JP2018014335A5 - - Google Patents

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  1. 画素部と、前記画素部に信号を供給する機能を有する引き回し配線と、を有し、
    前記画素部は、
    半導体層と、
    前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、
    前記第1の導電層と電気的に接続された発光素子と、
    前記発光素子が有する第2の導電層の端部を覆う領域を有する第2の絶縁膜と、を有し、
    前記第2の導電層は、前記第1の導電層と電気的に接続され、
    前記発光素子は、前記第2の導電層上の発光層と、前記発光層上の第3の導電層と、を有し、
    前記第3の導電層は、前記画素部の外側において、前記第2の絶縁膜の端部を覆う領域を有し、
    前記第1の導電層と同一層上に設けられ、且つ同一材料を有する第4の導電層を有し、
    前記画素部の外側であって、且つ前記第2の絶縁膜のない領域において、前記第3の導電層は、前記第4の導電層と重なる第1の領域を有し、
    前記第1の領域は、第2の領域を除いて前記画素部を囲むように設けられ、
    前記第2の領域には、前記引き回し配線が設けられていることを特徴とする発光装置。
  2. 画素部と、前記画素部に信号を供給する機能を有する引き回し配線と、を有し、
    前記画素部は、
    半導体層と、
    前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、
    前記第1の導電層と電気的に接続された発光素子と、
    前記発光素子が有する第2の導電層の端部を覆う領域を有する第2の絶縁膜と、を有し、
    前記第2の導電層は、前記第1の導電層と電気的に接続され、
    前記発光素子は、前記第2の導電層上の発光層と、前記発光層上の第3の導電層と、を有し、
    前記第3の導電層は、前記画素部の外側において、前記第2の絶縁膜の端部を覆う領域を有し、
    前記第1の導電層と同一層上に設けられ、且つ同一材料を有する第4の導電層を有し、
    前記画素部の外側であって、且つ前記第2の絶縁膜のない領域において、前記第3の導電層は、前記第4の導電層と重なる第1の領域を有し、
    前記第1の領域は、第2の領域を除いて前記画素部を囲むように設けられ、且つ、平面視において第1乃至第4の曲がっている部分を有し、
    前記第2の領域には、前記引き回し配線が設けられていることを特徴とする発光装置。
  3. 画素部と、駆動回路部と、前記画素部に信号を供給する機能を有する引き回し配線と、を有し、
    前記画素部は、
    半導体層と、
    前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、
    前記第1の導電層と電気的に接続された発光素子と、
    前記発光素子が有する第2の導電層の端部を覆う領域を有する第2の絶縁膜と、を有し、
    前記第2の導電層は、前記第1の導電層と電気的に接続され、
    前記発光素子は、前記第2の導電層上の発光層と、前記発光層上の第3の導電層と、を有し、
    前記第3の導電層は、前記画素部及び前記駆動回路部の外側において、前記第2の絶縁膜の端部を覆う領域を有し、
    前記第1の導電層と同一層上に設けられ、且つ同一材料を有する第4の導電層を有し、
    前記画素部及び前記駆動回路部の外側であって、且つ前記第2の絶縁膜のない領域において、前記第3の導電層は、前記第4の導電層と重なる第1の領域を有し、
    前記第1の領域は、第2の領域を除いて前記画素部及び前記駆動回路部を囲むように設けられ、
    前記第2の領域には、前記引き回し配線が設けられていることを特徴とする発光装置。
  4. 画素部と、駆動回路部と、前記画素部に信号を供給する機能を有する引き回し配線と、を有し、
    前記画素部は、
    半導体層と、
    前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、
    前記第1の導電層と電気的に接続された発光素子と、
    前記発光素子が有する第2の導電層の端部を覆う領域を有する第2の絶縁膜と、を有し、
    前記第2の導電層は、前記第1の導電層と電気的に接続され、
    前記発光素子は、前記第2の導電層上の発光層と、前記発光層上の第3の導電層と、を有し、
    前記第3の導電層は、前記画素部及び前記駆動回路部の外側において、前記第2の絶縁膜の端部を覆う領域を有し、
    前記第1の導電層と同一層上に設けられ、且つ同一材料を有する第4の導電層を有し、
    前記画素部及び前記駆動回路部の外側であって、且つ前記第2の絶縁膜のない領域において、前記第3の導電層は、前記第4の導電層と重なる第1の領域を有し、
    前記第1の領域は、第2の領域を除いて前記画素部及び前記駆動回路部を囲むように設けられ、且つ、平面視において第1乃至第4の曲がっている部分を有し、
    前記第2の領域には、前記引き回し配線が設けられていることを特徴とする発光装置。
  5. 画素部と、前記画素部に信号を供給する機能を有する引き回し配線と、を有し、
    前記画素部は、
    半導体層と、
    前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、
    前記第1の導電層上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上に設けられ、前記第1の導電層と電気的に接続された発光素子と、
    前記第2の絶縁膜上に設けられ、前記発光素子が有する第2の導電層の端部を覆う領域を有する第3の絶縁膜と、を有し、
    前記第2の導電層は、前記第1の導電層と電気的に接続され、
    前記発光素子は、前記第2の導電層上の発光層と、前記発光層上の第3の導電層と、を有し、
    前記第3の導電層は、前記画素部の外側において、前記第2の絶縁膜の端部を覆う領域と、前記第3の絶縁膜の端部を覆う領域とを有し、
    前記第1の導電層と同一層上に設けられ、且つ同一材料を有する第4の導電層を有し、
    前記画素部の外側であって、且つ前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜のない領域において、前記第3の導電層は、前記第4の導電層と重なる第1の領域を有し、
    前記第1の領域は、第2の領域を除いて前記画素部を囲むように設けられ、
    前記第2の領域には、前記引き回し配線が設けられていることを特徴とする発光装置。
  6. 画素部と、駆動回路部と、前記画素部に信号を供給する機能を有する引き回し配線と、を有し、
    前記画素部は、
    半導体層と、
    前記半導体層上のゲート絶縁膜と、
    前記ゲート絶縁膜上のゲート電極と、
    前記ゲート電極上の第1の絶縁膜と、
    前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記半導体層と電気的に接続された第1の導電層と、
    前記第1の導電層上の第2の絶縁膜と、
    前記第2の絶縁膜上に設けられ、前記第1の導電層と電気的に接続された発光素子と、
    前記第2の絶縁膜上に設けられ、前記発光素子が有する第2の導電層の端部を覆う領域を有する第3の絶縁膜と、を有し、
    前記第2の導電層は、前記第1の導電層と電気的に接続され、
    前記発光素子は、前記第2の導電層上の発光層と、前記発光層上の第3の導電層と、を有し、
    前記第3の導電層は、前記画素部及び前記駆動回路部の外側において、前記第2の絶縁膜の端部を覆う領域と、前記第3の絶縁膜の端部を覆う領域とを有し、
    前記第1の導電層と同一層上に設けられ、且つ同一材料を有する第4の導電層を有し、
    前記画素部及び前記駆動回路部の外側であって、且つ前記第2の絶縁膜及び前記第3の絶縁膜のない領域において、前記第3の導電層は、前記第4の導電層と重なる第1の領域を有し、
    前記第1の領域は、第2の領域を除いて前記画素部及び前記駆動回路部を囲むように設けられ、且つ、平面視において第1乃至第4の曲がっている部分を有し、
    前記第2の領域には、前記引き回し配線が設けられていることを特徴とする発光装置。
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Families Citing this family (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG142140A1 (en) * 2003-06-27 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Display device and method of manufacturing thereof
US7928654B2 (en) 2003-08-29 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP4741177B2 (ja) * 2003-08-29 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
KR100681022B1 (ko) * 2004-06-16 2007-02-09 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
US7753751B2 (en) 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
CN101203968B (zh) * 2005-04-21 2010-05-19 株式会社半导体能源研究所 发光元件、发光器件和电子设备
JP4142058B2 (ja) * 2005-06-22 2008-08-27 エプソンイメージングデバイス株式会社 電気光学装置および電子機器
US8017252B2 (en) 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
EP1911079A4 (en) * 2005-07-25 2012-05-09 Semiconductor Energy Lab LIGHTING ELEMENT, ILLUMINATING ELEMENT AND ELECTRONIC DEVICE
TWI517378B (zh) * 2005-10-17 2016-01-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR100730156B1 (ko) * 2005-11-03 2007-06-19 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치
KR100673765B1 (ko) 2006-01-20 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법
US8038495B2 (en) 2006-01-20 2011-10-18 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and manufacturing method of the same
KR100635514B1 (ko) * 2006-01-23 2006-10-18 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR100685853B1 (ko) * 2006-01-25 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
US8164257B2 (en) 2006-01-25 2012-04-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic light emitting display and method of fabricating the same
KR100671647B1 (ko) 2006-01-26 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시 장치
JP4555258B2 (ja) * 2006-01-26 2010-09-29 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機電界発光表示装置
US9112170B2 (en) * 2006-03-21 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP5207670B2 (ja) * 2006-07-19 2013-06-12 キヤノン株式会社 表示装置
US8221177B2 (en) * 2007-02-28 2012-07-17 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL panel including an element substrate dehydrated in a shorter time and method for manufacturing the same
US8035296B2 (en) * 2007-06-12 2011-10-11 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting apparatus with resin layer extending from light-emitting section over wiring lines
JP5017584B2 (ja) * 2007-08-02 2012-09-05 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機el表示装置
TWI363577B (en) * 2007-11-21 2012-05-01 Chimei Innolux Corp Display device, method of the same and electronic device including the same
JP5230384B2 (ja) * 2007-12-07 2013-07-10 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置および電子機器
JP4991634B2 (ja) * 2008-06-09 2012-08-01 キヤノン株式会社 有機el発光装置
JP2010093068A (ja) * 2008-10-08 2010-04-22 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置およびその製造方法
TWI607670B (zh) 2009-01-08 2017-12-01 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及電子裝置
JP2010257957A (ja) * 2009-04-01 2010-11-11 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置
US8766269B2 (en) * 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
KR101156435B1 (ko) * 2010-01-08 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US9000442B2 (en) * 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
TWI589042B (zh) 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
EP2503618B1 (en) 2011-03-23 2014-01-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR101519916B1 (ko) * 2011-04-07 2015-05-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP6023461B2 (ja) 2011-05-13 2016-11-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置
US9419239B2 (en) 2011-07-08 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composite material, light-emitting element, light-emitting device, electronic device, lighting device, and organic compound
KR20130025717A (ko) * 2011-09-02 2013-03-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
CN103035663B (zh) * 2011-10-04 2016-08-10 乐金显示有限公司 显示器件
KR101926073B1 (ko) * 2012-07-24 2018-12-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
JP6142151B2 (ja) * 2012-07-31 2017-06-07 株式会社Joled 表示装置および電子機器
KR101955621B1 (ko) 2012-09-21 2019-05-31 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조방법
US9366913B2 (en) 2013-02-21 2016-06-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
JP6133173B2 (ja) * 2013-08-29 2017-05-24 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR102116896B1 (ko) * 2013-10-14 2020-06-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102207563B1 (ko) * 2013-10-29 2021-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시장치 및 유기 발광 표시장치의 제조 방법
JP6329795B2 (ja) 2014-03-27 2018-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ El表示装置及びel表示装置の製造方法
US9105615B1 (en) * 2014-06-12 2015-08-11 Amazon Technologies, Inc. Substrate vias for a display device
US20160014910A1 (en) * 2014-07-10 2016-01-14 Peerless Industries, Inc. Enclosed media device with improved heat transfer capabilities
JP6659094B2 (ja) * 2014-08-11 2020-03-04 キヤノン株式会社 発光装置
KR102360783B1 (ko) * 2014-09-16 2022-02-10 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102284756B1 (ko) * 2014-09-23 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102293835B1 (ko) * 2014-09-30 2021-08-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR102352285B1 (ko) * 2014-10-10 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR102439023B1 (ko) * 2014-10-28 2022-08-31 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 표시 장치의 제작 방법, 및 전자 기기
KR102387904B1 (ko) * 2014-12-01 2022-04-18 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 그 제조 방법
WO2016088394A1 (ja) 2014-12-04 2016-06-09 株式会社Joled 表示装置および電子機器
KR102350366B1 (ko) * 2014-12-31 2022-01-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6512833B2 (ja) 2015-01-16 2019-05-15 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102399574B1 (ko) * 2015-04-03 2022-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104992945A (zh) * 2015-05-28 2015-10-21 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法以及显示装置
KR102477299B1 (ko) 2015-06-12 2022-12-14 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
CN109192880B (zh) * 2015-11-30 2020-09-22 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
JP6557601B2 (ja) * 2015-12-29 2019-08-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、表示装置の製造方法
KR102628849B1 (ko) * 2016-03-24 2024-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
JP6711667B2 (ja) * 2016-03-30 2020-06-17 京セラ株式会社 発光装置
KR102568631B1 (ko) * 2016-04-15 2023-08-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6715708B2 (ja) 2016-07-08 2020-07-01 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102383745B1 (ko) 2016-11-11 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107068715B (zh) 2017-03-28 2019-12-20 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板、有机发光显示装置以及有机发光显示面板的制备方法
KR102457251B1 (ko) 2017-03-31 2022-10-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10897026B2 (en) 2017-08-09 2021-01-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and manufacturing method of display device
KR102369730B1 (ko) * 2017-08-31 2022-03-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108010941B (zh) * 2017-11-15 2020-08-11 纳晶科技股份有限公司 用于发光元件的封装结构及方法
KR102483320B1 (ko) 2017-11-29 2022-12-30 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102482534B1 (ko) * 2017-12-19 2022-12-28 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법
JP6378854B1 (ja) 2017-12-26 2018-08-22 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
JP2019153551A (ja) * 2018-03-06 2019-09-12 株式会社ジャパンディスプレイ 有機el表示装置
JP7108478B2 (ja) 2018-06-21 2022-07-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
JP6759287B2 (ja) * 2018-07-19 2020-09-23 堺ディスプレイプロダクト株式会社 有機elデバイスおよびその製造方法
JP7411554B2 (ja) 2018-08-29 2024-01-11 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
CN109243305B (zh) * 2018-09-17 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 显示面板、显示装置和显示面板的制造方法
KR102662722B1 (ko) 2018-09-17 2024-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN111370439A (zh) * 2018-12-07 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
KR102640017B1 (ko) * 2018-12-17 2024-02-27 엘지디스플레이 주식회사 협-베젤 전계 발광 표시장치
CN110098228B (zh) * 2019-04-25 2021-09-24 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板及显示装置
KR102656092B1 (ko) * 2019-07-15 2024-04-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP7310470B2 (ja) * 2019-09-12 2023-07-19 富士フイルムビジネスイノベーション株式会社 光学装置、画像形成装置
CN110739340B (zh) * 2019-10-30 2022-06-24 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
CN110808270A (zh) * 2019-11-12 2020-02-18 杭州追猎科技有限公司 一种有机发光面板封装结构
CN110993814B (zh) * 2019-11-15 2021-09-03 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及其制备方法
CN110752250B (zh) * 2019-11-25 2021-08-17 昆山国显光电有限公司 一种显示面板
KR20210086897A (ko) * 2019-12-31 2021-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널

Family Cites Families (85)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169567A (ja) 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
US5684365A (en) 1994-12-14 1997-11-04 Eastman Kodak Company TFT-el display panel using organic electroluminescent media
JPH09148066A (ja) 1995-11-24 1997-06-06 Pioneer Electron Corp 有機el素子
JP3774897B2 (ja) 1997-06-03 2006-05-17 ソニー株式会社 有機電界発光素子
US6016033A (en) 1997-07-11 2000-01-18 Fed Corporation Electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same
JP3830238B2 (ja) 1997-08-29 2006-10-04 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリクス型装置
JPH11202349A (ja) 1998-01-12 1999-07-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3646510B2 (ja) 1998-03-18 2005-05-11 セイコーエプソン株式会社 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ
JP2001052864A (ja) * 1999-06-04 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電気光学装置の作製方法
JP4075028B2 (ja) * 1999-06-14 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 回路基板、表示装置、および電子機器
KR100335462B1 (ko) 1999-08-11 2002-05-04 구본준, 론 위라하디락사 액정표시패널
KR100720066B1 (ko) 1999-11-09 2007-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 제작방법
JP4831862B2 (ja) * 1999-11-30 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 電子装置
TW587239B (en) * 1999-11-30 2004-05-11 Semiconductor Energy Lab Electric device
JP4748847B2 (ja) * 1999-12-15 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置および電気器具
KR100315209B1 (ko) 1999-12-17 2001-11-29 구본준, 론 위라하디락사 액정표시소자 및 그 제조방법
JP4831873B2 (ja) * 2000-02-22 2011-12-07 株式会社半導体エネルギー研究所 自発光装置及びその作製方法
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
JP4601843B2 (ja) * 2000-02-29 2010-12-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
TWI226205B (en) 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
JP4889872B2 (ja) * 2000-04-17 2012-03-07 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びそれを用いた電気器具
JP2002032057A (ja) * 2000-05-08 2002-01-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその駆動方法
US7633471B2 (en) 2000-05-12 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electric appliance
JP4683766B2 (ja) * 2000-05-22 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス型発光装置
JP2001357973A (ja) 2000-06-15 2001-12-26 Sony Corp 表示装置
JP4671551B2 (ja) * 2000-07-25 2011-04-20 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
US7019718B2 (en) 2000-07-25 2006-03-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US7223643B2 (en) 2000-08-11 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
JP2002164181A (ja) * 2000-09-18 2002-06-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置及びその作製方法
JP2002190390A (ja) * 2000-10-10 2002-07-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の修理方法及び作製方法
US6664732B2 (en) 2000-10-26 2003-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP3943900B2 (ja) * 2000-11-09 2007-07-11 株式会社東芝 自己発光型表示装置
TW522577B (en) 2000-11-10 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6646284B2 (en) 2000-12-12 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4137454B2 (ja) * 2001-01-17 2008-08-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器及び発光装置の作製方法
JP4693253B2 (ja) * 2001-01-30 2011-06-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器
SG143946A1 (en) 2001-02-19 2008-07-29 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4223218B2 (ja) * 2001-02-19 2009-02-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6992439B2 (en) 2001-02-22 2006-01-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element
US6717181B2 (en) 2001-02-22 2004-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Luminescent device having thin film transistor
JP4801278B2 (ja) * 2001-04-23 2011-10-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP2002329576A (ja) 2001-04-27 2002-11-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US6952023B2 (en) 2001-07-17 2005-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP4103373B2 (ja) * 2001-11-08 2008-06-18 松下電器産業株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法
US6903377B2 (en) 2001-11-09 2005-06-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
JP4451054B2 (ja) * 2001-11-09 2010-04-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US7042024B2 (en) 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
JP4493905B2 (ja) * 2001-11-09 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
JP4515022B2 (ja) * 2001-11-16 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6822264B2 (en) 2001-11-16 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
JP2003186422A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd El表示装置
JP2003257654A (ja) * 2001-12-25 2003-09-12 Hitachi Ltd 画像表示装置およびその製造方法
KR100652047B1 (ko) 2001-12-29 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
US7109653B2 (en) * 2002-01-15 2006-09-19 Seiko Epson Corporation Sealing structure with barrier membrane for electronic element, display device, electronic apparatus, and fabrication method for electronic element
US7038377B2 (en) * 2002-01-16 2006-05-02 Seiko Epson Corporation Display device with a narrow frame
JP4627966B2 (ja) * 2002-01-24 2011-02-09 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびその作製方法
JP2003288983A (ja) * 2002-01-24 2003-10-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法、及び製造装置
SG143063A1 (en) 2002-01-24 2008-06-27 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP4095830B2 (ja) * 2002-01-29 2008-06-04 統寶光電股▲ふん▼有限公司 有機ledデバイスおよびその製造方法
EP1343206B1 (en) * 2002-03-07 2016-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus
JP4651916B2 (ja) * 2002-03-07 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2003271075A (ja) * 2002-03-13 2003-09-25 Toshiba Corp 表示装置
JP4545385B2 (ja) * 2002-03-26 2010-09-15 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2004006282A (ja) * 2002-03-29 2004-01-08 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着方法及び表示装置の製造方法
JP2003297552A (ja) 2002-03-29 2003-10-17 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル
JP4027149B2 (ja) * 2002-04-30 2007-12-26 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP4391126B2 (ja) * 2002-05-15 2009-12-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US7897979B2 (en) * 2002-06-07 2011-03-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2004062164A (ja) * 2002-06-07 2004-02-26 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP4240276B2 (ja) * 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4640690B2 (ja) * 2002-07-24 2011-03-02 日本電気株式会社 アクティブマトリクス有機el表示装置の製造方法
JP4454262B2 (ja) * 2002-07-25 2010-04-21 三洋電機株式会社 エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2004071558A (ja) 2002-07-25 2004-03-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP2004071460A (ja) * 2002-08-08 2004-03-04 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
CN1729719B (zh) 2002-12-19 2010-09-15 株式会社半导体能源研究所 显示装置和显示装置的制作方法
KR100521272B1 (ko) * 2002-12-20 2005-10-12 삼성에스디아이 주식회사 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치
KR100845408B1 (ko) 2002-12-31 2008-07-10 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR100675630B1 (ko) 2002-12-31 2007-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시패널 및 그 제조방법
JP4417027B2 (ja) 2003-05-21 2010-02-17 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
SG142140A1 (en) 2003-06-27 2008-05-28 Semiconductor Energy Lab Display device and method of manufacturing thereof
JP4741177B2 (ja) 2003-08-29 2011-08-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置の作製方法
US7928654B2 (en) 2003-08-29 2011-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
JP4278499B2 (ja) * 2003-12-01 2009-06-17 三菱電機株式会社 表示装置
JP4776949B2 (ja) * 2004-03-16 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置

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