JP2008091787A - パワー半導体モジュール - Google Patents
パワー半導体モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008091787A JP2008091787A JP2006273251A JP2006273251A JP2008091787A JP 2008091787 A JP2008091787 A JP 2008091787A JP 2006273251 A JP2006273251 A JP 2006273251A JP 2006273251 A JP2006273251 A JP 2006273251A JP 2008091787 A JP2008091787 A JP 2008091787A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- external terminal
- power semiconductor
- semiconductor module
- terminal
- longitudinal direction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
- H01L2224/401—Disposition
- H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/83801—Soldering or alloying
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inverter Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】外囲ケース3はその周壁の端面に端子保持凸部33を有し、外部導出端子31の外部端子部6のある端部は、端子保持凸部の先端から外部に延出する。蓋体4は、端子保持凸部に嵌合する挿通孔42を有し、端子保持凸部の先端は挿通孔42より外部に突出している。また、外部端子部6と固定用孔11とが、放熱板1の長手方向に垂直な方向に見て重なっているように各部を配置し、寸法の縮小を図る。また、1列に並んだAC入力外部端子部6c,6d,6eに対しP極及びN極の2つの外部端子部6a,6bは並設されておらず、一直線状の配線バー7,7,7により各AC入力外部端子部6c,6d,6e間を並列に接続可能である。
【選択図】図1
Description
この3相ブリッジ回路の単体回路図を図16(a)に示す。この3相ブリッジ回路70単体をパッケージングした従来のパワー半導体モジュール単品の外観図を図16(b)(c)に示す。図16(b)は上面図、(c)は正面図である。図16(b)(c)に示すように、従来のパワー半導体モジュール71は、図16(a)に示す3相ブリッジ回路70を構成するダイオードチップを金属基板74上に実装し、これに外囲ケース72と蓋体75とを組み合わせて箱状としたものである。蓋体75の上面に、3相ブリッジ回路70の各電極P,N,AC1〜AC3を取り出す外部端子部73a〜eが配置されている。電極AC1〜AC3に相当する外部端子部73a〜cが片側に横一列に並んでいる。電極P(+),N(−)に相当する外部端子部73d,eが残る片側に横一列に並んでいる。金属基板74の裏面は露出しており、放熱板としても機能する。パワー半導体モジュール71の側部には金属基板74及び外囲ケース72を貫く固定用の切欠76と孔77が形成されている。
ところが、外部導出端子などの導体部品に必要な断面積を確保した上で、モジュールを小面積化しようとすれば、外部端子間や外部端子と放熱板との間の距離を短くせざるを得ず、絶縁性が低下する。そこで、特許文献4,5に示すように、外部端子が配置されるモジュール上面に絶縁壁を立設して、絶縁沿面距離を確保する発明が提案されている。
上記従来技術にあっては、外部導出端子の端部に蓋体に設けられた挿通孔を通して組み立てる方法がとられる場合がある。その場合、外囲ケースと蓋体とが外部導出端子を介して位置決めされる。ところが、外囲ケースや蓋体の成形精度に対し、外部導出端子の位置精度は良好ではない。そのため、外囲ケースと蓋体との位置精度が外部導出端子の位置精度に依存して悪化する。
外部導出端子の位置精度を許容するために、蓋体の挿通孔の大きさに余裕が必要となる。この場合、外部導出端子の端部を蓋体の挿通孔に挿通しても、外部導出端子の端部の曲げ形成されるべき部位は樹脂で支持されず、その曲げ形成を精度良く安定的に行うことが困難になる恐れがある。
また、蓋体の上面より低所において外部導出端子の端部が露出するため、水等に浸食されやすい構造となってしまう。
このような従来の外部端子の配列では、パワー半導体モジュールを必要な数を設置して互いに並列に接続して用いる場合に、他極との絶縁を確保するために、配線バーの構造が複雑化する恐れがある。
また、パワー半導体モジュールが組み込まれる電力変換装置等におけるパワー半導体モジュールの配置上の要請に応えることを課題とする。
前記放熱板上に絶縁材を介して敷設された薄膜状の配線パターンと、
前記配線パターンに実装された半導体チップと
前記放熱板の外縁に一端の開口部を嵌合させ、前記配線パターンの形成領域を取り囲む周壁を有した両端開口の枠状で樹脂製の外囲ケースと、
前記外囲ケースに中間部が埋没して保持され、一端が前記配線パターンに接続する内部端子部を構成し、他端が外部端子部を構成する外部導出端子と、
前記外囲ケースの他端の開口部を覆う樹脂製の蓋体とを備え、
前記外囲ケースは、その周壁の前記他端側の端面に凸部を有し、
前記外部導出端子の前記外部端子部のある端部は、前記凸部の先端から外部に延出し、
前記蓋体は、前記凸部に嵌合する挿通孔を有し、
前記凸部の先端は前記挿通孔より外部に突出してなるパワー半導体モジュールである。
前記5端子のうち前記3つのAC入力外部端子部を含む4端子が、長手方向の一辺側に偏在して長手方向の1列に配置され、
前記3つのAC入力外部端子部が他の外部端子部を介さず連続して配置され、
前記陽極外部端子部及び前記陰極外部端子部が、前記長手方向の一端部において前記長手方向に垂直な方向に配置されてなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワー半導体モジュールである。
また、本願請求項1記載の発明によれば、外部導出端子の外部端子部のある端部は外囲ケースの前記凸部の先端から外部に延出しているから、当該凸部に外部導出端子が支持されており、外部端子部の曲げ形成を精度良く安定的に行うことができる。
また、本願請求項1記載の発明によれば、外囲ケースの前記凸部の先端は蓋体の前記挿通孔より外部に突出しているので、蓋体の上面より高所において外部導出端子の端部が露出することとなり、外部導出端子と外囲ケースとの境界からの水等による浸食が防止される。
まず、本発明の第1実施形態につき、図1〜図9を参照して説明する。図1は本発明の第1実施形態のパワー半導体モジュールを示す上面図(a)及びB−B断面図(b)である。図2は、同A−A断面図である。図3はCu放熱板の上面図(a)及びダイオードチップ実装済み配線基板の上面図(b)である。図4は外囲ケースの上面図(a)及び蓋体の上面図(b)である。図5は外囲ケースのA−A線断面図(a)、B−B線断面図(b)、C−C線断面図(c)及びD−D線断面図(d)である。図6は蓋体のA−A線断面図(a)及びB−B線断面図(b)である。
外囲ケース3に、外部導出端子31が保持されている。外部導出端子31の中間部が端子保持凸部33及びその基端に続く周壁32に埋没することにより、外部導出端子31は外囲ケース3に保持されている。端子保持凸部33の先端から外部に延出した外部導出端子31の端部は、外部端子部6を構成する。周壁32の内面から延出した外部導出端子31の端部は、配線パターン23に接続するために適宜水平・垂直方向に屈曲形成された内部端子部5を構成する。
また、周壁32の端子保持凸部33aと対角の角部には、位置規制孔34が形成されている。
図5に示すように、周壁32の裏面側の内周縁には、Cu放熱板1を嵌め入れる段差部35が形成されている。
図4(b)及び図6に示すように、蓋体4には、外部端子部6を搭載するランド部41が隆起して形成されている。各ランド部41には、端子保持凸部33が嵌入される挿通孔42が形成されている。また、各ランド部41には、ナット保持穴43が形成されている。1つのランド部41とこれに隣接するランド部41との間には、隔壁45が形成されている。
また、蓋体4の裏面には、位置規制孔34に嵌入される位置規制凸部44が形成されている。
まず、図7(a)に示すように、ダイオードチップが搭載された配線基板2をCu放熱板1上に半田により接合する。
外部導出端子31の内部端子部5と、配線パターン23とを半田により接合する。
また、配線パターン23aに搭載されたダイオードチップ26の表面に形成された電極と、配線パターン23c,23d,23eのそれぞれとの間をリード部材27により接続する。同様に、配線パターン23c,23d,23eのそれぞれに搭載されたダイオードチップ26の表面に形成された電極と、配線パターン23bとの間をリード部材27により接続する。
その後、ゲル材をケース内に注入して電気回路を封止する。
また、端子保持凸部33とランド部41とで階段状の構造を構成することにより、隣接する外部端子部6,6間の絶縁沿面距離を長くすることができる。さらに隔壁45により絶縁沿面距離は長くなる。すなわち、外部端子部6cと外部端子部6dとの間で言えば、絶縁沿面距離は、図8に示されるように、端子保持凸部33cとランド部41cとの外面に沿って階段状に辿り、隔壁45の外面に沿って迂回し、隣接するランド部41dと端子保持凸部33dとの外面に沿って階段状に辿った距離となる。
また、端子保持凸部33とランド部41とで階段状の構造を構成することにより、外部端子部6とCu放熱板1との間の絶縁沿面距離を長くすることができる。すなわち、図8に示されるように、外部端子部6cとCu放熱板1との間で言えば、端子保持凸部33cとランド部41cとの外面に沿って階段状に周壁32の外周面に至り、裏面に露出するCu放熱板1に達するまでの距離となる。
これに対し、本発明実施形態のパワー半導体モジュールにあっては、図9(a)に示すように、1列に並んだAC入力外部端子部6c,6d,6eに対しP極及びN極の2つの外部端子部6a,6bは並設されておらず、一直線状の配線バー7,7,7により各AC入力外部端子部6c,6d,6e間を並列に接続することできる。P極及びN極の2つの外部端子部6a,6bのそれぞれには、他の配線バー8,9をそれぞれ接続する。
次に、本発明の第2実施形態につき、図10〜図15を参照して説明する。図10は本発明の第2実施形態に係るCu放熱板の上面図(a)及びダイオードチップ実装済み配線基板の上面図(b)である。図11は外囲ケースの上面図(a)及び蓋体の上面図(b)である。図12は外囲ケースのA−A線断面図(a)、B−B線断面図(b)、C−C線断面図(c)及びD−D線断面図(d)である。図13は蓋体のA−A線断面図(a)及びB−B線断面図(b)である。
本実施形態のパワー半導体モジュールは、Cu放熱板101と、配線基板102と、外囲ケース103と、蓋体104とを備える。
外囲ケース103に、外部導出端子131が保持されている。外部導出端子131の中間部が端子保持凸部133及びその基端に続く周壁132に埋没することにより、外部導出端子131は外囲ケース103に保持されている。端子保持凸部133の先端から外部に延出した外部導出端子131の端部は、外部端子部106を構成する。周壁132の内面から延出した外部導出端子131の端部は、配線パターン123に接続するために適宜水平・垂直方向に屈曲形成された内部端子部105を構成する。
また、各凹み壁部132a,132aの端部付近にある対角の角部には、位置規制孔134が形成されている。
図12に示すように、周壁132の裏面側の内周縁には、放熱板1を嵌め入れる段差部135が形成されている。
図11(b)及び図13に示すように、蓋体104には、外部端子部106を搭載するランド部141が隆起して形成されている。各ランド部141には、端子保持凸部133が嵌入される挿通孔142が形成されている。また、各ランド部141には、ナット保持穴143が形成されている。1つのランド部141とこれに隣接するランド部141との間には、隔壁145が形成されている。
また、蓋体104の裏面には、位置規制孔134に嵌入される位置規制凸部144が形成されている。
まず、図14(a)に示すように、ダイオードチップが搭載された配線基板102をCu放熱板101上に半田により接合する。
外部導出端子131の内部端子部105と、配線パターン123とを半田により接合する。
また、配線パターン123aに搭載されたダイオードチップ126の表面に形成された電極と、配線パターン123cとの間をリード部材(図示せず)により接続する。同様に、配線パターン123cに搭載されたダイオードチップ126の表面に形成された電極と、配線パターン123bとの間をリード部材(図示せず)により接続する。
その後、ゲル材をケース内に注入して電気回路を封止する。
また、端子保持凸部133とランド部141とで階段状の構造を構成することにより、隣接する外部端子部106a,106b間の絶縁沿面距離を長くすることができる。さらに隔壁145により絶縁沿面距離は長くなる。すなわち、絶縁沿面距離は、端子保持凸部133aとランド部41aとの外面に沿って階段状に辿り、隔壁145の外面に沿って迂回し、隣接するランド部141bと端子保持凸部133bとの外面に沿って階段状に辿った距離となる。
また、端子保持凸部133とランド部141とで階段状の構造を構成することにより、外部端子部106とCu放熱板101との間の絶縁沿面距離を長くすることができる。すなわち、端子保持凸部133とランド部141cとの外面に沿って階段状に周壁132の外周面に至り、裏面に露出するCu放熱板101に達するまでの距離となる。
2 配線基板
3 外囲ケース
4 蓋体
5 内部端子部
6a 陽極外部端子部
6b 陰極外部端子部
6c,6d,6e AC入力外部端子部
11 固定用孔
21 セラミック絶縁基板
23 配線パターン
26 ダイオードチップ
31 外部導出端子
32 周壁
33 端子保持凸部
34 位置規制孔
41 ランド部
42 挿通孔
43 ナット保持穴
44 位置規制凸部
45 隔壁
101 放熱板
102 配線基板
103 外囲ケース
104 蓋体
105 内部端子部
106a 陽極外部端子部
106b 陰極外部端子部
106c AC入力外部端子部
111 固定用孔
123 配線パターン
126 ダイオードチップ
131 外部導出端子
132 周壁
133 端子保持凸部
134 位置規制孔
141 ランド部
142 挿通孔
144 位置規制凸部
145 隔壁
Claims (5)
- 放熱板と、
前記放熱板上に絶縁材を介して敷設された薄膜状の配線パターンと、
前記配線パターンに実装された半導体チップと
前記放熱板の外縁に一端の開口部を嵌合させ、前記配線パターンの形成領域を取り囲む周壁を有した両端開口の枠状で樹脂製の外囲ケースと、
前記外囲ケースに中間部が埋没して保持され、一端が前記配線パターンに接続する内部端子部を構成し、他端が外部端子部を構成する外部導出端子と、
前記外囲ケースの他端の開口部を覆う樹脂製の蓋体とを備え、
前記外囲ケースは、その周壁の前記他端側の端面に凸部を有し、
前記外部導出端子の前記外部端子部のある端部は、前記凸部の先端から外部に延出し、
前記蓋体は、前記凸部に嵌合する挿通孔を有し、
前記凸部の先端は前記挿通孔より外部に突出してなるパワー半導体モジュール。 - 前記放熱板の長手方向の両端部に固定用孔又は固定用切欠が形成されており、前記外部端子部と前記固定用孔又は固定用切欠とが、前記長手方向に垂直ないずれかの一方向に見て、少なくとも一部同士が重なるように配置されてなることを特徴とする請求項1に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記半導体チップをダイオードチップとした3相ブリッジ回路が構成されており、前記外部端子部が1つの陽極外部端子部、1つの陰極外部端子部及び3つのAC入力外部端子部からなる5端子で構成され、
前記5端子のうち前記3つのAC入力外部端子部を含む4端子が、長手方向の一辺側に偏在して長手方向の1列に配置され、
前記3つのAC入力外部端子部が他の外部端子部を介さず連続して配置され、
前記陽極外部端子部及び前記陰極外部端子部が、前記長手方向の一端部において前記長手方向に垂直な方向に配置されてなることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパワー半導体モジュール。 - 前記放熱板の長手方向の両端部に固定用孔又は固定用切欠が形成されており、前記陽極外部端子部及び前記陰極外部端子部並びにこれらの逆端部に配置される1つのAC入力外部端子部のそれぞれと、前記固定用孔又は固定用切欠とが、前記長手方向に垂直ないずれかの一方向に見て、少なくとも一部同士が重なるように配置されてなることを特徴とする請求項3に記載のパワー半導体モジュール。
- 前記外囲ケースの周壁に孔が形成されており、前記蓋体の裏面に前記孔に嵌入する凸部が形成されていることを特徴とする請求項1から請求項4のうちいずれか一に記載のパワー半導体モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006273251A JP4628337B2 (ja) | 2006-10-04 | 2006-10-04 | パワー半導体モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006273251A JP4628337B2 (ja) | 2006-10-04 | 2006-10-04 | パワー半導体モジュール |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008091787A true JP2008091787A (ja) | 2008-04-17 |
JP4628337B2 JP4628337B2 (ja) | 2011-02-09 |
Family
ID=39375603
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006273251A Active JP4628337B2 (ja) | 2006-10-04 | 2006-10-04 | パワー半導体モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4628337B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009272351A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Nippon Inter Electronics Corp | パワー半導体モジュールの製造方法 |
WO2013015031A1 (ja) | 2011-07-28 | 2013-01-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2015216148A (ja) * | 2014-05-08 | 2015-12-03 | 日本インター株式会社 | パワー半導体モジュール |
JP2018050084A (ja) * | 2009-05-14 | 2018-03-29 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
CN108418923A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-08-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 支架、输入输出组件及终端 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63111658A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2000077602A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000353777A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Yazaki Corp | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
JP2003324184A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パワーモジュール |
JP2006294974A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
-
2006
- 2006-10-04 JP JP2006273251A patent/JP4628337B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63111658A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2000077602A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2000353777A (ja) * | 1999-06-09 | 2000-12-19 | Yazaki Corp | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
JP2003324184A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体パワーモジュール |
JP2006294974A (ja) * | 2005-04-13 | 2006-10-26 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009272351A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Nippon Inter Electronics Corp | パワー半導体モジュールの製造方法 |
JP2018050084A (ja) * | 2009-05-14 | 2018-03-29 | ローム株式会社 | 半導体モジュール |
WO2013015031A1 (ja) | 2011-07-28 | 2013-01-31 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US8933554B2 (en) | 2011-07-28 | 2015-01-13 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
JP2015216148A (ja) * | 2014-05-08 | 2015-12-03 | 日本インター株式会社 | パワー半導体モジュール |
CN108418923A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-08-17 | Oppo广东移动通信有限公司 | 支架、输入输出组件及终端 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4628337B2 (ja) | 2011-02-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5041798B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5253455B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
US8929079B2 (en) | Electronic control device | |
JP2008010656A (ja) | 半導体装置 | |
CN104620377A (zh) | 半导体装置 | |
JP2006310439A (ja) | 太陽電池モジュール用端子ボックス | |
JP4628337B2 (ja) | パワー半導体モジュール | |
JP2006210500A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP2008294362A (ja) | パワー半導体モジュール | |
US9478477B2 (en) | Semiconductor device | |
JP5080321B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP2013507760A (ja) | 自動車のための電力モジュール | |
JP3769228B2 (ja) | 電力半導体装置 | |
JP4218243B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2009095188A (ja) | 電気接続箱 | |
JP2005235816A (ja) | 半導体パワーモジュール | |
JP2008166421A (ja) | パワーモジュール | |
JP2015053410A (ja) | 半導体モジュール | |
JP4066644B2 (ja) | 半導体装置、半導体装置の配線方法 | |
JP2009095187A (ja) | 電気接続箱 | |
JP2008259398A (ja) | 電力変換装置 | |
JP2019013079A (ja) | パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
JP4580270B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP2010177330A (ja) | 半導体リレーモジュールおよびこれを用いた台座コネクタ | |
JP2010177453A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080725 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100803 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101026 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101109 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131119 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4628337 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |