JP2000091475A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2000091475A
JP2000091475A JP10272593A JP27259398A JP2000091475A JP 2000091475 A JP2000091475 A JP 2000091475A JP 10272593 A JP10272593 A JP 10272593A JP 27259398 A JP27259398 A JP 27259398A JP 2000091475 A JP2000091475 A JP 2000091475A
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external terminal
semiconductor
terminal
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広治 古里
Yoshiaki Inami
嘉聴 稲見
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Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 本発明は実装床面積を小とした放熱特性の優
れた経済的な半導体装置の提供を目的とする。 【解決手段】 金属ケース２の底面に半導体基体１の一
面を固着し、前記半導体基体１の他面に外部端子３を設
けて前記金属ケース開口部より導出すると共に、該ケー
スに絶縁樹脂４を充填した半導体装置において、前記金
属ケース２の一側部を前記開口部側に略平行に屈曲する
ように構成し、前記屈曲部２ａを接続用外部端子とした
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】本発明は実装基板上に表面実装可能な小型
・薄型の半導体装置の構造に関するもので、一般に言わ
れているＣＳＰ（Ｃｈｉｐ Ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ
またはＣｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型半導
体装置である。
【０００２】図３はこの種の従来構造を示し、図３
（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図でこの外形（パッケー
ジ）構造は所謂表面実装型ＴＯ−２２０として良く知ら
れており、図中６はトランスファモールド法等により樹
脂成形されたモールド部で図示しないリードフレーム上
に半導体基板の一面を固着し、該固着部に連接されたリ
ードを一方の電極端子２とし、又該半導体基板の他面に
電気的に接続した内部リード等を通し、他方の電極端子
３とする。そして両端子２及び３は樹脂成型後同一平面
上に外部取付面が形成されており、実装基板（図示せ
ず）への面実装を容易にしている。
【０００３】上記の従来例では実装基板上に面実装しよ
うとすると図３（ａ）において端子 （２） ２から端子３に跨る一辺（長さａ）と他辺（長さｂ）を
乗じた（ａ×ｂ）の面積を実装基板上に要する等比較的
半導体デバイスが大きい場合には基板上に占めるスペー
スが広く、電子機器の小型化に適さない。又これらデバ
イスを小型化することも考えられるがトランスファモー
ルド法で成形しようとすると、製造工程で複雑且つ高価
な設備が必要となり、生産量の少ないデバイスの場合に
は経済的でない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の問題点を鑑みてなされたもので、その目的は半導体装
置の構造を工夫することにより、実装床面積が少なく小
型、薄型のパワーＣＳＰタイプの半導体装置を提供する
ことにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、金属ケース２の内側に半導体
基体１と他方の接続用外部端子３を組立た後、金属ケー
ス内に絶縁樹脂を注入して構成する為、金属ケースの接
続用外部端子２ａと他方の外部端子３が略同一面になっ
ていて実装基板面に接することを特徴とする。このよう
な金属ケースの一部に屈曲した接続用外部端子２ａと他
方の外部端子３を配置する事により、実装床面積は半導
体基体の外周部に一定寸法を確保するのみであり、大幅
に実装床面積を低減することが可能である。又本発明の
半導体装置の金属ケースは、平板からつなぎ目の生じな
い絞り加工で製造することを特徴とする。このように金
属ケースと接続用外部端子を絞り加工で製造すれば、放
熱性の良い半導体装置を容易に実現することができる。
金属ケースに絶縁樹脂を注入する構造のため、トランス
ファモールド用のプレス、金型や切断装置等が不要とな
り、製造工程が簡易で高価な設備を使用せずに生産する
ことができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
（３） 以下、添付図面を参照して本発明に係る半導体装置の実
施形態を説明する。尚、図面の説明において同一部材に
は同じ符号を付し、重複する説明は省略する。図１は本
発明の第一実施形態を示しており、図１（ａ）は正面断
面図、同図（ｂ）は下面図である。この半導体装置は、
組立用の専用治具（図示せず）を用いて、金属ケース２
の内側に半導体基体１、他方の外部端子３及び接合材５
を介して電気的に接続する。そして、絶縁樹脂４を金属
ケース内に注入する。一方金属ケース２の一側部を予め
開口部側に略平行に屈曲し、この屈曲部２ａを接続用外
部端子として機能せしめる。又、接続用外部端子２ａと
他方の外部端子３は実装時の基板面７に接する為、略同
一面になっている。尚、この半導体基体１は約５ｍｍ
角、金属ケース２は約６．５ｍｍ角で高さ約１．５ｍｍ
にされている。他方の外部端子３は、金属ケース内に配
置している。小型・薄型化の要求に応えるために半導体
基体（チップ）に略同サイズのＣＳＰタイプの半導体装
置となっている。金属ケース２は板厚約０．３ｍｍの平
板からプレスを用いて、絞り加工により形成するためつ
なぎ目がなく一体であるから、半導体基体から発生する
熱を効率よく放熱することができる。
【０００７】図２は本発明の他の実施例構造で，（ａ）
は正面断面図、（ｂ）は下面図である。図２は、半導体
基体１にＭＯＳＦＥＴを用いた例であり、他方の外部端
子３が２端子３ａ、３ｂとなっている。この様に、端子
数が複数となる場合は、他方の外部端子３を必要数配置
することにより対応できる。
【０００８】
【発明の効果】金属ケースの一部に接続用外部端子を設
け、他方の外部端子も金属ケース内に配置したことによ
り、実装床面積が少なく機器を小型にすることができ
る。金属ケースを絞り加工で製造するので半導体基体か
らの発熱を金属ケース及び接続要外部端子から効率的に
放熱する事が出来る。 （４）
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施例構造図 （ａ） 正面断面図 （ｂ） 下面図
【図２】 本発明の他の実施例構造図 （ａ） 正面断面図 （ｂ） 下面図
【図３】 従来の構造図 （ａ） 正面図 （ｂ） 側面図
【符号の簡単な説明】
１ 半導体基体 ２ 金属ケース ２ａ 接続用外部端子 ３ 他方の外部端子 ４ 絶縁樹脂 ５ 接合材 ６ モールド部 ７ 基板

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 金属ケースの底面に半導体基体の一面を
    固着し、前記半導体基体の他面に外部端子を設けて前記
    金属ケースの開口部より導出すると共に、該ケースに絶
    縁樹脂を充填した半導体装置において、前記金属ケース
    の一側部を前記開口部側に略平行に屈曲するように構成
    し、前記屈曲部を接続用外部端子としたことを特徴とす
    る半導体装置。
  2. 【請求項２】 ケースの屈曲面と外部端子の外部取付面
    を略同一面で実装基板に取付けたことを特徴とする請求
    項１の半導体装置。
  3. 【請求項３】 金属ケースを平板から絞り加工により形
    成したことを特徴とする請求項１又は請求項２の半導体
    装置。
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