JP2008022006A - 発光ダイオードパッケージ - Google Patents

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Abstract

【課題】発光ダイオードと駆動チップとESD保護素子とを同一ベース上に実装した発光ダイオードパッケージを提供する。
【解決手段】発光ダイオードパッケージ100は、ベース60と、ベース60の陥没した部分に実装された発光ダイオード20と、ベース60の内部に実装され、発光ダイオード20を駆動する駆動チップ10、及びESD保護素子30とを含む。発光ダイオード、駆動チップ、ESD保護素子はそれぞれワイヤ51等によって所定のリードフレーム41等に接続される。
【選択図】図1

Description

本発明は、発光ダイオードパッケージに関する。
発光ダイオードは、第1導電型の半導体層、活性層、第2導電型の半導体層を含んで構成され、電源が印加されると光を放出する。
前記発光ダイオードは、ディスプレイ装置、移動通信端末機、車、照明装置など、様々な機械、電気、電子装置に適用及び使用されている。
本発明は、発光ダイオードパッケージを提供する。
本発明は、発光ダイオードと駆動チップが一緒に実装された発光ダイオードパッケージを提供する。
本発明は、小型に製作される発光ダイオードパッケージを提供する。
本発明は、安定的に動作される発光ダイオードパッケージを提供する。
本発明に係る発光ダイオードパッケージは、ベースと、前記ベースに実装された発光ダイオードと、前記ベースに実装され、前記発光ダイオードを駆動する駆動チップと、を含む。
また、本発明に係る発光ダイオードパッケージは、ベースと、前記ベースの陥没した部分(リセス部、溝部ということがある)に実装された発光ダイオードと、前記ベースの内部に実装され、前記発光ダイオードを駆動する駆動チップと、を含む。
本発明によれば、発光ダイオードパッケージは、実装された発光ダイオードに適合した駆動チップが一緒に実装されるので、前記発光ダイオードを製品に適用する製造業者側には、発光ダイオードの駆動と関わる回路設計の問題を防止することができる。
また、前記発光ダイオードに適合した駆動チップが一緒に実装されるので、不適切な駆動チップの選択による誤作動の問題を防止することができる。
さらに、前記発光ダイオードパッケージは、前記発光ダイオードと駆動チップが一緒に実装されるので、前記発光ダイオードと駆動チップが別々に設計されて回路基板に実装される場合に比べて、小さいサイズに製作されることができる。
以下、添付図面に基づき、実施例に係る発光ダイオードパッケージについて詳細に説明する。
図1は、実施例に係る発光ダイオードパッケージを上側から図示した図面であって、図2は、図1のA−A’断面図である。
そして、図3は、実施例に係る発光ダイオードパッケージの回路図であって、図4は、実施例に係る発光ダイオードパッケージの斜視図である。
図1乃至図4に示すように、実施例に係る発光ダイオードパッケージ100は、ベース60に、発光ダイオード20、駆動チップ10及びESD(Electrostatic Discharge)保護素子30が実装される。
前記発光ダイオード20、駆動チップ10及びESD保護素子30の電気的な連結のために、第1、第2、第3、第4、第5、第6リードフレーム41、42、43、44、45、46と第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8ワイヤ51、52、53、54、55、56、57、58が設けられる。
ここで、前記ワイヤは、ストリップラインのようなパターンライン形態に具現された電気的な連結部材で代替されることができる。
前記発光ダイオード20の側面及び下側面には、光効率を増大させるための反射層21が形成される。前記発光ダイオード20の上側には、前記発光ダイオード20を保護するためのモールド部材22と、前記発光ダイオード20から放出された光の指向角を変化させたり光効率を増大させるためのレンズ部23が形成される。
前記モールド部材22には、蛍光物質が含まれることができる。例えば、前記発光ダイオード20から放出された青色光は、前記蛍光物質により白色光に変換されることができる。
前記レンズ部23は、凸、凹、フレネル(平板)などの形状で形成されたレンズを含むことができる。
図面には、説明の便宜上前記発光ダイオード20が一つだけ設けられると図示されているが、前記ベース60には、複数の発光ダイオード20が設けられることができる。
前記ESD保護素子30は、前記発光ダイオード20をESD現象から保護するためのものであって、ダイオード、ツェナーダイオード、バリスタ(varistor)が使用され得る。実施例では、前記ESD保護素子30として、ツェナーダイオードが使用されている。
前記駆動チップ10は、前記発光ダイオード20の作動を制御し、前記ESD保護素子30と電気的に連結されて、前記発光ダイオード20をESD現象から保護する。
前記ベース60は、前記駆動チップ10、発光ダイオード20、ESD保護素子30、第1、第2、第3、第4、第5、第6リードフレーム41、42、43、44、45、46及び第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8ワイヤ51、52、53、54、55、56、57、58を支持する。
また、前記ベース60は、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、セラミックなどで形成され、前記駆動チップ10、発光ダイオード20、ESD保護素子30から放出された熱を効率良く外部に放出する。
また、前記ベース60は、金型に前記発光ダイオード20、駆動チップ10、ESD保護素子30、第1、第2、第3、第4、第5、第6リードフレーム41、42、43、44、45、46及び第1、第2、第3、第4、第5、第6、第7、第8ワイヤ51、52、53、54、55、56、57、58を配置させた状態で、射出成形などの方法で形成されることができる。
図示してはいないが、前記ベース60の下側面には、熱伝達物質が塗布されるか、放熱板が付着されて、放熱効率を増大させることができる。
前記第1、第2、第3、第4、第5、第6リードフレーム41、42、43、44、45、46は、金属材質で形成され、前記発光ダイオード20、駆動チップ10及びESD保護素子30に電源または信号を提供し、前記発光ダイオード20、駆動チップ10及びESD保護素子30から発生した熱が外部に迅速に伝達されるようにする。
すなわち、図4に示すように、前記第1、第2、第3、第4、第5、第6リードフレーム41、42、43、44、45、46は、前記ベース60の側面に突出して、外部に露出される。よって、前記第1、第2、第3、第4、第5、第6リードフレーム41、42、43、44、45、46を介して電源または信号を提供することが可能であって、熱を効率良く外部に放出することができる。
前記第1リードフレーム41は、前記第1ワイヤ51を介して前記ESD保護素子30に連結され、前記第3ワイヤ53を介して前記発光ダイオード20に連結される。前記第1リードフレーム41は、前記ESD保護素子30及び前記発光ダイオード20に駆動電圧を提供する。
前記第6リードフレーム46は、前記第1ワイヤ51と連結され、前記ESD保護素子30の底部電極と連結される。よって、前記第1リードフレーム41は、前記第1ワイヤ51を介して前記第6リードフレーム46及び前記ESD保護素子30に電気的に連結される。
前記第5リードフレーム45は、前記第2ワイヤ52を介して前記ESD保護素子30に連結され、第4ワイヤ54を介して前記発光ダイオード20に連結され、第6ワイヤ56を介して前記駆動チップ10の第2電極12に連結される。
前記第6リードフレーム46及び第5リードフレーム45は、付加的に前記発光ダイオードパッケージの不良有無などをテストする経路を提供する。
前記第2リードフレーム42は、前記第5ワイヤ55を介して前記駆動チップ10の第1電極11と連結される。
前記第2リードフレーム42は、前記駆動チップ10に駆動電圧を印加する。
図3に示すように、前記駆動チップ10の第1電極11と第2電極12に同一な電圧が印加される。
すなわち、実施例では、前記発光ダイオード20と前記駆動チップ10に同一な電圧が印加される。よって、前記第1リードフレーム41と第2リードフレーム42に印加される電圧は同一に設定される。
前記第3リードフレーム43は、前記第7ワイヤ57を介して前記駆動チップ10の第3電極13に連結される。
前記第3リードフレーム43は、前記発光ダイオード20の作動を制御するために、前記駆動チップ10の内部抵抗を可変したり、外部機器から前記駆動チップ10を制御するアナログまたはデジタル信号を印加する経路を提供する。
前記第4リードフレーム44は、第8ワイヤ58を介して前記駆動チップ10の第4電極14に連結される。
前記第4リードフレーム44は、前記駆動チップ10にイネーブル信号を提供することで、前記発光ダイオード20の動作をオン/オフする経路を提供する。
実施例に係る発光ダイオードパッケージ100は、発光ダイオード20と駆動チップ10が一つのベース60に実装されて、パッケージ形態で製作される。
また、前記発光ダイオードパッケージ100には、ESD保護素子30が含まれて実装されることができ、前記発光ダイオード20と前記ESD保護素子30は、並列連結される。
前記駆動チップ10と前記発光ダイオード20及びESD保護素子30は、電気的に連結される。
前記駆動チップ10は、前記発光ダイオード20の動作を制御するように設計され、実装される発光ダイオード20の種類、数量、駆動方式に適合した駆動チップ10が選択されて、前記ベース60に実装されることができる。
また、前記駆動チップ10は、前記駆動チップ10と連結された第3リードフレーム43を介して、前記発光ダイオード20の動作を制御できる適切なプログラムが入力されたり、外部機器により適切に制御されるように設計されて、前記ベース60に実装されることができる。
したがって、前記発光ダイオードパッケージ100は、実装された発光ダイオード20に適合した駆動チップ10が一緒に実装されるので、前記発光ダイオード20を製品に適用する製造業者側には、発光ダイオード20の駆動と関わる回路設計の問題が発生しない。
また、前記発光ダイオード20に適合した駆動チップ10が一緒に実装されるので、不適切な駆動チップ10の選択による誤作動の問題が発生しない。
さらに、前記発光ダイオードパッケージ100は、前記発光ダイオード20と駆動チップ10が一緒に実装されるので、前記発光ダイオード20と駆動チップ10が別々に設計されて回路基板に実装される場合に比べて、小さいサイズに製作されることができる。
実施例に係る発光ダイオードパッケージを上側から図示した図面である。 図1のA−A’断面図である。 実施例に係る発光ダイオードパッケージの回路図である。 実施例に係る発光ダイオードパッケージの斜視図である。
符号の説明
100 発光ダイオードパッケージ、 10 駆動チップ、 11 第1電極、 12 第2電極、 13 第3電極、 14 第4電極、 20 発光ダイオード、 30 ESD保護素子、 41 第1リードフレーム、 42 第2リードフレーム、 43 第3リードフレーム、 44 第4リードフレーム、 45 第5リードフレーム、 46 第6リードフレーム、 51 第1ワイヤ、 52 第2ワイヤ、 53 第3ワイヤ、 54 第4ワイヤ、 55 第5ワイヤ、 56 第6ワイヤ、 57 第7ワイヤ、 58 第8ワイヤ。

Claims (18)

  1. ベースと、
    前記ベースに実装された発光ダイオードと、
    前記ベースに実装され、前記発光ダイオードを駆動する駆動チップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージ。
  2. 前記ベースは、樹脂またはセラミック材質で形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  3. 前記駆動チップは、前記ベースの内部に位置することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  4. 前記ベースに実装されて、前記発光ダイオードと連結されるESD保護素子をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  5. 前記発光ダイオードと前記ESD保護素子は、並列連結されることを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオードパッケージ。
  6. 前記ESD保護素子は、ダイオード、ツェナーダイオード、バリスタのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項4に記載の発光ダイオードパッケージ。
  7. 前記駆動チップ及び発光ダイオードに電源または信号を提供するためのリードフレームをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  8. 前記リードフレームは、前記ベースの内部に位置し、前記ベースの側面に突出することを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードパッケージ。
  9. 前記駆動チップ及び発光ダイオードと前記リードフレームとは、電気的連結部材で連結されることを特徴とする請求項7に記載の発光ダイオードパッケージ。
  10. 前記発光ダイオードは、前記ベースの陥没した部分に位置することを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  11. 前記発光ダイオードの側面及び下側面に光効率を増大させるための反射層が形成され、前記発光ダイオードの上側にはモールド部材とレンズ部が形成されることを特徴とする請求項10に記載の発光ダイオードパッケージ。
  12. 前記レンズ部は、凸、凹、フレネル形状のレンズのうち何れか一つを含むことを特徴とする請求項11に記載の発光ダイオードパッケージ。
  13. 前記発光ダイオードは、複数形成されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  14. 前記発光ダイオードは、第1及び第5リードフレームと電気的に連結され、前記駆動チップの第1、第3、第4電極は第2、第3、第4リードフレームと、第2電極は前記第5リードフレームと、各々電気的に連結されることを特徴とする請求項1に記載の発光ダイオードパッケージ。
  15. 前記ベースに実装され、前記発光ダイオードと連結されたESD保護素子をさらに含み、前記ESD保護素子は、前記第1、第5リードフレーム及び第6リードフレームと電気的に連結されることを特徴とする請求項14に記載の発光ダイオードパッケージ。
  16. ベースと、
    前記ベースのリセス部に実装された発光ダイオードと、
    前記ベースの内部に実装され、前記発光ダイオードを駆動する駆動チップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードパッケージ。
  17. 前記発光ダイオード及び駆動チップと連結され、一部分が前記ベースの内部に位置し、他の一部分が前記ベースの外部に露出されたリードフレームをさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージ。
  18. 前記ベースに実装され、前記発光ダイオードと並列連結されたESD保護素子をさらに含むことを特徴とする請求項16に記載の発光ダイオードパッケージ。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009198544A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Toyoda Gosei Co Ltd 光デバイス及びその製造方法
DE102009023854A1 (de) * 2009-06-04 2010-12-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2011523508A (ja) * 2008-05-26 2011-08-11 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半導体デバイス、反射型フォトインタラプタおよび反射型フォトインタラプタ用のハウジングを製造する方法
JP2013506288A (ja) * 2009-09-25 2013-02-21 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光ダイオードおよび発光ダイオードの製造方法
JP2015517740A (ja) * 2012-05-24 2015-06-22 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 発光ダイオード装置
JP7353312B2 (ja) 2021-01-07 2023-09-29 シーシーエス株式会社 Led光源、及び、led光源の検査方法

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101459212B (zh) * 2007-12-11 2011-06-22 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 固态发光器件
KR101463039B1 (ko) * 2008-02-15 2014-11-19 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 구비하는 표시 장치
DE102008021661A1 (de) * 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh LED-Modul mit Rahmen und Leiterplatte
CN101364585B (zh) * 2008-09-25 2010-10-13 旭丽电子(广州)有限公司 一种芯片封装结构及其制造方法
KR101006772B1 (ko) * 2009-03-04 2011-01-10 주식회사 루멘스 발광 다이오드 패키지 및 발광 모듈
US9210622B2 (en) * 2009-08-12 2015-12-08 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for relay backhaul design in a wireless communication system
US9125133B2 (en) 2009-08-12 2015-09-01 Qualcomm Incorporated Method and apparatus for relay backhaul design in a wireless communication system
CN102208518B (zh) * 2010-04-20 2013-05-08 蒋伟东 一种一体化贴片单元
KR101711961B1 (ko) * 2010-09-10 2017-03-03 삼성전자주식회사 발광 디바이스
KR101823506B1 (ko) 2011-06-29 2018-01-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
CN103178191B (zh) * 2011-12-24 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管
KR20130098048A (ko) 2012-02-27 2013-09-04 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR102441273B1 (ko) * 2014-08-27 2022-09-08 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
CN107210352B (zh) * 2015-01-19 2020-08-11 Lg 伊诺特有限公司 发光器件
KR101835819B1 (ko) * 2017-08-11 2018-03-08 주식회사 에이엘테크 광섬유 발광형 표지 장치
KR101937974B1 (ko) * 2018-05-08 2019-01-14 주식회사 에이엘테크 광섬유 발광형 표지 장치
CN109509745B (zh) * 2018-12-28 2023-09-22 捷捷半导体有限公司 一种用于G·fast低容放电管阵列
KR102042547B1 (ko) * 2019-07-04 2019-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 라이트 유닛
KR20230163859A (ko) * 2022-05-24 2023-12-01 삼성전자주식회사 디스플레이 장치 및 그 광원 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01273338A (ja) * 1988-04-26 1989-11-01 Nec Corp 光素子混成集績回路装置
JPH06125116A (ja) * 1992-10-12 1994-05-06 Rohm Co Ltd Led装置
JP2005150431A (ja) 2003-11-17 2005-06-09 Toshiba Electronic Engineering Corp 光送受信装置
JP4370158B2 (ja) 2003-12-24 2009-11-25 シャープ株式会社 光結合器およびそれを用いた電子機器
JP4181515B2 (ja) * 2004-02-25 2008-11-19 シャープ株式会社 光半導体装置およびそれを用いた電子機器
KR100650191B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
US20080089072A1 (en) * 2006-10-11 2008-04-17 Alti-Electronics Co., Ltd. High Power Light Emitting Diode Package

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009198544A (ja) * 2008-02-19 2009-09-03 Toyoda Gosei Co Ltd 光デバイス及びその製造方法
JP2011523508A (ja) * 2008-05-26 2011-08-11 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 半導体デバイス、反射型フォトインタラプタおよび反射型フォトインタラプタ用のハウジングを製造する方法
US9165913B2 (en) 2008-05-26 2015-10-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor component, reflected-light barrier and method for producing a housing therefor
DE102009023854A1 (de) * 2009-06-04 2010-12-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US8482025B2 (en) 2009-06-04 2013-07-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component
JP2013506288A (ja) * 2009-09-25 2013-02-21 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光ダイオードおよび発光ダイオードの製造方法
US8779663B2 (en) 2009-09-25 2014-07-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting diode and method for producing a light-emitting diode
US9144133B2 (en) 2009-09-25 2015-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting diode and method of producing a light-emitting diode
JP2015517740A (ja) * 2012-05-24 2015-06-22 エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag 発光ダイオード装置
US9449958B2 (en) 2012-05-24 2016-09-20 Epcos Ag Light-emitting diode device
JP7353312B2 (ja) 2021-01-07 2023-09-29 シーシーエス株式会社 Led光源、及び、led光源の検査方法

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