JP2002026251A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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健一 緒方
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 IGBTモジュール等の大電力用半導体装置
において、ボンディングワイヤ等の配線金属に起因する
配線抵抗および自己インダクタンスを低減する。 【解決手段】 少なくとも3つ以上の互いに相重なった
電力端子(3、4、8)を有し、電力端子のうちの所定
の2つの電力端子間に少なくとも一つの半導体チップ
(2,5)が挟まれる形で電気的に接続されている半導
体装置である。そして、上記相重なった電力端子のうち
一方の端にある電力端子(3)と、相重なった電力端子
のうち他方の端にある電力端子(4)は同一方向に引き
出されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【0001】

【発明の属する技術分野】本発明は例えばIGBTモジ
ュールなど大電力用半導体装置に関するものであり、特
に電力損失を低減することが必要とされる半導体装置の
構造に適用されるものである。

【0002】

【従来の技術】大電力用半導体装置の一例として、従来
のIGBTモジュールの構造については、例えば図9に
示すようなものが知られている。銅導体(DBC:Dire
ct Bond Copper)がアルミナ等の絶縁基板67を挟ん
だDBC基板の表面Cuパターン63上にIGBTチッ
プ65のコレクタ側およびダイオードチップ66のn層
側がそれぞれ半田付けされており、チップ上から例えば
200〜500μmφのAlボンディングワイヤ64を
経由してIGBTチップ65のエミッタ側およびダイオ
ードチップ66のp層側が外部電力端子61と接続され
ている。表面Cuパターン63は外部電力端子62と接
続されている。かかる構造が放熱板69上に載置され
る。なお、図9(a)においてゲート端子70の図示は
省略してある。

【0003】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図9に示す
ような従来のモジュール構造においては、外部電力端子
61とチップ65、66をボンディングワイヤ64を介
して接続しているため、ボンディングワイヤ64に起因
する配線抵抗および自己インダクタンスが増加するとい
う問題点があった。

【0004】したがって、本発明は、前記従来構造の問
題点に鑑みてなされたもので、ボンディングワイヤ等の
配線金属に起因する配線抵抗および自己インダクタンス
を低減し、さらに熱放散を良好にした例えばIGBTモ
ジュール等の大電力用半導体装置を提供することを目的
とする。

【0005】

【課題を解決するための手段】本発明は、少なくとも3
つ以上の互いに相重なった電力端子を有し、前記電力端
子のうちの所定の2つの電力端子間に少なくとも一つの
半導体チップが挟まれる形で電気的に接続されている半
導体装置である。

【0006】また、前記相重なった電力端子のうち一方
の端にある電力端子と、前記相重なった電力端子のうち
他方の端にある電力端子が同一方向に引き出されている
半導体装置であり、さらに、前記相重なった電力端子の
うち中間に位置する電力端子が、前記一方の端または前
記他方の端に位置する電力端子とは反対方向にまたは、
90°差のある方向に引き出されている半導体装置であ
る。

【0007】また、前記2つの電力端子間に挟まれる前
記少なくとも一つの半導体チップは、一方の面が半田付
けまたは圧接により前記2つの電力端子の一方の電力端
子に接続され、他方の面が緩衝板をへて半田付けまたは
圧接により他方の電力端子に接続されている半導体装置
である。

【0008】また、前記相重なった電力端子のうちの一
方の端にある電力端子と他方の端にある電力端子に流れ
る電流が反対向きに流れるように、前記少なくとも一つ
の半導体チップが動作する半導体装置である。

【0009】また、前記電力端子間に挟まれる少なくと
も一つの半導体チップは複数の半導体チップにより構成
され、前記複数の半導体チップ間に絶縁層が設けられて
いる半導体装置であり、さらに、前記複数の半導体チッ
プには少なくとも一つのトランジスタと少なくとも一つ
のダイオードが含まれており、前記トランジスタに制御
電極が接続されている半導体装置であり、前記制御電極
と前記トランジスタの制御電極パッドは、ボンディング
ワイヤにより接続されているか、または緩衝板を挟んで
直接接続されている半導体装置であり、前記制御電極
は、前記電力端子の一方の端または前記電力端子の他方
の端に位置する電力端子に対し反対方向にまたは、90
°差のある方向に引き出されている半導体装置である。

【0010】また、前記電力端子のうち一方の端にある
電力端子と他方の端にある電力端子は、前記互いに相重
なった電力端子の任意の2つの電力端子間において半導
体チップを圧接接続可能なようにネジ止め構造を有して
いる半導体装置である。

【0011】

【発明の実施の形態】図9に示す従来のIGBTモジュ
ールは、IGBTチップ及びCuパターンよりボンディ
ングワイヤを介して外部電力端子に接続している。この
場合、大電流を必要とするモジュールにおいてはボンデ
ィングワイヤの本数が増加することにより大電流に対応
しているが、ある程度の長さを有するボンディングワイ
ヤを使用するため抵抗およびその長さに起因する自己イ
ンダクタンスが増大する。

【0012】そこで、本発明はかかるボンディングワイ
ヤの抵抗およびインダクタンスの増大の問題に対応する
ため、図1(b)に示すようにIGBTチップと外部電
力端子を直接接続することにより、ボンディングワイヤ
の使用により生ずる抵抗分および自己インダクタンス分
を減少させる構造を提案するものである。

【0013】この場合、上部および下部に配置された外
部電力端子は互いに電流が逆行するような構造を採用
し、相互インダクタンス効果によるインダクタンスの低
減化を図るとともに、外部電力端子を放熱板としても使
用可能な構造とすることにより、別部品の放熱板の使用
を廃止することによる熱抵抗の低減と部品の削減による
低コスト化を実現するものである。

【0014】即ち、本発明は、例えばIGBTモジュー
ルにおいて、外部電力端子をIGBTチップの上面電極
および下面電極へ直接接続することにより、電力配線部
分の低抵抗化と低インダクタンス化を図り、さらに低コ
スト化を図るものである。

【0015】以下、本発明を添付図面に示す具体例に基
づいて詳細に説明する。以下の説明は本発明に関する一
実施の形態であり、本発明の一般的原理を図解すること
を目的とするものであり、本発明をこの実施の形態に具
体的に記載された構成のみに限定するものではない。本
明細書において詳説するIGBTモジュール以外にも例
えばサイリスタモジュールや電力用トランジスタさらに
パワーIC等に適用することが可能である。以下の詳細
な説明および図面の記載において同様の要素は同様の参
照番号により表される。

【0016】(第1の実施の形態)図1に本発明の第1
の実施の形態である、ハーフブリッジ構成を有するIG
BTモジュール1を示す。このIGBTモジュール1の
回路図を図1(a)に、IGBTモジュールの概略の断
面図を図1(b)に、そしてモジュール内部の概略の平
面図を図1(c)に示す。

【0017】図1(a)に示すIGBTハーフブリッジ
回路は、2つのIGBT素子2が直列に接続され、一方
のIGBT素子のコレクタ7および他方のIGBT素子
のエミッタがそれぞれ第1及び第2の外部電力端子3、
4に接続されている。そして各IGBT素子のエミッタ
6およびコレクタ7にはそれぞれ並列にダイオード5が
接続されている。また2つのIGBT素子の間に第3の
外部電力端子である中継電力端子8が接続されている。
2つのIGBT素子2のゲート9にはそれぞれ制御端子
10、21が接続されている。

【0018】IGBTモジュール1の構造を図1(b)
および図1(c)に示す。図1(b)において、下部の
第1の外部電力端子3に第1のIGBTチップ11のコ
レクタ側電極と第1のダイオードチップ12のn層側電
極が例えば半田付けなどの方法により接続されている。
各電極には接続を容易にするための金属膜が形成されて
いる。導電性樹脂を用いて接着することも可能である。
なお、IGBTチップ11とダイオードチップ12の周
囲にはIGBTチップ11とダイオードチップ12の相
互の絶縁性確保のため、例えばポリイミド樹脂やエポキ
シ樹脂等からなる絶縁体層22が配置されている。外部
電力端子3、4および中継電力端子8は一般に熱伝導性
および電気伝導性の良好な銅または銅合金が用いられ、
また必要があればDBC基板が用いられる。これらの端
子は各チップに発生した熱を放散する熱放散部材として
も機能する。

【0019】上記IGBTチップ11のエミッタ表面1
3およびダイオードチップ12のp層表面71には電気
的接続を容易にするため金属膜が形成されており、応力
緩衝のために例えばモリブデン薄板などの緩衝板15を
介して中継電力端子8が半田付けなどの方法により接続
される。中継電力端子8も第1の外部電力端子と同様に
銅または銅合金または必要があればDBC基板が用いら
れる。

【0020】IGBTチップ11のゲート表面14にも
同様に緩衝板15を介して制御端子10が接続される。
この制御端子は予めIGBTモジュール1のハウジング
を構成するモールドされた樹脂ホルダ17に形成してお
くのが良い。必要に応じて、中継電力端子8と制御端子
10間には絶縁層16が設けられる。他の構造として、
制御端子10とゲート表面14をワイヤボンディングに
より接続することも可能である(図3の制御端子38、
ボンディングワイヤ39参照)。

【0021】外部電力端子3の場合と同様の方法で、中
継電力端子8上にさらに第2のIGBTチップ18と第
2のダイオードチップ19が半田付け3などの方法で接
続される。さらに第2の各チップ18、19の表面に、
緩衝板15を介して第2の外部電力端子4を半田付けな
どの方法で接続する。外部電力端子4も同様に銅または
銅合金またはDBC基板が用いられる。この実施の形態
において、外部電力端子3、4、および中継電力端子8
は細長い薄板の形状を有し、半導体チップに接続される
領域54と外部への引き出し領域55を有し、そして外
部への熱放散を良好にするに足る十分な厚さを有する。

【0022】かかる配置において少なくとも外部電力端
子3と外部電力端子4とは互いに対向して並行に配列さ
れ、それぞれの外部電力端子3、4を流れる電流の方向
20、21が逆方向に流れるように配置する。

【0023】また、第2のIGBTチップ18のゲート
表面20にも制御端子21が同様に半田付けまたはボン
ディングなどの方法により接続される。図1(b)では
半田付けにより制御端子21を接続した例について示し
ていが、第1のIGBTチップ11の制御端子10と同
様にワイヤボンディングにより接続することも可能であ
る。必要に応じて、第2の外部電力端子4と制御端子2
1間には絶縁層16が設けられる。この制御端子21も
あらかじめ樹脂ホルダ17に形成しておくことにより組
立て作業が容易になる。

【0024】また、IGBTチップ11、18およびダ
イオードチップ12、19の周囲に例えばポリイミド樹
脂やシリコーン樹脂等からなる絶縁体層22を配置しチ
ップ間および電極相互間の絶縁を確実にするのが良い。

【0025】図1(c)にモジュール内部の平面図を示
す。第2の外部電力端子4は第2のIGBTチップ18
のエミッタ電極23および第2のダイオードチップ19
のp層側電極24を完全に覆うように構成されている。
外部電力端子4および中継電力端子8にはこのIGBT
モジュールを使用する電力装置の電力端子と接続するた
めの貫通孔72が形成されている。図示されていない外
部電力端子3も同様である。

【0026】このような構成を採用することにより、I
GBTチップ11、18の電極と外部電力端子3、4、
8との間の接続が短距離でしかも面で接続されるため、
内部配線による電圧降下が大幅に低減される。しかも、
外部電力端子3および4の配列が配線によるインダクタ
ンス成分を低減させるように、電流を相互に逆に流れる
配列にしたため、相互インダクタンスの低減を図ること
が可能である。

【0027】さらに、外部電力端子3、4に加え中継電
力端子8も放熱板としても機能させることができるの
で、あらたに放熱板を接続する必要が無く、モジュール
組立て時または使用時における工程数の低減、およびコ
スト削減を図ることができる。

【0028】また、配線レイアウトのための絶縁基板も
不要となるので、金属と比較し熱伝導度の悪い絶縁基板
を使用しなくても済み、低熱抵抗化が実現できる。

【0029】(第2の実施の形態)図2に本発明の第2
の実施の形態である6in1構造のIGBTモジュール
25を示す。このIGBTモジュールの回路図を図2
(a)に、モジュール内部平面図を図2(b)に示す。

【0030】第2の実施の形態は第1の実施の形態のI
GBTモジュールの回路を3個並列に接続し1つのモジ
ュールとしたものである。3個の下側IGBT28の上
に3個の上側IGBT26が配置され、各上下のIGB
T26、27がそれぞれ直列に接続され3相構造を形成
している。また、3個の下側のダイオード29の上に3
個の上側のダイオード27が配置され、各ダイオードは
それぞれ対応するIGBTに並列接続されている。

【0031】各相はそれぞれ第1の外部電力端子30お
よび第2の外部電力端子31に3相を一体化して結合さ
れている。各相の上側および下側素子の接続点に中継電
力端子32が形成され、各IGBT26、27のゲート
に接続する制御端子33、34が形成される。内部構造
に関しては図1(b)および図1(c)に示す第1の実
施の形態と同様であるが、各相間の絶縁確保のために絶
縁層35を設けている。樹脂ホルダ36はモジュール2
5のハウジングを形成する。

【0032】第2の実施の形態は上記の構成を有するこ
とにより、第1の実施の形態で述べた効果の他に、3相
モジュールとして使用する場合に構造の簡素化と装置の
小型化が実現できる。

【0033】(第3の実施の形態)図3に第1の実施の
形態の制御端子21、10および第2の外部電力端子4
の構造を変形した第43の実施の形態の内部平面図を示
す。第1の実施の形態との相違点は、IGBTチップ3
7と制御端子38をボンディングワイヤ39(または半
田付け)で接続し、モジュール40の中心部より制御端
子38を取り出す構造を採用するものである。また、必
要な場合は信号系エミッタ端子41を制御端子38と近
接して外部電力端子4より直接出力する構成とするもの
である。このような構成とすることにより、IGBTモ
ジュールを電力制御装置等に使用した場合、制御装置の
制御系統回路との結合、特に配線の引き回しが容易とな
る。

【0034】(第4の実施の形態)図4に第1の実施の
形態のチップレイアウトを変形した第4の実施の形態の
内部平面図を示す。第1の実施の形態との相違点は、I
GBTチップ37とダイオードチップ43の位置を変更
した点である。また、制御端子38のレイアウトとして
は第1の実施の形態及び第3の実施の形態の構造が適用可
能である。

【0035】このような構成をとることにより、IGB
Tチップ37が第2の外部電力端子4の外部接続位置と
の距離がより短くなるため、より低抵抗化およびより低
インダクタンス化を実現できる構造となる。必要な場合
には信号系エミッタ端子41を制御端子38と近接して
配置する。

【0036】(第5の実施の形態)第5の実施の形態
は、図5に示すように、第1の実施の形態の中継電力端
子8のレイアウトを変更するものである。第5の実施の
形態の内部平面図を図5に示す。第1の実施の形態例と
の相違点は、中継電力端子8の引き出し方向を第2の外
部電力端子4の引き出し方向に対して90゜の角度を持
たせたことである。

【0037】このような構成をとることにより、中継電
力端子8と外部電力端子45との間距離が短くなり、外
部電力端子45と中継電力端子8間の電気抵抗の低減化
を図ることができる。

【0038】(第6の実施の形態)図6に第6の実施の
形態の構造を示す。第6の実施の形態は、図2に示す第
2の実施の形態における第2の外部電力端子31および
図示されていない第1の外部電力端子を、3相にそれぞ
れ分割化するもので、図6はその内部平面図を示す。実
施例2との相違点は、上記の通り、図2の第2の外部電
力端子31(第1の外部電力端子も同様)を各相ごとに
外部電力端子44〜46に三分割化するものである。

【0039】このような構成をとることにより、第1の
実施の形態のIGBTモジュール1を単に3個並列に配
置して使用するような応用において、モジュール部分の
小型化および取付け工数の低減化を図ることが可能であ
り、ひいてはモジュール部分の低コスト化を図ることが
できる。

【0040】(第7の実施の形態)図7に実施例1にお
ける各半導体チップと各電力端子の半田付け接続に代え
て、圧接接続を採用した実施の形態を示す。図7(a)
はIGBTチップおよびダイオードチップの上下両面と
も圧接接続47した場合であり、図7(b)は各チップ
の片面(下面)のみ圧接接続47し、他方の面は半田接
続42した場合である。図7(c)は圧接接続を採用し
た場合の内部平面図を示す。

【0041】外部電力端子4から緩衝板15を介して例
えば圧接面として蒸着等によるアルミ電極が形成された
IGBT又はダイオード等の半導体チップ18、19、
中継電力端子8、例えばモリブデン板からなる緩衝板1
5、半導体チップ11、12、外部電力端子3の順で積
層し、半導体チップの両方の電極面それぞれを圧接接続
47する構造(a)、または各半導体チップの一方の側
の電極面を圧接接続47し他方の側の電極面を半田接続
42する構造(b)である。圧接方式を採用する場合
は、図7(c)に示すように圧接のために外部電力端子
にネジ止め穴48を設け、上下の外部電力端子3、4を
押圧し固定する。このような構成を取ることにより、接
触抵抗の低減を図ることができる。

【0042】(第8の実施の形態)図8は第1の実施の
形態における2つのIGBT素子のうち片側のIGBT
52(図8では上側)の極性を反転させた構成を示す。
この反転に伴い対応する片側のダイオード73も反転さ
せる。そして一方のIGBT52のエミッタを第4の電
力端子に接続し、他方のIGBT53のエミッタを第5
の電力端子に接続し、双方のコレクタ7を互いに接続し
て共通電力端子51と接続する。

【0043】図8(a)にその回路図、図8(b)に断
面構造図を示す。

【0044】この構成においては第4の電力端子49と
第5の電力端子50を接続することにより、2つのIG
BT素子52、53の並列接続が容易で、かかる接続に
より電力が多く取れるという利点を持つ。

【0045】

【発明の効果】本発明を用いる事により、半導体チップ
と電力端子との接続が短距離かつ面で接続されるため内
部配線による電圧降下が大幅に低減されるほか、外部電
力端子のインダクタンス成分を低減させるように電流を
相互に逆に流す配列のため、相互インダクタンスによる
低減が図れる。

【0046】さらには、上下両端の電力端子が、そして
中継電力端子が放熱板としても機能するので、あらたに
別個の放熱板を追加接続する必要がなく、工程負荷の低
減、コスト削減をはかることができる。また、配線レイ
アウトのための絶縁基板も不要となるので金属に対し熱
伝導度の悪い絶縁基板を使用しなくても済むので低熱抵
抗化が実現できる構造である。

【0047】以上、本発明のいくつかの実施例について
図示し説明したが、ここに記載された本発明の実施の形
態は単なる一例であり、本発明の技術的範囲を逸脱せず
に、種々の変形が可能可能であることは明らかである。
また、IGBTモジュール以外にもサイリスタ、GTO
モジュール、パワーIC等の大電力半導体素子に適用す
ることが可能である。

【0048】なお、本願発明は、上記実施形態に限定さ
れるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない
範囲で種々に変形することが可能である。更に、上記実
施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示され
る複数の構成要件における適宜な組合わせにより種々の
発明が抽出され得る。例えば実施形態に示される全構成
要件から幾つかの構成要件が削除されても、発明が解決
しようとする課題の欄で述べた課題の少なくとも1つが
解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果の少な
くとも1つが得られる場合には、この構成要件が削除さ
れた効果が発明として抽出され得る。

【図面の簡単な説明】

【図1】本発明の第1の実施の形態を示す図であり、
(a)はハーフブリッジ構成のIGBTモジュール回路
図、(b)はハーフブリッジ構成のIGBTモジュール
断面図、(c)はハーフブリッジ構成のIGBTモジュ
ール内部平面図である。

【図2】第2の実施の形態に係る6in1構造のIGB
Tモジュールを示し、(a)は6in1構造におけるI
GBTモジュール回路図、(b)は6in1構造におけ
るIGBTモジュール内部平面図である。

【図3】第3の実施の形態である制御端子のレイアウト
を変更した場合の内部平面図である。

【図4】第4の実施の形態であるチップレイアウトを変
更した場合の内部平面図である。

【図5】第5の実施の形態を示す図であり、第1の実施
の形態の中継電力端子のレイアウトを変更した場合の内
部平面図である。

【図6】第6の実施の形態を示す図であり、第2の実施
の形態の外部電力端子を分割化した場合の内部平面図で
ある。

【図7】第7の実施の形態を示す図であり、(a)は第
1の実施の形態におけるチップの両面と各電力端子を圧
接接続した場合の図、(b)は第1の実施の形態におけ
るチップの片面を電力端子に圧接接続し、他方を電力端
子に半田接続した場合の図、(c)は上記圧接接続した
場合の内部平面図である。

【図8】第8の実施の形態を示す図であり、(a)は第
1の実施の形態におけるIGBTの一方のIGBTの極
性を反転させた回路図、(b)は(a)の断面構造図で
ある。

【図9】従来のIGBTの構造図(a)および回路図
(b)である。

【符号の説明】

1…IGBTモジュール 2…IGBT素子 3…第1の外部電力端子 4…第2の外部電力端子 5…ダイオード 6…エミッタ 7…コレクタ 8…第3の外部電力端子(中継電力端子) 9…ゲート 10…制御端子 11…第1のIGBTチップ 12…第1のダイオードチップ 13…エミッタ 14…ゲート 15…緩衝板 16…絶縁層 17…樹脂ホルダ 18…第2のIGBTチップ 19…第2のダイオードチップ 20…ゲート表面 21…制御端子 22…絶縁体層 23…エミッタ電極 24…p層側電極 25…6in1構造のIGBTモジュール 26…上側IGBT 27…上側ダイオード 28…下側IGBT 29…下側ダイオード 30…第1の外部電力端子 31…第2の外部電力端子 32…第3の外部電力端子(中継電力端子) 33…上側制御端子 34…下側制御端子 35…絶縁層 36…樹脂ホルダ 37…IGBTチップ 38…制御端子 39…ボンディングワイヤ 40…モジュール 41…信号系エミッタ端子 42…半田接続 43…ダイオードチップ 44…外部電力端子 45…外部電力端子 46…外部電力端子 47…圧接接続 48…ネジ止め穴 49…第4の電力端子 50…第5の電力端子 51…共通電力端子 52、53…IGBT 54…チップ接続領域 55…引き出し領域 61、62…外部電力端子 63…Cuパターン 64…ボンディングワイヤ 65…IGBTチップ 66…ダイオードチップ 67…絶縁基板 68…Cu板 69…放熱板 70…ゲート端子 71…p層表面 72…貫通孔 73…ダイオード

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 少なくとも3つ以上の互いに相重なった
    電力端子を有し、前記電力端子のうちの所定の2つの電
    力端子間に少なくとも一つの半導体チップが挟まれる形
    で電気的に接続されていることを特徴とする半導体装
    置。
  2. 【請求項2】 前記相重なった電力端子のうち一方の端
    にある電力端子と、前記相重なった電力端子のうち他方
    の端にある電力端子が同一方向に引き出されていること
    を特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記相重なった電力端子のうち中間に位
    置する電力端子が、前記一方の端または前記他方の端に
    位置する電力端子とは反対方向にまたは、90°差のあ
    る方向に引き出されていることを特徴とする請求項2記
    載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記2つの電力端子間に挟まれる前記少
    なくとも一つの半導体チップは、一方の面が半田付けま
    たは圧接により前記2つの電力端子の一方の電力端子に
    接続され、他方の面が緩衝板をへて半田付けまたは圧接
    により他方の電力端子に接続されていることを特徴とす
    る請求項1記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 前記相重なった電力端子のうちの一方の
    端にある電力端子と他方の端にある電力端子に流れる電
    流が反対向きに流れるように、前記少なくとも一つの半
    導体チップが動作することを特徴とする請求項1記載の
    半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記電力端子間に挟まれる少なくとも一
    つの半導体チップは複数の半導体チップにより構成さ
    れ、前記複数の半導体チップ間に絶縁層が設けられてい
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  7. 【請求項7】 前記複数の半導体チップには少なくとも
    一つのトランジスタと少なくとも一つのダイオードが含
    まれており、前記トランジスタに制御電極が接続されて
    いることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
  8. 【請求項8】 前記制御電極と前記トランジスタの制御
    電極パッドは、ボンディングワイヤにより接続されてい
    るか、または緩衝板を挟んで直接接続されていることを
    特徴とする請求項6記載の半導体装置。
  9. 【請求項9】 前記制御電極は、前記電力端子の一方の
    端または前記電力端子の他方の端に位置する電力端子に
    対し反対方向にまたは、90°差のある方向に引き出さ
    れていることを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
  10. 【請求項10】 前記電力端子のうち一方の端にある電
    力端子と他方の端にある電力端子は、前記互いに相重な
    った電力端子の任意の2つの電力端子間において半導体
    チップを圧接接続可能なようにネジ止め構造を有してい
    ることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
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