JP2013507760A - 自動車のための電力モジュール - Google Patents

自動車のための電力モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP2013507760A
JP2013507760A JP2012532653A JP2012532653A JP2013507760A JP 2013507760 A JP2013507760 A JP 2013507760A JP 2012532653 A JP2012532653 A JP 2012532653A JP 2012532653 A JP2012532653 A JP 2012532653A JP 2013507760 A JP2013507760 A JP 2013507760A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
power module
wafers
module
connector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012532653A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5643937B2 (ja
Inventor
モレル ジャン・ミッシェル
リム タン キー
ヴィヴェ ローラン
ディメリ サンドラ
トメリン ステファーヌ
ロリン エルヴェ
デュビュ パトリック
Original Assignee
バレオ・エチユード・エレクトロニク
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by バレオ・エチユード・エレクトロニク filed Critical バレオ・エチユード・エレクトロニク
Publication of JP2013507760A publication Critical patent/JP2013507760A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5643937B2 publication Critical patent/JP5643937B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/14Structural association of two or more printed circuits
    • H05K1/144Stacked arrangements of planar printed circuit boards
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/074Stacked arrangements of non-apertured devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0231Manufacturing methods of the redistribution layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0233Structure of the redistribution layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/023Redistribution layers [RDL] for bonding areas
    • H01L2224/0233Structure of the redistribution layers
    • H01L2224/02335Free-standing redistribution layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/0401Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/4501Shape
    • H01L2224/45012Cross-sectional shape
    • H01L2224/45014Ribbon connectors, e.g. rectangular cross-section
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201Compression bonding
    • H01L2224/85205Ultrasonic bonding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02Containers; Seals
    • H01L23/10Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01058Cerium [Ce]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304Transistor
    • H01L2924/1305Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/04Assemblies of printed circuits
    • H05K2201/042Stacked spaced PCBs; Planar parts of folded flexible circuits having mounted components in between or spaced from each other
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431Details of mounted components
    • H05K2201/10507Involving several components
    • H05K2201/1053Mounted components directly electrically connected to each other, i.e. not via the PCB
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)

Abstract

本発明は、車両、特に、電気式走行車両に使用するための電力モジュール(10)に関する。この電力モジュールは、垂直方向に隣接した2つの半導体ウェハ(12、14)を含み、各ウェハは、ヒートシンク基板(24、26)に接続されている第1の面(20、22)と、第1の面とは別の第2の面(28、30)とを有し、第2の面の上に、少なくとも1つの電子素子(38a〜44b)が配置されており、モジュールは、2つのウェハの第2の面が対向するように配置されている。

Description

本発明は、自動車、特に、電気モータを備えるハイブリッド車に使用するための電力モジュールに関する。
電力モジュールは、大電流が流れる電子素子を搭載した半導体ウェハを含む電子モジュールである。これは、特に、電力モジュールがハイブリッド車両に適用される場合であり、この場合には、電流は約200アンペアにもなる。
電力モジュールの中では、高い電流が流れることになるので、電力モジュールによって、相当に大量の熱が発生する。従って、モジュールの周辺に熱を放散させて、電子素子の過熱と、モジュールの機能不全とを回避することが非常に重要である。
接続面と反対側の面とを含む半導体ウェハを備える電力モジュールは、従来技術で既に公知である。この半導体ウェハでは、接続面の上に電子素子が配置され、反対側の面は熱放散のために使用され、電気的に基盤に接続されて、これにより熱を放散させている。しかしながら、このようなモジュールは、モジュールの中を大きい電流が流れる場合(例えばハイブリッド車両の場合)には、十分な熱放散を行うことができないと、正しく動作することができない。
電力モジュールはまた、従来公知であり、例えば、特許文献1には、半導体ウェハを包むハウジングを備える電力モジュールが示されている。この半導体ウェハは、第1の接続面と第2の反対側の面とを備え、第1の接続面には電子素子が配置され、第2の反対側の面は、直接に基板と接触して熱放散を行っている。ハウジングはまた、スプリングを備え、このスプリングは、接続面に接続されて、この面とデバイスとの間の電気的リンクを構成し、温度の制御と調節を行っている。
従って、このような電力モジュールは、半導体ウェハの2つの面から熱を放散させるようになっており、これにより、より大きな電流が、電力モジュールの中を流れることを可能にしている。
欧州特許第1381115号明細書
しかしながら、上記で述べた電力モジュールは、特殊な構造をしており、体積がかなり大きく、また多くの素子を備え、しかもこれらの素子は、特殊な素子である。
本発明の目的は、大幅な熱放散が可能な電力モジュールを提供することであり、これにより、高い強度の電流が電子モジュールの中を流れることが可能になり、素子を破壊することがなく、また同時に、設計も簡単になる。
この目的を達成するための、本発明の1つの主題は、車両、特に電気走行車両に使用しうる電力モジュールである。この電力モジュールは、重ね合わせた2つの半導体ウェハを備え、各ウェハは、第1の面と第2の面とを備えている。第1の面は、熱放散面を形成し、熱放散基板に接続されるようになっており、第2の面は、第1の面とは別個のものであり、接続面を形成し、第2の面の上には、少なくとも1つの電子素子が配置され、モジュールは、ウェハの第2の面が互いに向き合って配置されている構造になっている。
従って、モジュールからの熱は、モジュールのこれら2つの面から、非常に効率よく放散される。その理由は、熱放散のためのこれら2つの面のどちらも、電子素子を搭載しておらず、熱放散を行う基板が、熱放散面全体と直接に接触することができているからである。
さらに、半導体ウェハの素子は、従来の手段を介して接続することができる。モジュールの組み立てには、特別な困難さもない。特に、各半導体ウェハを他の半導体ウェハに接続するための、特殊な要素は必要ではない。また、各ウェハの熱放散面には、いかなる素子も搭載していないので、この面と基板との接続は、簡単に行うことができ、特殊な要素の助けを必要とするものではない。
従って、このようなモジュールは、設計が簡単であり、そのため経済的であるにも拘わらず、モジュールの2つの面から熱を放散させることができ、電力モジュールを破壊する危険を伴うことなく、電力モジュールの中を流れる電流強度を、大幅に増加させることができる。
本発明はまた、次に挙げる特徴の中の1つ以上を備えている。
−電子素子の全て、または電子素子の中の少なくとも1つは、ダイオードまたはトランジスタから選択される。
−各ウェハの第2の面は、少なくとも1つのコネクタを備え、モジュールは、少なくとも1つの接続要素を備え、この接続要素は、1つのウェハの電子素子またはコネクタを、他のウェハの電子素子またはコネクタに接続している。従って、両方の半導体ウェハの上には、単一の回路が構成され、これにより、種々の素子が半導体ウェハにわたって分散され、熱放散を好適にすることができる。
−接続要素の全て、または、接続要素の中の少なくとも1つは、リボンケーブルで構成されている。このリボンケーブルは、電力接続のために使用され、これにより、種々の素子の間の電力の伝送を好適に行うことができる。特に、リボンケーブルは、交互に反対のアーチを描くように波状に作られており、第1のタイプのアーチの少なくとも1つのピークは、ウェハのうちの1つの第2の面に電気的に接続され、第2のタイプのアーチの少なくとも1つのピークは、他のウェハの第2の面に電気的に接続されている。これにより、コネクタの間、および/または電子素子の間の行路長を最短にすることができ、これにより、リボンケーブルの中を流れる電流による熱損失を抑制することができる。
−各ウェハは、ウェハの少なくとも2つの反対側の端、およびスペース支持要素を備えており、モジュールは、スペース支持要素が接触して、ウェハの第2の面の間のスペースを維持するように構成されている。これにより、モジュールの設計が容易になり、2つの面の間に維持されているスペースによって、電子素子および接続要素を、容易にウェハの上に挿入をすることができる。さらに、スペース支持要素によって、ウェハの間に形成されるスペースの厚さは、精度よく制御することができ、ウェハの間の距離が小さいことにより生ずるモジュールの過熱を防ぐことができる。
−スペース支持要素は、ウェハを互いに固定するための手段を備えている。例えば、相補的形状をして密着しあう表面を備えている。このような手段によって、2つのウェハは、互いに適合した位置に設置することが容易になり、モジュールの組み立て工程が簡単になる。従って、モジュールの製造コストを低減することができる。これらの手段によって、相補的に密着する表面を構成することができるので有利である。その理由は、ここで使用するような設置手段は、製作がそれほど高価ではないからである。
−ウェハの中の少なくとも1つは、プラスチック材料で作られたフレームを有する。このフレームは、スペース支持要素を備えていることが望ましい。これにより、モジュールは、コンパクトになり、電子素子を密着させることができ、このプラスチックフレームによって、外部から加えられる可能性がある力に対して保護することができる。
−モジュールはまた、スペース支持要素、および/またはフレームを固定するための手段を備えることもできる。これらの手段は、ねじによる固定手段であってもよく、従って、フレームまたはスペース支持要素には、固定ねじを挿入するための孔が設けられる。
本発明の別の主題は、本発明による電力モジュールの組み立て、および熱放散のための2つの基板の組み立てである。各基板は、それぞれ、ウェハのうちの1つの第1の面に電気的に接続されている(ウェハのうちの1つの第1の面に直接接触していることが望ましい)。基板は、導電表面(例えば、銀ペースト焼結、またはビーズ溶接等の公知の方法によって形成されたメタライズ表面)を介して、モジュールに接続することができる。
本発明の別の主題は、電力モジュールを組み立てるための方法であり、次に示す操作を備えている。
−2つの半導体ウェハを備えるモジュールにおいて、少なくとも1つの電子素子を、各ウェハの1つの面(接続面と呼ぶ)に設ける。
−ウェハを、2つの接続面が互いに対向して位置するように重ね合せる。
上記の方法により、本発明によるモジュールを製作することができる。これらの接続面は、当業者には理解しうるように、モジュールの第2の面に対応している。
本発明による方法はまた、次に示すステップを備えることができる。
−少なくとも1つの接続要素(リボンケーブルであることが望ましい)を、ウェハのうちの1つの接続面の上に設置する。
−ウェハを重ね合わせて、接続要素が、ウェハの第2の面の少なくとも1つのコネクタ、またはこの第2の面の上に配置された電子素子を、もう一方のウェハの第2の面のコネクタ、またはこの第2の面の上に配置された電子素子に電気的に接続する。
以下の説明を読むことにより、本発明をよりよく理解しうると思う。これらの説明は、図を参照して、単に例として示すものである。
本発明の1つの実施形態における電力モジュールの分解斜視図である。 図1に示す電力モジュールを備える構成体の縦断面図である。 図1および図2に示す電力モジュールの電気的回路図である。
図1〜図3は、本発明による電力モジュール10を示している。図1および図2に示すように、電力モジュール10は、2つの半導体ウェハ12および14を備えている。これらを、それぞれ、下部ウェハ12および上部ウェハ14と呼ぶことにする。これらのウェハ12および14は、導電回路から構成され、導電回路の上には、プラスチック材料がモールドされている。また、フレーム16および18が、各ウェハ12および14の周囲を囲んでいる。このフレームは、プラスチック材料からなり、かつウェハの導電回路の上にモールドされている。
フレーム16および18は、互いに上下に配置されており、スペース支持要素を形成している。これにより、ウェハ12および14は、重ね合わせて配置することができる。これは図2によく示されている。フレームの形状は、2つの重ね合わされたウェハの間にスペース17を作るようになっている。スペースの厚さは、フレーム16および18の形状と寸法とから決定される。
また、図2から分かるように、フレームの下端と、それに対応する上端とは、相補的な形状を有しており、これらの表面は、密着面13および15を形成している。これにより、フレーム16および18は、効果的にかつ容易に、相対的に設けることができる。
モジュールはまた、2つのフレームを互いに固定するための固定手段19を備えている。これは、図1において見ることができる。固定手段は、重ね合わされた孔を備えており、各孔は、フレーム16および18の各コーナに設けられ、その中に、固定要素(ねじ等)を差し込むようになっている。
各ウェハ12および14は、熱放散基板24および26に接触するようになっている第1の面20および22を備えている(図2に示してある)。従って、この面は、表面全体にわたって、電気的には絶縁物であり、熱的には導体であるフィルムによって被われ、これにより、熱放散を行うとともに、モジュールを安全にしている。これらの面は、モジュールの外表面を形成している。
各ウェハ12および14はまた、第1の面の反対側に、第2の面28および30を備えている。これら第2の面は、電子素子を受け入れる役目を有し、接続面と呼ぶ。モジュールは、2つのウェハ12および14の面28および30が、互いに反対側に位置して、2つのウェハの間にあるスペース17を画定するように構成されている。
各ウェハは、その接続面の上に電力コネクタを備えている。これらのコネクタは、それぞれ、下部ウェハ12の上の電力供給コネクタ32および接地コネクタ34、および上部ウェハ14の上の相コネクタ36である。また、ウェハは、制御および検出コネクタ37を備えている。図1から分かるように、モジュールは、ラグ39aを備えており、このラグ39aは金属からなり、モジュールから突出している。これらのラグによって、モジュールの電力コネクタを、モジュールの外部に位置する他の要素と電気的に接続することができ、モジュールをより広域な回路に一体化することができる。モジュールはまた、制御コネクタを外部回路に接続するためのピン39bも備えている。
電子素子(38a、38b、40a、40b、42a、42b、44a、44b)は、ウェハ12および14の接続面28および30の上に配置されている。各ウェハ12および14は、例えば、2つのIGBTトランジスタ(それぞれ、ウェハ12に対しては38a、40a、またウェハ14に対して42a、44a)と、2つのダイオード(それぞれウェハ12に対しては38b、40b、およびウェハ14に対しては42b、44b)とを備えている。これらの素子は、各ウェハ12および14の接続面28および30の上に半田付けされている。
接続要素46および48もまた、接続面の上に実装され、コネクタおよび/または電子素子を、ともに接続している。接続要素は、電力リボンケーブル46および制御ワイヤ48を備えている。
2つのリボンケーブル46は、例えば、ウェハの各電子素子38a〜44bの上に配置されて、それらをもう一方のウェハの電力コネクタに接続している。具体的には、リボンケーブル46は、波打った形をしており、交互に反対のアーチを形成し、第1のタイプのアーチのピークは、素子に電気的に接続され、第2のタイプのアーチのピークは、もう一方のウェハの電力コネクタに電気的に接続されている。リボンケーブルと電力コネクタとの間には、金属要素41が挿入されている。例えば、図2に見ることができるように、リボンケーブル46は、ウェハ12のトランジスタ38aを、ウェハ14の相コネクタ36に電気的に接続している。別のリボンケーブルは、ウェハ14のトランジスタ42aを、ウェハ12の接地コネクタ34に電気的に接続している。
モジュールはまた、制御ワイヤ48も備えており、制御ワイヤ48のそれぞれは、トランジスタ38a〜44aを制御コネクタ37に接続している。
図3は、この実施形態における電子素子をさらに詳細に示している。これは、公知のハーフブリッジ回路であり、複数のトランジスタ38a、40a、および42a、44aを備え、各トランジスタは、それぞれ、ダイオード38b、40b、および42b、44bに並列に接続されている。2つのトランジスタダイオード対は、ウェハ12の接続面28の上に実装され、電力供給コネクタ32と相コネクタ36との間に搭載されている。一方、他の2つのトランジスタダイオード対は、ウェハ14の接続面30の上に実装され、相コネクタ36と接地コネクタ34との間に搭載されている。ウェハ12のトランジスタ38a、40aは、ウェハ14のトランジスタ42a、44とともに、制御および検出コネクタ37によって、同じ様式で制御される。複数のトランジスタを使用することにより、各トランジスタの中を流れる電流、およびモジュールによって放散される熱を分散させることができる。
この回路では、トランジスタ38a〜44aは、交互開閉式スイッチとして動作する。ダイオード38b〜44bは、フライホイールダイオードを形成し、これにより、スイッチを開くようにトランジスタに対する制御コマンドが送信されたときに、回路の中の過電圧を抑制することができる。このような構成によって、出力のところで、正負を交互に繰り返す電圧を供給することができる。通常、この回路の入力は、車両の電池に接続され、出力は、車両の電気モータに接続される。
このようなモジュールによって、効率のよい熱放散を行うことができる。その理由は、モジュールの2つの面を基板に接続することができ、これにより、熱放散を行うからである。さらに、この設計は単純であり、特殊な接続要素を使用する必要はない。さらに、このようなモジュールは、きわめて小さなスペースを占有するだけである。
次に、上に記述したモジュールを製作するための方法を、具体的に説明する。最初に、導電回路をモールドの中に配置する。そして、プラスチック材料をこの導電回路の上にモールドする。それにより、それぞれがフレーム16および18で周囲を囲まれた2つの半導体ウェハ12および14が得られる。
次に、種々の電子素子38a、38b、40a、40b、42a、42b、44a、44bを、それぞれのウェハ12および14の上に配置し、各素子を、ウェハ12および14の適切な導電回路の上に半田付けする。続いて、制御ワイヤ48およびリボンケーブル46を、上に述べたように、ウェハの上に配置する。次にこれらを、超音波溶接により、コネクタおよび/または電気素子に電気的に接続する。
その後、金属要素41を、ウェハ12のリボンケーブル46のピークのところと、上部ウェハ14のリボンケーブルの下部アーチのピークを受ける役目を有するウェハ12のコネクタの上とに配置する。続いて、ウェハ14をウェハ12の上に配置し、密着面13および15によって、2つのウェハ12および14を重ね合わせる。
その後、各リボンケーブル46を、ウェハに半田付けする。リボンは、このときに初めてウェハに接続される。その後、各ウェハの熱放散面20および22を、電気的には絶縁物ではあるが、熱的には導体であるフィルムによって被い、ラグおよびピン39a、39b以外の他のチャネルによって、モジュールの外部へ電流が流れるのを防ぐようにする。
更に、2つのウェハ12および14の間に形成されているスペース17の中に、レジンを注入する。これにより、素子は外部の要因から保護される。
その後、ねじ取り付け要素によって、2つのウェハ12および14を互いに固定する。
続いて、ウェハ12および14を、ウェハの第1の面20および22を、それぞれ、基板24および26に取り付け、これにより、熱を放散させることができる。また、これらの基板は、モジュールに固定し、基板がウェハの熱放散面20および22に直接に接触するようにすることができる。本発明の1つの実施形態による構成は、このようにして得られる。
本発明は、上に説明した実施形態に限定されるものではない。
先ず第1に、ウェハの上に実装する電子素子は、これまでに記述した素子に限定されるものではない。ハーフブリッジ回路を形成するために、各ウェハの上に単一のトランジスタダイオード対を使用した場合を想定しても、何の問題もない。また、ここに述べた電力モジュールの中に、別のタイプの回路を一体化することもできる。
同様に、接続要素も、上に記載したものに限定されるものではない。例えば、モジュールは、電力リボンケーブルを備えている必要はない。また、1つの素子当たり、より多くの数の電力リボンケーブルを備えていることも、同様に可能であると考えられる。
さらに、モジュールの形状は、上に記述した形状に限定されるものではない。モジュールは、モジュールの周囲を囲むフレームを備えている必要はなく、また、互いに正しいウェハの位置決めを行えるように密着面を備えている必要もない。モジュールは、ねじ取り付け手段以外の他の手段によって固定することも、同様に可能である。
モジュールの外面は、必ずしも、それらの全表面にわたって、熱放散基板に直接に接触している必要はない。さらに、2つのウェハのモジュールは、モジュールを基板に取り付ける手段と同じ手段を使用して取り付けることもできる。
さらに、本発明の方法は、必ずしも上に記述した方法に限定されるものではない。本発明の方法の中のいくつかのステップの順序を逆にすることも可能である。

Claims (10)

  1. 車両、特に電気走行車両のための電力モジュール(10)であって、
    前記電力モジュールは、2つの重ね合わせられた半導体ウェハ(12、14)を備え、各ウェハは、熱放散基板(24、26)に接続されるように設計された第1の面(20、22)と、少なくとも1つの電子素子(38a〜44b)が配置されている、前記第1の面と別個の第2の面(28、30)とを備え、前記モジュールは、前記ウェハの第2の面が互いに対向して配置されるように構成されていることを特徴とする電力モジュール。
  2. 各ウェハの前記第2の面は、少なくとも1つのコネクタ(32、34、36、37)を備え、前記モジュールは、電子素子(38a〜44b)を接続するための少なくとも1つの接続要素(46、48)、または電子素子に対する、前記ウェハのうちの一方のコネクタ、または前記ウェハのうちの他方のコネクタを備えていることを特徴とする、請求項1に記載の電力モジュール。
  3. 前記接続要素の中の全て、または少なくとも1つは、リボンケーブル(46)によって構成されていることを特徴とする、請求項1または2に記載の電力モジュール。
  4. リボンケーブル(46)は、交互に反対のアーチを描くように波状に作られ、第1のタイプのアーチの少なくとも1つのピークは、一方のウェハ(12)の第2の面(28)に電気的に接続され、第2のタイプのアーチの少なくとも1つのピークは、他方のウェハ(14)の第2の面(30)に電気的に接続されていることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電力モジュール。
  5. 各ウェハは、少なくとも2つの反対側の端に、スペース支持要素(16、18)を備え、前記モジュールは、前記スペース支持要素が互いに接触して、前記ウェハの前記第2の面の間に、スペース(17)が保持されるように構成されていることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電力モジュール。
  6. 前記スペース支持要素は、前記ウェハを互いにロックするための手段を備え、特に、相補的な形状を有する密着面(13、15)を備えていることを特徴とする、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電力モジュール。
  7. 前記ウェハの中の少なくとも1つは、フレーム(16、18)を有し、このフレームは、望ましくは、前記スペース支持要素を備えていることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の電力モジュール。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載の電力モジュールのアセンブリーと、2つの熱放散基板(24、26)のアセンブリーであって、前記基板のそれぞれは、前記ウェハのうちの1つの前記第1の面に電気的に接続され、前記ウェハのうちの1つの前記第1の面に直接に接触していることを特徴とするアセンブリー。
  9. 電力モジュール(10)を組み立てるための方法であって、
    −前記モジュールは、2つの半導体ウェハ(12、14)を備え、少なくとも1つの電子素子(38a〜44b)を、前記ウェハのそれぞれの、接続面(28、30)と呼ばれる1つの面の上に配置する操作と、
    −ウェハ(12、14)を、前記接続面が互いに対向して配置されるように重ね合わせる操作とを有することを特徴とする方法。
  10. 少なくとも1つの接続要素であるリボンケーブル(46)は、ウェハ(12、14)のうちの1つの接続面(28、30)の上に配置され、ウェハ(12、14)は、重ね合わされて、前記接続要素は、前記ウェハの前記接続面の少なくとも1つのコネクタ(32、34、36)、または前記面の上に配置された電子素子(38a−44b)を、他方のウェハの前記接続面のコネクタ、または前記面の上に配置された電子素子に電気的に接続するようになっていることを特徴とする、請求項9に記載の方法。
JP2012532653A 2009-10-07 2010-10-07 自動車のための電力モジュール Expired - Fee Related JP5643937B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR0957000A FR2951019B1 (fr) 2009-10-07 2009-10-07 Module de puissance pour vehicule automobile
FR0957000 2009-10-07
PCT/FR2010/052115 WO2011042667A1 (fr) 2009-10-07 2010-10-07 Module de puissance pour vehicule automobile

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2013507760A true JP2013507760A (ja) 2013-03-04
JP5643937B2 JP5643937B2 (ja) 2014-12-24

Family

ID=41627779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012532653A Expired - Fee Related JP5643937B2 (ja) 2009-10-07 2010-10-07 自動車のための電力モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8916963B2 (ja)
JP (1) JP5643937B2 (ja)
CN (1) CN102648520B (ja)
FR (1) FR2951019B1 (ja)
WO (1) WO2011042667A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9030822B2 (en) 2011-08-15 2015-05-12 Lear Corporation Power module cooling system
US8971041B2 (en) 2012-03-29 2015-03-03 Lear Corporation Coldplate for use with an inverter in an electric vehicle (EV) or a hybrid-electric vehicle (HEV)
ITMO20120321A1 (it) * 2012-12-21 2014-06-22 Meta System Spa Procedimento per la realizzazione e l'assemblaggio di schede elettroniche e dispositivo elettronico cosi' ottenibile
US9362040B2 (en) 2014-05-15 2016-06-07 Lear Corporation Coldplate with integrated electrical components for cooling thereof
US9615490B2 (en) 2014-05-15 2017-04-04 Lear Corporation Coldplate with integrated DC link capacitor for cooling thereof
US10099574B2 (en) 2015-04-15 2018-10-16 Ford Global Technologies, Llc Vehicle power module assemblies
FR3074011B1 (fr) * 2017-11-21 2019-12-20 Safran Electronics & Defense Module electrique de puissance

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04207060A (ja) * 1990-11-30 1992-07-29 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH0590482A (ja) * 1991-09-26 1993-04-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US20070153491A1 (en) * 2006-01-02 2007-07-05 Young-Min Lee Electronic circuit package
US20080165517A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Wang Erik L Multiple circuit board arrangements in electronic devices
JP2009525593A (ja) * 2006-01-30 2009-07-09 バレオ・エチユード・エレクトロニク 電子モジュールとこのようなモジュールの組立方法
JP2009534822A (ja) * 2006-04-19 2009-09-24 オスラム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電子素子モジュール

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5199164A (en) * 1991-03-30 1993-04-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor package
US5714802A (en) * 1991-06-18 1998-02-03 Micron Technology, Inc. High-density electronic module
US5731633A (en) * 1992-09-16 1998-03-24 Gary W. Hamilton Thin multichip module
FR2765067B1 (fr) * 1997-06-19 1999-07-16 Alsthom Cge Alcatel Module d'electronique de puissance et un dispositif d'electronique de puissance pourvu de tels modules
JP2002026251A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Toshiba Corp 半導体装置
DE10039770A1 (de) * 2000-08-16 2002-02-28 Bosch Gmbh Robert Kühlvorrichtung
KR100389920B1 (ko) * 2000-12-12 2003-07-04 삼성전자주식회사 열팽창에 의한 신뢰성 저하를 개선할 수 있는 반도체 모듈
KR100380107B1 (ko) * 2001-04-30 2003-04-11 삼성전자주식회사 발열체를 갖는 회로 기판과 기밀 밀봉부를 갖는 멀티 칩패키지
TW200302685A (en) * 2002-01-23 2003-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Circuit component built-in module and method of manufacturing the same
DE10231219C1 (de) 2002-07-11 2003-05-22 Semikron Elektronik Gmbh Druckkontaktiertes Halbleiterrelais
JP3847676B2 (ja) * 2002-07-15 2006-11-22 三菱電機株式会社 パワー半導体装置
US7616452B2 (en) * 2004-09-03 2009-11-10 Entorian Technologies, Lp Flex circuit constructions for high capacity circuit module systems and methods
US7443023B2 (en) * 2004-09-03 2008-10-28 Entorian Technologies, Lp High capacity thin module system
US7606050B2 (en) * 2004-09-03 2009-10-20 Entorian Technologies, Lp Compact module system and method
US7446410B2 (en) * 2004-09-03 2008-11-04 Entorian Technologies, Lp Circuit module with thermal casing systems
US7727816B2 (en) * 2006-07-21 2010-06-01 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit package system with offset stacked die
US20080105963A1 (en) * 2006-07-28 2008-05-08 Tessera, Inc. Stackable electronic device assembly
DE102006056363B4 (de) * 2006-11-29 2010-12-09 Infineon Technologies Ag Halbleitermodul mit mindestens zwei Substraten und Verfahren zur Herstellung eines Halbleitermoduls mit zwei Substraten
US7911792B2 (en) * 2008-03-11 2011-03-22 Ford Global Technologies Llc Direct dipping cooled power module and packaging
US8328435B2 (en) * 2008-05-20 2012-12-11 Finisar Corporation Printed circuit board positioning spacers in an optoelectronic module
US8202012B2 (en) * 2008-07-31 2012-06-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electro-optical connector and methods for aligning
US8351794B2 (en) * 2009-03-10 2013-01-08 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Parallel optical transceiver module having a heat dissipation system that dissipates heat and protects components of the module from particulates and handling
KR101798918B1 (ko) * 2011-03-25 2017-11-17 엘지전자 주식회사 인쇄회로기판 어셈블리, 이의 제조 방법 및 이를 구비하는 이동 단말기

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04207060A (ja) * 1990-11-30 1992-07-29 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH0590482A (ja) * 1991-09-26 1993-04-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
US20070153491A1 (en) * 2006-01-02 2007-07-05 Young-Min Lee Electronic circuit package
JP2009525593A (ja) * 2006-01-30 2009-07-09 バレオ・エチユード・エレクトロニク 電子モジュールとこのようなモジュールの組立方法
JP2009534822A (ja) * 2006-04-19 2009-09-24 オスラム ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 電子素子モジュール
US20080165517A1 (en) * 2007-01-05 2008-07-10 Wang Erik L Multiple circuit board arrangements in electronic devices

Also Published As

Publication number Publication date
US20120235290A1 (en) 2012-09-20
FR2951019A1 (fr) 2011-04-08
JP5643937B2 (ja) 2014-12-24
CN102648520B (zh) 2015-05-20
WO2011042667A1 (fr) 2011-04-14
US8916963B2 (en) 2014-12-23
FR2951019B1 (fr) 2012-06-08
CN102648520A (zh) 2012-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5643937B2 (ja) 自動車のための電力モジュール
JP3927017B2 (ja) 回路構成体及びその製造方法
TWI334216B (en) Power semiconductor apparatus
JP5936679B2 (ja) 半導体装置
JP6179679B2 (ja) 電子部品搭載用放熱基板
JP6263311B2 (ja) 電力変換装置
EP3288075B1 (en) Power semiconductor module
CN104160504A (zh) 半导体装置和半导体装置的制造方法
WO2013145620A1 (ja) 半導体装置
WO2020172255A1 (en) Thermoelectric module with integrated printed circuit board
CN110383612B (zh) 电气连接箱
JP6343249B2 (ja) コントローラおよびコントローラの製造方法
JP6020379B2 (ja) 半導体装置
WO2013055701A1 (en) Diode cell modules
US9013047B2 (en) Semiconductor device
JP4403166B2 (ja) パワーモジュールおよび電力変換装置
KR102362724B1 (ko) 전력 모듈 및 그 제조 방법
JP6948855B2 (ja) パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置
JP3929781B2 (ja) 回路構成体
JP2015119121A (ja) パワー半導体装置
JP6203232B2 (ja) パワーモジュール
JP4745925B2 (ja) 自動車用モータの制御用コネクタ一体型半導体モジュール
JP5921949B2 (ja) パワー半導体モジュール
JP2008153069A (ja) 接続装置
JP2018067588A (ja) 半導体モジュール、駆動装置、電動パワーステアリング装置、車両及び半導体モジュールの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130409

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20140226

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140304

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140604

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140611

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20140703

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20140710

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140804

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140826

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140925

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20141008

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20141008

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5643937

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees