JP2018152570A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 発光素子と、
   前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
   前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
2. 発光素子と、
   前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
   前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜の全てと重なり、
   前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
3. 発光素子と、
   前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
   前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
   前記第１の導電膜のチャネル長方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さより大きく、
   前記第１の導電膜のチャネル幅方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さより大きく、
   前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
4. 発光素子と、
   前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
   前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
   前記第１の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜の全てと重なり、
   前記第３の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜と重ならない領域を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
5. 発光素子と、
   前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１の導電膜と、
   前記第１の導電膜上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１の導電膜と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第２の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第３の導電膜と、
   前記第２の導電膜と同層に位置し、且つ前記第２の導電膜と同材料を有する第４の導電膜と、を有し、
   前記第１の導電膜のチャネル長方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さより大きく、
   前記第１の導電膜のチャネル幅方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さより大きく、
   前記第３の導電膜は、前記第１の酸化物半導体膜と重ならない領域を有し、
   前記第４の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１の導電膜と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
6. 発光素子と、
   前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
   前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
   前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
7. 発光素子と、
   前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
   前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
   前記第１のゲート電極は、前記第１の酸化物半導体膜の全てと重なり、
   前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
8. 発光素子と、
   前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
   前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
   前記第１のゲート電極のチャネル長方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さより大きく、
   前記第１のゲート電極のチャネル幅方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さより大きく、
   前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
9. 発光素子と、
   前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
   前記第１のトランジスタは、
   第１のゲート電極と、
   前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
   前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
   前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
   前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
   前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
   前記第１のゲート電極は、前記第１の酸化物半導体膜の全てと重なり、
   前記第２のゲート電極は、前記第１の酸化物半導体膜と重ならない領域を有し、
   前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
   前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
   前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。
10. 発光素子と、
    前記発光素子の駆動トランジスタとして機能する第１のトランジスタと、
    前記第１のトランジスタと電気的に接続され、選択トランジスタとして機能する第２のトランジスタと、を有する画素を有し、
    前記第１のトランジスタは、
    第１のゲート電極と、
    前記第１のゲート電極上の第１の絶縁膜と、
    前記第１の絶縁膜を介して前記第１のゲート電極と重なる領域を有する第１の酸化物半導体膜と、
    前記第１の酸化物半導体膜上に接する領域を有する第１の導電膜と、
    前記第１の酸化物半導体膜上の第２の絶縁膜と、
    前記第２の絶縁膜上に前記第２の絶縁膜を介して前記第１の酸化物半導体膜と重なる領域を有する第２のゲート電極と、
    前記第１の導電膜と同層に位置し、且つ前記第１の導電膜と同材料を有する第２の導電膜と、を有し、
    前記第１のゲート電極のチャネル長方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル長方向の長さより大きく、
    前記第１のゲート電極のチャネル幅方向の長さは、前記第１の酸化物半導体膜のチャネル幅方向の長さより大きく、
    前記第２のゲート電極は、前記第１の酸化物半導体膜と重ならない領域を有し、
    前記第２の導電膜は、前記第１の絶縁膜の開口部を介して前記第１のゲート電極と接する領域を有し、
    前記第２のトランジスタは、第２の酸化物半導体膜を有し、且つ、シングルゲート構造を有し、
    前記第２のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）は、前記第１のトランジスタのチャネル幅に対するチャネル長の比（Ｌ／Ｗ比）よりも大きいことを特徴とする表示装置。