DE112006002488B4 - Halbleiter-Baueinheit - Google Patents
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Abstract
Halbleiter-Baueinheit mit: einem Substrat (10), das eine Anzahl von leitenden Kontaktflächen (24, 42) aufweist, die auf zumindest einer Hauptfläche des Substrats angeordnet sind; einem bidirektionalen Verbund-Halbleiter-Bauteil vom Hetero-Grenzschicht-Typ (16), das zumindest eine erste Leistungselektrode (32), die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche (24) verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode (34) aufweist, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche (24) verbunden ist; einem ersten Leistungshalbleiter-Bauteil (12) auf Silizium-Basis, das eine erste Leistungselektrode (40), die elektrisch mit der ersten Leistungselektrode (32) des Verbund-Halbleiter-Bauteils (16) verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode (26) aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche (24) verbunden ist; und einem zweiten Leistungshalbleiter-Bauteil auf Silizium-Basis, das eine erste Leistungselektrode (40), die elektrisch mit der zweiten Leistungselektrode (34) des Verbund-Halbleiter-Bauteils (16) verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode (26) aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche (24) verbunden ist; wobei das bidirektionale Verbund-Halbleiter-Bauteil (16), das erste Leistungshalbleiter-Bauteil (12) und das zweite Leistungshalbleiter-Bauteil (14) elektrisch innerhalb der Halbleiter-Baueinheit in einer Kaskoden-Anordnung verbunden sind.
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiter-Baueinheiten, bei denen mehrere Halbleiter-Baueile, insbesondere Leistungshalbleiter-Bauteile, in einem gemeinsamen Halbleiter-Gehäuse oder einer Halbleiter-Packung vereinigt sind.
- Drahtkontaktierungen oder Bond-Verbindungen werden in einer typischen Halbleiter-Baueinheit dazu verwendet, die Elektroden eines in der Baueinheit enthaltenen Halbleiter-Bauteils mit Elektroden anderer darin enthaltener Bauteile und/oder mit Leitungen oder leitenden Kontaktflächen zu verbinden. Ein wesentlicher Nachteil der Verwendung von Drahtverbindungen besteht in dem vergrößerten Einschaltwiderstand.
- Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halbleiter-Baueinheit zu schaffen, bei der der Gesamtwiderstand der Baueinheit verringert ist und die Wärmeableitung von den Halbleiter-Bauteilen, die in der Baueinheit enthalten sind, zu verbessern, um deren Betriebsleistung zu vergrößern. Zusätzlich soll die erforderliche Grundfläche der Baueinheit verringert werden.
- Eine Halbleiter-Baueinheit gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schließt ein Substrat mit einer Anzahl von leitenden Kontaktflächen, die auf zumindest einer Hauptfläche des Substrates angeordnet sind, ein bidirektionales Verbund-Halbleiter-Bauteil vom Hetero-Grenzschicht-Typ, das zumindest eine erste Leistungselektrode, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche verbunden ist; ein erstes Leistungshalbleiter-Bauteil auf Silizium-Basis mit einer ersten Leistungselektrode, die elektrisch mit der ersten Leistungselektrode des Verbund-Halbleiter-Bauteils verbunden ist, und einer zweiten Leistungselektrode, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche verbunden ist; und ein zweites Leistungshalbleiter-Bauteil auf Silizium-Basis ein, das eine erste Leistungselektrode, die elektrisch mit der zweiten Leistungselektrode des Verbund-Halbleiter-Bauteils verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche verbunden ist; wobei das bidirektionale Verbund-Halbleiter-Bauteil, das erste Leistungs-Halbleiter-Bauteil und das zweite Leistungshalbleiter-Bauteil elektrisch innerhalb der Baueinheit in einer Kaskoden-Anordnung verbunden sind.
- Aus der
US-5 077 595 A ist eine Kaskodenanordnung von Leistungshalbleiter-Bauteilen bekannt. - Aus der
US-4 768 075 A ist weiterhin eine Kaskodenanordnung aus einem bipolaren Bauelement und einem MOSFET bekannt. - Bei der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die ersten und zweiten Leistungshalbleiter-Bauteile Leistungs-MOSFETS, und das bidirektionale Verbund-Leistungshalbleiter-Bauteil ist ein Gruppe-III-Nitrid-basiertes bidirektionales Leistungshalbleiter-Bauteil.
- Eine Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung kann weiterhin einen ersten Kühlkörper, der elektrisch die erste Leistungselektrode des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils mit der ersten Leistungselektrode des Verbund-Halbleiter-Bauteils verbindet, und einen zweiten Kühlkörper einschließen, der die erste Leistungselektrode des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils elektrisch mit der zweiten Leistungselektrode des Verbund-Halbleiter-Bauteils verbindet. Der erste Kühlkörper und der zweite Kühlkörper sind vorzugsweise thermisch mit dem Verbund-Halbleiter-Bauteil gekoppelt.
- Eine Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung kann weiterhin ein Formgehäuse einschließen, das um die ersten und zweiten Halbleiter-Bauteile und das Verbund-Halbleiterbauteil-Bauteil herum angeordnet ist.
- Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liegen die Kühlkörper durch das Formgehäuse hindurch frei.
- Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Kühlkörper in dem Formgehäuse eingekapselt.
- Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die sich auf die beigefügten Zeichnungen bezieht.
- Definitionen
- Der Begriff Verbund-Halbleiter-Bauteil (CSC), wie er hier verwendet wird, bezieht sich auf ein Halbleiter-Bauteil vom Hetero-Grenzschicht-Typ, das Gruppe-III-Nitrid-basierte Leistungshalbleiter-Bauteile einschließt, beispielsweise Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs) Metall-Isolator-Halbleiter-HEMTs (MISHEMTs), Metalloxid-Halbleiter (MOSHEMTs) und ähnliche Bauteile.
- Sofern dies hier nicht anders angegeben ist, bezieht sich der Begriff Leistungshalbleiter-Bauteil, wie er hier verwendet wird, auf ein Einzelmaterial-Halbleiterbauteil, wie z. B. ein Silizium-basiertes Leistungshalbleiter-Bauteil (beispielsweise ein Silizium- oder SiC-MOSFET).
- Kurze Beschreibung der Figuren
-
1A zeigt ein Schaltbild des bidirektionalen CSC-Bauteils und der Leistungshalbleiter-Bauteile, die in einer Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung angeordnet sind. -
1B zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleiter-Baueinheit gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
2 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie 2-2 nach1B bei Betrachtung in der Richtung der Pfeile. -
3 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie 3-3 nach1B bei Betrachtung in der Richtung der Pfeile. -
4 zeigt eine Draufsicht eines Beispiels eines Leistungshalbleiter-Bauteils, wie es in einer Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird. -
5 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie 5-5 nach4 bei Betrachtung in Richtung der Teile. -
6 zeigt eine Draufsicht eines bidirektionalen CSC-Bauteils, wie es in einer Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird. -
7 zeigt eine Draufsicht eines Substrats, wie es in einer Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird. -
8 zeigt eine Draufsicht des Substrats in7 , nachdem auf diesem Leistungshalbleiter-Bauteile und ein bidirektionales CSC-Bauteil zusammengebaut wurden. -
9 zeigt die in8 gezeigte Baugruppe nach dem Aufbringen von Lot. -
10 zeigt die in9 gezeigte Baugruppe nach der Anordnung eines thermisch leitenden Körpers auf der Rückseite des bidirektionalen CSC-Bauteils. -
11 zeigt eine Draufsicht einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
12 zeigt eine Draufsicht einer dritter Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. -
13 zeigt eine Querschnittsansicht einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. - Ausführliche Beschreibung der Figuren
- Gemäß den
1A ,1B ,2 und3 schließt eine Halbleiter-Baueinheit gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Substrat10 , ein erstes Leistungshalbleiter-Bauteil12 (beispielsweise einen Silizium-basierten Leistungs-MOSFET), ein zweites Leistungshalbleiter-Bauteil14 (beispielsweise einen Silizium-basierten Leistungs-MOSFET), ein bidirektionales CSC-Bauteil16 (beispielsweise einen Gruppe-III-Nitrid-basierten bidirektionalen HEMT), ein erstes Kühlkörper-Verbindungsstück18 , ein zweites Kühlkörper-Verbindungsstück20 und ein Formgehäuse22 ein (das in1B zur besseren Darstellung transparent gemacht ist). - Das Substrat
10 schließt eine Anzahl von leitenden Kontaktflächen24 auf einer seiner Oberflächen ein. Eine erste Leistungselektrode26 (beispielsweise die Source-Elektrode) des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils12 ist elektrisch und mechanisch mit zumindest einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche24 über eine Schicht aus leitendem Verbindungsmittel28 , wie z. B. Lot, leitendem Epoxy-Material (beispielsweise Silber-Epoxy) oder ähnlichem Material verbunden. Die erste Leistungselektrode26 (beispielsweise die Source-Elektrode) des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils14 ist elektrisch und mechanisch mit zumindest einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche24 verbunden. Es ist darauf hinzuweisen, dass obwohl dies nicht im Einzelnen gezeigt ist, eine Steuerelektrode30 (siehe4 ,5 ) (beispielsweise Gate-Elektrode) jedes Leistungshalbleiter-Bauteils12 ,14 ebenfalls elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche24 verbunden ist. - Das bidirektionale CSC-Bauteil
16 schließt eine Anzahl von Leistungselektroden32 ,34 und die Gate-Elektroden36 ,38 ein (siehe6 ). Ein Beispiel eines bidirektionalen CSC-Bauteils ist in der US-Patentanmeldung 11/056,062 (=US 2005/0 189 561 A1 32 ,34 kann als eine Source- oder Drain-Elektrode in Abhängigkeit von der Richtung des Stromes dienen. Vorzugsweise hat das bidirektionale CSC-Bauteil16 Kupfer-Höcker, Löt-Höcker oder dergleichen auf ihren Elektroden, um eine Drahtkontaktierung zu vermeiden. Es sei darauf hingewiesen, dass die Leistungselektroden32 ,34 gemäß einer bevorzugten Anordnung abwechselnd angeordnet sein können. Jede Leistungselektrode32 ,34 ist elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche24 über eine Schicht aus einem leitenden Verbindungsmittel28 gekoppelt. In ähnlicher Weise ist jede Gate-Elektrode36 ,38 (obwohl dies nicht gezeigt ist) elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche34 gekoppelt. - Ein erstes Kohlkörper-Verbindungsstück
18 ist elektrisch und mechanisch mit der zweiten Leistungselektrode40 des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils12 über eine Schicht von leitendem Verbindungsmittel28 verbunden (beispielsweise Lot oder leitendes Epoxy-Material), und schließt einen Vorsprung41 ein, der elektrisch und mechanisch ober eine Schicht aus leitendem Verbindungsmittel28 mit einer leitenden Kontaktfläche42 verbunden ist. Somit verbindet das erste Kühlkörper-Verbindungsstück18 elektrisch die zweite Leistungselektrode40 des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils12 mit einer der Leistungselektroden (beispielsweise den Leistungselektroden32 ) des bidirektionalen CSC-Bauteils16 . Beispielsweise ist die leitende Kontaktfläche42 elektrisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche24 verbunden, mit der eine Leistungselektrode (beispielsweise eine Leistungselektrode32 ) elektrisch entweder über das Substrat10 oder über eine Oberfläche hiervon über Kupfer-Leiterbahnen oder dergleichen verbunden ist. Das erste Kühlkörper-Verbindungsstück18 ist vorzugsweise außerdem thermisch mit der Rückseite des bidirektionalen CSC-Bauteils16 über einen thermisch leitenden Körper44 verbunden. - Ein zweites Kühlkörper-Verbindungsstück
20 schließt ebenfalls einen Vorsprung41 ein, der elektrisch und mechanisch mit einer leitenden Kontaktfläche43 verbunden ist, wodurch die zweite Leistungselektrode40 des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils14 (die elektrisch und mechanisch mit dem zweiten Kühlkörper-Verbindungsstück20 über eine leitende Verbindungsmaterial-Schicht28 verbunden ist) elektrisch über die leitende Kontaktfläche43 mit den anderen Leistungselektroden34 des bidirektionalen CSC-Bauteils16 in einer Weise verbunden, die ähnlich oder gleich der leitenden Kontaktfläche43 ist. Es ist darauf hinzuweisen, dass das zweite Kühlkörper-Verbindungsstück20 außerdem thermisch über eine Schicht44 mit der Rückseite des bidirektionalen CSC-Bauteils16 verbunden ist. - Das Substrat
10 schließt weiterhin eine Anzahl von Anschlüssen48 ,49 ,50 ,51 ,52 ,53 für externe Verbindungen ein. Jeder der Anschlüsse ist mit zumindest einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche24 ,42 ,43 über ein (nicht gezeigtes) Verbindungselement oder eine Durchkontaktierung verbunden, die sich durch den Hauptteil des Substrates10 erstreckt, wodurch die Bauteile im Inneren der Baueinheit elektrisch mit einer anderen Schaltung auf der Unterseite des Substrates10 verbunden werden können, wodurch die Grundfläche der Baueinheit verringert wird. So ist der Leistungsanschluss48 mit einer leitenden Kontaktfläche24 verbunden, die mit der ersten Leistungselektrode26 des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils12 verbunden ist, der Leistungsanschluss50 ist elektrisch mit einer Kontaktfläche42 verbunden und somit mit der zweiten Leistungselektrode des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils12 verbunden (und mit einer Leistungselektrode, beispielsweise der Elektrode32 des bidirektionalen CSC-Bauteils16 ), und der Steueranschluss52 ist elektrisch mit einer leitenden Kontaktfläche verbunden, die elektrisch und mechanisch mit der Steuerelektrode30 des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils12 verbunden ist. In ähnlicher Weise ist der Leistungsanschluss49 mit einer leitenden Kontaktfläche24 verbunden, die mit der ersten Leistungselektrode26 des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils14 verbunden ist, der Leistungsanschluss51 ist elektrisch mit der Kontaktfläche43 verbunden, und somit mit der zweiten Leistungselektrode des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils14 (und einer Leistungselektrode, beispielsweise der Elektrode34 des bidirektionalen CSC-Bauteils16 ) verbunden, und der Steueranschluss53 ist elektrisch mit einer leitenden Kontaktfläche verbunden, die elektrisch und mechanisch mit der Steuerelektrode30 des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils14 verbunden ist. - Bei einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kapselt ein Formgehäuse
22 das bidirektionale CSC-Bauteil16 , die ersten und zweiten Leistungs-Bauteile12 und14 und die ersten und zweiten Kühlkörper-Verbindungsstücke18 ,20 ein. - Es ist darauf hinzuweisen, dass in vorteilhafter Weise die Halbleiter-Bauteile
12 ,14 ,16 ohne die Verwendung von Drahtkontaktierungen miteinander verbunden sind. Es ist weiterhin darauf hinzuweisen, dass Wärme von den Halbleiter-Bauteilen12 ,14 ,16 von beiden Seiten der Bauteile aus abgeleitet wird, wodurch eine doppelseitige Kühlung erreicht wird. - Gemäß den
4 und5 ist festzustellen, dass die Steuerelektrode30 (beispielsweise die Gate-Elektrode), die erste Leistungselektrode26 (beispielsweise die Gate-Source-Elektrode) und die zweite Leistungselektrode40 (beispielsweise die Drain-Elektrode) jedes Leistungshalbleiter-Bauteils12 ,14 vorzugsweise lötbar gemacht ist, um eine Drahtkontakt-freie Verbindung zu ermöglichen. Ein Passivierungs-Körper46 , der vorzugsweise als eine Lötmaske wirkt, ist zwischen der ersten Leistungselektrode26 und der Steuerelektrode30 angeordnet, um einen Schutz für das Bauteil zu schaffen und einen Kurzschluss während des Zusammenbaus aufgrund des Kriechens von Lot oder dergleichen während des Aufschmelzlötens zu verhindern. - Gemäß den
7 –10 wird eine Halbleiter-Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung dadurch hergestellt, dass zunächst die ersten und zweiten Leistungshalbleiter-Bauteile12 ,14 und das bidirektionale CSC-Bauteil16 elektrisch und mechanisch an den leitenden Kontaktflächen24 des Substrats10 angebracht werden, wie dies in den7 und8 gezeigt ist. Danach wird ein leitendes Verbindungsmittel28 (beispielsweise Lot) auf die zweiten Leistungselektroden40 der ersten und zweiten Leistungshalbleiter-Bauteile12 ,14 aufgebracht, wie dies in9 gezeigt ist. Als nächstes werden Wärmeleitkörper44 auf die Rückseite des bidirektionalen CSC-Bauteils16 aufgebracht, wie dies in10 gezeigt ist. Schließlich werden die ersten und zweiten Kühlkörper-Verbindungsstücke18 ,20 in der beschriebenen Weise befestigt, und ein Formgehäuse22 wird für die Baugruppe vorgesehen. - Gemäß
11 können gemäß einer zweiten Ausführungsform die Kühlkörper-Verbindungsstücke18 ,20 Seite an Seite angeordnet sein, statt einander gegenüberliegend, um im Wesentlichen die gesamte Rückseite des bidirektionalen CSC-Bauteils16 abzudecken. - Gemäß
12 können gemäß der zweiten Ausführungsform die Kühlkörper-Verbindungsstücke18 ,20 eine L-förmige Draufsicht-Konfiguration haben, um eine vergrößerte Wärmeableitungsfläche zu schaffen, während sie im Wesentlichen die gesamte Rückseite des bidirektionalen CSC-Bauteils16 abdecken. - Gemäß
13 kann bei einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Teil des Formgehäuses22 entfernt werden, um zumindest einen Teil der rückseitigen Oberfläche und vorzugsweise die gesamte rückseitige Oberfläche der ersten und zweiten Kühlkörper-Verbindungsstücke18 ,20 freizulegen.
Claims (8)
- Halbleiter-Baueinheit mit: einem Substrat (
10 ), das eine Anzahl von leitenden Kontaktflächen (24 ,42 ) aufweist, die auf zumindest einer Hauptfläche des Substrats angeordnet sind; einem bidirektionalen Verbund-Halbleiter-Bauteil vom Hetero-Grenzschicht-Typ (16 ), das zumindest eine erste Leistungselektrode (32 ), die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche (24 ) verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode (34 ) aufweist, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche (24 ) verbunden ist; einem ersten Leistungshalbleiter-Bauteil (12 ) auf Silizium-Basis, das eine erste Leistungselektrode (40 ), die elektrisch mit der ersten Leistungselektrode (32 ) des Verbund-Halbleiter-Bauteils (16 ) verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode (26 ) aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche (24 ) verbunden ist; und einem zweiten Leistungshalbleiter-Bauteil auf Silizium-Basis, das eine erste Leistungselektrode (40 ), die elektrisch mit der zweiten Leistungselektrode (34 ) des Verbund-Halbleiter-Bauteils (16 ) verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode (26 ) aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche (24 ) verbunden ist; wobei das bidirektionale Verbund-Halbleiter-Bauteil (16 ), das erste Leistungshalbleiter-Bauteil (12 ) und das zweite Leistungshalbleiter-Bauteil (14 ) elektrisch innerhalb der Halbleiter-Baueinheit in einer Kaskoden-Anordnung verbunden sind. - Halbleiter-Baueinheit nach Anspruch 1, bei der die ersten und zweiten Leistungshalbleiter-Bauteile (
12 ,14 ) Leistungs-MOSFETs sind und das bidirektionale Verbund-Halbleiter-Bauteil ein Gruppe-III-Nitrid-basiertes bidirektionales Leistungshalbleiter-Bauteil (16 ) ist. - Halbleiter-Baueinheit nach Anspruch 1 oder 2, die weiterhin einen ersten Kühlkörper (
18 ), der elektrisch die erste Leistungselektrode (40 ) des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils (12 ) mit der ersten Leistungselektrode (32 ) des Verbund-Halbleiter-Bauteils (16 ) verbindet, und einen zweiten Kühlkörper (20 ) umfasst, der elektrisch die erste Leistungselektrode (40 ) des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils (14 ) mit der zweiten Leistungselektrode (34 ) des Verbund-Halbleiter-Bauteils (16 ) verbindet. - Halbleiter-Baueinheit nach einem der vorhergehenden Ansprüche, die weiterhin ein Formgehäuse (
22 ) umfasst, das um die ersten und zweiten Leistungshalbleiter-Bauteile (12 ,14 ) und das Verbund-Halbleiter-Bauteil (16 ) herum angeordnet ist. - Halbleiter-Baueinheit nach Anspruch 4, bei der die Kühlkörper (
18 ,20 ) durch das Formgehäuse (22 ) hindurch frei liegen. - Halbleiter-Baueinheit nach Anspruch 4, bei der die Kühlkörper (
18 ,20 ) in das Formgehäuse (22 ) eingekapselt sind. - Halbleiter-Baueinheit mit: einer Multi-Chip-Schaltung, die ein bidirektionales Verbund-Halbleiter-Bauteil vom Hetero-Grenzschicht-Typ (
16 ), eine erstes Leistungshalbleiter-Bauteil (12 ) auf Silizium-Basis und ein zweites Leistungshalbleiter-Bauteil (14 ) auf Silizium-Basis einschließt, die ohne Drahtkontaktierungen in einer Kaskoden-Konfiguration miteinander verbunden sind. - Halbleiter-Baueinheit nach Anspruch 7, die weiterhin zumindest einen Kühlkörper (
18 ) umfasst, der thermisch mit dem Verbund-Halbleiter-Bauteil (16 ) gekoppelt ist und elektrisch zumindest eines der Leistungshalbleiter-Bauteile (12 ,14 ) mit dem Verbund-Halbleiter-Bauteil (16 ) verbindet.
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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Ipc: H01L 25/18 AFI20060921BHDE |
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R018 | Grant decision by examination section/examining division | ||
R020 | Patent grant now final | ||
R020 | Patent grant now final |
Effective date: 20150303 |
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R081 | Change of applicant/patentee |
Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP., EL SEGUN, US Free format text: FORMER OWNER: INTERNATIONAL RECTIFIER CORP., EL SEGUNDO, CALIF., US |
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R082 | Change of representative |
Representative=s name: DR. WEITZEL & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWAEL, DE |
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R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |