JP4208490B2 - 半導体電力用モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体モジュール及びその製造方法に係り、特に電力回路と制御回路とが一つのパッケージにアセンブリされた半導体電力用モジュール及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、低容量のインバータ及びサーバドライバのような電力用電子産業が発展するにつれ、軽く小さくて低コストであり、そして高性能の電力用システムへの要求が高まっている。このような趨勢に合わせて、最近では多様な電力用半導体チップを一つのパッケージに集積させるだけではなく、電力用半導体チップを制御するための制御回路部品も一つのパッケージに含めるインテリジェント半導体電力用モジュールが脚光を浴びている。
【0003】
図1は、従来の半導体電力用モジュールの一実施形態を示す断面図である。図1において、参照符号11はケースを、13は制御回路端子を、15は主回路端子を、17は主回路部を、そして19は制御回路部をそれぞれ示す。
図1に示したように、従来の半導体電力用モジュールの一実施形態は、あらゆる構成要素が絶縁性金属基板16上に接着されており、ボンディングワイヤ18により相互に電気的に接続した構造を有する。従って、全体面積は、構成要素が接着された絶縁性金属基板16の大きさにより決まるので、構成要素の数が多くなるほど半導体電力用モジュール全体の体積が大きくなり、それにより製造に要求される絶縁性金属基板やモールディング材などの材料の体積もまた増すので製造コストもかさむという問題がある。
【0004】
図2は、従来の半導体電力用モジュールの他の実施形態を示す断面図である。図2において、参照符号21は端子であり、29はケースをそれぞれ表す。
図2を参照すれば、電力用半導体素子のある主回路部25と制御回路素子のある制御回路部23とは、垂直(上下)方向に相互に離隔された相異なる基板上に形成される。そして、この主回路部25は下部の基板上に配置され、制御回路部23は上部の基板上に配される。主回路部25と制御回路部23との接続は連結メタル27によりなされるのであるが、この連結メタル27が主回路部25及び制御回路部23に接触する部分はソルダ22によりソルダリングされる。
【0005】
このような従来の電力用半導体素子(半導体電力用モジュール)の他の実施形態は、主回路部25と制御回路部23とが上下の相異なる基板上にそれぞれ配置されているので、主回路部25と制御回路部23との間を接続するための連結メタル27及びソルダ22が別途必要であり、それにより製造コストがかさむだけではなく製造工程もまた複雑であるという短所がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
このように従来の半導体電力用モジュールは、図1に示した構造ではモジュール全体の体積が大きくなり材料の体積もまた増えるので製造コストもかさむとともに、図2に示した構造では主回路部25と制御回路部23との間を接続する連結メタル27及びソルダ22が別途必要になるため、これによりモジュール全体が大きくなり製造コストがかさむだけではなく製造工程も複雑になるという不具合があった。
本発明はこのような課題を解決し、小さくて製造コストが安価であり、且つ簡単な製造工程を有する半導体電力用モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上述の課題を解決するために、本発明による半導体電力用モジュールは、電力回路チップ及び制御回路チップが一つのパッケージに集積される半導体電力用モジュールにおいて、電力回路チップが取付けられる電力回路部基板と、この電力回路部基板に垂直方向に配置されて制御回路チップが取付けられる第1制御回路部基板及び電力回路部基板に水平方向に配置されて電力回路部基板と接続される第2制御回路部基板を含む制御回路部基板と、電力回路部基板に取付けられて下端部及び側部を密閉するケースと、このケースに取付けられて上端部を密閉する蓋部とを備え、制御回路チップに電気的に連結されるように第1制御回路部基板の一端部にボンディングされた信号端子及び電力回路チップに電気的に連結されるように電力回路部基板の上部表面上にボンディングされる電力端子を備え、信号端子及び電力端子は、蓋部を通じてパッケージの外部に延ばして配置する。
【0008】
ここで、電力回路部基板は、銅、セラミック及び銅が順次に積層した構造を有するDBC基板であることが望ましい。また、第1及び第2制御回路部基板は、第1及び第2印刷回路基板であることが望ましい。また、第1印刷回路基板及び第2印刷回路基板は、導電性バスラインを備え、導電性バスラインを介して相互接続されることが望ましい。
【0009】
この場合、第1及び第2印刷回路基板の一実施例において、導電性バスラインが存在する部分の形は平らでありうる。または、他の実施例として、第1印刷回路基板おいて導電性バスラインが存在する部分の形は突出部が形成された形であり、第2印刷回路基板において導電性バスラインが存在する部分の形は陥没部が形成された形でもありうる。また、更なる他の実施例として、第1印刷回路基板において導電性バスラインが存在する部分の形は突出部が形成された形であり、第2印刷回路基板において導電性バスラインが存在する部分の形はホールが形成された形でもありうる。
さらに、電力回路チップと第2制御回路部基板とは、ワイヤを介して接続されることが望ましい。
【0010】
また、上述の課題を解決するために、本発明による半導体電力用モジュールの製造方法は、一端部に形成された導電性バスラインを有する第1制御回路部基板及び第2制御回路基板をそれぞれ準備する段階と、第1制御回路部基板に制御回路チップを取付ける段階と、制御回路チップと第1制御回路部基板とをワイヤで接続する段階と、第1制御回路部基板の一端部に制御回路チップと電気的に連結される信号端子をボンディングさせる段階と、第2制御回路部基板の導電性バスラインのある面と第1制御回路部基板の導電性バスラインのある面とを取付けるが相互に垂直になるように取付ける段階と、電力回路部基板上に電力回路チップを取付ける段階と、電力回路チップを電力回路部基板にワイヤで接続する段階と、電力回路部基板上に電力回路チップと電気的に連結される電力端子をボンディングさせる段階と、電力回路部基板とケースの下部面とを接着させる段階と、第1及び第2制御回路部基板をケースに接着するが第1制御回路部基板はケースの側面に取付けられ第2制御回路部基板はケースの底面上に取付けられるようにする段階と、電力回路チップと第2制御回路部基板とをワイヤで相互接続する段階と、蓋部を用いて上端部を密閉する段階とを含み、信号端子及び電力端子は、蓋部を通じて前記パッケージの外部に延ばして配置する。
【0011】
ここで、電力回路部基板として、銅、セラミック及び銅が順次に積層された構造を有するDBC基板を利用することが望ましい。また、第1及び第2制御回路部基板として、第1及び第2印刷回路基板を利用することが望ましい。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明による半導体電力用モジュール及びその製造方法の実施形態を詳細に説明する。図3は、本発明による半導体電力用モジュールの一実施形態を示した断面図である。尚、本発明は、後述する実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
図3を参照すれば、半導体電力用モジュール300は、制御回路部310及び電力回路部320を含む。
【0013】
ここで、制御回路部310は、ほぼ垂直方向に配置された第1印刷回路基板311と、ほぼ水平方向に配置された第2印刷回路基板312とを備える。図面に示されていないが、第1印刷回路基板311と第2印刷回路基板312との表面には、導電性バスライン(図示せず)が形成されており、この導電性バスラインはソルダ314により互いに接続される。この導電性バスラインは、銅材質で作られる。また、第1印刷回路基板311の一端部には信号端子313が取付けられ、第1印刷回路基板311の第1表面には制御回路チップ315がソルダにより取付けられる。場合によっては、制御回路チップ315以外にも受動素子が共に取付けられもする。制御回路チップ315と第1印刷回路基板311とは、ワイヤ330により電気的に接続される。第2印刷回路基板312は、接続用印刷回路基板であり、制御回路チップ315が取付けられた第1印刷回路基板311と電力回路部320とを接続するためのものである。
【0014】
また、第1印刷回路基板311及び第2印刷回路基板312は、ケース340により支持されるのであるが、特に第1印刷回路基板311はケース340の側壁に接着剤、例えばシリコン接着剤316により取付けられ、第2印刷回路基板312はケース340の下部面にやはり接着剤、例えばシリコン接着剤316により取付けられる。
【0015】
また、電力回路部320は、DBC(Direct Bonded Copper)基板321、電力回路チップ322、及び電力端子323を含む。DBC基板321は、銅、セラミック及び銅が順次に積層された構造を有する基板であり、ケース340の下部と完全に密着して半導体電力用モジュール300の下端部を密閉する。電力回路チップ322は、アルミニウムワイヤ350を介してDBC基板321と電気的に接続し、アルミニウムワイヤ360を介しては制御回路部310の第2印刷回路基板312と電気的に接続される。電力端子323は、スプリング状の端子を使用できるが、それに限定されるものではない。
【0016】
一方、ケース340の上部では、蓋部370により半導体電力用モジュール300の上端部が密閉される。
このように半導体電力用モジュール300は、制御回路チップ315が取付けられる第1印刷回路基板311を垂直方向に配置することによりモジュール全体をかなり小さくできる。
【0017】
図4は、図1に示した半導体電力用モジュールの第1印刷回路基板及び第2印刷回路基板の接続部を詳細に示す図であり、図4(a)は第1印刷回路基板を、図4(b)は第2印刷回路基板を各々示している。また、図5は、図4に示した第1印刷回路基板及び第2印刷回路基板の他の実施例を示す図であり、図5(a)は第1印刷回路基板を、図5(b)は第2印刷回路基板を各々示している。また、図6は、図4に示した第1印刷回路基板及び第2印刷回路基板の更なる他の実施例を示す図であり、図6(a)は第1印刷回路基板を、図6(b)は第2印刷回路基板を各々示している。尚、図4ないし図6において、図3と同じ参照符号は同一要素を意味するもので以下において重複した説明は省略する。
【0018】
まず、図4(a)及び図4(b)に示すように、第1印刷回路基板311内の導電性バスライン410が存在する面と、第2印刷回路基板312内の導電性バスライン420が存在する面とは、どちらも平らな形を有しうる。一方、図5(a)及び図5(b)に示すように、第1印刷回路基板311内の導電性バスライン510が存在する面には突出部515が形成され、第2印刷回路基板312内の導電性バスライン520が存在する面には陥没部525が形成され、この突出部515と陥没部525とにより第1印刷回路基板311及び第2印刷回路基板312を接続することもできる。更に、図6(a)及び図6(b)に示すように、第1印刷回路基板311内の導電性バスライン610が存在する面には突出部615が形成され、第2印刷回路基板312内の導電性バスライン620が存在する面にはホール625が形成され、この突出部615とホール625とにより第1印刷回路基板311及び第2印刷回路基板312を接続することもできる。次に、図7ないし図9を参照して、本発明による半導体電力用モジュールの製造方法を詳細に説明する。図7は、図3に示した電力回路部320を組み立てた状態を示す図である。また、図8は、図3に示した制御回路部310を組み立てた状態を示す図である。また、図9は、図7及び図8に示した電力回路部320と制御回路部310とをケース340に収納した状態を示す図である。
【0019】
まず、図7に示すように、一端部に形成された導電性バスライン(図示せず)を有する第1印刷回路基板311及び第2印刷回路基板312をそれぞれ準備する。次に、第1印刷回路基板311にAgエポキシを用いて制御回路チップ315を付着する。そして、ワイヤボンディング工程を行って制御回路チップ315と第1印刷回路基板311とをワイヤ330で接続する。場合によっては、制御回路チップ315をコーティングする工程を追加で行うこともできる。次に、第1印刷回路基板311のバスラインが存在する端部と正反対の部分とに信号端子313をソルダにより取付ける。次に、ソルダ314を用いて第2印刷回路基板312のバスラインのある面と、第1印刷回路基板311のバスラインのある面とを取付ける。この時、第1印刷回路基板311と第2印刷回路基板312とがほとんど垂直になるように取付ける。
【0020】
次に、図8に示すように、ソルダ324を用いてDBC基板321上に電力回路チップ322を取付ける。この電力回路チップ322は、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ、整流ダイオード、サーミスタなどを含むことができる。次に、ワイヤ工程を行ってアルミニウムワイヤ350を介して電力回路チップ322とDBC基板321とを接続する。次に、ソルダ324を用いてスプリング状の電力端子323をDBC基板321に接続する。場合により、電力端子323をDBC基板321に接続する工程は、電力回路チップ322をDBC基板321に取付ける工程またはワイヤボンディング工程と同時に行うこともできる。
【0021】
次に、図9に示すように、DBC基板321とケース340の下部面とを接着剤、例えばシリコン接着剤316を用いて完全に取付ける。そして、第1印刷回路基板311及び第2印刷回路基板312をケース340に接着剤、例えばシリコン接着剤316を用いて取付ける。この時、第1印刷回路基板311はケース340の側面に取付けられ、第2印刷回路基板312はケース340の底面上に取付けられる。その後、ワイヤボンディング工程を行って、電力回路部320の電力回路チップ322と第2印刷回路基板312とをワイヤ360を介して相互接続する。
【0022】
その後、図3に示したように、蓋部370を用いて半導体電力用モジュール300の上端部を密閉してその内部をシリコンゲルで充填して半導体電力用モジュールを完成する。
【0023】
【発明の効果】
以上の説明のように、本発明による半導体電力用モジュール及びその製造方法によれば、制御回路チップが取付けられる第1印刷回路基板を垂直方向に配置することにより、半導体電力用モジュール全体をかなり小さくでき、それにより別途の材料が不要なので製造コストも下げられる。また、製造工程も従来の方法に比べて簡単になるというメリットを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の半導体電力用モジュールの一実施形態を示す断面図。
【図2】従来の半導体電力用モジュールの他の実施形態を示す断面図。
【図3】本発明による半導体電力用モジュールの一実施形態を示した断面図。
【図4】図1に示した半導体電力用モジュールの第1印刷回路基板及び第2印刷回路基板の接続部を詳細に示す図。
【図5】図4に示した第1印刷回路基板及び第2印刷回路基板の他の実施例を示す図。
【図6】図4に示した第1印刷回路基板及び第2印刷回路基板の更なる他の実施例を示す図。
【図7】図3に示した電力回路部を組み立てた状態を示す図。
【図8】図3に示した制御回路部を組み立てた状態を示す図。
【図9】図7及び図8に示した電力回路部と制御回路部とをケースに収納した状態を示す図。
【符号の説明】
300 半導体電力用モジュール
310 制御回路部
311 第1印刷回路基板
312 第2印刷回路基板
313 信号端子
314 ソルダ
315 制御回路チップ
316 シリコン接着剤
320 電力回路部
321 DBC基板
322 電力回路チップ
323 電力端子
330 ワイヤ
340 ケース
350、360 アルミニウムワイヤ
370 蓋部
Claims (11)
- 電力回路チップ及び制御回路チップが一つのパッケージに集積される半導体電力用モジュールにおいて、
前記電力回路チップが取付けられる電力回路部基板と、
前記電力回路部基板に垂直方向に配置されて前記制御回路チップが取付けられる第1制御回路部基板と、前記電力回路部基板に水平方向に配置されて前記電力回路部基板と接続される第2制御回路部基板とを含む制御回路部基板と、
前記電力回路部基板に取付けられて下端部及び側部を密閉するケースと、
前記ケースに取付けられて上端部を密閉する蓋部とを備え、
前記制御回路チップに電気的に連結されるように前記第1制御回路部基板の一端部にボンディングされた信号端子、及び前記電力回路チップに電気的に連結されるように前記電力回路部基板の上部表面上にボンディングされる電力端子を備え、
前記信号端子及び電力端子は、前記蓋部を通じて前記パッケージの外部に延びることを特徴とする半導体電力用モジュール。 - 前記電力回路部基板は、銅、セラミック及び銅が順次に積層した構造を有するDBC基板であることを特徴とする請求項1に記載の半導体電力用モジュール。
- 前記第1及び第2制御回路部基板は、第1及び第2印刷回路基板であることを特徴とする請求項1に記載の半導体電力用モジュール。
- 前記第1印刷回路基板及び第2印刷回路基板は、導電性バスラインを備え、前記導電性バスラインを介して相互接続されることを特徴とする請求項3に記載の半導体電力用モジュール。
- 前記第1及び第2印刷回路基板において、前記導電性バスラインが存在する部分の形は平らであることを特徴とする請求項4に記載の半導体電力用モジュール。
- 前記第1印刷回路基板において前記導電性バスラインが存在する部分の形は突出部が形成された形であり、前記第2印刷回路基板において前記導電性バスラインが存在する部分の形は陥没部が形成された形であることを特徴とする請求項4に記載の半導体電力用モジュール。
- 前記第1印刷回路基板において前記導電性バスラインが存在する部分の形は突出部が形成された形であり、前記第2印刷回路基板において前記導電性バスラインが存在する部分の形はホールが形成された形であることを特徴とする請求項4に記載の半導体電力用モジュール。
- 前記電力回路チップと前記第2制御回路部基板とは、ワイヤを介して接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体電力用モジュール。
- 一端部に形成された導電性バスラインを有する第1制御回路部基板及び第2制御回路基板をそれぞれ準備する段階と、
前記第1制御回路部基板に制御回路チップを取付ける段階と、
前記制御回路チップと前記第1制御回路部基板とをワイヤで接続する段階と、
前記第1制御回路部基板の一端部に前記制御回路チップと電気的に連結される信号端子をボンディングさせる段階と、
前記第2制御回路部基板の前記導電性バスラインのある面と前記第1制御回路部基板の前記導電性バスラインのある面とを取付けるが、相互に垂直になるように取付ける段階と、
電力回路部基板上に電力回路チップを取付ける段階と、
前記電力回路チップを前記電力回路部基板にワイヤで接続する段階と、
前記電力回路部基板上に前記電力回路チップと電気的に連結される電力端子をボンディングさせる段階と、
前記電力回路部基板とケースの下部面とを接着する段階と、
前記第1及び第2制御回路部基板を前記ケースに接着するが、前記第1制御回路部基板は前記ケースの側面に取付けられ、前記第2制御回路部基板は前記ケースの底面上に取付けられるようにする段階と、
前記電力回路チップと前記第2制御回路部基板とをワイヤで相互に接続する段階と、
蓋部を用いて上端部を密閉する段階と、を含み、
前記信号端子及び電力端子は、前記蓋部を通じて前記パッケージの外部に延びることを特徴とする半導体電力用モジュールの製造方法。 - 前記電力回路部基板として、銅、セラミック及び銅が順次に積層された構造を有するDBC基板を利用することを特徴とする請求項9に記載の半導体電力用モジュールの製造方法。
- 前記第1及び第2制御回路部基板として、第1及び第2印刷回路基板を利用することを特徴とする請求項9に記載の半導体電力用モジュールの製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020010060125A KR100843734B1 (ko) | 2001-09-27 | 2001-09-27 | 반도체 전력용 모듈 및 그 제조방법 |
KR2001-060125 | 2001-09-27 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003110089A JP2003110089A (ja) | 2003-04-11 |
JP4208490B2 true JP4208490B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=19714752
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002169150A Expired - Fee Related JP4208490B2 (ja) | 2001-09-27 | 2002-06-10 | 半導体電力用モジュール及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4208490B2 (ja) |
KR (1) | KR100843734B1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101626534B1 (ko) | 2015-06-24 | 2016-06-01 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7482638B2 (en) * | 2003-08-29 | 2009-01-27 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Package for a semiconductor light emitting device |
JP4159951B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2008-10-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールの製造方法 |
JP2006228948A (ja) * | 2005-02-17 | 2006-08-31 | Toyota Industries Corp | 半導体装置 |
JP5205836B2 (ja) * | 2007-06-29 | 2013-06-05 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
JP4609504B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2011-01-12 | 株式会社豊田自動織機 | 電子機器 |
KR20170003112A (ko) | 2015-06-30 | 2017-01-09 | 삼성전기주식회사 | 전력 반도체 모듈 및 그 제조 방법 |
KR20170036382A (ko) * | 2015-09-24 | 2017-04-03 | 엘지이노텍 주식회사 | 전원 장치 |
US10861767B2 (en) * | 2018-05-11 | 2020-12-08 | Semiconductor Components Industries, Llc | Package structure with multiple substrates |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5986285A (ja) * | 1982-11-09 | 1984-05-18 | 松下電器産業株式会社 | プリント基板接続装置 |
JPH0726862Y2 (ja) * | 1989-11-30 | 1995-06-14 | 太陽誘電株式会社 | 混成集積回路基板モジュール |
JPH04113474U (ja) * | 1991-03-25 | 1992-10-05 | 富士電機株式会社 | プリント基板の立体的結合構造 |
JP3466329B2 (ja) * | 1995-06-16 | 2003-11-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体パワーモジュール |
JP3223835B2 (ja) * | 1997-03-28 | 2001-10-29 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置及びその製造方法 |
JPH11233712A (ja) * | 1998-02-12 | 1999-08-27 | Hitachi Ltd | 半導体装置及びその製法とそれを使った電気機器 |
JP2000068446A (ja) * | 1998-08-25 | 2000-03-03 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
-
2001
- 2001-09-27 KR KR1020010060125A patent/KR100843734B1/ko active IP Right Grant
-
2002
- 2002-06-10 JP JP2002169150A patent/JP4208490B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101626534B1 (ko) | 2015-06-24 | 2016-06-01 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030028127A (ko) | 2003-04-08 |
JP2003110089A (ja) | 2003-04-11 |
KR100843734B1 (ko) | 2008-07-04 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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