JP2003186422A

JP2003186422A - Ｅｌ表示装置

Info

Publication number: JP2003186422A
Application number: JP2001384308A
Authority: JP
Inventors: Satoshi Okuya; 聡奥谷; Narihiro Morosawa; 成浩諸沢; Hiroshi Tsutsu; 博司筒
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-12-18
Filing date: 2001-12-18
Publication date: 2003-07-04

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明はエレクトロルミネッセンス表示装置
及びその製造法に関するものであり、表示装置の構成
材料である平坦化膜、または陽極の凹凸を被覆する膜を
介した水分の浸入を防止し、表示装置の位置による発
光ムラが無く、長寿命化を実現することを目的とする。【解決手段】平坦化膜、または陽極の凹凸を被覆する
膜全体を陰極で覆うことにより、平坦化膜、または陽極
の凹凸を被覆する膜を介したエレクトロルミネッセン
ス素子への水分浸入を防ぎ、エレクトロルミネッセン
ス表示装置の画面内での発光ムラを防止した。さらに、
平坦化膜と陽極の凹凸を被覆する膜を覆っている陰極
を全て封止カバーで覆うことにより、その効果を増し
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
を備えたエレクトロルミネッセンス表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】エレクトロルミネッセンス（ElectroLum
inescence：EL）素子を用いたディスプレイは、自発光
型のフラットパネルディスプレイであり、視野角が広
く、高コントラスト、高速応答特性など液晶ディスプレ
イに指摘されている欠点を解消する特性を備えており、
次世代のディスプレイとして研究開発や実用化が、近年
活発化している。

【０００３】図３は有機ＥＬ表示装置の等価回路図を示
し、図１０にその有機ＥＬ表示装置の断面図を示し、図
１１に有機ＥＬ表示装置の平面図を示す。図１０は、図
１１のE−E’線に沿った断面図を示す。

【０００４】図３に示すように、ゲートバスライン３０
１とソースバスライン３０２とに囲まれた領域に表示を
行なう単位画素３０８が形成されている。両信号線の交
点付近にはスイッチング素子である第一のＴＦＴ３０４
が備えられており、そのＴＦＴ３０４のドレインは蓄積
容量３０７に接続されており、また有機ＥＬ素子に電流
を供給して駆動する第二のＴＦＴ３０５のゲート電極に
接続されている。第二のＴＦＴ３０５のドレイン電極は
有機ＥＬ素子の陽極側に接続され、ソースは有機ＥＬ素
子を駆動する電流供給バスライン３０３に接続されてい
る。

【０００５】蓄積容量３０７は、次フレームに画像信号
がプログラムされるまでの期間、第二のＴＦＴ３０５の
ゲートに印加される電圧を保持する。これらが基板上に
マトリクス状に配置されたＴＦＴアレイを構成し、各々
の画素にスイッチング用の第１のＴＦＴ３０４を介して
画像信号をプログラムし、そのプログラムされた画像信
号は蓄積容量に保持され、駆動用のＴＦＴのゲート電圧
を制御し、駆動用のＴＦＴを介してＥＬ素子に制御され
た電流を流すことで画像を表示する。

【０００６】次に、ＴＦＴアレイの製造工程について、
図１０を参照しながら説明する。まず、石英ガラス、無
アルカリガラス等からなる透明絶縁性基板１０１に、基
板からの不純物の拡散を防ぐためのバッファー層１０２
を介して、第一及び第二のＴＦＴの半導体層と蓄積容量
の一方の電極も兼ねる多結晶シリコン（以下、「ｐ−Ｓ
ｉ」と略記する。）１０３を形成する。そして、第一の
ＴＦＴのソース領域１０３−２とドレイン領域１０３−
３と蓄積容量の電極部に不純物としてリン（Ｐ）を注入
した後、全面にゲート絶縁膜１０４となるＳｉＯ２をプ
ラズマＣＶＤ法で堆積する。そして、ゲート電極１０５
並びにゲートバスライン３０１を形成し、このゲート電
極１０５をマスクとして、第１のＴＦＴ３０４のＬＤＤ
（Lightly Doped Drain）領域にはリンを、第２のＴＦ
Ｔ３０５のソース・ドレイン領域にはボロン（Ｂ）を注
入する。このとき少なくともボロンを注入する際には、
第１のＴＦＴ３０４上にはレジストなどを配置して、二
重に注入されることを防止している。

【０００７】その後、層間絶縁膜１０６を堆積し、コン
タクトホールを介して、ソース電極１０８とドレイン電
極１０９及びソースバスライン３０２と電流供給バスラ
イン３０３をアルミニウムなどで形成してＴＦＴアレイ
は完成する。

【０００８】次に、ＥＬ素子を形成する工程を説明す
る。完成したＴＦＴアレイの表面を平坦化するために、
平坦化膜１１０を形成し、コンタクトホールを介して、
有機ＥＬの陽極ともなる画素電極１１２をＩＴＯで形成
する。その後、メタルマスクを用いた蒸着法によって画
素電極上にホール輸送層（Hole Transportation Laye
r：以下、「ＨＴＬ」と略記する。）、発光層（Emissio
n Layer：以下、「EML」と略記する。）と電子輸送層
（Electron Transportation Layer：以下、「EＴＬ」と
略記する。）を兼ねる層１１４を連続的に蒸着し、最後
に電子注入層（Electron Injection Layer：以下、「E
ＩＬ」と略記する。）と陰極を兼ねる電極１１５を積層
する。

【０００９】ＨＴＬとしては例えばα―ＮＰＤを用い
る。ＥＭＬとしては、例えば、キノリノールアルミ錯体
（以下、「Ａｌｑ３」と略記する。）にＤＣＪＴをドー
プしたものを赤（R）色材料に、Ａｌｑ３にキナクリド
ンをドープしたものを緑（G）色材料、ＢＰＶＢｉを青
（B）色材料として用いる。ＥＩＬはEMLと兼用している
ため省略した。陰極には例えばアルミニウム（Ａｌ）に
リチウム（Ｌｉ）を混合した材料を用いる。

【００１０】このとき、Ｒ・Ｇ・Ｂを蒸着によって画素
ごとに塗り分ける際には、金属材料でできたメタルマス
クを介してＴＦＴアレイ基板に適宜材料を蒸着する。次
に、EL素子の封止工程を説明する。EL素子は吸湿により
発光効率の低下、駆動電圧の上昇などが発生する問題が
あり、表示品位が著しく低下することから、ＥＬ素子へ
の水分浸入を防ぐ封止技術が重要になる。工程として
は、ＥＬ素子を形成したＴＦＴアレイ基板に、メタルキ
ャップなどの水分を通しにくい封止カバー１１７を紫外
線硬化型のエポキシ樹脂１１６などで接着する。さら
に、封止カバー内に捕水剤１１８を封入することで、カ
バー内外の水分を吸収することで水分によるＥＬ素子の
劣化を抑える。

【００１１】有機EL素子の発光機構は次の通りである。
有機EL素子は仕事関数の異なる電極間にエレクトロン
（ホール）輸送能の異なる有機化合物を積層して構成す
る。この有機EL素子の発光原理及び動作は、陽極から注
入されたホールと陰極から注入されたエレクトロンが発
光層の内部で再結合し、励起子を発生させる。この励起
子が放射または熱失活して基底状態にもどる。この放射
によって光が放出され、透明な陽極及び透明な絶縁性基
板を介して外部に放出される。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】有機EL素子は吸湿によ
り発光効率の低下、駆動電圧の上昇が発生する問題があ
った。有機EL表示装置の構成材料である平坦化膜は有機
系の材料であるため、吸湿性が高く、封止カバー内に残
留水分がある場合、平坦化膜を介して有機EL素子内に水
分が取り込まれ、寿命が短くなるだけでなく、表示画面
内で発光ムラが発生する。また、平坦化膜が封止カバー
の外にある場合、有機EL素子の劣化は顕著になる。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は、これらの課題
を解決するために、有機EL素子だけでなく、平坦化膜を
１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率を有する材料で被
覆することで平坦化膜を介して有機EL素子内に水分が取
り込まれることを防止した。

【００１４】本発明の請求項１記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置は絶縁性を有する基板上に形成された
EL素子と、EL素子を駆動する薄膜トランジスタとを有
し、EL素子を構成する前記薄膜トランジスタと接続され
ている電極の下層は、有機材料から成る膜が平坦化膜と
して薄膜トランジスタを覆っているEL表示装置であっ
て、平坦化膜が１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率を
有する材料で被覆されていることを特徴としたものであ
る。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面内で
の発光ムラの無いエレクトロルミネッセンス表示装置が
提供できるという作用を有する。

【００１５】本発明の請求項２記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置は平坦化膜が１０ ^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ
以下の透湿率を有する封止カバーによって外気と遮断さ
れていることを特徴としたのもである。本発明に依れば
EL素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無いエ
レクトロルミネッセンス表示装置が提供できるという作
用を有する。

【００１６】本発明の請求項３記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置は１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿
率を有する材料から成る膜が平坦化膜を被覆し、且つ薄
膜トランジスタと接続されていないEL素子の電極を兼ね
ていることを特徴としたものである。本発明に依ればEL
素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無いエレ
クトロルミネッセンス表示装置が提供できるという作用
を有する。

【００１７】本発明の請求項４記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置は平坦化膜が、アクリル樹脂またはポ
リイミド樹脂またはノボラック樹脂を主成分とする材料
から成ることを特徴としたものである。本発明に依れば
EL素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無いエ
レクトロルミネッセンス表示装置が提供できるという作
用を有する。

【００１８】本発明の請求項５記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置は封止カバーがガラスで形成されてい
ることを特徴としたものである。本発明に依ればEL素子
の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無いエレクト
ロルミネッセンス表示装置が提供できるという作用を有
する。

【００１９】本発明の請求項６記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置は薄膜トランジスタと接続されていな
いEL素子の電極が少なくとも厚さが５０ｎｍ以上のアル
ミニウムから成ることを特徴としたものである。本発明
に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラ
の無いエレクトロルミネッセンス表示装置が提供できる
という作用を有する。

【００２０】本発明の請求項７記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置は絶縁性を有する基板上に形成された
EL素子と、EL素子を駆動する薄膜トランジスタとを有
し、EL素子を構成する前記薄膜トランジスタと電気的に
接続されている電極の下層は、有機材料から成る膜が第
一の平坦化膜として薄膜トランジスタを覆っており、薄
膜トランジスタと電気的に接続される電極と前記第一の
平坦化膜との段差を平坦化する為に有機材料から成る膜
が第二の平坦化膜として充填されているEL表示装置にお
いて、第一の平坦化膜と前記第二の平坦化膜が１０^-4ｇ
／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率を有する材料で被覆されて
いることを特徴としたものである。本発明に依ればEL素
子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無いエレク
トロルミネッセンス表示装置が提供できるという作用を
有する。

【００２１】本発明の請求項８記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置は第一の平坦化膜と前記第二の平坦化
膜が１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率を有する封止
カバーによって外気と遮断されていることを特徴とした
ものである。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示
画面内での発光ムラの無いエレクトロルミネッセンス表
示装置が提供できるという作用を有する。

【００２２】本発明の請求項９記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示装置は１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿
率を有する材料から成る膜が、第一の平坦化膜と第二の
平坦化膜を被覆し、且つ薄膜トランジスタと接続されて
いないEL素子の電極を兼ねていることを特徴としたもの
である。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面
内での発光ムラの無いエレクトロルミネッセンス表示装
置が提供できるという作用を有する。

【００２３】本発明の請求項１０記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は第一の平坦化膜と、第二の平坦化
膜が、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂またはノボラ
ック樹脂を主成分とする材料から成ることを特徴とした
ものである。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示
画面内での発光ムラの無いエレクトロルミネッセンス表
示装置が提供できるという作用を有する。

【００２４】本発明の請求項１１記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は封止カバーが、ガラスで形成され
ていることを特徴としたものである。本発明に依ればEL
素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無いエレ
クトロルミネッセンス表示装置が提供できるという作用
を有する。

【００２５】本発明の請求項１２記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は薄膜トランジスタと接続されてい
ない前記EL素子の電極が、少なくとも厚さが５０ｎｍ以
上のアルミニウムから成ることを特徴としたものであ
る。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面内で
の発光ムラの無いエレクトロルミネッセンス表示装置が
提供できるという作用を有する。

【００２６】本発明の請求項１３記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は絶縁性を有する基板上に形成され
たEL素子と、前記EL素子を駆動する薄膜トランジスタと
を有し、薄膜トランジスタと電気的に接続される電極エ
ッジの凹凸を被覆する有機材料から成る膜を有するEL表
示装置であって、薄膜トランジスタと電気的に接続され
る電極エッジの凹凸を被覆する膜が１０^-4ｇ／ｍ²・ｄ
ａｙ以下の透湿率を有する材料で被覆されていることを
特徴としたものである。本発明に依ればEL素子の寿命が
長く、表示画面内での発光ムラの無いエレクトロルミネ
ッセンス表示装置が提供できるという作用を有する。

【００２７】本発明の請求項１４記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は薄膜トランジスタと電気的に接続
される電極エッジの凹凸を被覆する膜が、EL素子作成時
に前記薄膜トランジスタを形成した基板表面とEL素子形
成用マスクが直接接触することを防止する作用を兼ねて
いることを特徴としたものである。本発明に依ればEL素
子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無いエレク
トロルミネッセンス表示装置が提供できるという作用を
有する。

【００２８】本発明の請求項１５記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は薄膜トランジスタと電気的に接続
される電極エッジの凹凸を被覆する膜が１０^-4ｇ／ｍ²
・ｄａｙ以下の透湿率を有する封止カバーによって覆わ
れ、外気と遮断されていることを特徴としたものであ
る。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面内で
の発光ムラの無いエレクトロルミネッセンス表示装置が
提供できるという作用を有する。

【００２９】本発明の請求項１６記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は１０^-4ｇ／ｍ ²・ｄａｙ以下の透
湿率を有する材料から成る膜が、薄膜トランジスタと電
気的に接続される電極エッジの凹凸を被覆する膜を覆
い、且つ薄膜トランジスタと接続されていないEL素子の
電極を兼ねていることを特徴としたものである。本発明
に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラ
の無いエレクトロルミネッセンス表示装置が提供できる
という作用を有する。

【００３０】本発明の請求項１７記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は薄膜トランジスタと電気的に接続
される電極エッジの凹凸を被覆する膜がアクリル樹脂ま
たはポリイミド樹脂またはノボラック樹脂を主成分とす
る材料から成ることを特徴としたものである。本発明に
依ればEL素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの
無いエレクトロルミネッセンス表示装置が提供できると
いう作用を有する。

【００３１】本発明の請求項１８記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は封止カバーが、ガラスによって形
成されていることを特徴としたものである。本発明に依
ればEL素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無
いエレクトロルミネッセンス表示装置が提供できるとい
う作用を有する。

【００３２】本発明の請求項１９記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は薄膜トランジスタと接続されてい
ないEL素子の電極が、少なくとも厚さが５０ｎｍ以上の
アルミニウムから成ることを特徴としたものである。本
発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面内での発光
ムラの無いエレクトロルミネッセンス表示装置が提供で
きるという作用を有する。

【００３３】本発明の請求項２０記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は絶縁性を有する基板上に形成され
たEL素子と、EL素子を駆動する薄膜トランジスタとを有
し、EL素子を構成する薄膜トランジスタと接続されてい
る電極の下層は、有機材料から成る膜が平坦化膜として
薄膜トランジスタを覆っており、且つ薄膜トランジスタ
と電気的に接続される電極エッジの凹凸を被覆する有機
材料から成る膜を有するEL表示装置において、平坦化膜
と薄膜トランジスタと電気的に接続される電極エッジの
凹凸を被覆する膜が１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿
率を有する材料で被覆されていることを特徴としたもの
である。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面
内での発光ムラの無いエレクトロルミネッセンス表示装
置が提供できるという作用を有する。

【００３４】本発明の請求項２１記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は平坦化膜と前記薄膜トランジスタ
と電気的に接続される電極エッジの凹凸を被覆する膜
が、EL素子作成時に薄膜トランジスタを形成した基板表
面とEL素子形成用マスクが直接接触することを防止する
作用を兼ねていることを特徴としたものである。本発明
に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラ
の無いエレクトロルミネッセンス表示装置が提供できる
という作用を有する。

【００３５】本発明の請求項２２記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は平坦化膜と前記薄膜トランジスタ
と電気的に接続される電極エッジの凹凸を被覆する膜が
１０ ^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率を有する封止カバ
ーによって覆われ、外気と遮断されていることを特徴と
したものである。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、
表示画面内での発光ムラの無いエレクトロルミネッセン
ス表示装置が提供できるという作用を有する。

【００３６】本発明の請求項２３記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は１０^-4ｇ／ｍ ²・ｄａｙ以下の透
湿率を有する材料から成る膜が、平坦化膜と前記薄膜ト
ランジスタと電気的に接続される電極エッジの凹凸を被
覆する膜を覆い、且つ薄膜トランジスタと接続されてい
ない前L素子の電極を兼ねていることを特徴としたもの
である。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面
内での発光ムラの無いエレクトロルミネッセンス表示装
置が提供できるという作用を有する。

【００３７】本発明の請求項２４記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は平坦化膜と前記薄膜トランジスタ
と電気的に接続される電極エッジの凹凸を被覆する膜
が、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂またはノボラッ
ク樹脂を主成分とする材料から成ることを特徴としたも
のである。本発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示画
面内での発光ムラの無いエレクトロルミネッセンス表示
装置が提供できるという作用を有する。

【００３８】本発明の請求項２５記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は封止カバーが、ガラスで形成され
ていることを特徴としたものである。本発明に依ればEL
素子の寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無いエレ
クトロルミネッセンス表示装置が提供できるという作用
を有する。

【００３９】本発明の請求項２６記載のエレクトロルミ
ネッセンス表示装置は薄膜トランジスタと接続されてい
ないEL素子の電極が、少なくとも厚さが５０ｎｍ以上の
アルミニウムから成ることを特徴としたものである。本
発明に依ればEL素子の寿命が長く、表示画面内での発光
ムラの無いエレクトロルミネッセンス表示装置が提供で
きるという作用を有する。

【００４０】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を説
明する。

【００４１】（実施の形態１）図１は本発明の実施形態
１のエレクトロルミネッセンス表示装置を説明するもの
であり、図２はその平面図であり、図１は図２のA-A'線
断面図である。また、エレクトロルミネッセンス表示装
置としては、等価回路図は従来のものと同一でも説明上
の不都合がないため、等価回路図としては図３をそのま
ま採用する。

【００４２】では、図１から図３を参照し、有機ＥＬ表
示装置を具体的に説明していく。

【００４３】まず、ガラス基板１０１中の不純物の拡散
を防ぐためのバッファー層１０２としてＳｉＯ₂膜を１
００〜６００ｎｍ程度被着したガラス基板１（コ−ニン
グ社製＃１７３７ガラス）上に例えばシラン（ＳｉＨ
４）を原料ガスとして用いたプラズマＣＶＤ法により膜
厚３０〜１５０ｎｍで、非晶質シリコン（以下a-Ｓｉと
略記する）を形成し、そして、ａ-Ｓｉ中の水素を４０
０〜４５０℃の熱処理で除去した後、例えば、ＸｅＣｌ
エキシマレーザアニールによりａ−Ｓｉを局所的に加熱
溶融し、結晶化して多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）を得た
後、フォトリソグラフィーとエッチングによりトランジ
スタを形成したいところにのみｐ−Ｓｉを残す。そし
て、スイッチングトランジスタとなる第１のＴＦＴ３０
４のソース・ドレイン領域及び蓄積容量の一方の電極と
なる領域にリン（Ｐ）を質量分離を行わないイオンドー
ピング法で注入する。注入量は所望の抵抗値にもよる
が、概ね５×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-2程度である。

【００４４】その後、ＴＥＯＳ（Tetraethylorthosilic
ate:(C₂H₅O)₄Si）を原料ガスとして用いたプラズマＣＶ
Ｄ法でゲート絶縁膜１０４となるＳｉＯ₂を100nmの厚み
で全面に堆積した後、例えばモリブデンタングステン
（MoW）合金を用いてゲート電極１０５とゲートバス配
線３０１を２５０ｎｍ程度の厚みで形成する。ここで
は、MoW膜厚として２５０ｎｍを選択したが、２５０ｎ
ｍに限定するものではなくプロセスや抵抗値などの設計
要素に応じて適宜選択すればよい。そして、このゲート
電極をマスクとして水素希釈ホスフィン（PH3）のプラ
ズマを生成し、質量分離を行わずに加速電圧は70kVでド
ーズ量は５×１０¹²〜５×１０¹³ｃｍ^-2の条件で、イオ
ンドーピングすることにより、ＬＤＤ領域を形成する。
次には、フォトレジストを用いてドーピング・マスクを
形成し、水素希釈ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）のプラズマを生成
し、質量分離を行わずに加速電圧は５０ｋＶでドーズ量
は概ね５×１０¹⁴〜１×１０¹⁶ｃｍ^-2程度の条件で、イ
オンドーピングすることにより、EL素子を直接駆動する
第2のＴＦＴ３０５のＰ型のソース領域１０３−２及び
ドレイン領域１０３−３を形成する。

【００４５】そして、次に多結晶シリコンの結晶化と注
入された不純物の活性化を兼ねて、４５０〜６００℃で
１時間熱処理を行った。そして、ＴＥＯＳを原料ガスと
して用いたプラズマＣＶＤ法でＳｉＯ₂を層間絶縁膜１
０６として全面に堆積し、次にコンタクト・ホ−ルを形
成し、ソース電極１０８、ドレイン電極１０９、ソース
バスライン３０２、及び電流供給バスライン３０３とし
て例えば下層に１００ｎｍのＭｏ、上層に７００ｎｍの
Ａｌ、更にその上層にＭｏが積層された構造を形成す
る。Ｍｏはバリア層としての働きを行う。その後フォト
リソグラフィー・エッチングでパターン化することによ
り、ｐ−ＳｉＴＦＴは完成する。

【００４６】その後、平坦化膜１１０として例えば感光
性のアクリル樹脂を１〜５μｍ程度の膜厚で全面に塗
布、感光、現像し、ドレイン電極１０９へ開口部を設け
る。平坦化膜の厚さに関しては、配線の段差が０．８μ
ｍあるので少なくとも１μｍ以上の厚さが必要である
が、生産性や材料費の観点から５μｍ以下が好ましく、
３μｍ以下の厚さがより好ましい。そして、陽極となる
画素電極１１２（下層電極）をＩＴＯを用いて、５０〜
２００ｎｍ程度の厚みで形成し、フォトリソグラフィー
・エッチングでパターン化する。

【００４７】次にエレクトロルミネッセンス素子を形成
する。まずメタルマスクを用いてＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴ
Ｌ１１４をこの順番で蒸着する。ＨＴＬとしては例えば
α―ＮＰＤを用いる。ＥＭＬとしては、例えば、キノリ
ノールアルミ錯体（以下、「Ａｌｑ３」と略記する。）
にＤＣＪＴをドープしたものを赤（R）色材料に、Ａｌ
ｑ３にキナクリドンをドープしたものを緑（G）色材
料、ＢＰＶＢｉを青（B）色材料として用いる。ＥＩＬ
はEMLと兼用しているため省略した。最後に、陰極１１
５（上層電極）としてＡｌとＬｉとの合金を蒸着した。
陰極１１５は、画素領域だけでなく、薄膜トランジスタ
やソースまたはゲート配線の凹凸を平坦化する平坦化膜
１１０を全て覆うように蒸着した。

【００４８】本発明者らが検討したところ、従来のエレ
クトロルミネッセンス表示装置では陰極に覆われていな
い平坦化膜に近いエレクトロルミネッセンス素子の発光
輝度は最大輝度部の５０％以下に低下していることが分
かり、平坦化膜を介した水分の浸入はエレクトロルミネ
ッセンス素子の発光効率を著しく低下させることから、
陰極の蒸着パターンサイズは少なくとも平坦化膜の面積
より大きくする必要があり、平坦化膜の各端面より５０
０μｍ以上大きい蒸着パターンサイズが好ましい。本発
明の実施の形態で用いている平坦化膜は１０^-3ｇ／ｍ²
・ｄａｙ以上の透湿率を有していることから、陰極は少
なくとも１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率を有する
必要があり、１０^-5ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下が好ましい。

【００４９】また、陰極の厚さは、ピンホールによる水
分浸入を防止するために少なくとも５０ｎｍ以上、好ま
しくは１００ｎｍ以上の厚さが良いが、生産性という面
からは３００ｎｍ以下が望ましい。陰極により平坦化膜
を被覆することで、従来のプロセスを増やすことなくエ
レクトロルミネッセンス素子の劣化を抑制することが可
能となる。また、前記手法によりエレクトロルミネッセ
ンス素子の劣化を防止することは、次に示す封止技術と
併用することで、その効果を増す。本実施の形態では、
陰極としてAlとLiとの合金を用いたが、これに限定する
ものではなく、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｔｉ等の金属や、マ
グネシウム・銀（Mg：Ａｇ）合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金等の
Ｍｇ合金や、Ａｌ／ＬｉＦ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ
−Ｂａ合金等のＡｌ合金等、低仕事関数の金属を用いて
も良い。

【００５０】次に、有機エレクトロルミネッセンス素子
の封止を行う。封止用のカバーにはガラス１１７（コ−
ニング社製＃１７３７ガラス）を用い、平坦化幕を被覆
した陰極を全て覆うように基板外周部と封止カバーとを
紫外線硬化型エポキシ樹脂１１６で接着し、封止カバー
内部には捕水剤１１８を封入した。捕水剤としては、化
学吸着性の酸化バリウム（BaO）を用いた。

【００５１】本発明者らが検討したところ、平坦化膜を
介した水分の浸入はエレクトロルミネッセンス素子の発
光効率を著しく低下させることから、封止用カバーはエ
レクトロルミネッセンス素子だけでなく、平坦化膜も完
全に覆う必要がある。また、平坦化膜の吸湿性は、材料
表面の吸着性と材料内部の拡散性により決まることか
ら、材料の分子構造だけでなく、環境温度にも強く依存
する。そのため、本実施の形態で示すように、平坦化膜
への吸湿を防ぐことは平坦化膜内での水分の拡散を抑制
し、高温、高湿下でも発光特性の変化が少ないEL表示装
置を実現するために非常に有効である。

【００５２】本実施の形態では、平坦化膜１１０とし
て、感光性アクリル樹脂を用いたが、ポリイミドやノボ
ラック樹脂でもほぼ同様に形成できる。

【００５３】また、ＥＭＬ、ＨＴＬ、ＥＴＬについて
は、ＥＭＬとしては、可視領域で蛍光特性を有し、かつ
成膜性の良い蛍光体からなるものが好ましく、Ａｌｑ3
やＢｅ−ベンゾキノリノール（ＢｅＢｑ２）の他に、
２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ペンチル−２−ベンゾ
オキサゾリル）−１，３，４−チアジアゾール、４，
４’−ビス（５，７−ベンチル−２−ベンゾオキサゾリ
ル）スチルベン、４，４’−ビス〔５，７−ジ−（２−
メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリル〕スチ
ルベン、２，５−ビス（５，７−ジ−ｔ−ベンチル−２
−ベンゾオキサゾリル）チオフィン、２，５−ビス
（〔５−α，α−ジメチルベンジル〕−２−ベンゾオキ
サゾリル）チオフェン、２，５−ビス〔５，７−ジ−
（２−メチル−２−ブチル）−２−ベンゾオキサゾリ
ル〕−３，４−ジフェニルチオフェン、２，５−ビス
（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）チオフェン、
４，４’−ビス（２−ベンゾオキサイゾリル）ビフェニ
ル、５−メチル−２−〔２−〔４−（５−メチル−２−
ベンゾオキサイゾリル）フェニル〕ビニル〕ベンゾオキ
サイゾリル、２−〔２−（４−クロロフェニル）ビニ
ル〕ナフト〔１，２−ｄ〕オキサゾール等のベンゾオキ
サゾール系、２，２’−（ｐ−フェニレンジビニレン）
−ビスベンゾチアゾール等のベンゾチアゾール系、２−
〔２−〔４−（２−ベンゾイミダゾリル）フェニル〕ビ
ニル〕ベンゾイミダゾール、２−〔２−（４−カルボキ
シフェニル）ビニル〕ベンゾイミダゾール等のベンゾイ
ミダゾール系等の蛍光増白剤や、トリス（８−キノリノ
ール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）マグネ
シウム、ビス（ベンゾ〔ｆ〕−８−キノリノール）亜
鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）アルミニ
ウムオキシド、トリス（８−キノリノール）インジウ
ム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニ
ウム、８−キノリノールリチウム、トリス（５−クロロ
−８−キノリノール）ガリウム、ビス（５−クロロ−８
−キノリノール）カルシウム、ポリ〔亜鉛（「」−ビス
（８−ヒドロキシ−５−キノリノニル）メタン）等の８
−ヒドロキシキノリン系金属錯体やジリチウムエピンド
リジオン等の金属キレート化オキシノイド化合物や、
１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン、１，４
−（３−メチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス（４
−メチルスチリル）ベンゼン、ジスチリルベンゼン、
１，４−ビス（２−エチルスチリル）ベンゼン、１，４
−ビス（３−エチルスチリル）ベンゼン、１，４−ビス
（２−メチルスチリル）２−メチルベンゼン等のスチリ
ルベンゼン系化合物や、２，５−ビス（４−メチルスチ
リル）ピラジン、２，５−ビス（４−エチルスチリル）
ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ナフチル）ビニ
ル〕ピラジン、２，５−ビス（４−メトキシスチリル）
ピラジン、２，５−ビス〔２−（４−ビフェニル）ビニ
ル〕ピラジン、２，５−ビス〔２−（１−ピレニル）ビ
ニル〕ピラジン等のジスチルピラジン誘導体や、ナフタ
ルイミド誘導体や、ペリレン誘導体や、オキサジアゾー
ル誘導体や、アルダジン誘導体や、シクロペンタジエン
誘導体や、スチリルアミン誘導体や、クマリン系誘導体
や、芳香族ジメチリディン誘導体等が用いられる。さら
に、アントラセン、サリチル酸塩、ピレン、コロネン等
も用いられるし、燐光材料を用いることも可能である。

【００５４】また、ＨＴＬとしては、ホール移動度が高
く、透明で成膜性の良いものが好ましくα―ＮＰＤの他
に、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）、ポルフィン、テ
トラフェニルポルフィン銅、フタロシアニン、銅フタロ
シアニン、チタニウムフタロシアニンオキサイド等のポ
リフィリン化合物や、１，１−ビス｛４−（ジ−Ｐ−ト
リルアミノ）フェニル｝シクロヘキサン、４，４’，
４’’−トリメチルトリフェニルアミン、Ｎ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（Ｐ−トリル）−Ｐ−フェニレ
ンジアミン、１−（Ｎ，Ｎ−ジ−Ｐ−トリルアミノ）ナ
フタレン、４，４’−ビス（ジメチルアミノ）−２−
２’−ジメチルトリフェニルメタン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラフェニル−４，４’−ジアミノビフェニ
ル、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−ｍ−トリル
−４，Ｎ，Ｎ−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチ
ルフェニル）−１，１’−４，４’−ジアミン、４’−
ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール等の芳
香族第三級アミンや、４−ジ−Ｐ−トリルアミノスチル
ベン、４−（ジ−Ｐ−トリルアミノ）−４’−〔４−
（ジ−Ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン等のス
チルベン化合物や、トリアゾール誘導体や、オキサジザ
ゾール誘導体や、イミダゾール誘導体や、ポリアリール
アルカン誘導体や、ピラゾリン誘導体や、ピラゾロン誘
導体や、フェニレンジアミン誘導体や、アニールアミン
誘導体や、アミノ置換カルコン誘導体や、オキサゾール
誘導体や、スチリルアントラセン誘導体や、フルオレノ
ン誘導体や、ヒドラゾン誘導体や、シラザン誘導体や、
ポリシラン系アニリン系共重合体や、高分子オリゴマー
や、スチリルアミン化合物や、芳香族ジメチリディン系
化合物や、ポリ３−メチルチオフェン等の有機材料が用
いられる。また、ポリカーボネート等の高分子中に低分
子のＨＴＬの有機材料を分散させた、高分子分散系のＨ
ＴＬも用いられる。

【００５５】また、ＥＴＬとしては、Ａｌｑ３、１，３
−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル−１，３，４−
オキサジアゾリル）フェニレン（ＯＸＤ−７）等のジョ
キサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン誘導体、
ジフェニルキノン誘導体等も用いられる。

【００５６】本実施の形態では低分子系材料を用いた
が、高分子系の有機エレクトロルミネッセンス材料を用
いることも可能である。また、陽極である画素電極とし
てはＩＴＯを用いたが、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎ
Ｏ₂）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）等も用いら
れる。また、捕水剤として酸化バリウムを用いたが、五
酸化リンや塩化カリウム、モレキュラーシール等でも良
い。

【００５７】光は画素電極のＩＴＯを介して、ＴＦＴア
レイ基板側から取り出しているが、陰極のＡｌ：Ｌｉ合
金に代えて、、透過率を高くし、かつ電子注入効率を確
保するため、例えば極薄のマグネシウム・銀（Mg：Ａ
ｇ）合金を１〜３０ｎｍ程度堆積した後、透明導電体で
あるＩＴＯをスパッタ法などで堆積すれば、アレイ基板
とは逆方向に光を取り出すことができるので、ＴＦＴに
よる開口率の減少を防ぐことができて、光の取り出し効
率が高くなる。この場合には、ガラスなどの透明な基板
を用いた封止、または、透明な有機樹脂薄膜と無機材料
薄膜をＩＴＯ上に積層する薄膜封止を採用する。

【００５８】第１のＴＦＴとしてはＮ型のＴＦＴを用い
たが、Ｐ型のＴＦＴで形成することも可能である。

【００５９】また、ＴＦＴの半導体材料としてもｐ−Ｓ
ｉに限定するものではなく、ａ−Ｓｉ、微結晶Ｓｉ、単
結晶Ｓｉ、ＳｉＧｅ合金、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族
やＩＩ−ＶＩ族、また有機ＴＦＴを使用可能である。

【００６０】また、トップゲート型のＴＦＴで説明した
が、ボトムゲート型のＴＦＴを採用しても同様の効果が
得られることは言うまでも無い。さらにソース・ドレイ
ン電極形成後にＴＦＴ全体のパッシベーション膜として
ＳｉＮ_Xなどを形成しても良い。また、EL素子の構成は
下部に陰極、EL層、上部に陰極の順に説明したが、第二
の薄膜トランジスタをＮ型にすればEL素子の下部に陰
極、上部に陽極となるＥＬ素子構成が可能である。

【００６１】（実施の形態２）図４は本発明の実施形態
１のエレクトロルミネッセンス表示装置を説明するもの
であり、図５はその平面図であり、図４は図５のＢ-Ｂ'
線断面図である。また、エレクトロルミネッセンス表示
装置としては、等価回路図は従来のものと同一でも説明
上の不都合がないため、等価回路図としては図３をその
まま採用する。

【００６２】では、図３から図５を参照し、有機ＥＬ表
示装置を具体的に説明していく。ガラス基板上へのｐ−
ＳｉＴＦＴの作製までの工程は実施の形態１と同じであ
ることから、ここでは省略する。

【００６３】ｐ−ＳｉＴＦＴ作製後、第一の平坦化膜
（１１９）として例えば感光性のアクリル樹脂を１〜５
μｍ程度の膜厚で全面に塗布、感光、現像し、ドレイン
電極１０９への開口部を設ける。第一の平坦化膜の厚さ
に関しては、配線の段差が０．８μｍあるので少なくと
も１μｍ以上の厚さが必要であるが、生産性や材料費の
観点から５μｍ以下が好ましく、３μｍ以下の厚さがよ
り好ましい。そして、陽極となる画素電極１１２をＩＴ
Ｏを用いて、５０〜２００ｎｍ程度の厚みで形成し、フ
ォトリソグラフィー・エッチングでパターン化する。そ
して、陽極と第一の平坦化膜との段差をなくすための第
二の平坦化膜（１２０）を形成する。第二の平坦化膜と
しては、感光性のアクリル樹脂を全面に塗布し、ポスト
ベークを比較的低温で行った後に、エッチバックにより
画素電極１１２であるＩＴＯと同程度の厚さの膜を形成
した。または、第二の平坦化膜の形成法として、同様に
感光性のアクリル樹脂を全面に塗布し、感光、現像し、
画素電極１１２の段差を埋めるのに必要な体積のアクリ
ル樹脂を第一の平坦化膜上に残し、最終ベークにより画
素電極１１２と同じ厚さの膜を形成しても良い。

【００６４】次にエレクトロルミネッセンス素子を形成
する。まずメタルマスクを用いてＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴ
Ｌ１１４をこの順番で蒸着する。ＨＴＬとしては例えば
α―ＮＰＤを用いる。ＥＭＬとしては、例えば、キノリ
ノールアルミ錯体（以下、「Ａｌｑ３」と略記する。）
にＤＣＪＴをドープしたものを赤（R）色材料に、Ａｌ
ｑ３にキナクリドンをドープしたものを緑（G）色材
料、ＢＰＶＢｉを青（B）色材料として用いる。ＥＩＬ
はEMLと兼用しているため省略した。最後に、陰極１１
５としてＡｌとＬｉとの合金を蒸着した。陰極は、画素
領域だけでなく、薄膜トランジスタやソースまたはゲー
ト配線の凹凸を平坦化する第一の平坦化膜（１１９）と
陽極エッジの凹凸を平坦化する第二の平坦化膜（１２
０）を全て覆うように蒸着した。

【００６５】本発明者らが検討したところ、従来のエレ
クトロルミネッセンス表示装置では陰極に覆われていな
い第一の平坦化膜または第二の平坦化膜に近いエレクト
ロルミネッセンス素子の発光輝度は最大輝度部の５０％
以下に低下していることが分かり、第一の平坦化膜また
は第二の平坦化膜を介した水分の浸入はエレクトロルミ
ネッセンス素子の発光効率を著しく低下させることか
ら、陰極の蒸着パターンサイズは少なくとも第一の平坦
化膜と第二の平坦化膜より大きくする必要があり、第一
の平坦化膜または第二の平坦化膜の各端面より５００μ
ｍ以上大きい蒸着パターンサイズが好ましい。本発明の
実施の形態で用いている第一の平坦化膜と第二の平坦化
膜は１０^-3ｇ／ｍ²・ｄａｙ以上の透湿率を有している
ことから、陰極は少なくとも１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以
下の透湿率を有する必要があり、１０^-5ｇ／ｍ²・ｄａ
ｙ以下が好ましい。

【００６６】また、陰極の厚さは、ピンホールによる水
分浸入を防止するために少なくとも５０ｎｍ以上、好ま
しくは１００ｎｍ以上の厚さが良いが、生産性という面
からは３００ｎｍ以下が望ましい。陰極により第一の平
坦化膜と第二の平坦化膜を被覆することで、従来のプロ
セスを増やすことなくエレクトロルミネッセンス素子の
水分による劣化を抑制することが可能となる。また、前
記手法によりエレクトロルミネッセンス素子の劣化を防
止することは、次に示す封止技術と併用することで、そ
の効果を増す。本実施の形態では、陰極としてAlとLiと
の合金を用いたが、これに限定するものではなく、Ａ
ｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｔｉ等の金属や、マグネシウム・銀
（Mg：Ａｇ）合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金等のＭｇ合金や、Ａ
ｌ／ＬｉＦ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂａ合金等の
Ａｌ合金等、低仕事関数の金属を用いても良い。

【００６７】次に、有機エレクトロルミネッセンス素子
の封止を行う。封止用のカバーにはガラス１１７（コ−
ニング社製＃１７３７ガラス）を用い、エレクトロルミ
ネッセンス素子だけでなく、第一の平坦化膜（１１９）
と第二の平坦化膜（１２０）を被覆した陰極を覆うよう
に基板外周部と封止カバーとを紫外線硬化型エポキシ樹
脂１１６で接着し、封止カバー内部には捕水剤１１８を
封入した。捕水剤としては、化学吸着性の酸化バリウム
（BaO）を用いた。

【００６８】本発明者らが検討したところ、第一の平坦
化膜または第二の平坦化膜を介した水分の浸入はエレク
トロルミネッセンス素子の発光効率を著しく低下させる
ことから、封止用カバーはエレクトロルミネッセンス素
子だけでなく、平坦化膜も完全に覆う必要がある。ま
た、平坦化膜の吸湿性は、材料表面の吸着性と材料内部
の拡散性により決まることから、材料の分子構造だけで
なく、環境温度にも強く依存する。そのため、本実施の
形態で示すように、平坦化膜への吸湿を防ぐことは平坦
化膜内での水分の拡散を抑制し、高温、高湿下でも発光
特性の変化が少ないEL表示装置を実現するために非常に
有効である。

【００６９】本実施の形態では、第一の平坦化膜と第二
の平坦化膜として、感光性アクリル樹脂を用いたが、ポ
リイミドやノボラック樹脂でもほぼ同様に形成できる。

【００７０】また、ＥＭＬ、ＨＴＬ、ＥＴＬについて
は、ＥＭＬとしては、可視領域で蛍光特性を有し、かつ
成膜性の良い蛍光体からなるもので、実施の形態１に示
すものと同様のものが望ましい。

【００７１】本実施の形態では低分子系材料を用いた
が、高分子系の有機エレクトロルミネッセンス材料を用
いることも可能である。また、陽極である画素電極とし
てはＩＴＯを用いたが、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎ
Ｏ₂）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）等も用いら
れる。また、捕水剤として酸化バリウムを用いたが、五
酸化リンや塩化カリウム、モレキュラーシール等でも良
い。

【００７２】光は画素電極のＩＴＯを介して、ＴＦＴア
レイ基板側から取り出しているが、陰極のＡｌ：Ｌｉ合
金にかえて、透過率を高くし、かつ電子注入効率を確保
するため、例えば極薄のマグネシウム・銀（Mg：Ａｇ）
合金を１〜３０ｎｍ程度堆積した後、透明導電体である
ＩＴＯをスパッタ法などで堆積すれば、アレイ基板とは
逆方向に光を取り出すことができるので、ＴＦＴによる
開口率の減少を防ぐことができて、光の取り出し効率が
高くなる。この場合には、ガラスなどの透明な基板を用
いた封止、または、透明な有機樹脂薄膜と無機材料薄膜
をＩＴＯ上に積層する薄膜封止を採用する。

【００７３】第１のＴＦＴとしてはＮ型のＴＦＴを用い
たが、Ｐ型のＴＦＴで形成することも可能である。

【００７４】また、ＴＦＴの半導体材料としてもｐ−Ｓ
ｉに限定するものではなく、ａ−Ｓｉ、微結晶Ｓｉ、単
結晶Ｓｉ、ＳｉＧｅ合金、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族
やＩＩ−ＶＩ族、また有機ＴＦＴを使用可能である。

【００７５】また、トップゲート型のＴＦＴで説明した
が、ボトムゲート型のＴＦＴを採用しても同様の効果が
得られることは言うまでも無い。さらにソース・ドレイ
ン電極形成後にＴＦＴ全体のパッシベーション膜として
ＳｉＮ_Xなどを形成しても良い。また、EL素子の構成は
下部に陰極、EL層、丈夫に陰極の順に説明したが、第二
の薄膜トランジスタをＮ型にすればEL素子の下部に陰
極、上部に陽極となるＥＬ素子構成が可能である。

【００７６】（実施の形態３）図６は本発明の実施形態
１のエレクトロルミネッセンス表示装置を説明するもの
であり、図７はその平面図であり、図６は図７のＣ-Ｃ'
線断面図である。また、エレクトロルミネッセンス表示
装置としては、等価回路図は従来のものと同一でも説明
上の不都合がないため、等価回路図としては図３をその
まま採用する。

【００７７】では、図３と図６と図７を参照し、有機Ｅ
Ｌ表示装置を具体的に説明していく。

【００７８】ガラス基板上へのｐ−ＳｉＴＦＴの作製ま
での工程は実施の形態１と同じであることから、ここで
は省略する。

【００７９】ｐ−ＳｉＴＦＴ作製後、パッシベーション
膜１２２として、例えばＳｉＮｘを２００〜８００ｎｍ
程度の膜厚で全面に堆積しフォトリソグラフィー・エッ
チングにより、ドレイン電極１０９へ開口部を設ける。
陽極となる画素電極１１２をＩＴＯを用いて、５０〜２
００ｎｍ程度の厚みで形成し、フォトリソグラフィー・
エッチングでパターン化する。そして、陽極エッジの凹
凸を被覆する膜１２１（保護膜）を形成する。陽極エッ
ジの凹凸を被覆する膜１２１はＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬ
をマスク蒸着する場合、メタルマスクと薄膜トランジス
タや陽極表面との接触を防ぐ働きを兼ねており、感光性
のアクリル樹脂を全面に塗布し、ポストベークを比較的
低温で行った後に紫外線を照射してブリーチングを行
い、最後にさらに最終ベークを行う。陽極エッジの凹凸
を被覆する膜１２１の厚さは１〜５μｍ程度が好まし
く、膜の形状は、陽極と陰極間でのショートを防ぐため
に少なくとも９０度未満の順テーパー形状を形成した。
陽極エッジの凹凸を被覆する膜１２１をメタルマスクの
保護膜と兼用する場合、その膜の厚さは、パーティクル
やダストによりＥＬ層にキズがつき、歩留が低下する可
能性があるので、１μｍ以上が望ましい。また、生産性
の面から厚すぎると露光や現像に時間がかかることから
５μｍ以下が好ましく、３μｍ以下がより好ましい。

【００８０】次にエレクトロルミネッセンス素子を形成
する。まずメタルマスクを用いてＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴ
Ｌ１１４をこの順番で蒸着する。ＨＴＬとしては例えば
α―ＮＰＤを用いる。ＥＭＬとしては、例えば、キノリ
ノールアルミ錯体（以下、「Ａｌｑ３」と略記する。）
にＤＣＪＴをドープしたものを赤（R）色材料に、Ａｌ
ｑ３にキナクリドンをドープしたものを緑（G）色材
料、ＢＰＶＢｉを青（B）色材料として用いる。ＥＩＬ
はEMLと兼用しているため省略した。最後に、陰極１１
５としてＡｌとＬｉとの合金を蒸着した。陰極は、画素
領域だけでなく、陽極エッジの凹凸を被覆する膜１２１
を全て覆うように蒸着した。

【００８１】本発明者らが検討したところ、従来のエレ
クトロルミネッセンス表示装置では陰極に覆われていな
い陽極エッジの凹凸を被覆する膜１２１に近いエレクト
ロルミネッセンス素子の発光輝度は最大輝度部の５５％
以下に低下していることが分かり、陽極エッジの凹凸を
被覆する膜１２１を介した水分の浸入はエレクトロルミ
ネッセンス素子の発光効率を著しく低下させることか
ら、陰極の蒸着パターンサイズは少なくとも陽極エッジ
の凹凸を被覆する膜１２１を完全に覆うだけの大きさが
必要であり、陽極エッジの凹凸を被覆する膜１２１の各
端面より５００μｍ以上大きい蒸着パターンサイズが好
ましい。本発明の実施の形態で用いている陽極エッジの
凹凸を被覆する膜は１０^-3ｇ／ｍ²・ｄａｙ以上の透湿
率を有していることから、陰極は少なくとも１０^-4ｇ／
ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率を有する必要があり、１０^-5
ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下が好ましい。

【００８２】また、陰極の厚さは、ピンホールによる水
分浸入を防止するために少なくとも５０ｎｍ以上、好ま
しくは１００ｎｍ以上の厚さが良いが、生産性という面
からは５００ｎｍ以下が望ましい。陰極により陽極エッ
ジの凹凸を被覆する膜１２１を覆うことで、従来のプロ
セスを増やすことなくエレクトロルミネッセンス素子の
水分による劣化を抑制することが可能となる。また、前
記手法によりエレクトロルミネッセンス素子の劣化を防
止することは、次に示す封止技術と併用することで、そ
の効果を増す。本実施の形態では、陰極としてAlとLiと
の合金を用いたが、これに限定するものではなく、Ａ
ｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｔｉ等の金属や、マグネシウム・銀
（Mg：Ａｇ）合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金等のＭｇ合金や、Ａ
ｌ／ＬｉＦ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂａ合金等の
Ａｌ合金等、低仕事関数の金属を用いても良い。

【００８３】次に、有機エレクトロルミネッセンス素子
の封止を行う。封止用のカバーにはガラス１１７（コ−
ニング社製＃１７３７ガラス）を用い、エレクトロルミ
ネッセンス素子だけでなく、陽極の凹凸を被覆する膜を
覆った陰極全体を覆うように基板外周部と封止カバーと
を紫外線硬化型エポキシ樹脂１１６で接着し、封止カバ
ー内部には捕水剤１１８を封入した。捕水剤としては、
化学吸着性の酸化バリウム（BaO）を用いた。

【００８４】本発明者らが検討したところ、陽極エッジ
の凹凸を被覆する膜１２１を介した水分の浸入はエレク
トロルミネッセンス素子の発光効率を著しく低下させる
ことから、封止用カバーはエレクトロルミネッセンス素
子だけでなく、陽極エッジの凹凸を被覆する膜１２１も
完全に覆う必要がある。また、陽極エッジの凹凸を被覆
する膜１２１の吸湿性は、材料表面の吸着性と材料内部
の拡散性により決まることから、材料の分子構造だけで
なく、環境温度にも強く依存する。そのため、本実施の
形態で示すように、陽極エッジの凹凸を被覆する膜１２
１への吸湿を防ぐことは陽極の凹凸を被覆する膜内での
水分の拡散を抑制し、高温、高湿下でも発光特性の変化
が少ないEL表示装置を実現するために非常に有効であ
る。

【００８５】本実施の形態では、陽極エッジの凹凸を被
覆する膜として、感光性アクリル樹脂を用いたが、ポリ
イミドやノボラック樹脂でもほぼ同様に形成できる。

【００８６】また、ＥＭＬ、ＨＴＬ、ＥＴＬについて
は、ＥＭＬとしては、可視領域で蛍光特性を有し、かつ
成膜性の良い蛍光体からなるもので、実施の形態１に示
すものと同様のものが望ましい。

【００８７】本実施の形態では低分子系材料を用いた
が、高分子系の有機エレクトロルミネッセンス材料を用
いることも可能である。また、陽極である画素電極とし
てはＩＴＯを用いたが、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎ
Ｏ₂）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）等も用いら
れる。また、封止剤として酸化バリウムを用いたが、五
酸化リンや塩化カリウム、モレキュラーシール等でも良
い。

【００８８】光は画素電極のＩＴＯを介して、ＴＦＴア
レイ基板側から取り出しているが、陰極のＡｌ：Ｌｉ合
金にかえて、透過率を高くし、かつ電子注入効率を確保
するため、例えば極薄のマグネシウム・銀（Mg：Ａｇ）
合金を１〜３０ｎｍ程度堆積した後、透明導電体である
ＩＴＯをスパッタ法などで堆積すれば、アレイ基板とは
逆方向に光を取り出すことができるので、ＴＦＴによる
開口率の減少を防ぐことができて、光の取り出し効率が
高くなる。この場合には、ガラスなどの透明な基板を用
いた封止、または、透明な有機樹脂薄膜と無機材料薄膜
をＩＴＯ上に積層する薄膜封止を採用する。

【００８９】第１のＴＦＴとしてはＮ型のＴＦＴを用い
たが、Ｐ型のＴＦＴで形成することも可能である。

【００９０】また、ＴＦＴの半導体材料としてもｐ−Ｓ
ｉに限定するものではなく、ａ−Ｓｉ、微結晶Ｓｉ、単
結晶Ｓｉ、ＳｉＧｅ合金、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族
やＩＩ−ＶＩ族、また有機ＴＦＴを使用可能である。

【００９１】また、トップゲート型のＴＦＴで説明した
が、ボトムゲート型のＴＦＴを採用しても同様の効果が
得られることは言うまでも無い。また、EL素子の構成は
下部に陰極、EL層、丈夫に陰極の順に説明したが、第二
の薄膜トランジスタをＮ型にすればEL素子の下部に陰
極、上部に陽極となるＥＬ素子構成が可能である。

【００９２】（実施の形態４）図８は本発明の実施形態
１のエレクトロルミネッセンス表示装置を説明するもの
であり、図９はその平面図であり、図８は図９のＤ-Ｄ'
線断面図である。また、エレクトロルミネッセンス表示
装置としては、等価回路図は従来のものと同一でも説明
上の不都合がないため、等価回路図としては図３をその
まま採用する。

【００９３】では、図３と図８と図９を参照し、有機Ｅ
Ｌ表示装置を具体的に説明していく。

【００９４】ガラス基板上へのｐ−ＳｉＴＦＴの作製ま
での工程は実施の形態１と同じであることから、ここで
は省略する。

【００９５】ｐ−ＳｉＴＦＴ作製後、平坦化膜１１０と
して例えば感光性のアクリル樹脂を１〜５μｍ程度の膜
厚で全面に塗布、感光、現像し、ドレイン電極１０９へ
開口部を設ける。そして、陽極となる画素電極１１２を
ＩＴＯを用いて、５０〜２００ｎｍ程度の厚みで形成
し、フォトリソグラフィー・エッチングでパターン化す
る。そして陽極エッジの凹凸を被覆する膜を形成する。
また、ＨＴＬ、ＥＭＬ、ＥＴＬをマスク蒸着する場合、
陽極エッジの凹凸を被覆する膜はメタルマスクと薄膜ト
ランジスタや陽極表面との接触を防ぐ働きを兼ねてい
る。陽極エッジの凹凸を被覆する膜１２１は、感光性の
アクリル樹脂を全面に塗布し、ポストベークを比較的低
温で行った後に紫外線を照射してブリーチングを行い、
最後にさらに最終ベークを行う。陽極エッジの凹凸を被
覆する膜１２１の厚さは１〜５μｍ程度が好ましく、そ
の形状は、陽極と陰極間でのショートを防ぐために少な
くとも９０度未満の順テーパー形状を形成した。陽極エ
ッジの凹凸を被覆する膜１２１がメタルマスクの保護膜
と兼用する場合、その膜の厚さは、パーティクルやダス
トによりＥＬ層にキズがつき、歩留が低下する可能性が
あるので、１μｍ以上が望ましい。また、生産性の面か
ら厚すぎると露光や現像に時間がかかることから５μｍ
以下が好ましく、３μｍ以下がより好ましい。

【００９６】次にエレクトロルミネッセンス素子を形成
する。まずメタルマスクを用いてＨＴＬ／ＥＭＬ／ＥＴ
Ｌ１１４をこの順番で蒸着する。ＨＴＬとしては例えば
α―ＮＰＤを用いる。ＥＭＬとしては、例えば、キノリ
ノールアルミ錯体（以下、「Ａｌｑ３」と略記する。）
にＤＣＪＴをドープしたものを赤（R）色材料に、Ａｌ
ｑ３にキナクリドンをドープしたものを緑（G）色材
料、ＢＰＶＢｉを青（B）色材料として用いる。ＥＩＬ
はEMLと兼用しているため省略した。最後に、陰極１１
５としてＡｌとＬｉとの合金を蒸着した。陰極は、画素
領域だけでなく、薄膜トランジスタやソースまたはゲー
ト配線の凹凸を平坦化する平坦化膜１１０と陽極エッジ
の凹凸を被覆する膜１２１を全て覆うように蒸着した。

【００９７】本発明者らが検討したところ、従来のエレ
クトロルミネッセンス表示装置では陰極に覆われていな
い平坦化膜または陽極エッジの凹凸を被覆する膜に近い
エレクトロルミネッセンス素子の発光輝度は最大輝度部
の４５％以下に低下していることが分かり、平坦化膜ま
たは陽極エッジの凹凸を被覆する膜を介した水分の浸入
はエレクトロルミネッセンス素子の発光効率を著しく低
下させることから、陰極の蒸着パターンサイズは少なく
とも平坦化膜と陽極エッジの凹凸を被覆する膜を完全に
覆うだけの大きさが必要であり、平坦化膜と陽極エッジ
の凹凸を被覆する膜の端面より５００μｍ以上大きい蒸
着パターンサイズが好ましい。本発明の実施の形態で用
いている平坦化膜と陽極エッジの凹凸を被覆する膜は１
０^-3ｇ／ｍ²・ｄａｙ以上の透湿率を有していることか
ら、陰極は少なくとも１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透
湿率を有する必要があり、１０^-5ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下
が好ましい。

【００９８】また、陰極の厚さは、ピンホールによる水
分浸入を防止するために少なくとも５０ｎｍ以上、好ま
しくは１００ｎｍ以上の厚さが良いが、生産性という面
からは３００ｎｍ以下が望ましい。陰極により平坦化膜
と陽極エッジの凹凸を被覆する膜を被覆することで、従
来のプロセスを増やすことなくエレクトロルミネッセン
ス素子の水分による劣化を抑制することが可能となる。
また、前記手法によりエレクトロルミネッセンス素子の
劣化を防止することは、次に示す封止技術と併用するこ
とで、その効果を増す。本実施の形態では、陰極として
AlとLiとの合金を用いたが、これに限定するものではな
く、Ａｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ｔｉ等の金属や、マグネシウム
・銀（Mg：Ａｇ）合金、Ｍｇ−Ｉｎ合金等のＭｇ合金
や、Ａｌ／ＬｉＦ合金、Ａｌ−Ｓｒ合金、Ａｌ−Ｂａ合
金等のＡｌ合金等、低仕事関数の金属を用いても良い。

【００９９】次に、有機エレクトロルミネッセンス素子
の封止を行う。封止用のカバーにはガラス１１７（コ−
ニング社製＃１７３７ガラス）を用い、エレクトロルミ
ネッセンス素子だけでなく、平坦化膜と絶縁性陽極の凹
凸を被覆する膜を被覆した陰極全体を覆うように基板外
周部と封止カバーとを紫外線硬化型エポキシ樹脂１１６
で接着し、封止カバー内部には捕水剤１１８を封入し
た。捕水剤としては、化学吸着性の酸化バリウム（Ba
O）を用いた。

【０１００】本発明者らが検討したところ、平坦化膜と
陽極エッジの凹凸を被覆する膜を介した水分の浸入はエ
レクトロルミネッセンス素子の発光効率を著しく低下さ
せることから、封止カバーはエレクトロルミネッセンス
素子だけでなく、平坦化膜と陽極エッジの凹凸を被覆す
る膜も完全に覆う必要がある。また、平坦化膜と陽極エ
ッジの凹凸を被覆する膜の吸湿性は、材料表面の吸着性
と材料内部の拡散性により決まることから、材料の分子
構造だけでなく、環境温度にも強く依存する。そのた
め、本実施の形態で示すように、平坦化膜と陽極エッジ
の凹凸を被覆する膜への吸湿を防ぐことは平坦化膜と陽
極エッジの凹凸を被覆する膜内での水分の拡散を抑制
し、高温、高湿下でも発光特性の変化が少ないEL表示装
置を実現するために非常に有効である。

【０１０１】本実施の形態では、平坦化膜と陽極エッジ
の凹凸を被覆する膜として、感光性アクリル樹脂を用い
たが、ポリイミドやノボラック樹脂でもほぼ同様に形成
できる。

【０１０２】また、ＥＭＬ、ＨＴＬ、ＥＴＬについて
は、ＥＭＬとしては、可視領域で蛍光特性を有し、かつ
成膜性の良い蛍光体からなるもので、実施の形態１に示
すものと同様のものが望ましい。

【０１０３】本実施の形態では低分子系材料を用いた
が、高分子系の有機エレクトロルミネッセンス材料を用
いることも可能である。また、陽極である画素電極とし
てはＩＴＯを用いたが、ＡＴＯ（ＳｂをドープしたＳｎ
Ｏ₂）、ＡＺＯ（ＡｌをドープしたＺｎＯ）等も用いら
れる。また、封止剤として酸化バリウムを用いたが、五
酸化リンや塩化カリウム、モレキュラーシール等でも良
い。

【０１０４】光は画素電極のＩＴＯを介して、ＴＦＴア
レイ基板側から取り出しているが、陰極のＡｌ：Ｌｉ合
金にかえて、透過率を高くし、かつ電子注入効率を確保
するため、例えば極薄のマグネシウム・銀（Mg：Ａｇ）
合金を１〜３０ｎｍ程度堆積した後、透明導電体である
ＩＴＯをスパッタ法などで堆積すれば、アレイ基板とは
逆方向に光を取り出すことができるので、ＴＦＴによる
開口率の減少を防ぐことができて、光の取り出し効率が
高くなる。この場合には、ガラスなどの透明な基板を用
いた封止、または、透明な有機樹脂薄膜と無機材料薄膜
をＩＴＯ上に積層する薄膜封止を採用する。

【０１０５】第１のＴＦＴとしてはＮ型のＴＦＴを用い
たが、Ｐ型のＴＦＴで形成することも可能である。

【０１０６】また、ＴＦＴの半導体材料としてもｐ−Ｓ
ｉに限定するものではなく、ａ−Ｓｉ、微結晶Ｓｉ、単
結晶Ｓｉ、ＳｉＧｅ合金、ＧａＡｓなどのＩＩＩ−Ｖ族
やＩＩ−ＶＩ族、また有機ＴＦＴを使用可能である。

【０１０７】また、トップゲート型のＴＦＴで説明した
が、ボトムゲート型のＴＦＴを採用しても同様の効果が
得られることは言うまでも無い。さらにソース・ドレイ
ン電極形成後にＴＦＴ全体のパッシベーション膜として
ＳｉＮ_Xなどを形成しても良い。また、EL素子の構成は
下部に陰極、EL層、丈夫に陰極の順に説明したが、第二
の薄膜トランジスタをＮ型にすればEL素子の下部に陰
極、上部に陽極となるＥＬ素子構成が可能である。

【０１０８】

【発明の効果】以上説明を行ってきたように、本発明の
エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に
よれば寿命が長く、表示画面内での発光ムラの無い均一
なエレクトロルミネッセンス表示装置を提供でき、その
実用上の効果は大きい。また、環境温度に依らず、安定
した表示特性を示すエレクトロルミネッセンス表示装置
提供できる。また、寿命が長く、歩留も高いことから省
資源、エネルギーにも寄与できるため、地球環境保護の
観点からも、実用上の効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に基づくエレクトロルミネッセンス表示
装置の断面図

【図２】図１のＡ−Ａ‘線に対応する本発明に基づくエ
レクトロルミネッセンス表示装置の平面図

【図３】従来及び本発明のエレクトロルミネッセンス表
示装置の等価回路を示す図

【図４】従来のエレクトロルミネッセンス表示装置の断
面図

【図５】図５のＢ−Ｂ‘線に対応する本発明に基づくエ
レクトロルミネッセンス表示装置の平面図

【図６】本発明に基づくエレクトロルミネッセンス表示
装置の断面図

【図７】図６のＣ−Ｃ‘線に対応する本発明に基づくエ
レクトロルミネッセンス表示装置の平面図

【図８】本発明に基づくエレクトロルミネッセンス表示
装置の断面図

【図９】図８のＤ−Ｄ‘線に対応する本発明に基づくエ
レクトロルミネッセンス表示装置の平面図

【図１０】従来のエレクトロルミネッセンス表示装置の
断面図

【図１１】図１０のＥ−Ｅ‘線に対応する本発明に基づ
くエレクトロルミネッセンス表示装置の平面図

【符号の説明】

１０１ガラス基板１０２バッファー層１０３−１ｐ−Ｓｉ（チャネル領域）１０３−２ｐ−Ｓｉ（ソース領域）１０３−３ｐ−Ｓｉ（ドレイン領域）１０４ゲート絶縁膜１０５ゲート電極１０６層間絶縁膜１０８ソース電極１０９ドレイン電極１１０平坦化膜１１２画素電極（ＩＴＯ陽極）１１４ＥＴＬ（電子輸送層）／ＥＭＬ（発光層）／Ｈ
ＴＬ（ホール輸送層）１１５陰極（Ａｌ：Ｌｉ）１１６紫外線硬化型エポキシ樹脂１１７ガラスカバー１１８捕水剤１１９第一の平坦化膜１２０第二の平坦化膜１２１陽極エッジの凹凸を被覆する膜１２２パッシベーション膜３０１ゲートバスライン３０２ソースバスライン３０３電流供給バスライン３０４第１のＴＦＴ３０５第２のＴＦＴ３０６ＥＬ素子３０７蓄積容量３０８単位画素

フロントページの続き (72)発明者筒博司大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB13 BB01 BB02 BB05 DB03 FA02 5C094 AA03 AA07 AA08 AA38 AA42 AA43 AA48 BA03 BA12 BA27 CA19 CA24 CA25 DA13 DA15 DB01 DB04 EA04 EA05 EA06 EA07 EB02 FA01 FA02 FB01 FB02 FB15 FB20 JA08 JA20

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性を有する基板上に形成された薄膜ト
ランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う有機材料か
らなる平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成されたEL素子
とを備え、前記EL素子は上層電極と前記薄膜トランジス
タに接続されている下層電極とを備え、前記EL素子が前
記薄膜トランジスタによって駆動されるEL表示装置であ
って、前記平坦化膜が１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透
湿率を有する材料で被覆されていることを特徴とするEL
表示装置。
【請求項２】前記平坦化膜が１０―⁴ｇ／ｍ²・ｄａｙ以
下の透湿率を有する封止カバーによって外気と遮断され
ていることを特徴とする請求項１記載のEL表示装置。
【請求項３】前記１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率
を有する材料から成る膜が前記平坦化膜を被覆し、且つ
前記EL素子の上層電極を兼ねていることを特徴とする請
求項１記載のEL表示装置。
【請求項４】前記平坦化膜が、アクリル樹脂またはポリ
イミド樹脂またはノボラック樹脂を主成分とする材料か
ら成ることを特徴とする請求項１記載のEL表示装置。
【請求項５】前記封止カバーがガラスで形成されている
ことを特徴とする請求項２記載のEL表示装置。
【請求項６】前記EL素子の上層電極が少なくとも厚さが
５０ｎｍ以上のアルミニウムから成ることを特徴とする
請求項３記載のEL表示装置。
【請求項７】絶縁性を有する基板上に形成された薄膜ト
ランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う有機材料か
らなる第一の平坦化膜と、前記第一の平坦化膜上に形成
されたEL素子とを備え、前記EL素子は上層電極と前記薄
膜トランジスタに接続されている下層電極とを備え、前
記下層電極の隙間には下層電極と前記第一の平坦化膜と
の段差を平坦化する為に有機材料からなる第二の平坦化
膜が充填されており、前記EL素子が前記薄膜トランジス
タによって駆動されるEL表示装置において、前記第一の
平坦化膜と前記第二の平坦化膜が１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａ
ｙ以下の透湿率を有する材料で被覆されていることを特
徴とするEL表示装置。
【請求項８】前記第一の平坦化膜と前記第二の平坦化膜
が１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率を有する封止カ
バーによって外気と遮断されていることを特徴とする請
求項７記載のEL表示装置。
【請求項９】前記１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率
を有する材料から成る膜が、前記第一の平坦化膜と前記
第二の平坦化膜を被覆し、且つ前記EL素子の上層電極を
兼ねていることを特徴とする請求項７記載のEL表示装
置。
【請求項１０】前記第一の平坦化膜と、前記第二の平坦
化膜が、アクリル樹脂またはポリイミド樹脂またはノボ
ラック樹脂を主成分とする材料から成ることを特徴とす
る請求項７記載のEL表示装置。
【請求項１１】前記封止カバーが、ガラスで形成されて
いることを特徴とする請求項８記載のEL表示装置。
【請求項１２】前記EL素子の上層電極が、少なくとも厚
さが５０ｎｍ以上のアルミニウムから成ることを特徴と
する請求項９記載のEL表示装置。
【請求項１３】絶縁性を有する基板上に形成された薄膜
トランジスタと、EL素子とを備え、前記EL素子は上層電
極と前記薄膜トランジスタに接続されている下層電極と
を備え、前記下層電極のエッジ部分には下層電極のエッ
ジの凹凸を被覆するように部分的に保護膜が形成されて
おり、前記EL素子が前記薄膜トランジスタによって駆動
されるEL表示装置であって、前記保護膜が１０^-4ｇ／ｍ
²・ｄａｙ以下の透湿率を有する材料で被覆されている
ことを特徴とするEL表示装置。
【請求項１４】前記保護膜が、前記EL素子作成時に前記
薄膜トランジスタを形成した基板表面と前記EL素子形成
用マスクが直接接触することを防止する作用を兼ねてい
ることを特徴とする請求項１３記載のEL表示装置。
【請求項１５】前記保護膜が１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以
下の透湿率を有する封止カバーによって覆われ、外気と
遮断されていることを特徴とする請求項１３記載のEL表
示装置。
【請求項１６】前記１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿
率を有する材料から成る膜が前記保護膜を覆い、且つ前
記EL素子の上層電極を兼ねていることを特徴とする請求
項１３記載のEL表示装置。
【請求項１７】前記保護膜がアクリル樹脂またはポリイ
ミド樹脂またはノボラック樹脂を主成分とする材料から
成ることを特徴とする請求項１３記載のEL表示装置。
【請求項１８】前記封止カバーが、ガラスによって形成
されていることを特徴とする請求項１５記載のEL表示装
置。
【請求項１９】前記EL素子の上層電極が、少なくとも厚
さが５０ｎｍ以上のアルミニウムから成ることを特徴と
する請求項１６記載のEL表示装置。
【請求項２０】絶縁性を有する基板上に形成された薄膜
トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う有機材料
からなる平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成されたEL素
子とを備え、前記EL素子は上層電極と前記薄膜トランジ
スタに接続されている下層電極とを備え、前記下層電極
のエッジ部分には下層電極のエッジの凹凸を被覆するよ
うに部分的に保護膜が形成されており、前記EL素子が前
記薄膜トランジスタによって駆動されるEL表示装置にお
いて、前記平坦化膜と保護膜が１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ
以下の透湿率を有する材料で被覆されていることを特徴
とするEL表示装置。
【請求項２１】前記平坦化膜と前記保護膜が、前記EL素
子作成時に前記薄膜トランジスタを形成した基板表面と
前記EL素子形成用マスクが直接接触することを防止する
作用を兼ねていることを特徴とする請求項２０記載のEL
表示装置。
【請求項２２】前記平坦化膜と前記保護膜が１０^-4ｇ／
ｍ²・ｄａｙ以下の透湿率を有する封止カバーによって
覆われ、外気と遮断されていることを特徴とする請求項
２０記載のEL表示装置。
【請求項２３】前記１０^-4ｇ／ｍ²・ｄａｙ以下の透湿
率を有する材料から成る膜が、前記平坦化膜と前記保護
膜を覆い、且つ前記EL素子の上層電極を兼ねていること
を特徴とする請求項２０記載のEL表示装置。
【請求項２４】前記平坦化膜と前記保護膜が、アクリル
樹脂またはポリイミド樹脂またはノボラック樹脂を主成
分とする材料から成ることを特徴とする請求項２０記載
のEL表示装置。
【請求項２５】前記封止カバーが、ガラスで形成されて
いることを特徴とする請求項２２記載のEL表示装置。
【請求項２６】前記EL素子の上層電極が、少なくとも厚
さが５０ｎｍ以上のアルミニウムから成ることを特徴と
する請求項２３記載のEL表示装置。
【請求項２７】絶縁性を有する基板上に形成された薄膜
トランジスタと、前記薄膜トランジスタを覆う有機材料
からなる平坦化膜と、前記平坦化膜上に形成されたEL素
子とを備え、前記EL素子は上層電極と前記薄膜トランジ
スタに接続されている下層電極とを備え、前記EL素子が
前記薄膜トランジスタによって駆動されるEL表示装置で
あって、前記平坦化膜の上面および側面が前記EL素子の
上層電極によってもれなく被覆されていることを特徴と
するEL表示装置。