JP6203232B2 - パワーモジュール - Google Patents
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その電力変換装置の部品としてモジュールが搭載されるが、モジュールはSiあるいはダイオード等の半導体素子が搭載された絶縁基板が用いられ、絶縁基板の表面に銅あるいはアルミニウム等の金属板、金属回路板が接合されパワーモジュールとなる。電子部品は、金属板、金属回路に接合され、ワイヤボンディングによって電気的に接続される。
これらの電力変換装置の小型、低コスト化を実現する手段の有力は手法の一つにSiCを用いたモジュールが用いられることが挙げられる。
SiCを用いた電力変換装置では、高温となっても安定に動作するため、大電流を流すことができるが、従来の構成では金属回路の接続に使用されていたワイヤボンディングでは、高温で動作した場合の温度サイクルにおける信頼性が課題となり、バスバーを採用されている。
ねじ止めの場合は、ねじを締めつける作業スペースとねじのフランジ径のスペースが必要であり、大型となる。また、ねじの緩み等で金属回路板と入力端子あるいは出力端子間の接触抵抗増加のため、発熱による溶融あるいは焼損等の懸念がある。
溶接の場合は、溶接機の稼働範囲あるいは溶接可能な形状を検討しなければならない。
また、溶接不良で金属回路板と入力端子あるいは出力端子間の接触抵抗増加し、発熱による溶融あるいは焼損等の懸念があった。
例えば、パワーモジュールは、外部からパワーモジュールの高電位回路部に電気的な接続をする導体と、外部からパワーモジュールの低電位回路部に電気的な接続をする導体と、金属ベースの上に2つの導体を支持し絶縁する樹脂ケースとを備え、2つの導体は、平板状の導体で、かつ、絶縁シートで絶縁されて積層され、絶縁シートは、積層部で、2つの導体に挟まれた積層部より露出し、2つの導体の絶縁沿面距離を確保する構造をとり、積層して収納する凹部が形成されていることから金属回路板と入力端子あるいは出力端子間の接続がなく接触抵抗による発熱による溶融あるいは焼損等の懸念が解消されている(例えば、特許文献1参照)。
絶縁基板を2つの導体層でサンドイッチ状に挟んで積層されている多層基板、
当該多層基板の一方の面に設けられている一の導体層に電気的に接続されている第1の半導体素子、
当該第1の半導体素子の電極と電気的に接続されている第1の入力端子、
前記多層基板の一方の面に設けられている他の導体層に電気的に接続されている第2の半導体素子、
当該第2の半導体素子の電極と電気的に接続されている第2の入力端子、
前記2つの半導体素子が電気的に接続された位置とは離れた位置に設置され、前記多層基板に設けられている、前記他の導体層に電気的に接続されている出力端子、
電子部品である制御基板を保持する絶縁性の樹脂部材、
前記樹脂部材の内部に設けられている金属板、
を備え、
前記第1の入力端子、前記第2の入力端子および前記出力端子は、前記樹脂部材で覆われており、それぞれ一体化された部材で構成されるとともに、
前記制御基板と前記第1の入力端子、前記第2の入力端子および前記出力端子との間に前記金属板が設けられていることを特徴とするものである。
また、入力端子と出力端子は絶縁性の樹脂部材で覆われているため、絶縁シートの破損あるいは取付け忘れが発生する課題も解決される。
さらに、半導体素子のスイッチングによる入力端子および出力端子内の電流による発生ノイズの放射を遮断し、制御基板の動作の保護を行うことができる。
本発明の実施の形態1に係るパワーモジュールについて図1から図3を用いて以下説明する。図1は、本実施の形態1のパワーモジュールを示す斜視図である。図2は、図1のパワーモジュールの分解図である。図3は、図1のパワーモジュールのA−A断面図である。
また、接続点が削減できるため、発熱による溶融あるいは焼損等の懸念が解消される。また、入力端子と出力端子は絶縁性の樹脂部材で覆われているため、絶縁シートが不要となり、絶縁シートの破損あるいは取付け忘れが発生する課題も解決され、絶縁性能も向上する。さらに、入力端子および出力端子を樹脂部材で一体化するため、組立部品の点数が削減し、組立工程数も削減可能となる。
なお、実施の形態1では半導体素子7をSiCとしたが、SiCをSiなどの他の構成部材で置き換えても同様な効果が得られる。
本発明の実施の形態2に係るパワーモジュールについて図4、図5を用いて説明する。図4は、本実施の形態2のパワーモジュールの分解図である。図5は、図4のパワーモジュールの(短辺方向の)断面図である。
また、複数の半導体素子を有するパワーモジュールにおいて、入力端子と出力端子とを一体化した樹脂部材で組み立てる際には、個々の半導体素子の厚みばらつき、実装した際のはんだ厚みのばらつき、入力端子あるいは出力端子の寸法ばらつきによる、入力端子と半導体素子との接続部、出力端子と多層基板との接続部の接続不良の懸念があるが、3各ばらつきを考慮した曲げ形状部の寸法にすることによって、ばらつきを吸収し、接続点の信頼性が向上する。
本発明の実施の形態3に係るパワーモジュールについて図6、図7を用いて説明する。図6は、本実施の形態3のパワーモジュールの分解図である。図7は、図6のパワーモジュールの点線で囲んだC1部分の拡大図である。
その他の構成は実施の形態2と同様である。そのため、樹脂部材5は図示を省略している。
また、実施の形態2の効果は半導体素子の垂直方向に対してのみの効果であったが、半導体素子と入力端子および出力端子の傾きについて吸収し、さらなる接続点の信頼性向上が可能となる。
実施の形態3では傾きのばらつき吸収形状として2カ所の切欠き形状としたが、1カ所の切欠き形状であっても、穴であっても、入力端子の半導体素子との接続部近傍と出力端子の多層基板との接続部近傍に剛性を下げる構造を設ければ同様な効果が得られる。
本発明の実施の形態4に係るパワーモジュールについて図8、図9を用いて説明する。図8は、本実施の形態4のパワーモジュールの分解図である。図9は、図8のパワーモジュールの断面図である。
その他の構成は実施の形態1と同様である。そのため、樹脂部材5は図示を省略している。
そして、第1の入力端子2と第2の入力端子3では、それぞれの入力端子が電気的に接続されている各半導体素子7との電気的接続部B1に繋がる構成部分に、また、出力端子4では、多層基板との電気的接続部B2に繋がる構成部分に、複数の曲げ形状部と2カ所の切欠き形状部を設けることにより実施の形態3と同様な効果が得られる。
なお、以上においては、曲げ形状部と切欠き形状部の双方を備えたもので説明したが、切欠き形状部のみを備えたものでも同様の効果を奏することは言うまでもない。
さらに、これらの入力端子の一部を互いに平行平板の構成とすることによりインダクタンスの低減が可能となる。
インダクタンスを低減することにより、発熱による損失が少なくなり、半導体素子の冷却構造が簡素化でき、小型で低コストとなるパワーモジュール及び電力変換装置の実現が可能となる。
本発明の実施の形態5に係るパワーモジュールの分解図を図10に示す。
また、第1の入力端子と第2の入力端子全体を平行平板としていることにより、実施の形態4よりもインダクタンスの低減が可能となる。
また、電流が流れる面積が拡大するため、入力端子の熱容量が拡大し、発熱が拡散でき、局所的な電流経路の発熱による溶融あるいは焼損等の懸念が解消されている。
さらに、入力電流が半導体素子に流れる経路が上述の実施の形態1〜4と比較して最短となり、さらなるインダクタンスの低減が可能となるため、発熱による損失が少なくなり、半導体素子の冷却構造が簡素化でき、小型で低コストとなるパワーモジュール及び電力変換装置の実現が可能となる。
本発明の実施の形態6に係るパワーモジュールを図11、図12を用いて説明する。図11は、本実施の形態6のパワーモジュールの斜視図である。図12は、図11のパワーモジュールの側面図である。
また、入力端子および出力端子を樹脂部材で覆っているため、制御基板と入力端子および出力端子間の絶縁が保たれ、信頼性が向上する。
なお、実施の形態6では基板保持部を4箇所の円柱形状としたが、基板保持部の数の増加、もしくはリブ形状の設置、または制御基板と接着剤等で接着をするなどの対策により、制御基板の剛性を向上させ、車載時の振動対策として有効となる。
本発明の実施の形態7に係るパワーモジュールの断面図を図13に示す。
また、実施の形態7では、発生ノイズ放射遮断の部材を鉄板としたが、メッシュ状の鉄網あるいは金属系の繊維が織り込まれた導電性のシート等でも同様な効果が得られる。
Claims (6)
- 絶縁基板を2つの導体層でサンドイッチ状に挟んで積層されている多層基板、
当該多層基板の一方の面に設けられている一の導体層に電気的に接続されている第1の半導体素子、
当該第1の半導体素子の電極と電気的に接続されている第1の入力端子、
前記多層基板の一方の面に設けられている他の導体層に電気的に接続されている第2の半導体素子、
当該第2の半導体素子の電極と電気的に接続されている第2の入力端子、
前記2つの半導体素子が電気的に接続された位置とは離れた位置に設置され、前記多層基板に設けられている、前記他の導体層に電気的に接続されている出力端子、
電子部品である制御基板を保持する絶縁性の樹脂部材、
前記樹脂部材の内部に設けられている金属板、
を備え、
前記第1の入力端子、前記第2の入力端子および前記出力端子は、前記樹脂部材で覆われており、それぞれ一体化された部材で構成されるとともに、
前記制御基板と前記第1の入力端子、前記第2の入力端子および前記出力端子との間に前記金属板が設けられていることを特徴とするパワーモジュール。 - 前記第1の入力端子は、当該第1の入力端子が電気的に接続されている前記第1の半導体素子との電気的接続部に繋がる構成部分に、
前記第2の入力端子は、当該第2の入力端子が電気的に接続されている前記第2の半導体素子との電気的接続部に繋がる構成部分に、
前記出力端子は、前記多層基板との電気的接続部に繋がる構成部分に、
それぞれ曲げ形状部を有していることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記第1の入力端子は、当該第1の入力端子が電気的に接続されている前記第1の半導体素子との電気的接続部に繋がる構成部分に、
前記第2の入力端子は、当該第2の入力端子が電気的に接続されている前記第2の半導体素子との電気的接続部に繋がる構成部分に、
前記出力端子は、前記多層基板との電気的接続部に繋がる構成部分に、
それぞれ切欠き形状部を有していることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記第1の入力端子は、当該第1の入力端子が電気的に接続されている前記第1の半導体素子との電気的接続部に繋がる構成部分に、前記第2の入力端子は、当該第2の入力端子が電気的に接続されている前記第2の半導体素子との電気的接続部に繋がる構成部分に、
前記出力端子は、前記多層基板との電気的接続部に繋がる構成部分に、
それぞれ曲げ形状部と切欠き形状部を両方、有していることを特徴とする請求項1に記載のパワーモジュール。 - 前記第1の入力端子と前記第2の入力端子は、互いに平行平板で構成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載のパワーモジュール。
- 前記第1の入力端子と前記第2の入力端子は、一定の電位で保持され、かつ複数個が一体化されていることを特徴とする請求項5に記載のパワーモジュール。
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