JP2014515187A5 - - Google Patents
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 35
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 35
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 16
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000002093 peripheral Effects 0.000 claims 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000001808 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 1
Claims (15)
- パッケージされた半導体デバイスであって、
能動回路要素を含む頂部側と底部側とを有する基板と、前記基板の前記底部側の少なくとも1つの裏側金属層とを含む半導体ダイであって、前記裏側金属層が前記半導体ダイの前記底部側に直接的に取り付けられ、前記裏側金属層の或るエリアが前記半導体ダイの前記底部側の或るエリアに整合する、前記半導体ダイと、
モールディング材料内に封止されるダイパッドと複数のリードとを有する、前記モールディング材料を含むパッケージであって、前記複数のリードが、ボンディング部を含む露出された部分を含む、前記パッケージと、
前記半導体ダイの前記頂部側のパッドを前記複数のリードに結合するボンドワイヤと、
を含み、
前記半導体ダイの前記頂部側が前記ダイパッドに取り付けられ、
前記パッケージが、前記パッケージの底部表面に沿って前記裏側金属層を露出させるギャップを含み、
前記ボンディング部と、前記パッケージの前記底部表面に沿った前記モールディング材料と、前記裏側金属層とが、互いに全て実質的に平坦である、デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記露出された部分が、前記モールディング材料を越えて横方向に伸張し、前記モールディング材料を越えて曲げられ、前記ボンディング部が末端フットを含む、デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記複数のリードが、前記モールディング材料を越えて伸張しない複数の周辺終端リードを含み、前記複数の周辺終端リードが前記ボンディング部を提供する、デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記裏側金属層が銅を含む、デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記裏側金属層が、前記半導体ダイの前記底部側の第1の金属層と、前記第1の金属層上の前記第1の金属層とは異なる少なくとも第2の金属層とを含む、デバイス。 - 請求項5に記載のデバイスであって、
前記第1の金属層がチタンを含む、デバイス。 - 請求項5に記載のデバイスであって、
前記第1の金属層又は前記第2の金属層がニッケルを含む、デバイス。 - 請求項5に記載のデバイスであって、
前記第1の金属層がチタンを含み、前記第2の金属層がニッケルを含み、金又は銀を含む前記第2の金属層上の第3の金属層を更に含む、デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記パッケージの前記底部表面に沿う前記モールディング材料が全面平坦である、デバイス。 - 電子的アッセンブリであって、
パッケージされた半導体デバイスであって、
側能動回路要素を含む頂部側と底部側とを有する基板と、前記基板の前記底部側の少なくとも1つの裏側金属層とを含む半導体ダイであって、前記裏側金属層が前記半導体ダイの前記底部側に直接的に取り付けられ、前記裏側金属層の或るエリアが前記半導体ダイの前記底部側の或るエリアに整合する、前記半導体ダイと、
モールディング材料を含むパッケージであって、前記パッケージが、前記モールディング材料内に封止される、ダイパッドと複数のリードとを有し、前記複数のリードが、ボンディング部を含む露出された部分を含む、前記パッケージと、
前記半導体ダイの前記頂部側のパッドを前記複数のリードに結合するボンドワイヤと、
を含み、
前記半導体ダイの前記頂部側が前記ダイパッドに取り付けられ、
前記パッケージが、前記パッケージの底部表面に沿って前記裏側金属層を露出させるギャップを含み、
前記ボンディング部と、前記パッケージの前記底部表面に沿った前記モールディング材料と、前記裏側金属層とが、互いに全て実質的に平坦である、
前記パッケージされた半導体デバイスと、
複数の表面パッドを含む印刷回路基板(PCB)と、
前記裏側金属層と前記複数のリードの前記ボンディング部とから前記PCB上の前記複数の表面パッドの各々へのダイレクトはんだ接続と、
を含む、アッセンブリ。 - 請求項10に記載の電子的アッセンブリであって、
前記PCBが多層PCBを含む、アッセンブリ。 - 電子的アッセンブリを形成する方法であって、
パッケージされた半導体デバイスを提供することであって、前記パッケージされた半導体デバイスが、
能動回路要素を含む頂部側と底部側とを有する基板と、前記基板の前記底部側の少なくとも1つの裏側金属層とを含む、半導体ダイであって、前記裏側金属層が前記半導体ダイの前記底部側に直接的に取り付けられ、前記裏側金属層の或るエリアが前記半導体ダイの前記底部側の或るエリアに整合する、前記半導体ダイと、
モールディング材料を含むパッケージであって、前記パッケージが、前記モールディング材料内に封止される、ダイパッドと複数のリードとを有し、前記複数のリードが、露出された部分を含むボンディング部を含む、前記パッケージと、
前記半導体ダイの前記頂部側のパッドを前記複数のリードに結合するボンドワイヤと、
を含み、
前記半導体ダイの前記底部側が前記ダイパッドに取り付けられ、
前記パッケージが、前記パッケージの底部表面に沿って前記裏側金属層を露出させるギャップを含み、
前記ボンディング部と、前記パッケージの前記底部表面に沿った前記モールディング材料と、前記裏側金属層とが、互いに全て実質的に平坦である、前記パッケージされた半導体デバイスを提供することと、
複数の表面パッドを含む印刷回路基板(PCB)に前記パッケージされた半導体デバイスを直接的にはんだ付けすることであって、前記裏側金属層と前記複数のリードの前記ボンディング部とが前記PCB上の前記複数の基板パッドの各々にはんだ付けされる、前記パッケージされた半導体デバイスを直接的にはんだ付けすることと、
を含む、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記露出された部分が、前記モールディング材料を越えて横方向に伸張し、前記モールディング材料を越えて曲げられ、前記ボンディング部が末端フットを含む、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記複数のリードが、前記モールディング材料を越えて伸張しない複数の周辺終端リードを含み、前記複数の周辺終端リードが前記ボンディング部を提供する、方法。 - 請求項12に記載の方法であって、
前記裏側金属層が、前記半導体ダイの前記底部側の第1の金属層と、前記第1の金属層上の前記第1の金属層とは異なる少なくとも第2の金属層とを含む、方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/080,320 US8304871B2 (en) | 2011-04-05 | 2011-04-05 | Exposed die package for direct surface mounting |
US13/080,320 | 2011-04-05 | ||
PCT/US2012/032334 WO2012138868A2 (en) | 2011-04-05 | 2012-04-05 | Exposed die package for direct surface mounting |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014515187A JP2014515187A (ja) | 2014-06-26 |
JP2014515187A5 true JP2014515187A5 (ja) | 2015-05-21 |
Family
ID=46965457
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014503986A Pending JP2014515187A (ja) | 2011-04-05 | 2012-04-05 | ダイレクト表面実装のための露出されたダイパッケージ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8304871B2 (ja) |
EP (1) | EP2727135A4 (ja) |
JP (1) | JP2014515187A (ja) |
CN (1) | CN103703549A (ja) |
WO (1) | WO2012138868A2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5714916B2 (ja) * | 2011-01-12 | 2015-05-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
WO2013175714A1 (ja) * | 2012-05-22 | 2013-11-28 | パナソニック株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE102013010843A1 (de) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | Wabco Gmbh | Elektrisches Steuergerät |
US9490173B2 (en) * | 2013-10-30 | 2016-11-08 | Infineon Technologies Ag | Method for processing wafer |
US9287227B2 (en) | 2013-11-29 | 2016-03-15 | STMicroelectronics (Shenzhen) R&D Co. Ltd | Electronic device with first and second contact pads and related methods |
US9431319B2 (en) * | 2014-08-01 | 2016-08-30 | Linear Technology Corporation | Exposed, solderable heat spreader for integrated circuit packages |
CN104600047B (zh) * | 2014-12-26 | 2017-11-14 | 珠海格力电器股份有限公司 | 功率模块及其封装方法 |
US9461005B2 (en) * | 2015-02-12 | 2016-10-04 | Ampleon Netherlands B.V. | RF package with non-gaseous dielectric material |
DE102016117826B4 (de) * | 2016-09-21 | 2023-10-19 | Infineon Technologies Ag | Elektronikmodul und herstellungsverfahren dafür |
US10262926B2 (en) * | 2016-10-05 | 2019-04-16 | Nexperia B.V. | Reversible semiconductor die |
IT201700055921A1 (it) * | 2017-05-23 | 2018-11-23 | St Microelectronics Srl | Dispositivo a semiconduttore, circuito e procedimento corrispondenti |
DE102017120747B4 (de) * | 2017-09-08 | 2020-07-30 | Infineon Technologies Austria Ag | SMD-Gehäuse mit Oberseitenkühlung und Verfahren zu seiner Bereitstellung |
KR102468765B1 (ko) | 2017-11-29 | 2022-11-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 구조체 및 이를 포함하는 반도체 모듈 |
JP2019161105A (ja) * | 2018-03-15 | 2019-09-19 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置 |
CN110752191B (zh) * | 2019-10-29 | 2022-02-01 | 维沃移动通信有限公司 | 器件封装模块、器件封装模块的制备方法及电子设备 |
US11302615B2 (en) | 2019-12-30 | 2022-04-12 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package with isolated heat spreader |
US11562949B2 (en) | 2020-06-17 | 2023-01-24 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor package including undermounted die with exposed backside metal |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58101432A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Hitachi Ltd | 半導体ペレツトの裏面電極構造 |
JPS6064457A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
US5293301A (en) * | 1990-11-30 | 1994-03-08 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Semiconductor device and lead frame used therein |
US5177669A (en) * | 1992-03-02 | 1993-01-05 | Motorola, Inc. | Molded ring integrated circuit package |
JPH05315526A (ja) * | 1992-05-08 | 1993-11-26 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JPH0677358A (ja) * | 1992-08-28 | 1994-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 超薄形面実装形パッケージ |
JP2551349B2 (ja) * | 1993-08-25 | 1996-11-06 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2556294B2 (ja) * | 1994-05-19 | 1996-11-20 | 日本電気株式会社 | 樹脂封止型半導体装置 |
US5604376A (en) | 1994-06-30 | 1997-02-18 | Digital Equipment Corporation | Paddleless molded plastic semiconductor chip package |
US5625226A (en) * | 1994-09-19 | 1997-04-29 | International Rectifier Corporation | Surface mount package with improved heat transfer |
US6208513B1 (en) * | 1995-01-17 | 2001-03-27 | Compaq Computer Corporation | Independently mounted cooling fins for a low-stress semiconductor package |
US5869883A (en) * | 1997-09-26 | 1999-02-09 | Stanley Wang, President Pantronix Corp. | Packaging of semiconductor circuit in pre-molded plastic package |
JP3871486B2 (ja) * | 1999-02-17 | 2007-01-24 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US6256200B1 (en) * | 1999-05-27 | 2001-07-03 | Allen K. Lam | Symmetrical package for semiconductor die |
US6208519B1 (en) * | 1999-08-31 | 2001-03-27 | Micron Technology, Inc. | Thermally enhanced semiconductor package |
US6198171B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-03-06 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Thermally enhanced quad flat non-lead package of semiconductor |
US6559525B2 (en) * | 2000-01-13 | 2003-05-06 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Semiconductor package having heat sink at the outer surface |
TW523887B (en) * | 2001-11-15 | 2003-03-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor packaged device and its manufacturing method |
US6835592B2 (en) * | 2002-05-24 | 2004-12-28 | Micron Technology, Inc. | Methods for molding a semiconductor die package with enhanced thermal conductivity |
TW556469B (en) * | 2002-08-20 | 2003-10-01 | Via Tech Inc | IC package with an implanted heat-dissipation fin |
US6841858B2 (en) * | 2002-09-27 | 2005-01-11 | St Assembly Test Services Pte Ltd. | Leadframe for die stacking applications and related die stacking concepts |
JP3740116B2 (ja) * | 2002-11-11 | 2006-02-01 | 三菱電機株式会社 | モールド樹脂封止型パワー半導体装置及びその製造方法 |
US7315077B2 (en) * | 2003-11-13 | 2008-01-01 | Fairchild Korea Semiconductor, Ltd. | Molded leadless package having a partially exposed lead frame pad |
US7745927B2 (en) | 2004-06-29 | 2010-06-29 | Agere Systems Inc. | Heat sink formed of multiple metal layers on backside of integrated circuit die |
TWI244185B (en) * | 2004-06-30 | 2005-11-21 | Advanced Semiconductor Eng | Quad flat non leaded package |
US7256482B2 (en) * | 2004-08-12 | 2007-08-14 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit chip packaging assembly |
US7554179B2 (en) * | 2005-02-08 | 2009-06-30 | Stats Chippac Ltd. | Multi-leadframe semiconductor package and method of manufacture |
US7468548B2 (en) * | 2005-12-09 | 2008-12-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Thermal enhanced upper and dual heat sink exposed molded leadless package |
US7598603B2 (en) * | 2006-03-15 | 2009-10-06 | Infineon Technologies Ag | Electronic component having a power switch with an anode thereof mounted on a die attach region of a heat sink |
US20080290482A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-11-27 | National Semiconductor Corporation | Method of packaging integrated circuits |
US7851908B2 (en) * | 2007-06-27 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device |
US20090026619A1 (en) | 2007-07-24 | 2009-01-29 | Northrop Grumman Space & Mission Systems Corp. | Method for Backside Metallization for Semiconductor Substrate |
US8018050B2 (en) * | 2007-11-01 | 2011-09-13 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit package with integrated heat sink |
US8354740B2 (en) * | 2008-12-01 | 2013-01-15 | Alpha & Omega Semiconductor, Inc. | Top-side cooled semiconductor package with stacked interconnection plates and method |
-
2011
- 2011-04-05 US US13/080,320 patent/US8304871B2/en active Active
-
2012
- 2012-04-05 WO PCT/US2012/032334 patent/WO2012138868A2/en active Application Filing
- 2012-04-05 EP EP12767538.7A patent/EP2727135A4/en not_active Withdrawn
- 2012-04-05 CN CN201280027904.2A patent/CN103703549A/zh active Pending
- 2012-04-05 JP JP2014503986A patent/JP2014515187A/ja active Pending
- 2012-10-05 US US13/646,199 patent/US8470644B2/en active Active
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