JPH118336A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH118336A JPH118336A JP17773897A JP17773897A JPH118336A JP H118336 A JPH118336 A JP H118336A JP 17773897 A JP17773897 A JP 17773897A JP 17773897 A JP17773897 A JP 17773897A JP H118336 A JPH118336 A JP H118336A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- semiconductor device
- metal case
- mounting
- external
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 本発明は実装床面積を小とした放熱特性の優
れた経済的な半導体装置の提供を目的とする。 【解決手段】 底面の一辺の長さｂが、側面の高さ方向
の長さｈより大きい多角状金属ケースの前記底面１０ａ
に半導体基体１１の一面を固着し、前記半導体基体の他
面に外部端子１２を設けて前記金属ケース１０の開口部
より導出すると共に該ケースに絶縁樹脂１３を充填した
半導体装置において、前記外部端子１２の外部取付面１
２ａを該ケースの一側面１０ｂと略同一平面になるよう
に構成したことを特徴とする。
れた経済的な半導体装置の提供を目的とする。 【解決手段】 底面の一辺の長さｂが、側面の高さ方向
の長さｈより大きい多角状金属ケースの前記底面１０ａ
に半導体基体１１の一面を固着し、前記半導体基体の他
面に外部端子１２を設けて前記金属ケース１０の開口部
より導出すると共に該ケースに絶縁樹脂１３を充填した
半導体装置において、前記外部端子１２の外部取付面１
２ａを該ケースの一側面１０ｂと略同一平面になるよう
に構成したことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する分野の説明】本発明は実装基板上に面実
装可能な半導体装置の構造に関するものである。
装可能な半導体装置の構造に関するものである。
【０００２】図４はこの種の従来構造を示し、図４
（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図でこの外形（パッケー
ジ）構造は所謂ＳＴＯ−２２０として良く知られてお
り、図中１はトランスファモールド法等により樹脂成型
されたモールド部で図示しないリードフレーム上に半導
体基板の一面を固着し、該固着部に連接さけたリードを
一方 （２） の電極端子２とし、又該半導体基板の他面に電気的に接
続した内部リード等を通し、他方の電極端子３とする。
そして両端子２及び３は樹脂成型後同一平面上に外部取
付面が形成されており、実装基板（図示せず）への面実
装を容易にしている。
（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図でこの外形（パッケー
ジ）構造は所謂ＳＴＯ−２２０として良く知られてお
り、図中１はトランスファモールド法等により樹脂成型
されたモールド部で図示しないリードフレーム上に半導
体基板の一面を固着し、該固着部に連接さけたリードを
一方 （２） の電極端子２とし、又該半導体基板の他面に電気的に接
続した内部リード等を通し、他方の電極端子３とする。
そして両端子２及び３は樹脂成型後同一平面上に外部取
付面が形成されており、実装基板（図示せず）への面実
装を容易にしている。
【０００３】上記の従来例では実装基板上に面実装しよ
うとすると図４（ａ）において端子２から端子３に跨る
一辺（長さａ）と他辺（長さｂ）を乗じた（ａ×ｂ）の
面積を実装基板上に要する等比較的半導体デバイスが大
きい場合には基板上に占めるスペースが広く、電子機器
の小型化に適さない。又これらデバイスを小型化するこ
とも考えられるがトランスファモールド法で成型しよう
とすると、製造工程で複雑且つ高価な設備が必要とな
り、生産量の少ないデバイスの場合には経済的でない。
うとすると図４（ａ）において端子２から端子３に跨る
一辺（長さａ）と他辺（長さｂ）を乗じた（ａ×ｂ）の
面積を実装基板上に要する等比較的半導体デバイスが大
きい場合には基板上に占めるスペースが広く、電子機器
の小型化に適さない。又これらデバイスを小型化するこ
とも考えられるがトランスファモールド法で成型しよう
とすると、製造工程で複雑且つ高価な設備が必要とな
り、生産量の少ないデバイスの場合には経済的でない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の問題点を鑑みてなされたもので、その目的は半導体装
置の構造を工夫することにより、実装床面積の少ない生
産性の高い装置を提供することにある。
の問題点を鑑みてなされたもので、その目的は半導体装
置の構造を工夫することにより、実装床面積の少ない生
産性の高い装置を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の半導体装置は、金属ケースの内側に半導体素
子と外部出力用の端子を組立た後、金属ケース内に封止
用樹脂を注入して構成する為、金属ケースの一側面と端
子の底面が略同一面になっていて実装基板面に接するこ
とを特徴とする このように金属ケースと端子を配置する事により、実装
床面積は従来の略半分にすることが可能である。又本発
明の半導体装置の金属ケースは、半導体素子から発生す
る熱を効果的に放熱するため、平板からつなぎ目の生じ
ない絞り加工で製造することを特徴とする。このように
金属ケースを絞り加工で製造すれば、放熱性の良い半導
体装置を容易に実現することができる。金属ケースに封
止樹脂を （３） 注入する構造のため、トランスファモールド用のプレ
ス、金型や切断装置等が不要となり、製造工程が簡易で
高価な設備を使用せずに生産することができる。
に本発明の半導体装置は、金属ケースの内側に半導体素
子と外部出力用の端子を組立た後、金属ケース内に封止
用樹脂を注入して構成する為、金属ケースの一側面と端
子の底面が略同一面になっていて実装基板面に接するこ
とを特徴とする このように金属ケースと端子を配置する事により、実装
床面積は従来の略半分にすることが可能である。又本発
明の半導体装置の金属ケースは、半導体素子から発生す
る熱を効果的に放熱するため、平板からつなぎ目の生じ
ない絞り加工で製造することを特徴とする。このように
金属ケースを絞り加工で製造すれば、放熱性の良い半導
体装置を容易に実現することができる。金属ケースに封
止樹脂を （３） 注入する構造のため、トランスファモールド用のプレ
ス、金型や切断装置等が不要となり、製造工程が簡易で
高価な設備を使用せずに生産することができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
に係る半導体装置の実施形態を説明する。なお、図面の
説明において同一部材には同じ符号を付し、重複する説
明は省略する。図１（ａ）、（ｂ）の符号１は本発明の
第１の実施形態の半導体装置を示しており、図１（ａ）
はその正面図、同図（ｂ）は側面図である。この半導体
装置１は金属ケース１０の内側に半導体素子１１を配置
し、端子１２と、例えばはんだ（詳細は略す）で電気的
に接続され、封止樹脂１３を金属ケース内に注入してい
る。組立時は、金属ケースの底面１０ａを水平にして行
うので、半導体素子の位置決め、封止樹脂の注入等は容
易にできる。金属ケースの一側面１０ｂと端子底面１２
ａは、実装時の基板面に接する為、略同一面となってい
る。なお、この金属ケースの一辺ｂは約９mm、高さはｈ
約４mmにされており、金属ケースの底面から端子の先端
までの長さａは約７mmにされている。実装時の床面積は
約６３mm2（９×７）にできる。（なお、従来例では正
四角形の場合８１mm2（９×９）以上の床面積が必要で
ある。） 金属ケースは、板厚約０．８mmの平板からプレスを用い
て、絞り加工により形成するためつなぎ目がなく一体で
あるから、半導体素子から発生する熱を効率よく放熱す
ることができる。
に係る半導体装置の実施形態を説明する。なお、図面の
説明において同一部材には同じ符号を付し、重複する説
明は省略する。図１（ａ）、（ｂ）の符号１は本発明の
第１の実施形態の半導体装置を示しており、図１（ａ）
はその正面図、同図（ｂ）は側面図である。この半導体
装置１は金属ケース１０の内側に半導体素子１１を配置
し、端子１２と、例えばはんだ（詳細は略す）で電気的
に接続され、封止樹脂１３を金属ケース内に注入してい
る。組立時は、金属ケースの底面１０ａを水平にして行
うので、半導体素子の位置決め、封止樹脂の注入等は容
易にできる。金属ケースの一側面１０ｂと端子底面１２
ａは、実装時の基板面に接する為、略同一面となってい
る。なお、この金属ケースの一辺ｂは約９mm、高さはｈ
約４mmにされており、金属ケースの底面から端子の先端
までの長さａは約７mmにされている。実装時の床面積は
約６３mm2（９×７）にできる。（なお、従来例では正
四角形の場合８１mm2（９×９）以上の床面積が必要で
ある。） 金属ケースは、板厚約０．８mmの平板からプレスを用い
て、絞り加工により形成するためつなぎ目がなく一体で
あるから、半導体素子から発生する熱を効率よく放熱す
ることができる。
【０００７】図２、図３は各本発明の他の実施例構造で
各々（ａ）は正面図（ｂ）は側面図である。図２は金属
ケースを縦方向又は横方向に広げて直方体に変形しても
同様な効率が得られる。又端子１２を点線で示す如くケ
ースの側面より突出させ、実装基板１４に実装する際に
実装基板の孔１４ａに差し込み固着してもよい。図３に
は、本発明の応用例として、外部端子を２端子にした場
合を示す。より高機能な半導体素子を金属ケース内に組
立た場合は接続に用いる端子が複数となる。 （４）
各々（ａ）は正面図（ｂ）は側面図である。図２は金属
ケースを縦方向又は横方向に広げて直方体に変形しても
同様な効率が得られる。又端子１２を点線で示す如くケ
ースの側面より突出させ、実装基板１４に実装する際に
実装基板の孔１４ａに差し込み固着してもよい。図３に
は、本発明の応用例として、外部端子を２端子にした場
合を示す。より高機能な半導体素子を金属ケース内に組
立た場合は接続に用いる端子が複数となる。 （４）
【０００８】
【発明の効果】金属ケースの開口部から端子を配置し
て、金属ケースの一側面と端子が実装基板と接するの
で、実装床面積が少なく機器を小型にすることができ
る。金属ケースを絞り加工で製造するので半導体素子か
らの発熱を金属ケース及び端子から効率的に放熱するこ
とができる。
て、金属ケースの一側面と端子が実装基板と接するの
で、実装床面積が少なく機器を小型にすることができ
る。金属ケースを絞り加工で製造するので半導体素子か
らの発熱を金属ケース及び端子から効率的に放熱するこ
とができる。
【図１】 本発明の一実施例構造図 （ａ） 正面図 （ｂ） 側面図
【図２】 本発明の他の実施例構造図 （ａ） 正面図 （ｂ） 側面図
【図３】 本発明の他の実施例構造図 （ａ） 正面図 （ｂ） 側面図
【図４】 従来構造図
１ モールド部 ２，３ 電極端子 １０ 金属ケース １０ａ 底面 １０ｂ 側面 １１ 半導体素子（基板） １２，１２ａ 外部リード端子 １３ 封止樹脂 １４ 実装基板 １４ａ 孔
Claims (4)
- 【請求項１】底面の一辺の長さが、側面の高さ方向の長
さより長い多角状金属ケースの前記底面に半導体基体の
一面を固着し、前記半導体基体の他面に外部端子を設け
て前記金属ケースの開口部より導出すると共に該ケース
に絶縁樹脂を充填した半導体装置において、前記外部端
子の外部取付面を該ケースの一側面と略同一平面になる
ように構成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】ケースの一側面図と外部端子の外部取付面
を略同一面で実装基板に取付けたことを特徴とする請求
項１の半導体装置。 - 【請求項３】底面の一辺の長さが、側面の高さ方向の長
さより長い多角状金属ケースの前記底面に半導体基体の
一面を固着し、前記半導体基体の他面に外部端子を設け
て前記金属ケースの開口部より導出すると共に該ケース
に絶縁樹脂を充填した半導体装置において、前記外部端
子の外部取付部を該ケースの一側面と同一方向に導出
し、前記ケース一側面を実装基板の一面に固着し、一方
の電極部とすると共に前記外部取付部を前記実装基板の
一面に設けた孔を通して固着して他方の電極部としたこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】多角状金属ケースを平板から絞り加工によ
り形成したことを特徴とする請求項１，請求項２又は請
求項３の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17773897A JPH118336A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17773897A JPH118336A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118336A true JPH118336A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=16036265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17773897A Pending JPH118336A (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH118336A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029589A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-02-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014199890A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP17773897A patent/JPH118336A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011029589A (ja) * | 2009-06-30 | 2011-02-10 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2014199890A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-10-23 | 新電元工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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