Teil mit dem Basisabschnitt 51 und dem Kontaktabschnitt 58 der Klemme 50. Es sei ebenfalls angemerkt, dass die Erweiterung 56 zwischen den Hauptoberflächen des Halbleiterplättchens 10 verläuft.
  • Auf einer Oberfläche des Basisabschnitts 53 der Klemme 52 ist eine Mehrzahl von Kontakten 60 angeordnet. Auf der Oberfläche des Basisabschnitts 55 ist ebenfalls Kontakt 60 angeordnet.
  • Die Kontakte 60 sind erhöhte Abschnitte, welche ausgehend von der offenen Oberfläche der entsprechenden Basisabschnitte 53, 55 verlaufen. Die Basisabschnitte 53, 55 der Klemmen 52, 54 sind mit der ersten Hauptelektrode 12 und der Steuerelektrode 16 durch eine Schicht des leitenden Befestigungsmaterials 36, das in den entsprechenden Öffnungen in der Passivierungsschicht 38 aufgetragen ist, elektrisch verbunden. Klemme 51 wird vorzugsweise aus Kupfer geformt und ist mit Silber überzogen. Der Basisabschnitt 51 der Klemme 50 kann einen geringfügig größeren Bereich als das Plättchen haben, so dass er einen Rahmen um die Ränder des Plättchens bildet, wenn die beiden zusammengefügt werden. Der zusätzliche Bereich gestattet, dass eine größere Dicke des Befestigungsmaterials um den Rand des Plättchens gebildet wird. Effektiv würde das ermöglichen, dass das Befestigungsmaterial kontrolliert und ein Überfließen über den Rand des Plättchens verhindert werden könnte.
  • In der Tat können verschiedene Klemmen mit anderen Formen hergestellt werden. Bezug nehmend auf 10A–10B, 11A–11B und – können die Klemmen beispielsweise so verschiedenartig sein, dass zylindrische Kontakte 62 mit einer flachen Kontaktoberfläche 63, wie in 11A– gezeigt, anstelle der Kontakte 60 mit einer semisphärischen Form, wie in 10A–10B gezeigt und genutzt werden, oder die Kontakte 60 können durch eine Mehrzahl erhöhter Abschnitte 64 ersetzt werden, die flache Kontaktoberflächen 65 aufweisen.
  • Die Seiten der Basisabschnitte 53, 55 der Klemmen 52, 54, die mit den Elektroden des Plättchens verbunden sind, können flach oder leicht erhöht sein. Erhöhte Seiten können helfen, den Fluss des Befestigungsmaterials auf die gleiche Weise zu kontrollieren wie der zusätzliche Bereich in Basis 51 der Klemme 50. Die Klemmen 52, 53 können ebenfalls aus Kupfer geformt und mit Silber beschichtet sein.
  • Es kann zuerst das Plättchen aus der Scheibe vereinzelt werden, nachdem die Passivierungsschicht und die Öffnungen in dieser gebildet worden sind. Jedes vereinzelte Plättchen wird zuerst an dem Basisabschnitt 51 einer Klemme 50 durch ein geeignetes leitendes Befestigungsmaterial, wie beispielsweise mit Silber angereichertes Epoxydharz, angebracht. Die Klemmen 52, 53 werden dann unter Verwendung desselben Befestigungsmaterials oder eines geeigneten Lötmittels angebracht. Die Klemmen 50 dienen als Basis für den Leiterrahmen eines Halbleiterbauelements. In der erwähnten Art der Herstellung sind die Klemmen 50 in Form einer Matrix mit hoher Dichte vorhanden, während die Klemmen 52, 53 mit den relevanten Elektroden des Plättchens unter Verwendung einer Brückenstanzbaugruppe verklebt werden.
  • Es wird auf 13 Bezug genommen; es wird das Halbleiterbauelement 8 dargestellt, das auf der Oberfläche eines Substrats 66 montiert ist. Im Einzelnen stehen die Kontakte 30, 32, 34 in elektrischem Kontakt mit den leitenden Pads 68, 70, 72, welche die Elektroden des Halbleiterbauelements 8 mit ihrem passenden Platz in einer elektronischen Schaltung (nicht dargestellt) verbinden.
  • Es wird auf 14 Bezug genommen; es wird das Halbleiterbauelement 48 gezeigt, das auf der Oberfläche des Substrats 66 montiert ist. Ähnlich wie das Halbleiterbauelement 8 ist das Halbleiterbauelement 48 ein auf der Oberfläche montiertes Element, welches mit einer elektronischen Schaltung über die leitenden Pads 68, 70, 72 verbunden ist, die mit den Kontakten 58, 60 der Klemmen 50, 52, 54 in Kontakt stehen. Aufgrund dieser Anordnung kann Wärme von der zweiten Hauptelektrode 14 des Halbleiterplättchens 10 durch den Basisabschnitt 24, 51 der Klemme 18, 50 abgeleitet werden, wenn ein Halbleiterbauelement 8, 48 auf einem Substrat montiert ist.
  • Es sei angemerkt, dass der Kontaktabschnitt 30 des Halbleiterbauelements 8 (13) in eine Richtung verläuft, die ihn unter derselben Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens 10 platziert, mit welcher die anderen Klemmen 20, 22 verbunden sind. Diese Konfiguration hat den zusätzlichen Vorteil, dass der Platzbedarf des Halbleiterbauelements reduziert wird. Auf der anderen Seite verläuft der Kontaktabschnitt 58 des Halbleiterbauelements 48 (14) in eine Richtung, die von dem Bereich unter der Hauptoberfläche des Halbleiterplättchens 10 wegführt, an welcher die anderen Klemmen angebracht sind. Obwohl diese Konfiguration den Platzbedarf des Halbleiterbauelements 48 erhöht, gestattet sie einen größeren Bereich für die leitenden Pads 70, 72 unter dem Halbleiterplättchen 10. Möglicherweise ist auch die Herstellung einfacher, da möglicherweise nicht so eine präzise Ausrichtung der Teile erforderlich ist, wenn die zweite Hauptelektrode des Plättchens mit ihrer entsprechenden Klemme zu verbinden ist.
  • Das Verhältnis Plättchen zu Platzbedarf bei einem vorliegenden Halbleiterbauelement beträgt 90%. Die Wärmeableitung eines solchen Bauelements wird ebenfalls verbessert, was ermöglicht, dass das Bauelement bei viel höheren Temperaturen betrieben wird. Ein Plättchen, das in einem solchen Bauelement verwendet wird, kann auf 0,100 mm reduziert werden, womit es viel dünner als ein in herkömmlichen Verpackungen verwendetes Plättchen ist. Ein solches Bauelement kann mit einer Vielzahl von Flächen verwendet werden. Außerdem gestattet ein solches Bauelement, dass die Belastung, die durch ein thermisches Missverhältnis zwischen den verschiedenen Substraten entsteht, absorbiert wird, wenn das Bauelement zusammengesetzt wird. Wegen dieser Eigenschaften kann ein solches Bauelement widerstandsfähiger arbeiten und unter schwierigeren Bedingungen verwendet werden als andere Bauelemente.
  • Für einen Fachmann wird ersichtlich sein, dass Klemmen verschiedener Formen in Kombination verwendet werden können, um ein Halbleiterbauelement zu entwickeln.

Claims (11)

  1. Halbleiterbauelement, umfassend: eine Halbleiterplatte (10) mit einer ersten Hauptoberfläche und einer zweiten Hauptoberfläche, die der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegt; eine Steuerelektrode (16) und eine erste Hauptelektrode (12), die auf der ersten Hauptoberfläche der Halbleiterplatte befestigt ist und eine zweite Hauptelektrode (14), die auf der zweiten Hauptoberfläche der Halbleiterplatte befestigt ist; mehrere leitfähige Klemmen (18, 20, 22) mit je einem Basisabschnitt (24, 26, 28), der elektrisch jeweils mit der Steuerelektrode sowie der ersten und der zweiten Hauptelektrode verbunden ist, und einem Kontaktabschnitt (30, 32, 34) für die Herstellung des elektrischen Kontakts zu einer externen Komponente, wobei eine Passivierungsschicht (38) über der Steuerelektrode und der ersten Hauptelektrode aufgebracht wurde und die Basisabschnitte der jeweiligen leitfähigen Klemmen durch ein leitendes Befestigungsmaterial (36) mit der Steuerelektrode und der ersten Hauptelektrode durch jeweils eine entsprechende Öffnung (44, 46) in der Passivierungsschicht elektrisch verbunden sind, wobei der Basisabschnitt einer leitfähigen Klemme größer als die entsprechende Öffnung (44, 46) ist und zusätzlich ein Klebstoff zwischen dem Basisabschnitt, der sich außerhalb der Öffnung (44, 46) befindet, und der Halbleiterplatte aufgebracht ist, um die Stärke der Verbindung zwischen der Klemme und der Halbleiterplatte zu erhöhen; wobei die zweite Hauptelektrode (14) mit einer Klemme (18), die über eine Erweiterung (19) verfügt, verbunden wird, wobei die Erweiterung (19) den Basisabschnitt (24) und den Kontaktabschnitt (30) derselben verbindet, die Erweiterung (19) sich mindestens zwischen der zweiten Hauptoberfläche der Halbleiterplatte und der ersten Hauptoberfläche der Halbleiterplatte erstreckt und der Kontaktabschnitt (30) der Klemme (18) der zweiten Hauptelektrode (14) in einer Richtung verläuft, die den Kontaktabschnitt (30) unter der ersten Hauptoberfläche der Halbleiterplatte (10) platziert.
  2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei jede der Mehrzahl der leitfähigen Klemmen (18, 20, 22) über eine Erweiterung (19, 21, 23) verfügt, die den besagten Kontaktabschnitt von dem Basisabschnitt trennt.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, bei dem die Erweiterung (19, 21, 23) jeder leitfähigen Klemme (18, 20, 22) im Wesentlichen vertikal zu dem Basisabschnitt (24, 26, 28) jeder leitfähigen Klemme ausgerichtet ist und der Kontaktabschnitt (30, 32, 34) jeder leitfähigen Klemme im Wesentlichen parallel zu dem Basisabschnitt jeder leitfähigen Klemme angelegt ist.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, wobei die Halbleiterplatte (10) ein MOSFET ist.
  5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Schicht aus leitendem Befestigungsmaterial (36) ein Lötmittel umfasst.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem die Schicht aus leitendem Befestigungsmaterial (36) ein leitendes Epoxydharz umfasst.
  7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem mehrere der leitfähigen Klemmen (18) über eine Erweiterung (19) verfügen, die die jeweiligen Basisabschnitte (24) derselben mit den entsprechenden Kontaktabschnitten (30) derselben verbindet, wobei jede Erweiterung einen einheitlichen Körper mit einem entsprechenden Basisabschnitt und einem entsprechenden Kontaktabschnitt bildet.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, bei dem mindestens eine der mehreren leitfähigen Klemmen (52, 54) einen Basisabschnitt (53, 55) umfasst und mindestens ein Kontaktabschnitt (60, 62, 64) auf einer Oberfläche des flachen Basisabschnitts aufgebracht ist.
  9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, bei dem der eine Kontaktabschnitt aus einer Erhebung (60, 62, 64) besteht.
  10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, bei dem wenigstens einer der Kontaktabschnitte (62) zylindrisch ist und über eine flache Kontaktfläche verfügt.
  11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, bei dem wenigstens einer der Kontaktabschnitte (62, 64) aus einem erhöhten Abschnitt mit einer flachen Kontaktfläche besteht.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6930397B2 (en) * 2001-03-28 2005-08-16 International Rectifier Corporation Surface mounted package with die bottom spaced from support board
JP4763463B2 (ja) * 2003-02-28 2011-08-31 シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト 基板とパワーエレクトロニクス素子を備えた装置およびその製造方法
US7692316B2 (en) 2004-10-01 2010-04-06 International Rectifier Corporation Audio amplifier assembly
US20060145319A1 (en) * 2004-12-31 2006-07-06 Ming Sun Flip chip contact (FCC) power package
US7755179B2 (en) * 2004-12-20 2010-07-13 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor package structure having enhanced thermal dissipation characteristics
JP4917296B2 (ja) * 2005-10-28 2012-04-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US8183682B2 (en) * 2005-11-01 2012-05-22 Nxp B.V. Methods of packaging a semiconductor die and package formed by the methods
DE102005061015B4 (de) * 2005-12-19 2008-03-13 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils mit einem vertikalen Halbleiterbauelement
US20070215997A1 (en) * 2006-03-17 2007-09-20 Martin Standing Chip-scale package
US7663212B2 (en) * 2006-03-21 2010-02-16 Infineon Technologies Ag Electronic component having exposed surfaces
US7733659B2 (en) * 2006-08-18 2010-06-08 Delphi Technologies, Inc. Lightweight audio system for automotive applications and method
DE102007009521B4 (de) * 2007-02-27 2011-12-15 Infineon Technologies Ag Bauteil und Verfahren zu dessen Herstellung
US8222078B2 (en) * 2009-07-22 2012-07-17 Alpha And Omega Semiconductor Incorporated Chip scale surface mounted semiconductor device package and process of manufacture
CN201629397U (zh) * 2009-11-30 2010-11-10 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 集成电路组合
US20120175688A1 (en) * 2011-01-10 2012-07-12 International Rectifier Corporation Semiconductor Package with Reduced On-Resistance and Top Metal Spreading Resistance with Application to Power Transistor Packaging
US9536800B2 (en) 2013-12-07 2017-01-03 Fairchild Semiconductor Corporation Packaged semiconductor devices and methods of manufacturing
US10553557B2 (en) * 2014-11-05 2020-02-04 Infineon Technologies Austria Ag Electronic component, system and method
US10192846B2 (en) 2014-11-05 2019-01-29 Infineon Technologies Austria Ag Method of inserting an electronic component into a slot in a circuit board
US10064287B2 (en) 2014-11-05 2018-08-28 Infineon Technologies Austria Ag System and method of providing a semiconductor carrier and redistribution structure
US11521862B2 (en) * 2017-12-15 2022-12-06 Chih-Liang Hu Process for fabricating circuit components in matrix batches

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63281451A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH01161707A (ja) * 1987-12-17 1989-06-26 Nec Corp チップ部品
JPH0357251A (ja) * 1989-07-26 1991-03-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH04159704A (ja) * 1990-10-23 1992-06-02 Nec Corp 電気二重層コンデンサ
WO1999065077A1 (en) * 1998-06-09 1999-12-16 Fairchild Semiconductor Corporation Low resistance package for semiconductor devices
EP0966038A2 (de) * 1998-06-15 1999-12-22 Ford Motor Company Bonden von Leistungshalbleiteranordnungen
JP2000091475A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置
DE10003671A1 (de) * 1999-01-28 2000-08-10 Hitachi Ltd Halbleiter-Bauelement
JP2000243887A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2000277542A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
US20010048116A1 (en) * 2000-04-04 2001-12-06 International Rectifier Corp. Chip scale surface mounted device and process of manufacture
JP2002076195A (ja) * 2000-09-04 2002-03-15 Sanyo Electric Co Ltd Ｍｏｓｆｅｔの実装構造およびその製造方法

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3403438A (en) 1964-12-02 1968-10-01 Corning Glass Works Process for joining transistor chip to printed circuit
US3871014A (en) 1969-08-14 1975-03-11 Ibm Flip chip module with non-uniform solder wettable areas on the substrate
US3972062A (en) 1973-10-04 1976-07-27 Motorola, Inc. Mounting assemblies for a plurality of transistor integrated circuit chips
GB1487945A (en) 1974-11-20 1977-10-05 Ibm Semiconductor integrated circuit devices
US4604644A (en) 1985-01-28 1986-08-05 International Business Machines Corporation Solder interconnection structure for joining semiconductor devices to substrates that have improved fatigue life, and process for making
JP2984068B2 (ja) 1991-01-31 1999-11-29 株式会社日立製作所 半導体装置の製造方法
JPH05129516A (ja) 1991-11-01 1993-05-25 Hitachi Ltd 半導体装置
CA2089435C (en) 1992-02-14 1997-12-09 Kenzi Kobayashi Semiconductor device
JP2833326B2 (ja) 1992-03-03 1998-12-09 松下電器産業株式会社 電子部品実装接続体およびその製造方法
JPH0637143A (ja) 1992-07-15 1994-02-10 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
US5394490A (en) 1992-08-11 1995-02-28 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having an optical waveguide interposed in the space between electrode members
US5313366A (en) 1992-08-12 1994-05-17 International Business Machines Corporation Direct chip attach module (DCAM)
JPH06244231A (ja) 1993-02-01 1994-09-02 Motorola Inc 気密半導体デバイスおよびその製造方法
US5371404A (en) 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
JP2795788B2 (ja) 1993-02-18 1998-09-10 シャープ株式会社 半導体チップの実装方法
US5703405A (en) 1993-03-15 1997-12-30 Motorola, Inc. Integrated circuit chip formed from processing two opposing surfaces of a wafer
US5510758A (en) 1993-04-07 1996-04-23 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Multilayer microstrip wiring board with a semiconductor device mounted thereon via bumps
JP3258764B2 (ja) 1993-06-01 2002-02-18 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置の製造方法ならびに外部引出用電極およびその製造方法
US5397921A (en) 1993-09-03 1995-03-14 Advanced Semiconductor Assembly Technology Tab grid array
US5734201A (en) 1993-11-09 1998-03-31 Motorola, Inc. Low profile semiconductor device with like-sized chip and mounting substrate
US5367435A (en) 1993-11-16 1994-11-22 International Business Machines Corporation Electronic package structure and method of making same
US5454160A (en) 1993-12-03 1995-10-03 Ncr Corporation Apparatus and method for stacking integrated circuit devices
JPH07193184A (ja) 1993-12-27 1995-07-28 Fujitsu Ltd マルチチップモジュールの製造方法及びマルチチップモジュール
US5578869A (en) 1994-03-29 1996-11-26 Olin Corporation Components for housing an integrated circuit device
HU212428B (en) * 1994-05-13 1996-06-28 Egyt Gyogyszervegyeszeti Gyar Process to prepare pharmaceutical compositions containing gemfibrozyl
JP3377867B2 (ja) 1994-08-12 2003-02-17 京セラ株式会社 半導体素子収納用パッケージ
JP2546192B2 (ja) 1994-09-30 1996-10-23 日本電気株式会社 フィルムキャリア半導体装置
US5532512A (en) 1994-10-03 1996-07-02 General Electric Company Direct stacked and flip chip power semiconductor device structures
JP3138159B2 (ja) 1994-11-22 2001-02-26 シャープ株式会社 半導体装置、半導体装置実装体、及び半導体装置の交換方法
JPH08335653A (ja) 1995-04-07 1996-12-17 Nitto Denko Corp 半導体装置およびその製法並びに上記半導体装置の製造に用いる半導体装置用テープキャリア
US5655703A (en) 1995-05-25 1997-08-12 International Business Machines Corporation Solder hierarchy for chip attachment to substrates
US5674785A (en) 1995-11-27 1997-10-07 Micron Technology, Inc. Method of producing a single piece package for semiconductor die
US5726502A (en) 1996-04-26 1998-03-10 Motorola, Inc. Bumped semiconductor device with alignment features and method for making the same
JP2000049184A (ja) * 1998-05-27 2000-02-18 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6133634A (en) 1998-08-05 2000-10-17 Fairchild Semiconductor Corporation High performance flip chip package
JP2000077435A (ja) * 1998-08-31 2000-03-14 Hitachi Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6391687B1 (en) 2000-10-31 2002-05-21 Fairchild Semiconductor Corporation Column ball grid array package
US6717260B2 (en) * 2001-01-22 2004-04-06 International Rectifier Corporation Clip-type lead frame for source mounted die
US6711317B2 (en) * 2001-01-25 2004-03-23 Lucent Technologies Inc. Resiliently packaged MEMs device and method for making same
US6469398B1 (en) * 2001-03-29 2002-10-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor package and manufacturing method thereof
JP2003110077A (ja) * 2001-10-02 2003-04-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US6781227B2 (en) * 2002-01-25 2004-08-24 International Rectifier Corporation Compression assembled electronic package having a plastic molded insulation ring

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63281451A (ja) * 1987-05-13 1988-11-17 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH01161707A (ja) * 1987-12-17 1989-06-26 Nec Corp チップ部品
JPH0357251A (ja) * 1989-07-26 1991-03-12 Hitachi Ltd 半導体装置
JPH04159704A (ja) * 1990-10-23 1992-06-02 Nec Corp 電気二重層コンデンサ
WO1999065077A1 (en) * 1998-06-09 1999-12-16 Fairchild Semiconductor Corporation Low resistance package for semiconductor devices
EP0966038A2 (de) * 1998-06-15 1999-12-22 Ford Motor Company Bonden von Leistungshalbleiteranordnungen
JP2000091475A (ja) * 1998-09-09 2000-03-31 Shindengen Electric Mfg Co Ltd 半導体装置
DE10003671A1 (de) * 1999-01-28 2000-08-10 Hitachi Ltd Halbleiter-Bauelement
JP2000243887A (ja) * 1999-02-23 2000-09-08 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2000277542A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
US20010048116A1 (en) * 2000-04-04 2001-12-06 International Rectifier Corp. Chip scale surface mounted device and process of manufacture
JP2002076195A (ja) * 2000-09-04 2002-03-15 Sanyo Electric Co Ltd Ｍｏｓｆｅｔの実装構造およびその製造方法

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Publication number Publication date
AU2003295783A1 (en) 2004-06-18
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CN100421240C (zh) 2008-09-24

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