JP2009117819A5 - - Google Patents

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  1. 素子搭載領域と、複数のアウターリードを有するアウターリード部と、複数のインナーリードを有し、前記インナーリードの少なくとも一部が前記素子搭載領域内を引き回されているインナーリード部と、前記素子搭載領域の少なくとも一部に位置する前記インナーリードの間隙に充填された絶縁樹脂とを備える回路基材と、
    前記回路基材の第1の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する少なくとも一つの第1の半導体素子を備える第1の素子群と、
    前記回路基材の第2の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する少なくとも一つの第2の半導体素子を備える第2の素子群と、
    前記第1の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第1の金属ワイヤと、
    前記第2の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第2の金属ワイヤと、
    前記第1および第2の素子群を前記第1および第2の金属ワイヤと共に封止する樹脂封止部とを具備し、
    前記アウターリード部は、第1のアウターリードを有する第1のアウターリード部と、前記第1のアウターリードと前記素子搭載領域を介して対向配置された第2のアウターリードを有する第2のアウターリード部とを備え、かつ前記インナーリード部は前記第1のアウターリードに接続された第1のインナーリードと、前記第2のアウターリードに接続された第2のインナーリードとを有し、前記第1および第2のインナーリードの少なくとも一方が前記素子搭載領域内を引き回されており、
    前記回路基材は、前記素子搭載領域内の前記インナーリードを有する部分以外の部分に設けられた素子支持部をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
  2. 素子搭載領域と、複数のアウターリードを有するアウターリード部と、複数のインナーリードを有し、前記インナーリードの少なくとも一部が前記素子搭載領域内を引き回されているインナーリード部と、前記素子搭載領域の少なくとも一部に位置する前記インナーリードの間隙に充填された絶縁樹脂とを備える回路基材と、
    前記回路基材の第1の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する少なくとも一つの第1の半導体素子を備える第1の素子群と、
    前記回路基材の第2の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する少なくとも一つの第2の半導体素子を備える第2の素子群と、
    前記第1の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第1の金属ワイヤと、
    前記第2の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第2の金属ワイヤと、
    前記第1および第2の素子群を前記第1および第2の金属ワイヤと共に封止する樹脂封止部と
    を具備することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項記載の半導体装置において、
    前記アウターリード部は、第1のアウターリードを有する第1のアウターリード部と、前記第1のアウターリードと前記素子搭載領域を介して対向配置された第2のアウターリードを有する第2のアウターリード部とを備え、かつ前記インナーリード部は前記第1のアウターリードに接続された第1のインナーリードと、前記第2のアウターリードに接続された第2のインナーリードとを有し、前記第1および第2のインナーリードの少なくとも一方が前記素子搭載領域内を引き回されていることを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項記載の半導体装置において、
    前記第1の半導体素子は前記第2の半導体素子より小さい外形を有し、前記絶縁樹脂は少なくとも前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが重なる領域に位置する前記インナーリードの間隙に充填されていることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項2または請求項4記載の半導体装置において、
    前記回路基材は、前記素子搭載領域内の前記インナーリードを有する部分以外の部分に設けられた素子支持部をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
  6. 素子搭載領域と、複数のアウターリードを有するアウターリード部と、前記複数のアウターリードに接続された複数のインナーリードを有し、前記インナーリードの少なくとも一部が前記素子搭載領域内を引き回されているインナーリード部と、前記素子搭載領域内に位置する前記インナーリードの間隙に充填された絶縁樹脂とを備える回路基材と、
    前記回路基材の第1の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する複数の第1の半導体素子を備える第1の素子群と、
    前記回路基材の第2の面側の前記素子搭載領域に搭載され、電極パッドを有する複数の第2の半導体素子を備える第2の素子群と、
    前記第1の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第1の金属ワイヤと、
    前記第2の半導体素子の前記電極パッドと前記回路基材の前記インナーリードとを電気的に接続する第2の金属ワイヤと、
    前記第1および第2の素子群を前記第1および第2の金属ワイヤと共に封止する樹脂封止部と
    を具備することを特徴とする半導体装置。
  7. 素子搭載領域と、
    複数のアウターリードを有するアウターリード部と、
    複数のインナーリードを有し、前記インナーリードの少なくとも一部が前記素子搭載領域内を引き回されているインナーリード部と、
    前記素子搭載領域の少なくとも一部に位置する前記インナーリードの間隙に充填された絶縁樹脂と
    を具備することを特徴とするリードフレーム。
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