JP2006228948A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】この発明は、小型の半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】ケース21の1つの側壁21aには、その内面に制御配線部22の複数の配線パターン23が互いに間隔を隔てて形成されており、各配線パターン23とパワーチップ7の対応する電極部7a及び7bとがボンディングワイヤ25により互いに接続されている。したがって、この半導体装置は、制御配線部がパワーチップ7と同じ金属基板1a上に配置された従来の半導体装置に比べて、金属基板1aの面積が小さくなる。
【選択図】図2
【解決手段】ケース21の1つの側壁21aには、その内面に制御配線部22の複数の配線パターン23が互いに間隔を隔てて形成されており、各配線パターン23とパワーチップ7の対応する電極部7a及び7bとがボンディングワイヤ25により互いに接続されている。したがって、この半導体装置は、制御配線部がパワーチップ7と同じ金属基板1a上に配置された従来の半導体装置に比べて、金属基板1aの面積が小さくなる。
【選択図】図2
Description
この発明は、半導体装置に係り、特にパワーモジュール等の半導体装置に関する。
従来のパワーモジュールにおいては、例えば特許文献1に開示されているように、放熱基板上にパワーチップ等を含む電力回路が形成されている。電力回路の動作を制御するための制御回路をこのモジュールに内蔵する場合には、制御回路を電力回路の上方に電力回路と平行に、あるいは電力回路の側方に電力回路に対して垂直に配設し、電力回路に隣接して配置された制御配線部を介して電力回路と制御回路とを電気的に接続していた。
制御回路をモジュールの外部に配設する場合であっても、パワーチップ等の側方に制御配線部が配置され、この制御配線部を介して外部の制御回路が電気的に接続される。例えば、図6に示されるように、金属基板1a上に絶縁樹脂層2が配置され、その上に配線パターン3が形成されたメタルベース基板1の配線パターン3上にはんだ4を介してCuやAl等からなるヒートシンク5が配置されている。さらに、ヒートシンク5上には、はんだ6を介してパワーチップ7が搭載されている。また、パワーチップ7に隣接して制御配線部8が配置され、制御配線部8の各配線パターン9とパワーチップ7の対応する電極部とがボンディングワイヤ10により互いに接続される。制御回路を内蔵しない代わりに、ケース11の内部から外部に複数の制御端子12が導出されており、これら制御端子12の一端12aに制御配線部8の対応する配線パターン9がボンディングワイヤ13により接続され、制御端子12の他端12bに図示しない制御回路が接続される。そして、制御回路からの制御用信号が制御端子12及び制御配線部8を介してパワーチップ7に供給されることによりこのパワーチップ7の動作が制御される。
しかしながら、上述のように制御配線部8をパワーチップ7と同じ金属基板1a上に配置すると、大きな面積を有する金属基板1aが必要となり、半導体装置が大型化してしまうという問題があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされたもので、小型の半導体装置を提供することを目的とする。
この発明はこのような問題点を解消するためになされたもので、小型の半導体装置を提供することを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、基板の上に半導体チップを配置してケース内に収容した半導体装置において、基板に対して垂直に配置されるケースの内壁面に形成されると共に半導体チップの動作を制御する制御用信号を半導体チップに供給するための制御配線部を備え、互いに垂直に配置された制御配線部と半導体チップの対応する電極部との間をワイヤボンディングにより互いに電気的に接続したものである。
基板に対して垂直なケースの内壁面に制御配線部が形成されており、互いに垂直に配置された制御配線部と半導体チップの対応する電極部との間がワイヤボンディングにより互いに電気的に接続されているため、制御配線部が半導体チップと同じ基板上に配置された従来の半導体装置に比べて、基板の面積が小さくなり、装置の小型化及び製造コストの低減を達成することができる。
基板に対して垂直なケースの内壁面に制御配線部が形成されており、互いに垂直に配置された制御配線部と半導体チップの対応する電極部との間がワイヤボンディングにより互いに電気的に接続されているため、制御配線部が半導体チップと同じ基板上に配置された従来の半導体装置に比べて、基板の面積が小さくなり、装置の小型化及び製造コストの低減を達成することができる。
一端が制御配線部に電気的に接続されると共に他端がケース外部に導出された制御端子をさらに備えることができる。
また、半導体チップとして、パワーチップを用いることができ、この場合、基板に対して垂直に配置され且つケース内部からケース外部に導出された電力端子をさらに備え、互いに垂直に配置された電力端子と半導体チップの対応する電極部との間をワイヤボンディングにより互いに電気的に接続することが好ましい。
好適には、基板を放熱板から形成することができる。
また、半導体チップとして、パワーチップを用いることができ、この場合、基板に対して垂直に配置され且つケース内部からケース外部に導出された電力端子をさらに備え、互いに垂直に配置された電力端子と半導体チップの対応する電極部との間をワイヤボンディングにより互いに電気的に接続することが好ましい。
好適には、基板を放熱板から形成することができる。
この発明によれば、小型の半導体装置を実現することができる。
以下、この発明の実施の形態を添付図面に基づいて説明する。
実施の形態1.
図1に、この発明の実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す。この半導体装置は、パワーモジュール等として用いられるものであり、いわゆるメタルベース基板1を有している。メタルベース基板1は、CuまたはAl等からなる放熱性の金属基板1aの上に絶縁樹脂層2が配置され、その上にCu等からなる配線パターン3が形成されたものである。配線パターン3上にはんだ4を介してCuやAl等からなるヒートシンク5が配置され、さらに、ヒートシンク5上に、はんだ6を介して1つのパワーチップ7が搭載されている。また、金属基板1aの周縁部に樹脂等からなるケース21が固定されることにより上面が開放された直方体状の容器を形成し、その内部にパワーチップ7が収容されている。
実施の形態1.
図1に、この発明の実施の形態1に係る半導体装置の構成を示す。この半導体装置は、パワーモジュール等として用いられるものであり、いわゆるメタルベース基板1を有している。メタルベース基板1は、CuまたはAl等からなる放熱性の金属基板1aの上に絶縁樹脂層2が配置され、その上にCu等からなる配線パターン3が形成されたものである。配線パターン3上にはんだ4を介してCuやAl等からなるヒートシンク5が配置され、さらに、ヒートシンク5上に、はんだ6を介して1つのパワーチップ7が搭載されている。また、金属基板1aの周縁部に樹脂等からなるケース21が固定されることにより上面が開放された直方体状の容器を形成し、その内部にパワーチップ7が収容されている。
図2に示されるように、ケース21の1つの側壁21aには、その内面に露出するように制御配線部22の複数の配線パターン23が互いに間隔を隔てて配置されている。また、側壁21aとこの側壁21aに隣接する側壁21bの内部には、複数の制御端子24がインサート成形されており、これら制御端子24の一端24aがそれぞれ対応する配線パターン23に連結されると共に、制御端子24の他端24bが側壁21bの上端部からケース21の外部に導出されている。また、ケース21内に露出した制御配線部22の各配線パターン23とパワーチップ7の対応する電極部7a及び7bとがボンディングワイヤ25により互いに接続されている。
なお、制御端子24の他端24bには、図示しない制御回路が接続されており、制御回路から制御端子24、制御配線部22の各配線パターン23及びボンディングワイヤ25を介してパワーチップ7に制御用信号が供給されることにより、パワーチップ7の動作が制御されるように構成されている。また、図1に示されるように、パワーチップ7の主回路端子である断面L字状の電力端子26がケース21の内部から外部へ導出されており、ケース21内に位置する電力端子26とパワーチップ7の対応する電極部とがボンディングワイヤ27により互いに接続されている。
以上のように、ケース21の側壁21aの内面、すなわちケース21の内壁面に制御配線部22を形成し、互いに垂直に位置する制御配線部22とパワーチップ7の対応する電極部7a及び7bとをボンディングワイヤ25により接続しているため、図6のように制御配線部8がパワーチップ7と同じ金属基板1a上に配置された従来の半導体装置に比べて、金属基板1aの面積が小さくなり、小型の半導体装置を実現することができると共に製造コストを低減することができる。
また、金属基板1aとしてAl等からなる放熱板を用いると共にメタルベース基板1とパワーチップ7の間にCuやAl等からなるヒートシンク5を配置しているため、パワーチップ7で発生した熱は、ヒートシンク5及び絶縁樹脂層2を通って金属基板1aから外部へ効率よく放散される。
また、制御配線部22における発熱は小さいため、制御配線部22を樹脂等からなるケース21の内壁面に配置しても、温度上昇等の不具合を生じることはない。
また、制御配線部22における発熱は小さいため、制御配線部22を樹脂等からなるケース21の内壁面に配置しても、温度上昇等の不具合を生じることはない。
なお、図3に示されるように、ヒートシンク5の上に多数のパワーチップ7を搭載する場合には、複数の配線パターン23をそれぞれ側壁21aの内面に沿って水平方向に延びる平行線状に形成してその全体をケース21内に露出させると共に、各配線パターン23の一端を側壁21aの端部にまで延在させてこの側壁21aに隣接する側壁21b内にインサート成形された制御端子24の一端部24aに連結し、制御配線部22の各配線パターン23とパワーチップ7の対応する電極部7a及び7bとをボンディングワイヤ25により互いに接続することもできる。このような構成にしても、金属基板1aが小さくなり、小型の半導体装置を実現することができると共に製造コストを低減することができる。
また、このとき、側壁21bの内部にインサート成形された制御端子24を制御配線部22の対応する配線パターン23に直接に連結する代わりに、各制御端子をその少なくとも一部がケース21内に露出するように側壁21bの表面にインサート成形し、ケース21内に露出した各制御端子の部分と制御配線部22の対応する配線パターン23との間をボンディングワイヤ等により接続することにより制御端子と制御配線部22とを互いに接続することもできる。
また、このとき、側壁21bの内部にインサート成形された制御端子24を制御配線部22の対応する配線パターン23に直接に連結する代わりに、各制御端子をその少なくとも一部がケース21内に露出するように側壁21bの表面にインサート成形し、ケース21内に露出した各制御端子の部分と制御配線部22の対応する配線パターン23との間をボンディングワイヤ等により接続することにより制御端子と制御配線部22とを互いに接続することもできる。
実施の形態2.
図4を参照して、この発明の実施の形態2に係る半導体装置を説明する。この半導体装置は、図1に示した実施の形態1の半導体装置において、断面L字状の電力端子26の代わりに、ほぼ平板状の電力端子31を備えるものである。すなわち、ほぼ平板状の電力端子31が金属基板1aに対して垂直に配置されてケース31の内部から外部に導出されており、ケース21内に位置する電力端子31の部分とパワーチップ7の対応する電極部との間がボンディングワイヤ32により互いに接続されている。
このように、電力端子31の金属基板1aに垂直な面とパワーチップ7の対応する電極部との間をワイヤボンディングして互いに接続することにより、さらに小型の半導体装置を実現することができる。
図4を参照して、この発明の実施の形態2に係る半導体装置を説明する。この半導体装置は、図1に示した実施の形態1の半導体装置において、断面L字状の電力端子26の代わりに、ほぼ平板状の電力端子31を備えるものである。すなわち、ほぼ平板状の電力端子31が金属基板1aに対して垂直に配置されてケース31の内部から外部に導出されており、ケース21内に位置する電力端子31の部分とパワーチップ7の対応する電極部との間がボンディングワイヤ32により互いに接続されている。
このように、電力端子31の金属基板1aに垂直な面とパワーチップ7の対応する電極部との間をワイヤボンディングして互いに接続することにより、さらに小型の半導体装置を実現することができる。
実施の形態3.
図1に示す実施の形態1の半導体装置において、ヒートシンク5を用いる代わりに、図5に示されるように、金属基板1a上にはんだ41を介してセラミック絶縁基板42を配置し、このセラミック絶縁基板42の上にはんだ6を介してパワーチップ7を搭載することもできる。ここで、セラミック絶縁基板42は、セラミックス板43の上面及び下面にそれぞれCuまたはAlからなるパターン44及び45が形成されたものである。同様に、実施の形態2の半導体装置においてもこのセラミック絶縁基板42を用いることができる。
図1に示す実施の形態1の半導体装置において、ヒートシンク5を用いる代わりに、図5に示されるように、金属基板1a上にはんだ41を介してセラミック絶縁基板42を配置し、このセラミック絶縁基板42の上にはんだ6を介してパワーチップ7を搭載することもできる。ここで、セラミック絶縁基板42は、セラミックス板43の上面及び下面にそれぞれCuまたはAlからなるパターン44及び45が形成されたものである。同様に、実施の形態2の半導体装置においてもこのセラミック絶縁基板42を用いることができる。
また、上述の実施の形態1〜3において、半導体装置は、金属基板1aに対して垂直にケース21の各側壁を固定した状態で、制御配線部22の各配線パターン23とパワーチップ7の対応する電極部7a及び7bとの間をワイヤボンディングにより接続して製造することもできるし、あるいは、ケース21の各側壁を金属基板1aに平行に配置した状態で制御配線部22の各配線パターン23とパワーチップ7の対応する電極部7a及び7bとをワイヤボンディングにより接続した後に、ケース21の各側壁を金属基板1aに対して垂直に立設させて固定することにより製造することもできる。
なお、図示しない制御回路は、例えばケース21内のパワーチップ7等の上方にこのパワーチップ7と平行に配設する等してケース21に内蔵することもできるし、ケース21の外部に配設することもできる。
また、この発明では、パワーチップ7に限らず、その他各種の半導体チップを金属基板1a上に搭載して用いることができる。
また、この発明では、パワーチップ7に限らず、その他各種の半導体チップを金属基板1a上に搭載して用いることができる。
1 メタルベース基板、1a 金属基板、2 絶縁樹脂層、3,23,44,45 配線パターン、4,6,41 はんだ、7 パワーチップ、7a,7b 電極部、21 ケース、21a,21b 側壁、22 制御配線部、24 制御端子、25,27,32 ボンディングワイヤ、26,31 電力端子、42 セラミック絶縁基板。
Claims (5)
- 基板の上に半導体チップを配置してケース内に収容した半導体装置において、
基板に対して垂直に配置されるケースの内壁面に形成されると共に半導体チップの動作を制御する制御用信号を半導体チップに供給するための制御配線部を備え、
互いに垂直に配置された前記制御配線部と半導体チップの対応する電極部との間をワイヤボンディングにより互いに電気的に接続することを特徴とする半導体装置。 - 一端が前記制御配線部に電気的に接続されると共に他端がケース外部に導出された制御端子をさらに備えた請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体チップは、パワーチップである請求項1または2に記載の半導体装置。
- 基板に対して垂直に配置され且つケース内部からケース外部に導出された電力端子をさらに備え、互いに垂直に配置された前記電力端子と半導体チップの対応する電極部との間をワイヤボンディングにより互いに電気的に接続する請求項3に記載の半導体装置。
- 基板は、放熱板からなる請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018082069A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US10290603B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-05-14 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency circuit |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10173126A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002222826A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002246537A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2003110089A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Fairchild Korea Semiconductor Kk | 半導体電力用モジュール及びその製造方法 |
-
2005
- 2005-02-17 JP JP2005040568A patent/JP2006228948A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10173126A (ja) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002222826A (ja) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2002246537A (ja) * | 2001-02-20 | 2002-08-30 | Denso Corp | 電子装置 |
JP2003110089A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Fairchild Korea Semiconductor Kk | 半導体電力用モジュール及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10290603B2 (en) | 2016-11-10 | 2019-05-14 | Mitsubishi Electric Corporation | High-frequency circuit |
JP2018082069A (ja) * | 2016-11-17 | 2018-05-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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