JP2006332435A - サブマウント、半導体レーザ装置およびその製造方法、ホログラムレーザ装置、並びに光ピックアップ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 この発明のサブマウントは、Siを主材料とした基板1,2と、基板表面1aのうち、半導体レーザチップが上方に搭載されるべき領域に不純物を拡散して形成された不純物拡散層4,5とを備える。不純物拡散層5上にTiW層7、Pt層11、Au層8およびAuSn層9が順に積層されている。TiW層7は、不純物拡散層4,5とAu層8、AuSn層9との間の元素の拡散を防止する。Pt層11の厚さは、図示しない半導体レーザチップの下面に設けられたAu電極層の厚さ、Au層8の厚さ、AuSn層9の厚さおよび組成比に応じて、その半導体レーザチップを接合するためのAuSn層9の溶融時にPt層11が残存するように設定されている。
【選択図】図1
Description
Siを主材料とした基板と、
上記基板表面のうち、半導体レーザチップが上方に搭載されるべき領域に不純物を拡散して形成された不純物拡散層と、
上記不純物拡散層上に順に積層されたAu層およびAuSn層と、
上記不純物拡散層と上記Au層との間に介挿され、上記不純物拡散層と上記Au層、AuSn層との間の元素の拡散を防止するTiW層と、
上記TiW層と上記Au層との間に介挿されたPt層と
を備え、
上記Pt層の厚さは、上記半導体レーザチップの下面に設けられたAu電極層の厚さ、上記Au層の厚さ、上記AuSn層の厚さおよび組成比に応じて、上記半導体レーザチップを接合するための上記AuSn層の溶融時に上記Pt層が残存するように設定されていることを特徴とする。
上記Pt層に代えてNi層を備え、
上記Ni層の厚さは、上記半導体レーザチップの下面に設けられたAu電極層の厚さ、上記Au層の厚さ、上記AuSn層の厚さおよび組成比に応じて、上記半導体レーザチップを接合するための上記AuSn層の溶融時に上記Ni層が残存するように設定されていることを特徴とする。
上記サブマウントを280℃乃至400℃の範囲内に加熱して上記AuSn層を溶融し、
この溶融したAuSn層に半導体レーザチップのAu電極層が接するように、上記サブマウントに対して半導体レーザチップを押圧し、
その後、上記サブマウントおよび半導体レーザチップを冷却して上記AuSn層を硬化させることを特徴とする。
上記サブマウントの基板表面のうち、半導体レーザチップが上方に搭載された領域に不純物を拡散して不純物拡散層が形成され、
上記基板表面の上記不純物拡散層と上記半導体レーザチップの半導体材料層との間に、上記不純物拡散層側から順にTiW層、Pt層、AuSn層が少なくとも存在することを特徴とする。
上記サブマウントの基板表面のうち、半導体レーザチップが上方に搭載された領域に不純物を拡散して不純物拡散層が形成され、
上記基板表面の上記不純物拡散層と上記半導体レーザチップの半導体材料層との間に、上記不純物拡散層側から順にTiW層、Ni層、AuSn層が少なくとも存在することを特徴とする。
金属からなるヒートシンク部に取り付けられた上記半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザチップが出射したレーザ光を通過または回折するホログラム素子と、
上記光記録媒体から上記ホログラム素子を通して戻った光を受けて信号に変換する受光素子と
を一体に備えたことを特徴とする。
上記ホログラムレーザ装置と、
上記ホログラムレーザ装置の半導体レーザチップからレーザ光が照射されるように光記録媒体を支持するホルダと
を備えたことを特徴とする。
2 N−エピタキャシャル層
3 フォトダイオード
4 P+拡散領域
5 N+拡散領域
7 TiW層
8 Au層
9 AuSn層
11 Pt層
12 Ni層
50,51 レーザ光モニタ用受光素子内蔵サブマウント
90 半導体レーザチップ
Claims (8)
- Siを主材料とした基板と、
上記基板表面のうち、半導体レーザチップが上方に搭載されるべき領域に不純物を拡散して形成された不純物拡散層と、
上記不純物拡散層上に順に積層されたAu層およびAuSn層と、
上記不純物拡散層と上記Au層との間に介挿され、上記不純物拡散層と上記Au層、AuSn層との間の元素の拡散を防止するTiW層と、
上記TiW層と上記Au層との間に介挿されたPt層と
を備え、
上記Pt層の厚さは、上記半導体レーザチップの下面に設けられたAu電極層の厚さ、上記Au層の厚さ、上記AuSn層の厚さおよび組成比に応じて、上記半導体レーザチップを接合するための上記AuSn層の溶融時に上記Pt層が残存するように設定されていることを特徴とするサブマウント。 - 請求項1に記載のサブマウントにおいて、
上記Pt層に代えてNi層を備え、
上記Ni層の厚さは、上記半導体レーザチップの下面に設けられたAu電極層の厚さ、上記Au層の厚さ、上記AuSn層の厚さおよび組成比に応じて、上記半導体レーザチップを接合するための上記AuSn層の溶融時に上記Ni層が残存するように設定されていることを特徴とするサブマウント。 - 請求項1または2に記載のサブマウントにおいて、
上記基板表面に、上記半導体レーザチップの出力をモニタする受光素子が作り込まれていることを特徴とするサブマウント。 - 請求項1または2に記載のサブマウントに対してAu電極層を有する半導体レーザチップを接合する半導体レーザ装置の製造方法において、
上記サブマウントを280℃乃至400℃の範囲内に加熱して上記AuSn層を溶融し、
この溶融したAuSn層に半導体レーザチップのAu電極層が接するように、上記サブマウントに対して半導体レーザチップを押圧し、
その後、上記サブマウントおよび半導体レーザチップを冷却して上記AuSn層を硬化させることを特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。 - Siを主材料とした基板を有するサブマウントとこのサブマウント上に搭載された半導体レーザチップとを備えた半導体レーザ装置において、
上記サブマウントの基板表面のうち、半導体レーザチップが上方に搭載された領域に不純物を拡散して不純物拡散層が形成され、
上記基板表面の上記不純物拡散層と上記半導体レーザチップの半導体材料層との間に、上記不純物拡散層側から順にTiW層、Pt層、AuSn層が少なくとも存在することを特徴とする半導体レーザ装置。 - Siを主材料とした基板を有するサブマウントとこのサブマウント上に搭載された半導体レーザチップとを備えた半導体レーザ装置において、
上記サブマウントの基板表面のうち、半導体レーザチップが上方に搭載された領域に不純物を拡散して不純物拡散層が形成され、
上記基板表面の上記不純物拡散層と上記半導体レーザチップの半導体材料層との間に、上記不純物拡散層側から順にTiW層、Ni層、AuSn層が少なくとも存在することを特徴とする半導体レーザ装置。 - 金属からなるヒートシンク部に取り付けられた請求項5または6に記載の半導体レーザ装置と、
上記半導体レーザチップが出射したレーザ光を通過または回折するホログラム素子と、
上記光記録媒体から上記ホログラム素子を通して戻った光を受けて信号に変換する受光素子と
を一体に備えたことを特徴とするホログラムレーザ装置。 - 請求項7に記載のホログラムレーザ装置と、
上記ホログラムレーザ装置の半導体レーザチップからレーザ光が照射されるように光記録媒体を支持するホルダと
を備えたことを特徴とする光ピックアップ装置。
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JP2005155565A JP2006332435A (ja) | 2005-05-27 | 2005-05-27 | サブマウント、半導体レーザ装置およびその製造方法、ホログラムレーザ装置、並びに光ピックアップ装置 |
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