DE112006002488T5 - Halbleiter-Baueinheit - Google Patents

Halbleiter-Baueinheit Download PDF

Info

Publication number
DE112006002488T5
DE112006002488T5 DE112006002488T DE112006002488T DE112006002488T5 DE 112006002488 T5 DE112006002488 T5 DE 112006002488T5 DE 112006002488 T DE112006002488 T DE 112006002488T DE 112006002488 T DE112006002488 T DE 112006002488T DE 112006002488 T5 DE112006002488 T5 DE 112006002488T5
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
power
semiconductor device
electrically
power electrode
electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE112006002488T
Other languages
English (en)
Other versions
DE112006002488B4 (de
Inventor
Kunzhong Santa Monica Hu
Chuan Redondo Beach Cheah
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies Americas Corp
Original Assignee
International Rectifier Corp USA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Rectifier Corp USA filed Critical International Rectifier Corp USA
Publication of DE112006002488T5 publication Critical patent/DE112006002488T5/de
Application granted granted Critical
Publication of DE112006002488B4 publication Critical patent/DE112006002488B4/de
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0618—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
    • H01L2224/06181—On opposite sides of the body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29199—Material of the matrix
    • H01L2224/2929—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001—Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099—Material
    • H01L2224/29198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/29298—Fillers
    • H01L2224/29299—Base material
    • H01L2224/293—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29338—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/29339—Silver [Ag] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/8485—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13064—High Electron Mobility Transistor [HEMT, HFET [heterostructure FET], MODFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)
  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

Halbleiter-Baueinheit mit:
einem Substrat, das eine Anzahl von leitenden Kontaktflächen aufweist, die auf zumindest einer Hauptfläche des Substrats angeordnet sind; einer bidirektionalen Verbund-Halbleiter-Komponente, die zumindest eine erste Leistungselektrode, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche verbunden ist;
einem ersten Leistungshalbleiter-Bauteil, das eine erste Leistungselektrode, die elektrisch mit der ersten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche verbunden ist;
einem zweiten Leistungshalbleiter-Bauteil, das eine erste Leistungselektrode, die elektrisch mit der zweiten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche verbunden ist;
wobei die bidirektionale Verbund-Halbleiter-Komponente, das erste Leistungshalbleiter-Bauteil und das zweite Leistungshalbleiter-Bauteil elektrisch innerhalb der Baueinheit in einer Kaskoden-Anordnung verbunden sind.

Description

  • Verwandte Anmeldung
  • Diese Anmeldung beruht auf der provisorischen US-Patentanmeldung Nr. 60/719,242 vom 21. September 2005 mit dem Titel "Bidirectional Enhancement Mode CSC FET Packaging", und beansprucht deren Vergünstigungen und deren Priorität, die hiermit beansprucht wird, wobei deren Inhalt durch diese Bezugnahme hier mit aufgenommen wird.
  • Hintergrund und Zusammenfassung der Erfindung
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf Halbleiter-Baueinheiten oder Halbleiter-Gehäuse und insbesondere auf Leistungshalbleiter-Baueinheiten.
  • Drahtkontaktierungen oder Bond-Verbindungen werden in einer typischen Halbleiter-Baueinheit dazu verwendet, die Elektroden des in der Baueinheit enthaltenen Halbleiter-Bauteils mit Elektroden anderer darin enthaltener Bauteile und/oder mit Leitungen oder leitenden Kontaktflächen zu verbinden. Ein wesentlicher Nachteil der Verwendung von Drahtverbindungen besteht in dem vergrößerten Einschaltwiderstand. Es ist wünschenswert, den Gesamtwiderstand der Baueinheit zu verringern.
  • Weiterhin ist es wünschenswert, so viel Wärme wie möglich von Halbleiter-Bauteilen abzuleiten, die in der Baueinheit enthalten sind, um deren Betriebsleistung zu verbessern.
  • Zusätzlich ist es wünschenswert, die erforderliche Grundfläche einer Baueinheit zu verringern.
  • Eine Halbleiter-Baueinheit gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung schließt ein Substrat mit einer Anzahl von leitenden Kontaktflächen, die auf zumindest einer Hauptfläche des Substrates angeordnet sind, eine bidirektionale Verbund-Halbleiter-Komponente, die zumindest eine erste Leistungselektrode, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche verbunden ist; ein erstes Leistungshalbleiter-Bauteil mit einer ersten Leistungselektrode, die elektrisch mit der ersten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbunden ist, und einer zweiten Leistungselektrode, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche verbunden ist; und ein zweites Leistungshalbleiter-Bauteil ein, das eine erste Leistungselektrode, die elektrisch mit der zweiten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche verbunden ist; wobei die bidirektionale Verbund-Halbleiter-Komponente, das erste Leistungs-Halbleiter-Bauteil und das zweite Leistungshalbleiter-Bauteil elektrisch innerhalb der Baueinheit in einer Kaskoden-Anordnung verbunden sind.
  • Bei der bevorzugten Ausführungsform sind die ersten und zweiten Leistungshalbleiter-Bauteile Leistungs-MOSFETS, und das bidirektionale Verbund-Leistungshalbleiter-Bauteil ist ein Gruppe-III-Nitrid-basiertes bidirektionales Leistungshalbleiter-Bauteil.
  • Eine Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung kann weiterhin einen ersten Kühlkörper, der elektrisch die erste Leistungselektrode des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils mit der ersten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbindet, und einen zweiten Kühlkörper einschließen, der die erste Leistungselektrode des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils elektrisch mit der zweiten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbindet. Der erste Kühlkörper und der zweite Kühlkörper sind vorzugsweise thermisch mit der Verbund-Halbleiter-Komponente gekoppelt.
  • Eine Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung kann weiterhin ein Formgehäuse einschließen, das um die ersten und zweiten Halbleiter-Bauteile und die Verbund-Halbleiterbauteil-Komponente herum angeordnet ist.
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung liegen die Kühlkörper durch das Formgehäuse hindurch frei.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind die Kühlkörper in dem Formgehäuse eingekapselt.
  • Weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung der Erfindung ersichtlich, die sich auf die beigefügten Zeichnungen bezieht.
  • Definitionen
  • Eine Verbund-Halbleiter-Komponente (CSC), wie sie hier verwendet wird, bezieht sich auf ein Halbleiter-Bauteil vom Hetero-Grenzschicht-Typ, das Gruppe-III-Nitridbasierte Leistungshalbleiter-Bauteile einschließt, beispielsweise Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit (HEMTs) Metall-Isolator-Halbleiter-HEMTs (MISHEMTs), Metalloxid-Halbleiter (MOSHEMTs) und ähnliche Bauteile.
  • Sofern dies hier nicht anders angegeben ist, bezieht sich ein Leistungshalbleiter-Bauteil, wie es hier verwendet wird, auf ein Einzelmaterial-Halbleiterbauteil, wie z. B. ein Silizium-basiertes Leistungshalbleiter-Bauteil (beispielsweise ein Silizium-basierter oder SIC-basierter MOSFET).
  • Kurze Beschreibung der Figuren
  • 1A zeigt ein Schaltbild der bidirektionalen CSC und der Leistungshalbleiter-Bauteile, die in einer Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung angeordnet sind.
  • 1B zeigt eine Draufsicht auf eine Halbleiter-Baueinheit gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 2 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie 2-2 nach 1B bei Betrachtung in der Richtung der Pfeile.
  • 3 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie 3-3 nach 1B bei Betrachtung in der Richtung der Pfeile.
  • 4 zeigt eine Draufsicht eines Ballspiels eines Leistungshalbleiter-Bauteils, wie es in einer Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 5 zeigt eine Querschnittsansicht entlang der Linie 5-5 nach 4 bei Betrachtung in Richtung der Teile.
  • 6 zeigt eine Draufsicht einer bidirektionalen CSC, wie sie in einer Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 7 zeigt eine Draufsicht eines Substrats, wie es in einer Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
  • 8 zeigt eine Draufsicht des Substrats in 7, nachdem auf diesem Leistungshalbleiter-Bauteile und eine bidirektionale CSC zusammengebaut wurden.
  • 9 zeigt die in 8 gezeigte Baugruppe nach dem Aufbringen von Lot.
  • 10 zeigt die in 9 gezeigte Baugruppe nach der Anordnung eines thermisch leitenden Körpers auf der Rückseite der bidirektionalen CSC.
  • 11 zeigt eine Draufsicht einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 12 zeigt eine Draufsicht einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • 13 zeigt eine Querschnittsansicht einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführliche Beschreibung der Figuren
  • Gemäß den 1A, 1B, 2 und 3 schließt eine Halbleiter-Baueinheit gemäß der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Substrat 10, ein erstes Leistungshalbleiter-Bauteil 12 (beispielsweise einen Silizium-basierten Leistungs-MOSFET), ein zweites Leistungshalbleiter-Bauteil 14 (beispielsweise einen Silizium-basierten Leistungs-MOSFET), eine bidirektionale CSC 16 (beispielsweise einen Gruppe-III-Nitrid-basierten bidirektionalen HEMT), ein erstes Kühlkörper-Verbindungsstück 18, ein zweites Kühlkörper-Verbindungsstück 20 und ein Formgehäuse 22 ein (das in 1B zur besseren Darstellung transparent gemacht ist).
  • Das Substrat 10 schließt eine Anzahl von leitenden Kontaktflächen 24 auf einer seiner Oberflächen ein. Eine erste Leistungselektrode 26 (beispielsweise die Source-Elektrode) des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils 12 ist elektrisch und mechanisch mit zumindest einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche 24 über eine Schicht aus leitendem Verbindungsmittel 28, wie z. B. Lot, leitendem Epoxy-Material (beispielsweise Silber-Epoxy) oder ähnlichem Material verbunden. Die erste Leistungselektrode 26 (beispielsweise die Source-Elektrode) des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils 14 ist elektrisch und mechanisch mit zumindest einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche 24 verbunden. Es ist darauf hinzuweisen, dass obwohl dies nicht im Einzelnen gezeigt ist, eine Steuerelektrode 30 (siehe 4, 5) (beispielsweise Gate-Elektrode) jedes Leistungshalbleiter-Bauteils 12, 14 ebenfalls elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche 24 verbunden ist.
  • Die bidirektionale CSC 16 schließt eine Anzahl von Leistungselektroden 32, 34 und die Gate-Elektroden 36, 38 ein (siehe 6). Ein Beispiel einer bidirektionalen CSC ist in der US-Patentanmeldung 11/056,062 beschrieben, die auf den Anmelder der vorliegenden Anmeldung übertragen wurde. Jede Leistungselektrode 32, 34 kann als eine Source- oder Drain-Elektrode in Abhängigkeit von der Richtung des Stromes dienen. Vorzugsweise hat die bidirektionale CSC 16 Kupfer-Höcker, Löt-Höcker oder dergleichen auf ihren Elektroden, um eine Drahtkontaktierung zu vermeiden. Es sei darauf hingewiesen, dass die Leistungselektroden 32, 34 gemäß einer bevorzugten Anordnung abwechselnd angeordnet sein können. Jede Leistungselektrode 32, 34 ist elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche 24 über eine Schicht aus einem leitenden Verbindungsmittel 28 gekoppelt. In ähnlicher Weise ist jede Gate-Elektrode 36, 38 (obwohl dies nicht gezeigt ist) elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche 34 gekoppelt.
  • Ein erstes Kühlkörper-Verbindungsstück 18 ist elektrisch und mechanisch mit der zweiten Leistungselektrode 40 des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils 12 über eine Schicht von leitendem Verbindungsmittel 28 verbunden (beispielsweise Lot oder leitendes Epoxy-Material), und schließt einen Vorsprung 41 ein, der elektrisch und mechanisch über eine Schicht aus leitendem Verbindungsmittel 28 mit einer leitenden Kontaktfläche 42 verbunden ist. Somit verbindet das erste Kühlkörper- Verbindungsstück 18 elektrisch die zweite Leistungselektrode 40 des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils 12 mit einer der Leistungselektrode (beispielsweise den Leistungselektroden 32) der bidirektionalen CSC 16. Beispielsweise ist die leitende Kontaktfläche 42 elektrisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche 24 verbunden, mit der eine Leistungselektrode (beispielsweise eine Leistungselektrode 32) elektrisch entweder über das Substrat 10 oder über eine Oberfläche hiervon über Kupfer-Leiterbahnen oder dergleichen verbunden ist. Das erste Kühlkörper-Verbindungsstück 18 ist vorzugsweise außerdem thermisch mit der Rückseite der bidirektionalen CSC 16 über einen thermisch leitenden Körper 44 verbunden.
  • Ein zweites Kühlkörper-Verbindungsstück 20 schließt ebenfalls einen Vorsprung 41 ein, der elektrisch und mechanisch mit einer leitenden Kontaktfläche 43 verbunden ist, wodurch die zweite Leistungselektrode 40 des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils 14 (die elektrisch und mechanisch mit dem zweiten Kühlkörper-Verbindungsstück 20 über eine leitende Verbindungsmaterial-Schicht 28 verbunden ist) elektrisch über die leitende Kontaktfläche 43 mit den anderen Leistungselektroden 34 der bidirektionalen CSC 16 in einer Weise verbunden, die ähnlich oder gleich der leitenden Kontaktfläche 43 ist. Es ist darauf hinzuweisen, dass das zweite Kühlkörper-Verbindungsstück 20 außerdem thermisch über eine Schicht 44 mit der Rückseite der bidirektionalen CSC 16 verbunden ist.
  • Das Substrat 10 schließt weiterhin eine Anzahl von Anschlüssen 48, 49, 50, 51, 52, 53 für externe Verbindungen ein. Jeder der Anschlüsse ist mit zumindest einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche 24, 42, 43 über ein (nicht gezeigtes) Verbindungselement oder eine Durchkontaktierung verbunden, die sich durch den Hauptteil des Substrates 10 erstreckt, wodurch die Bauteile im inneren der Baueinheit elektrisch mit einer anderen Schaltung auf der Unterseite des Substrates 10 verbunden werden können, wodurch die Grundfläche der Baueinheit verringert wird. So ist der Leistungsanschluss 48 mit einer leitenden Kontaktfläche 24 verbunden, die mit der ersten Leistungselektrode 26 des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils 12 verbunden ist, der Leistungsanschluss 50 ist elektrisch mit einer Kontaktfläche 42 verbunden und somit mit der zweiten Leistungselektrode des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils 12 verbunden (und mit einer Leistungselektrode, beispielsweise der Elektrode 32 der bidirektionalen CSC 16), und der Steueranschluss 52 ist elektrisch mit einer leitenden Kontaktfläche verbunden, die elektrisch und mechanisch mit der Steuerelektrode 30 des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils 12 verbunden ist. In ähnlicher Weise ist der Leistungsanschluss 49 mit einer leitenden Kontaktfläche 24 verbunden, die mit der ersten Leistungselektrode 26 des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils 14 verbunden ist, der Leistungsanschluss 51 ist elektrisch mit der Kontaktfläche 43 verbunden, und somit mit der zweiten Leistungselektrode des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils 14 (und einer Leistungselektrode, beispielsweise der Elektrode 34 der bidirektionalen CSC 16) verbunden, und der Steueranschluss 53 ist elektrisch mit einer leitenden Kontaktfläche verbunden, die elektrisch und mechanisch mit der Steuerelektrode 30 des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils 14 verbunden ist.
  • Bei einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung kapselt ein Formgehäuse 22 die bidirektionale CSC 16, die ersten und zweiten Leistungs-Bauteile 12 und 14 und die ersten und zweiten Kühlkörper-Verbindungsstücke 18, 20 ein.
  • Es ist darauf hinzuweisen, dass in vorteilhafter Weise die Halbleiter-Bauteile 12, 14, 16 ohne die Verwendung von Drahtkontaktierungen miteinander verbunden sind. Es ist weiterhin darauf hinzuweisen, dass Wärme von den Halbleiter-Bauteilen 12, 14, 16 von beiden Seiten der Bauteile aus abgeleitet wird, wodurch eine doppelseitige Kühlung erreicht wird.
  • Gemäß den 4 und 5 ist festzustellen, dass die Steuerelektrode 30 (beispielsweise die Gate-Elektrode), die erste Leistungselektrode 26 (beispielsweise die Gate-Source-Elektrode) und die zweite Leistungselektrode 40 (beispielsweise die Drain-Elektrode) jedes Leistungshalbleiter-Bauteils 12, 14 vorzugsweise lötbar gemacht ist, um eine Drahtkontakt-freie Verbindung zu ermöglichen. Ein Passivierungs-Körper 46, der vorzugsweise als eine Lötmaske wirkt, ist zwischen der ersten Leistungselektrode 26 und der Steuerelektrode 30 angeordnet, um einen Schutz für das Bauteil zu schaffen und einen Kurzschluss während des Zusammenbaus aufgrund des Kriechens von Lot oder dergleichen während des Aufschmelzlötens zu verhindern.
  • Gemäß den 7–10 wird eine Halbleiter-Baueinheit gemäß der vorliegenden Erfindung dadurch hergestellt, dass zunächst die ersten und zweiten Leistungshalbleiter-Bauteile 12, 14 und die bidirektionale CSC 16 elektrisch und mechanisch an den leitenden Kontaktflächen 24 des Substrats 12 angebracht werden, wie dies in den 7 und 8 gezeigt ist. Danach wird ein leitendes Verbindungsmittel 28 (beispielsweise Lot) auf die zweiten Leistungselektroden 40 der ersten und zweiten Leistungshalbleiter-Bauteile 12, 14 aufgebracht, wie dies in 9 gezeigt ist. Als nächstes werden Wärmeleitkörper 44 auf die Rückseite der bidirektionalen CSC 16 aufgebracht, wie dies in 10 gezeigt ist. Schließlich werden die ersten und zweiten Kühlkörper-Verbindungsstücke 18, 20 in der beschriebenen Weise befestigt, und ein Formgehäuse 22 wird für die Baugruppe vorgesehen.
  • Gemäß 11 können gemäß einer zweiten Ausführungsform die Kühlkörper-Verbindungsstücke 18, 20 Seite an Seite angeordnet sein, statt einander gegenüberliegend, um im Wesentlichen die gesamte Rückseite der bidirektionalen CSC 16 abzudecken.
  • Gemäß 12 können gemäß der zweiten Ausführungsform die Kühlkörper-Verbindungsstücke 18, 20 eine L-förmige Draufsicht-Konfiguration haben, um eine vergrößerte Wärmeableitungsfläche zu schaffen, während sie im Wesentlichen die gesamte Rückseite der bidirektionalen CSC 16 abdecken.
  • Gemäß 13 kann bei einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Teil des Formgehäuses 22 entfernt werden, um zumindest einen Teil der rückseitigen Oberfläche und vorzugsweise die gesamte rückseitige Oberfläche der ersten und zweiten Kühlkörper-Verbindungsstücke 18, 20 freizulegen.
  • Obwohl die vorliegende Erfindung anhand spezieller Ausführungsformen hiervon beschrieben wurde, sind viele andere Abänderungen und Modifikationen und andere Anwendungen für den Fachmann ersichtlich. Es wird daher bevorzugt, dass die vorliegende Erfindung nicht durch die hier vorliegende spezielle Beschreibung beschränkt ist, sondern lediglich durch die beigefügten Ansprüche.
  • Zusammenfassung:
  • Eine Halbleiter-Baueinheit schließt eine bidirektionale Verbund-Halbleiter-Komponente und zwei Leistungshalbleiter-Bauteile ein, die in einer Kaskoden-Konfiguration miteinander verbunden sind.

Claims (12)

  1. Halbleiter-Baueinheit mit: einem Substrat, das eine Anzahl von leitenden Kontaktflächen aufweist, die auf zumindest einer Hauptfläche des Substrats angeordnet sind; einer bidirektionalen Verbund-Halbleiter-Komponente, die zumindest eine erste Leistungselektrode, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit einer jeweiligen leitenden Kontaktfläche verbunden ist; einem ersten Leistungshalbleiter-Bauteil, das eine erste Leistungselektrode, die elektrisch mit der ersten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche verbunden ist; einem zweiten Leistungshalbleiter-Bauteil, das eine erste Leistungselektrode, die elektrisch mit der zweiten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbunden ist, und eine zweite Leistungselektrode aufweist, die elektrisch und mechanisch mit zumindest einer leitenden Kontaktfläche verbunden ist; wobei die bidirektionale Verbund-Halbleiter-Komponente, das erste Leistungshalbleiter-Bauteil und das zweite Leistungshalbleiter-Bauteil elektrisch innerhalb der Baueinheit in einer Kaskoden-Anordnung verbunden sind.
  2. Baueinheit nach Anspruch 1, bei der die ersten und zweiten Leistungshalbleiter-Bauteile Leistungs-MOSFETS sind und die bidirektionale Verbund-Leistungshalbleiter-Komponente ein Gruppe-III-Nitrid-basiertes bidirektionales Leistungshalbleiter-Bauteil ist.
  3. Baueinheit nach Anspruch 1, die weiterhin einen ersten Kühlkörper, der elektrisch die erste Leistungselektrode des ersten Leistungshalbleiter-Bauteils mit der ersten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbindet, und einen zweiten Kühlkörper umfasst, der elektrisch die erste Leistungselektrode des zweiten Leistungshalbleiter-Bauteils mit der zweiten Leistungselektrode der Verbund-Halbleiter-Komponente verbindet.
  4. Baueinheit nach Anspruch 3, bei der der erste Kühlkörper und der zweiten Kühlkörper thermisch mit der Verbund-Halbleiter-Komponente verbunden sind.
  5. Baueinheit nach Anspruch 4, die weiterhin ein Formgehäuse umfasst, das um die ersten und zweiten Halbleiter-Bauteile und die Verbund-Halbleiter-Komponente herum angeordnet ist.
  6. Baueinheit nach Anspruch 5, bei der die Kühlkörper durch das Formgehäuse hindurch frei liegen.
  7. Baueinheit nach Anspruch 5, bei der die Kühlkörper in dem Formgehäuse eingekapselt sind.
  8. Halbleiter-Baueinheit mit: einer Multi-Chip-Schaltung, die eine bidirektionale Verbund-Halbleiter-Komponente, ein erstes Leistungshalbleiter-Bauteil und ein zweites Leistungshalbleiter-Bauteil einschließt, die ohne Drahtkontaktierungen in einer Kaskoden-Konfiguration miteinander verbunden sind.
  9. Baueinheit nach Anspruch 8, die weiterhin zumindest einen Kühlkörper umfasst, der thermisch mit der Verbund-Halbleiter-Komponente gekoppelt ist und elektrisch zumindest eines der Leistungshalbleiter-Bauteile mit der Verbund-Halbleiter-Komponente verbindet.
  10. Baueinheit nach Anspruch 9, die weiterhin ein Formgehäuse umfasst.
  11. Baueinheit nach Anspruch 10, bei der das Formgehäuse den Kühlkörper einkapselt.
  12. Baueinheit nach Anspruch 10, bei der der Kühlkörper durch das Formgehäuse hindurch freigelegt ist.
DE112006002488.4T 2005-09-21 2006-09-21 Halbleiter-Baueinheit Expired - Fee Related DE112006002488B4 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US71924205P 2005-09-21 2005-09-21
US60/719,242 2005-09-21
PCT/US2006/036797 WO2007035862A2 (en) 2005-09-21 2006-09-21 Semiconductor package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE112006002488T5 true DE112006002488T5 (de) 2008-07-17
DE112006002488B4 DE112006002488B4 (de) 2014-05-28

Family

ID=37889531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE112006002488.4T Expired - Fee Related DE112006002488B4 (de) 2005-09-21 2006-09-21 Halbleiter-Baueinheit

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7304372B2 (de)
JP (1) JP5558714B2 (de)
DE (1) DE112006002488B4 (de)
TW (1) TWI372450B (de)
WO (1) WO2007035862A2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011000120B4 (de) * 2010-01-28 2021-04-15 Infineon Technologies Ag Elektronische lichtemittierende Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102014117523B4 (de) 2013-12-06 2023-02-02 Infineon Technologies Austria Ag Elektronische Vorrichtung

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7804131B2 (en) * 2006-04-28 2010-09-28 International Rectifier Corporation Multi-chip module
DE102007007142B4 (de) * 2007-02-09 2008-11-13 Infineon Technologies Ag Nutzen, Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu deren Herstellung
US20110134607A1 (en) * 2009-12-07 2011-06-09 Schnetker Ted R Solid state switch arrangement
US8853707B2 (en) * 2011-05-04 2014-10-07 International Rectifier Corporation High voltage cascoded III-nitride rectifier package with etched leadframe
US8853706B2 (en) 2011-05-04 2014-10-07 International Rectifier Corporation High voltage cascoded III-nitride rectifier package with stamped leadframe
US8546849B2 (en) * 2011-05-04 2013-10-01 International Rectifier Corporation High voltage cascoded III-nitride rectifier package utilizing clips on package surface
US8698293B2 (en) * 2012-05-25 2014-04-15 Infineon Technologies Ag Multi-chip package and method of manufacturing thereof
US9576887B2 (en) * 2012-10-18 2017-02-21 Infineon Technologies Americas Corp. Semiconductor package including conductive carrier coupled power switches
US9171837B2 (en) 2012-12-17 2015-10-27 Nxp B.V. Cascode circuit
US9202811B2 (en) * 2012-12-18 2015-12-01 Infineon Technologies Americas Corp. Cascode circuit integration of group III-N and group IV devices
US9870978B2 (en) * 2013-02-28 2018-01-16 Altera Corporation Heat spreading in molded semiconductor packages
JP6211829B2 (ja) 2013-06-25 2017-10-11 株式会社東芝 半導体装置
US9443787B2 (en) 2013-08-09 2016-09-13 Infineon Technologies Austria Ag Electronic component and method
US9653386B2 (en) * 2014-10-16 2017-05-16 Infineon Technologies Americas Corp. Compact multi-die power semiconductor package
KR20150108685A (ko) * 2014-03-18 2015-09-30 삼성전기주식회사 반도체모듈 패키지 및 그 제조 방법
JP2016099127A (ja) * 2014-11-18 2016-05-30 富士電機株式会社 パワー半導体モジュールの製造方法及びその中間組立ユニット
US10490478B2 (en) 2016-07-12 2019-11-26 Industrial Technology Research Institute Chip packaging and composite system board
CN106505058A (zh) * 2016-12-05 2017-03-15 嘉盛半导体(苏州)有限公司 半导体多芯片模块系统
KR102153159B1 (ko) * 2017-06-12 2020-09-08 매그나칩 반도체 유한회사 전력 반도체의 멀티칩 패키지
US20200168533A1 (en) * 2018-11-26 2020-05-28 Texas Instruments Incorporated Multi-die package with multiple heat channels
US11948855B1 (en) 2019-09-27 2024-04-02 Rockwell Collins, Inc. Integrated circuit (IC) package with cantilever multi-chip module (MCM) heat spreader
CN115548014B (zh) * 2021-05-25 2023-12-29 英诺赛科(苏州)科技有限公司 氮化物基双向切换器件和其制造方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS564275A (en) * 1979-06-25 1981-01-17 Fujitsu Ltd Semiconductor device
CH668667A5 (de) * 1985-11-15 1989-01-13 Bbc Brown Boveri & Cie Leistungshalbleitermodul.
JPS62119471A (ja) * 1985-11-20 1987-05-30 Fujitsu Ltd 双方向トランジスタのシミユレーシヨンモデル化方式
US5077595A (en) * 1990-01-25 1991-12-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor device
US5382916A (en) * 1991-10-30 1995-01-17 Harris Corporation Differential voltage follower
JPH06112744A (ja) * 1992-09-30 1994-04-22 Nec Ic Microcomput Syst Ltd 利得制御増幅器
US5446300A (en) * 1992-11-04 1995-08-29 North American Philips Corporation Semiconductor device configuration with multiple HV-LDMOS transistors and a floating well circuit
US5532512A (en) * 1994-10-03 1996-07-02 General Electric Company Direct stacked and flip chip power semiconductor device structures
JPH09162399A (ja) * 1995-12-12 1997-06-20 Toshiba Corp 半導体装置
JPH09283756A (ja) * 1996-04-18 1997-10-31 Toyota Autom Loom Works Ltd アナログスイッチ
JPH10117139A (ja) * 1996-10-09 1998-05-06 Fujitsu Ltd 半導体論理回路
WO2000028664A2 (en) * 1998-11-12 2000-05-18 Broadcom Corporation Fully integrated tuner architecture
JP3259703B2 (ja) * 1998-12-28 2002-02-25 日本電気株式会社 マイクロ波増幅回路
JP2000307413A (ja) * 1999-04-19 2000-11-02 Sony Corp 電圧変換回路及び通信回路網
JP3851760B2 (ja) * 2000-07-04 2006-11-29 松下電器産業株式会社 半導体装置、その実装方法、電子回路装置の製造方法及び該製造方法により製造された電子回路装置
US6858922B2 (en) * 2001-01-19 2005-02-22 International Rectifier Corporation Back-to-back connected power semiconductor device package
JP3616343B2 (ja) * 2001-03-27 2005-02-02 松下電器産業株式会社 高周波スイッチ回路およびそれを用いた通信端末装置
JP4031971B2 (ja) * 2001-12-27 2008-01-09 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 パワーモジュール
US6686656B1 (en) * 2003-01-13 2004-02-03 Kingston Technology Corporation Integrated multi-chip chip scale package
JP2005011986A (ja) * 2003-06-19 2005-01-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置
JP4559777B2 (ja) * 2003-06-26 2010-10-13 株式会社東芝 半導体装置及びその製造方法
US7465997B2 (en) * 2004-02-12 2008-12-16 International Rectifier Corporation III-nitride bidirectional switch

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102011000120B4 (de) * 2010-01-28 2021-04-15 Infineon Technologies Ag Elektronische lichtemittierende Anordnung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102014117523B4 (de) 2013-12-06 2023-02-02 Infineon Technologies Austria Ag Elektronische Vorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
TWI372450B (en) 2012-09-11
US20070063216A1 (en) 2007-03-22
JP2009512999A (ja) 2009-03-26
DE112006002488B4 (de) 2014-05-28
US7304372B2 (en) 2007-12-04
WO2007035862A3 (en) 2009-04-30
JP5558714B2 (ja) 2014-07-23
TW200717728A (en) 2007-05-01
WO2007035862A2 (en) 2007-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE112006002488B4 (de) Halbleiter-Baueinheit
DE102014117086B4 (de) Elektronisches Bauteil mit elektronischem Chip zwischen Umverteilungsstruktur und Montagestruktur
DE102008051965B4 (de) Bauelement mit mehreren Halbleiterchips
DE102012200329B4 (de) Halbleiteranordnung mit einem Heatspreader und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE112008001657T5 (de) Integriertes Leistungsbauelementgehäuse und Modul mit zweiseitiger Kühlung und Verfahren zur Herstellung
DE102015122259B4 (de) Halbleitervorrichtungen mit einer porösen Isolationsschicht
DE112007000994T5 (de) Halbleiterplättchengehäuse einschließlich mehrerer Plättchen und einer gemeinsamen Verbindungsstruktur
DE102011077543A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102011085282A1 (de) Korrosionsgeschütztes Halbleitermodul und Verfahren zur Herstellung eines korrosionsgeschützten Halbleitermoduls
DE10393769B4 (de) Halbleiterbauelement mit Klemmen zum Verbinden mit externen Elementen
DE102017100947B4 (de) Elektronische Komponente und Schaltkreis
DE112007000919T5 (de) Gemeinsames Gehäuse für eine hohe Leistungsdichte aufweisende Bauteile, insbesondere für IGBTs und Dioden, mit niedriger Induktivität und drahtfreien Bond-Verbindungen
DE112007001992T5 (de) Halbleiterchip-Package mit gestapelten Chips und Wärmesenkenaufbauten
DE102012200863A1 (de) Halbleitervorrichtung mit Grundplatte
DE102014102364A1 (de) Mehrchipbaugruppe mit getrennten zwischenverbindungen zwischen chips
DE102014118080A1 (de) Wärmespreizer, elektronisches Modul mit einem Wärmespreizer und Verfahren zur Herstellung davon
DE102014101591A1 (de) Leistungstransistoranordnung und damit versehene Baugruppe
DE112019003336T5 (de) Halbleitervorrichtung
DE102014105462A1 (de) Halbleiterleistungsbauelement mit einer wärmesenke
DE112006000568T5 (de) Leistungshalbleiterbaugruppe
DE102020109692A1 (de) Quad-gehäuse mit an anschlüssen an der oberseite eines halbleiterchips angebrachten leitenden clips
DE102015104996A1 (de) Halbleitervorrichtungen mit Steuer- und Lastleitungen von entgegengesetzter Richtung
DE102009030325B4 (de) Halbleiterchipbaugruppe
WO2018202509A1 (de) Halbleitermodul
DE19902462B4 (de) Halbleiterbauelement mit Chip-on-Chip-Aufbau

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 25/18 AFI20060921BHDE

R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R020 Patent grant now final

Effective date: 20150303

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AMERICAS CORP., EL SEGUN, US

Free format text: FORMER OWNER: INTERNATIONAL RECTIFIER CORP., EL SEGUNDO, CALIF., US

R082 Change of representative

Representative=s name: DR. WEITZEL & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWAEL, DE

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee