JPS58101432A - 半導体ペレツトの裏面電極構造 - Google Patents

半導体ペレツトの裏面電極構造

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JPS58101432A
JPS58101432A JP19859681A JP19859681A JPS58101432A JP S58101432 A JPS58101432 A JP S58101432A JP 19859681 A JP19859681 A JP 19859681A JP 19859681 A JP19859681 A JP 19859681A JP S58101432 A JPS58101432 A JP S58101432A
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JP
Japan
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solder
semiconductor pellet
pellet
layer
electrode structure
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JP19859681A
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Tatsuo Itagaki
板垣　達夫
Toru Kawanobe
川野辺　徹
Shinobu Tokuhara
徳原　忍
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Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本実−は半導体ベレットの裏面電極構造に関する。
従来、シリ；ン（８轟）よりなる半導体ペレットを基１
［Ｋボンディングする万機としては、纂ｌ閣（Ａ）　Ｋ
示すように半導体ベレット３をはんだろ５Ｓにより基１
１ｉｌのめりきｌＩ２上にプンディングするものがある
。この場合、ベレット裏側に裏藺電１ｉ４を形成する必
要がある。
このような層間電極としてはＩｇｌｍｌｌ（Ｂ）Ｋ示す
よ５に、ベレット３の裏園儒から、アルオニりム（ＡＪ
　）　、りｏ−ム（Ｃｒ）の如きＩ１１金属層６．ニッ
ケル（Ｎ１）よりなる纂２金属層７、および金（ムＵ）
や鎖（ム１Ｋ）等のＩＩ３金属層（最外層）８かもなる
ものが提案されている。
しかしながら、Ａｕ、ムｇは貴金属であり、材料費が高
いという問題があった。また高個なため膜厚を薄くする
と、はんだとの濡れ性が劣化するという問題があった。
本実−の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、低コス
トで確実なｌンディングを行５ことのできる半導体ペレ
ットの裏面電極構造を提供すｔことにある。
二〇−的を達成するため、本発明は真菌電極の最外層と
して、はんだとの■れ性が良く、しかも１１：Ｉストの
はんだ層を用いるものである。
以下、本発−を一一に示す実施例にしたがって靜麟Ｋ１
１−する。
露１１１　（Ａ）は本実−の一実施例を示すものである
。８４よりなる半導体ベレット３の裏側にチタン（Ｔｉ
　）ｓ　Ｃｒ、　ｊＬＪ４Ｆの８星と付着性のよいａｌ
ｌ金属＠Ｉ）を形威する。続いて、Ｎｉ、ＣｕのようＫ
はんだのぬれのよいＨｚ金属ｌｌ１１０ｔ−形成する。
続いて、はんだ膜１１ｖ影威する。これらｖ）３層の３
Ｉ９，１０．１１を同一真空装置内で連続して形威し、
膜−■の間が剥離しないようにする。たとえばｌ［１金
属膜９としてＴＩ、第２食属膜１０として帽を層いた場
合の膜厚め例は次の通りでｊ）ゐ・すなわち、Ｔ１はＯ
１冨μ票、Ｎ１は０．１．＃ｌｌｌ、はんだは０．６μ
諷雫ある。はんだ中のすず（Ｉ５！ｌ）のいとａｍが酸
化変質し易い、はんだ膜１１の蒸着は一つの蒸発源から
でも二つの蒸発源からでもよいが、８１儒に鉛（Ｐｂ　
）が多く、反対側すなわち外側（大気との接触側）Ｋｉ
ｎが多くなるように行なう。
第２１１ＣＢ）は他の１ＩＩＩＩＡ例を示すものである
。半導体ペレット３の裏側に、Ｎ１ｊ１２を形成する。
続いて、はんだ膜１１を同一真空装置内で形成する。こ
の場合、８１とＮｉが反応しＮｉ、８１％−形成し易い
ので、蒸着温度は１５０℃以下とし、Ｎｉはんだ２層電
極を形成した後もたとえば３５０℃以上で１時間のよう
な熱ｌ６１Ｉは避ける。
本ｌＩ！麹例の裏面電極構造においては、高価なＡｕ。
ムｇを使用しなくてすむため、安定した低コストの半導
体装置を製作できる。これはペレット裏面のＰ　ｂ　／
　８　ｎはんだがベレッＦボンディング温度を３３０℃
にすると＊鱗し【、ペレットボンデ（ング用に供給した
けんだにぬれ易くなること、および耐酸化性の８ｎが裏
面電極の外藺儒すなわち大気との接触側に多いため裏ｌ
電極が愛質しにくいことのためである。
以上ｌｌ鴫したよ５に、本発Ｗ１４によれば、低コスト
で確実なペレットボンデ（ングを行うことが可能であゐ
。
【図面の簡単な説明】
１１１１ｍ（ム）ははんだろ５を用いてベレットボンデ
ィンダすゐ場合の例を示す部分断ｌｌ１ｌｌ、第１１１
（ＩＩ）はｌｌ来の裏藺電極の一例を示す断Ｉ［１ｌｌ
ｌ、第８■（ム）は本発−の一実施例を示す断−閣、第
鵞閣（Ｂ）ｖｔ１本発の倫の１つの実施例を示す断ｌ閣
であ−０ ３・・・半導体ベレット、９・・・第１金属属、１Ｇ・
・・第８金属属、１１・・・はんだ膜、１２・・・ニッ
ケル属。 第　　１　　図 （５’） ＜Ａ） と５２

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、半導体ベレットの畠藺電極の最外層をはんだ層とし
    たことを轡黴とする半導体ベレットの裏■電極構造。 １　はんだ層は、半導体ベレットとの鎖着性の良いＩＮ
    １金属層およびはんだとの瀾れの良いＩＩ２食属層を介
    して半導体ベレットの裏■に被着されていることを特徴
    とする特許−求のＩＩｓ第１項記載の半導体ベレットの
    裏面電極構造。 ３、はんだ層は、ニッケル層を介して半導体ベレットの
    裏１ｍＫ曽着されていることを４１１徽とする特許請求
    の範−１１１項記載の半導体ベレットの裏爾電極榔造。 ４、はんだ層は、大気との接触側にすず（８ｎ）が多く
    分布するようＫなっていることを４１１像とする特許請
    求の範囲１１１項記載２項または第３項のいずれかに記
    載の半導体ベレットの裏ｌ電極構造。
JP19859681A 1981-12-11 1981-12-11 半導体ペレツトの裏面電極構造 Pending JPS58101432A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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