KR102513333B1 - 표시 장치 - Google Patents

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Abstract

표시 장치는 기판에 형성된 제1 함몰부, 상기 제1 함몰부와 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하는 반도체층, 및 상기 제1 함몰부 및 반도체층과 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하는 게이트 전극을 포함하고, 상기 제1 함몰부에서 상기 기판의 두께는 상기 제1 함몰부를 제외한 비함몰부에서 상기 기판의 두께보다 얇다.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 소자를 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
표시 장치에 포함되는 복수의 화소 각각은 유기 발광 소자 또는 무기 발광 소자 등의 발광 소자를 포함할 수 있다. 발광 소자는 정공 주입 전극과 전자 주입 전극, 그리고 이들 사이에 위치하는 발광층을 포함하고, 정공 주입 전극에서 주입되는 정곡과 전자 주입 전극에서 주입되는 전자가 발광층에서 결합하여 생성된 엑시톤(exciton)이 여기 상태(excited state)로부터 기저 상태(ground state)로 떨어지면서 빛을 발생시킨다.
이러한 발광 소자를 포함하는 표시 장치는 발광 소자에 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터와 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 유지하기 위한 유지 커패시터를 포함한다.
구동 트랜지스터의 구동 범위가 클수록 발광 소자에 흐르는 전류를 제어하기 용이하고, 유지 커패시터의 용량이 클수록 발광 소자의 안정적인 발광을 유지할 수 있다.
표시 장치의 해상도가 증가함에 따라 복수의 화소 각각에 할당되는 영역이 좁아질 수 밖에 없고, 이에 따라 구동 트랜지스터나 유지 커패시터의 배치를 위한 영역이 좁아질 수 있다. 그 결과, 구동 트랜지스터의 구동 범위가 줄어들고 유지 커패시터의 용량이 줄어들 수 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 복수의 화소 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 구동 범위와 유지 커패시터의 용량을 증가시킬 수 있는 표시 장치를 제공함에 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치는 기판에 형성된 제1 함몰부, 상기 제1 함몰부와 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하는 반도체층, 및 상기 제1 함몰부 및 반도체층과 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하는 게이트 전극을 포함하고, 상기 제1 함몰부에서 상기 기판의 두께는 상기 제1 함몰부를 제외한 비함몰부에서 상기 기판의 두께보다 얇다.
발광 소자를 더 포함하고, 상기 반도체층과 상기 게이트 전극은 상기 발광 소자로 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 이룰 수 있다.
상기 반도체층은 서로 이격되어 있는 일단과 타단, 및 일단과 타단 사이에 위치하는 채널 영역을 포함하고, 상기 채널 영역은 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함할 수 있다.
상기 구동 트랜지스터의 채널 길이는 상기 채널 영역의 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응할 수 있다.
상기 기판에 형성된 제2 함몰부, 상기 제2 함몰부와 중첩하고, 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하는 제1 전극, 및 상기 제2 함몰부와 중첩하고, 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하여 상기 제1 전극과 마주하는 하는 제2 전극을 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 유지하는 유지 커패시터를 이룰 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함하고, 상기 유지 커패시터의 용량은 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응할 수 있다.
상기 제1 함몰부, 상기 반도체층 및 상기 게이트 전극과 중첩하는 제2 전극을 더 포함하고, 상기 게이트 전극과 상기 제2 전극은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 유지하는 유지 커패시터를 이룰 수 있다.
상기 게이트 전극과 상기 제2 전극 각각은 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함하고, 상기 유지 커패시터의 용량은 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치는 기판에 형성된 제2 함몰부, 상기 제2 함몰부와 중첩하고, 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하는 제1 전극, 상기 제2 함몰부와 중첩하고, 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하여 상기 제1 전극과 마주하는 하는 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 절연층을 포함하고, 상기 제2 함몰부에서 상기 기판의 두께는 상기 제2 함몰부를 제외한 비함몰부에서 상기 기판의 두께보다 얇다.
발광 소자, 및 상기 발광 소자로 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 유지하는 유지 커패시터를 이룰 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함하고, 상기 유지 커패시터의 용량은 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응할 수 있다.
기판에 형성된 제1 함몰부, 및 상기 제1 함몰부와 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하는 반도체층, 및 상기 제1 함몰부 및 반도체층과 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 형성하는 게이트 전극을 더 포함하고, 상기 반도체층은 서로 이격되어 있는 일단과 타단, 및 일단과 타단 사이에 위치하는 채널 영역을 포함하고, 상기 반도체층과 상기 게이트 전극은 상기 발광 소자로 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 이룰 수 있다.
상기 채널 영역은 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함하고, 상기 구동 트랜지스터의 채널 길이는 상기 채널 영역의 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 표시 장치는 기판, 상기 기판에 형성된 제1 함몰부, 상기 기판 위에 위치하는 발광 소자, 및 상기 제1 함몰부에 중첩하는 채널 영역을 포함하고, 상기 발광 소자로 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하고, 상기 제1 함몰부에서 상기 기판의 두께는 상기 제1 함몰부를 제외한 비함몰부에서 상기 기판의 두께보다 얇다.
상기 구동 트랜지스터의 채널 영역은 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 포함하고, 상기 구동 트랜지스터의 채널 길이는 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응할 수 있다.
상기 기판에 형성된 제2 함몰부, 및 상기 제2 함몰부에 중첩하는 제1 전극과 제2 전극을 포함하고, 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 유지하는 유지 커패시터를 더 포함할 수 있다.
상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 포함하고, 상기 유지 커패시터의 용량은 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응할 수 있다.
상기 제1 함몰부 및 상기 구동 트랜지스터와 중첩하는 유지 커패시터를 더 포함할 수 있다.
상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 유지 커패시터의 제1 전극으로 공유될 수 있다.
복수의 화소 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 구동 범위와 유지 커패시터의 용량을 증가시킬 수 있고, 이에 따라 표시 장치의 색 구현 범위를 향상시키고 표시 장치가 안정적으로 발광할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 2는 일 실시예에 따른 화소를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 4는 유지 커패시터의 면적에 대한 용량 변화를 나타내는 그래프이다.
도 5는 구동 트랜지스터의 채널 길이에 대한 구동 트랜지스터의 구동 범위를 나타내는 그래프이다.
도 6은 다른 실시예에 따른 화소를 나타낸다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예들에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
또한, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다. 도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 그리고 도면에서, 설명의 편의를 위해, 일부 층 및 영역의 두께를 과장되게 나타내었다.
또한, 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 또한, 기준이 되는 부분 "위에" 또는 "상에" 있다고 하는 것은 기준이 되는 부분의 위 또는 아래에 위치하는 것이고, 반드시 중력 반대 방향 쪽으로 "위에" 또는 "상에" 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
또한, 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
또한, 명세서 전체에서, "중첩된다"고 할 때, 이는 단면상에서 상하 중첩되거나, 또는 평면상에서 전부 또는 일부가 동일한 영역에 위치하는 것을 의미한다.
이하, 도 1을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 표시 장치는 영상을 표시하는 표시 영역과 표시 영역 주변에 위치하는 주변 영역을 포함하고, 표시 영역에는 광을 방출하는 복수의 화소가 위치한다.
복수의 화소 각각은 발광 소자(LED), 발광 소자(LED)에 흐르는 전류를 제어하기 위한 구동 트랜지스터(TR1) 및 구동 트랜지스터(TR1)의 게이트 전압을 유지하기 위한 유지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(TR1)와 유지 커패시터(Cst)는 기판(110) 위에 위치할 수 있다.
기판(110)은 유리, 플라스틱 등의 절연 물질, 또는 금속 등과 같은 다양한 소재를 포함할 수 있다. 일 실시예에 따르면, 기판(110)은 잘 휘어지고 구부러지며 접히거나 말릴 수 있는 플렉서블 소재의 기판(110)을 포함할 수 있다. 플렉서블 소재의 기판(110)은 초박형 유리, 금속 또는 플라스틱으로 구현될 수 있다.
기판(110)은 구동 트랜지스터(TR1)와 중첩하는 제1 함몰부(Gr1) 및 유지 커패시터(Cst)와 중첩하는 제2 함몰부(Gr2)를 포함할 수 있다.
제1 함몰부(Gr1)는 제1 수평부(H1) 및 제1 수직부(V1)를 포함할 수 있다. 제1 수평부(H1)는 제1 함몰부(Gr1)와 제2 함몰부(Gr2)를 제외한 기판(110)의 상면보다 낮은 위치에서 대체적으로 수평 방향으로 형성되는 부분일 수 있다. 이하, 기판(110)의 상면은 기판(110)의 일면에서 제1 함몰부(Gr1)와 제2 함몰부(Gr2)를 제외한 부분을 지시하고, 수평 방향은 기판(110)의 일면에 평행한 방향을 지시한다. 기판(110)의 상면을 비함몰부라 지칭할 수 있다. 제1 수직부(V1)는 기판(110)의 상면과 제1 수평부(H1)를 대체적으로 수직 방향으로 연결하는 부분일 수 있다. 제1 함몰부(Gr1)에서 기판(110)의 두께는 비함몰부에서 기판(110)의 두께보다 얇을 수 있다. 제2 함몰부(Gr2)는 제2 수평부(H2) 및 제2 수직부(V2)를 포함할 수 있다. 제2 수평부(H2)는 기판(110)의 상면보다 낮은 위치에서 대체적으로 수평 방향으로 형성되는 부분이고, 제2 수직부(V2)는 기판(110)의 상면과 제2 수평부(H2)를 대체적으로 수직 방향으로 연결하는 부분일 수 있다. 제2 함몰부(Gr2)에서 기판(110)의 두께는 비함몰부에서 기판(110)의 두께보다 얇을 수 있다.
기판(110) 위에 버퍼층(121)이 위치한다. 버퍼층(121)은 불순 원소 또는 수분과 같이 불필요한 성분의 침투를 방지하는 역할을 한다. 버퍼층(121)은 제1 함몰부(Gr1)와 제2 함몰부(Gr2)의 모양에 따라 요철을 형성할 수 있다. 버퍼층(121)은 반드시 필요한 구성은 아니며, 기판(110)의 종류 및 공정 조건에 따라 생략될 수도 있다.
버퍼층(121) 위에 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체 등을 포함하는 반도체층(130)이 위치한다. 반도체층(130)은 제1 함몰부(Gr1)와 중첩한다. 이때, 반도체층(130)은 수평 방향으로 제1 함몰부(Gr1)보다 넓게 형성되고, 반도체층(130)의 일부는 제1 함몰부(Gr1) 위에 위치하고, 다른 일부는 비함몰부 위에 위치할 수 있다. 반도체층(130)은 제1 함몰부(Gr1)의 모양에 따라 요철을 형성할 수 있다. 반도체층(130)의 서로 이격되어 있는 일단(131)과 타단(132)은 불순물이 도핑되어 도전성을 가질 수 있고, 일단(131)과 타단(132) 사이에 채널 영역이 위치할 수 있다. 반도체층(130)의 채널 영역은 제1 함몰부(Gr1)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함할 수 있다.
반도체층(130)과 버퍼층(121) 위에 제1 절연층(122)이 위치한다. 제1 절연층(122)은 질화 규소, 산화 규소 등의 단일막 또는 질화 규소와 산화 규소가 적층된 이중막 구조일 수 있다.
제1 절연층(122) 위에 제1 도전층이 위치한다. 제1 도전층은 제2 함몰부(Gr2)와 중첩하는 제1 전극(140)을 포함할 수 있다. 제1 전극(140)은 수평 방향으로 제2 함몰부(Gr2)보다 넓게 형성되고, 제1 전극(140)의 일부는 제2 함몰부(Gr2) 위에 위치하고, 다른 일부는 비함몰부 위에 위치할 수 있다. 제1 전극(140)은 제2 함몰부(Gr2)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 형성할 수 있다. 제1 전극(140)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일층 또는 다중층 구조일 수 있다.
제1 도전층과 제1 절연층(122) 위에 제2 절연층(123)이 위치한다. 제2 절연층(123)은 질화 규소, 산화 규소 등의 단일막 또는 질화 규소와 산화 규소가 적층된 이중막 구조일 수 있다.
제2 절연층(123) 위에 제2 도전층이 위치한다. 제2 도전층은 제1 함몰부(Gr1)와 중첩하는 게이트 전극(150)과 제2 함몰부(Gr2)와 중첩하는 제2 전극(160)을 포함할 수 있다.
게이트 전극(150)은 제1 함몰부(Gr1)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함할 수 있다. 게이트 전극(150)은 반도체층(130)의 채널 영역과 중첩할 수 있고, 반도체층(130)과 게이트 전극(150)은 구동 트랜지스터(TR1)를 이룰 수 있다. 게이트 전극(150)은 수평 방향으로 제1 함몰부(Gr1)보다 반드시 넓게 형성될 필요는 없다. 다만, 실시예에 따라 게이트 전극(150)은 수평 방향으로 제1 함몰부(Gr1)보다 넓게 형성되고, 게이트 전극(150)의 일부는 제1 함몰부(Gr1) 위에 위치하고, 다른 일부는 비함몰부 위에 위치할 수 있다.
반도체층(130)의 채널 영역이 제1 함몰부(Gr1)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 형성함에 따라, 구동 트랜지스터(TR1)의 채널의 길이가 제1 함몰부(Gr1)의 제1 수직부(V1)의 길이에 대응하는 만큼 길어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)이 제1 함몰부(Gr1)를 포함하지 않는 경우 구동 트랜지스터(TR1)의 채널의 길이는 대략 제1 수평부(H1)의 길이에 대응될 수 있으나, 상술한 바와 같이 기판(110)이 제1 함몰부(Gr1)를 포함하고, 제1 함몰부(Gr1)에 중첩하여 구동 트랜지스터(TR1)의 채널이 위치함에 따라 구동 트랜지스터(TR1)의 채널의 길이가 제1 수평부(H1) 양측의 제1 수직부(V1)의 길이에 대응하는 만큼 길어질 수 있다. 즉, 구동 트랜지스터(TR1)는 채널 길이는 반도체층(130)의 수직부와 수평부의 길이에 대응할 수 있다.
구동 트랜지스터(TR1)의 채널의 길이가 길어짐에 따라 구동 트랜지스터(TR1)의 구동 범위가 증가할 수 있다. 구동 트랜지스터(TR1)의 구동 범위는 구동 트랜지스터(TR1)가 발광 소자(LED)로 흐르는 전류를 제어할 수 있는 범위를 의미하며, 이는 구동 트랜지스터(TR1)가 흘릴 수 있는 최소 전류량과 최대 전류량에 대응하는 게이트 전압의 범위로 나타낼 수 있다. 구동 트랜지스터(TR1)의 구동 범위가 증가하게 되면 발광 소자(LED)의 휘도 범위가 증가하게 되고, 결과적으로 표시 장치의 색 구현 범위가 향상될 수 있다.
제2 전극(160)은 제2 함몰부(Gr2)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 형성할 수 있다. 제2 전극(160)은 제2 절연층(123)을 사이에 두고 제1 전극(140)과 마주하며, 제1 전극(140)과 제2 전극(160)은 유지 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다. 제2 전극(160)은 수평 방향으로 제2 함몰부(Gr2)보다 반드시 넓게 형성될 필요는 없다. 다만, 실시예에 따라 제2 전극(160)은 수평 방향으로 제2 함몰부(Gr2)보다 넓게 형성되고, 다른 일부는 기판(110)의 상면 위에 위치할 수 있다. 제2 전극(160)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일층 또는 다중층 구조일 수 있다.
제1 전극(140)과 제2 전극(160) 각각이 제2 함몰부(Gr2)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 형성함에 따라, 유지 커패시터(Cst)의 면적이 제2 함몰부(Gr2)의 제2 수직부(V2)의 길이에 대응하여 넓어질 수 있다. 예를 들어, 기판(110)이 제2 함몰부(Gr2)를 포함하지 않는 경우와 비교할 때, 유지 커패시터(Cst)의 면적이 제2 수평부(H2) 양측의 제2 수직부(V2)의 길이에 대응하는 만큼 넓어질 수 있다.
커패시터의 용량은 커패시터의 면적에 비례하므로, 유지 커패시터(Cst)의 면적이 넓어진 만큼 유지 커패시터(Cst)의 용량이 증가하게 된다. 즉, 유지 커패시터(Cst)의 용량은 제1 전극(140)과 제2 전극(160) 각각이 형성하는 수직부와 수평부의 길이에 대응(비례)할 수 있다. 유지 커패시터(Cst)의 용량이 증가하게 되면 구동 트랜지스터(TR1)의 게이트 전압을 더욱 강건하게 유지할 수 있고, 결과적으로 표시 장치가 더욱 안정적으로 발광할 수 있다.
게이트 전극(150), 제2 전극(160) 및 제2 절연층(123) 위에 제3 절연층(124)이 위치한다. 제3 절연층(124)은 질화 규소, 산화 규소 등의 단일막 또는 질화 규소와 산화 규소가 적층된 이중막 구조일 수 있다.
제3 절연층(124) 위에 제3 도전층이 위치한다. 제3 도전층은 전원 라인(ELVDD)를 포함할 수 있다. 한편, 반도체층(130)의 일단(131)과 중첩하는 위치에 제1 컨택홀(C1)이 위치할 수 있고, 제1 컨택홀(C1)은 제1 절연층(122), 제2 절연층(123) 및 제3 절연층(124)을 관통할 수 있다. 그리고 제2 전극(160)의 일단과 중첩하는 위치에 제2 컨택홀(C2)이 위치할 수 있고, 제2 컨택홀(C2)은 제3 절연층(124)을 관통할 수 있다. 전원 라인(ELVDD)은 제1 컨택홀(C1)을 통해 반도체층(130)의 일단(131)에 접촉할 수 있다. 그리고 전원 라인(ELVDD)은 제2 컨택홀(C2)을 통해 제2 전극(160)에 접촉할 수 있다. 전원 라인(ELVDD)은 알루미늄(Al), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 니켈(Ni), 네오디뮴(Nd), 이리듐(Ir), 크롬(Cr), 리튬(Li), 칼슘(Ca), 몰리브덴(Mo), 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 구리(Cu)를 포함하는 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 단일층 또는 다중층 구조일 수 있다.
전원 라인(ELVDD)과 제3 절연층(124) 위에 제4 절연층(125) 위치한다. 제4 절연층(125)은 질화 규소, 산화 규소 등의 단일막 또는 질화 규소와 산화 규소가 적층된 이중막 구조일 수 있다.
제4 절연층(125) 위에 화소 전극(210), 발광층(220) 및 전원 전극(230)이 순차적으로 위치할 수 있다. 발광층(220)은 유기 발광 물질과 무기 발광 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 화소 전극(210), 발광층(220) 및 전원 전극(230)이 발광 소자(LED)를 이룬다. 화소 전극(210)이 발광 소자(LED)의 애노드 전극이 되고, 전원 전극(230)이 발광 소자(LED)의 캐소드 전극이 될 수 있다. 또는, 실시예에 따라 화소 전극(210)이 발광 소자(LED)의 캐소드 전극이 되고, 전원 전극(230)이 발광 소자(LED)의 애노드 전극이 될 수도 있다. 화소 전극(210) 및 전원 전극(230)으로부터 각각 정공과 전자가 발광층(220) 내부로 주입되고, 주입된 정공과 전자가 결합한 엑시톤(exciton)이 여기 상태로부터 기저 상태로 떨어질 때 발광이 이루어진다. 발광 소자(LED)는 기본색(primary color) 중 하나의 빛 또는 백색의 빛을 낼 수 있다. 기본색의 예로는 적색, 녹색, 청색의 삼원색을 들 수 있다. 기본색의 다른 예로 황색(yellow), 청록색(cyan), 자홍색(magenta) 등을 들 수 있다.
화소 전극(210)과 전원 전극(230) 중 하나는 반사성 전극이고 나머지 하나는 반투과성 전극일 수 있다. 예를 들어, 전면 발광 방식의 표시 장치의 경우, 화소 전극(210)이 반사성 전극이고 전원 전극(230)이 반투과성 전극일 수 있다. 발광층(220)에서 방출된 빛은 화소 전극(210)에서 반사되어 전원 전극(230) 방향으로 진행하고, 전원 전극(230)으로 입사된 빛의 일부는 전원 전극(230)을 투과하여 사용자 측으로 진행하고, 나머지는 화소 전극(210) 방향으로 진행하는 방식으로 화소 전극(210)과 전원 전극(230) 사이에서 공진(resonance)할 수 있다.
발광 소자(LED) 위에는 발광 소자(LED)를 보호하기 위한 봉지층(미도시), 커버 윈도우(미도시) 등이 위치할 수 있다.
도 2는 일 실시예에 따른 화소를 나타낸다.
도 2를 참조하면, 표시 장치에 포함되는 화소는 발광 소자(LED) 및 발광 소자(LED)로 흐르는 전류를 제어하기 위한 화소 회로(10)를 포함한다.
일 실시예에 따른 화소 회로(10)는 구동 트랜지스터(TR1), 스위칭 트랜지스터(TR2) 및 유지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(TR1)는 제1 노드(N1)에 연결되어 있는 게이트 전극, 전원 라인(ELVDD)에 연결되어 있는 일단 및 발광 소자(LED)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 구동 트랜지스터(TR1)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여 전원 라인(ELVDD)으로부터 발광 소자(LED)로 흐르는 전류량을 제어한다.
스위칭 트랜지스터(TR2)는 스캔 라인(SLn)에 연결되어 있는 게이트 전극, 데이터 라인(DL)에 연결되어 있는 일단 및 제1 노드(N1)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 스위칭 트랜지스터(TR2)는 스캔 라인(SLn)에 인가되는 게이트 온 전압의 스캔 신호에 따라 턴 온되어 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 전압을 제1 노드(N1)에 전달한다.
유지 커패시터(Cst)는 전원 라인(ELVDD)에 연결되어 있는 일단 및 제1 노드(N1)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 유지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)에 인가된 데이터 전압을 유지하는 역할을 한다.
발광 소자(LED)는 구동 트랜지스터(TR1)의 타단에 연결된 애노드 전극 및 전원 전극(ELVSS)에 연결된 캐소드 전극을 포함할 수 있다. 전원 전극(ELVSS)은 도 1에서 상술한 전원 전극(230)에 대응될 수 있다.
도 1에서 상술한 구동 트랜지스터(TR1)는 도 2의 구동 트랜지스터(TR1)에 대응되고, 도 1에서 상술한 유지 커패시터(Cst)는 도 2의 유지 커패시터(Cst)에 대응되고, 도 1에서 상술한 전원 라인(ELVDD)은 도 2의 전원 라인(ELVDD)에 대응될 수 있다. 즉, 도 1에서 반도체층(130)이 일단(131)이 전원 라인(ELVDD)에 연결되고, 제2 전극(160)이 전원 라인(ELVDD)에 연결되는 구성은 도 2에서 구동 트랜지스터(TR1)의 일단과 유지 커패시터(Cst)의 일단이 전원 라인(ELVDD)에 연결되는 구성에 대응될 수 있다.
도 1에서 상술한 바와 같이, 도 2의 구동 트랜지스터(TR1)의 채널의 길이가 길어지면 전원 라인(ELVDD)로부터 발광 소자(LED)로 흐르는 전류를 제어할 수 있는 구동 트랜지스터(TR1)의 구동 범위가 증가하게 되고, 발광 소자(LED)의 휘도 범위가 증가할 수 있다. 또한, 도 2의 유지 커패시터(Cst)의 면적이 넓어져서 용량이 증가하면 유지 커패시터(Cst)는 더욱 강건하게 제1 노드(N1)에 인가된 데이터 전압을 유지할 수 있다.
이하, 도 3을 참조하여 다른 실시예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 도 3에서는 도 1과 비교하여 차이점 위주로 설명하지만, 도 1에서 설명한 특징은 도 3에 적용될 수 있음은 물론이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시 장치는 발광 소자(LED), 구동 트랜지스터(TR1) 및 유지 커패시터(Cst)를 포함하고, 유지 커패시터(Cst)는 구동 트랜지스터(TR1)와 중첩할 수 있다.
기판(110)은 구동 트랜지스터(TR1)와 중첩하는 함몰부(Gr3)를 포함할 수 있다. 또한, 함몰부(Gr3)는 유지 커패시터(Cst)와 중첩할 수 있다.
함몰부(Gr3)는 수평부(H3) 및 수직부(V3)를 포함할 수 있다. 수평부(H3)는 함몰부(Gr3)를 제외한 기판(110)의 상면보다 낮은 위치에서 대체적으로 수평 방향으로 형성되는 부분이고, 수직부(V3)는 기판(110)의 상면과 수평부(H3)를 대체적으로 수직 방향으로 연결하는 부분일 수 있다. 기판(110)의 상면은 기판(110)의 일면에서 함몰부(Gr3)를 제외한 부분을 지시하며, 비함몰부라 지칭할 수 있다. 함몰부(Gr3)에서 기판(110)의 두께는 비함몰부에서 기판(110)의 두께보다 얇을 수 있다.
기판(110) 위에 버퍼층(121)이 위치한다. 버퍼층(121)은 함몰부(Gr3)의 모양에 따라 요철을 형성할 수 있다.
버퍼층(121) 위에 비정질 규소, 다결정 규소, 또는 산화물 반도체 등을 포함하는 반도체층(130)이 위치한다. 반도체층(130)은 함몰부(Gr3)와 중첩하고, 수평 방향으로 함몰부(Gr3)보다 넓게 형성될 수 있다. 반도체층(130)의 일부는 함몰부(Gr3) 위에 위치하고, 다른 일부는 비함몰부 위에 위치할 수 있다. 반도체층(130)은 함몰부(Gr3)의 모양에 따라 요철을 형성할 수 있다. 반도체층(130)의 서로 이격되어 있는 일단(131)과 타단(132)은 불순물이 도핑되어 도전성을 가질 수 있고, 일단(131)과 타단(132) 사이에 채널 영역이 위치할 수 있다. 반도체층(130)의 채널 영역은 함몰부(Gr3)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함할 수 있다.
반도체층(130)과 버퍼층(121) 위에 제1 절연층(122)이 위치한다.
제1 절연층(122) 위에 제1 도전층이 위치한다. 제1 도전층은 함몰부(Gr3)와 중첩하는 게이트 전극(150)을 포함할 수 있다. 게이트 전극(150)은 함몰부(Gr3)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함할 수 있다. 게이트 전극(150)은 수평 방향으로 함몰부(Gr3)보다 넓게 형성되고, 게이트 전극(150)의 일부는 함몰부(Gr3) 위에 위치하고, 다른 일부는 비함몰부 위에 위치할 수 있다. 게이트 전극(150)은 반도체층(130)의 채널 영역과 중첩할 수 있고, 게이트 전극(150)과 반도체층(130)은 구동 트랜지스터(TR1)를 이룰 수 있다.
반도체층(130)의 채널 영역이 함몰부(Gr3)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 형성함에 따라, 구동 트랜지스터(TR1)의 채널의 길이가 함몰부(Gr3)의 수직부(V3)의 길이에 대응하는 만큼 길어질 수 있다.
게이트 전극(150)과 제1 절연층(122) 위에 제2 절연층(123)이 위치한다.
제2 절연층(123) 위에 제2 도전층이 위치한다. 제2 도전층은 함몰부(Gr3)와 중첩하는 제2 전극(160)을 포함할 수 있다. 제2 전극(160)은 함몰부(Gr3)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 형성할 수 있다. 제2 전극(160)은 수평 방향으로 함몰부(Gr3)보다 반드시 넓게 형성될 필요는 없다. 다만, 실시예에 따라 제2 전극(160)은 수평 방향으로 함몰부(Gr3)보다 넓게 형성되고, 다른 일부는 비함몰부 위에 위치할 수 있다.
제2 전극(160)은 제2 절연층(123)을 사이에 두고 게이트 전극(150)과 마주하며, 게이트 전극(150)과 제2 전극(160)은 유지 커패시터(Cst)를 이룰 수 있다. 즉, 게이트 전극(150)이 도 1에서 상술한 유지 커패시터(Cst)의 제1 전극(140)의 역할을 할 수 있다. 즉, 게이트 전극(150)이 유지 커패시터(Cst)의 제1 전극으로 공유된다. 게이트 전극(150)과 제2 전극(160) 각각이 함몰부(Gr3)의 모양에 대응하여 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함함에 따라, 유지 커패시터(Cst)의 면적이 함몰부(Gr3)의 제2 수직부(V2)의 길이에 대응하여 넓어질 수 있다. 유지 커패시터(Cst)의 용량은 게이트 전극(150)과 제2 전극(160)의 수직부와 수평부의 길이에 대응(비례)할 수 있다.
제2 전극(160) 및 제2 절연층(123) 위에 제3 절연층(124)이 위치한다.
제3 절연층(124) 위에 제3 도전층이 위치한다. 제3 도전층은 전원 라인(ELVDD)과 노드 라인(N)을 포함할 수 있다. 한편, 게이트 전극(150)의 일단과 중첩하는 위치에 제3 컨택홀(C3)이 위치할 수 있고, 제3 컨택홀(C3)은 제2 절연층(123) 및 제3 절연층(124)을 관통할 수 있다. 그리고 제2 전극(160)의 일단과 중첩하는 위치에 제4 컨택홀(C4)이 위치할 수 있고, 제4 컨택홀(C4)은 제3 절연층(124)을 관통할 수 있다. 노드 라인(N)은 제3 컨택홀(C3)을 통해 게이트 전극(150)에 접촉할 수 있다. 전원 라인(ELVDD)은 제4 컨택홀(C4)을 통해 제2 전극(160)에 접촉할 수 있다. 노드 라인(N)은 도 2에서 예시한 제1 노드(N1)에 연결되는 라인이고, 노드 라인(N)을 통해 도 2의 스위칭 트랜지스터(TR2)에 연결될 수 있다.
전원 라인(ELVDD), 노드 라인(N) 및 제3 절연층(124) 위에 제4 절연층(125)이 위치하고, 제4 절연층(125) 위에 화소 전극(210), 발광층(220) 및 전원 전극(230)이 순차적으로 위치할 수 있다.
도 3의 구동 트랜지스터(TR1)는 도 2의 구동 트랜지스터(TR1)에 대응되고, 도 3의 유지 커패시터(Cst)는 도 2의 유지 커패시터(Cst)에 대응되고, 도 3의 전원 라인(ELVDD)은 도 2의 전원 라인(ELVDD)에 대응될 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여 유지 커패시터(Cst)의 면적에 대한 용량 변화의 일 예에 대하여 설명하고, 도 5를 참조하여 구동 트랜지스터(TR1)의 채널 길이에 대한 구동 트랜지스터(TR1)의 구동 범위의 일 예에 대하여 설명한다.
도 4는 유지 커패시터의 면적에 대한 용량 변화를 나타내는 그래프이다.
도 4를 참조하면, 유지 커패시터(Cst)의 면적이 증가하는 비율(%)에 대하여 유지 커패시터(Cst)의 용량(pF) 변화를 시뮬레이션한 결과이다. 유지 커패시터(Cst)의 면적이 증가함에 따라 유지 커패시터(Cst)의 용량(pF)이 선형적으로 증가하는 것을 알 수 있다.
도 5는 구동 트랜지스터의 채널 길이에 대한 구동 트랜지스터의 구동 범위를 나타내는 그래프이다.
도 5를 참조하면, 구동 트랜지스터(TR1)의 채널 길이(㎛)에 대한 구동 트랜지스터(TR1)의 구동 범위(V)를 실험한 결과이다. 구동 범위(V)는 구동 트랜지스터(TR1)가 흘릴 수 있는 최소 전류량과 최대 전류량에 대응하는 게이트 전압의 범위일 수 있다.
반도체층(130)의 두께가 1000 옹스트롱이고, 게이트 전극(150)과 반도체층(130) 사이의 절연층의 두께가 1000 옹스트롱인 구동 트랜지스터(TR1)의 채널 길이에 대한 구동 범위(V)를 측정하였다(Case A). 그리고 반도체층(130)의 두께가 1000 옹스트롱이고, 게이트 전극(150)과 반도체층(130) 사이의 절연층의 두께가 400 옹스트롱인 구동 트랜지스터(TR1)의 채널 길이에 대한 구동 범위(V)를 측정하였다(Case B).
2가지 경우(A, B) 모두 구동 트랜지스터(TR1)의 채널 길이가 길어질수록 구동 트랜지스터(TR1)의 구동 범위(V)가 증가하는 것을 알 수 있다.
도 6은 다른 실시예에 따른 화소를 나타낸다.
도 6을 참조하면, 표시 장치에 포함되는 화소는 발광 소자(LED) 및 발광 소자(LED)로 흐르는 전류를 제어하기 위한 화소 회로(20)를 포함한다.
다른 실시예에 따른 화소 회로(20)는 구동 트랜지스터(TR11), 스위칭 트랜지스터(TR12), 보상 트랜지스터(TR13), 제1 발광 제어 트랜지스터(TR14), 제2 발광 제어 트랜지스터(TR15), 제1 초기화 트랜지스터(TR16), 제2 초기화 트랜지스터(TR17) 및 유지 커패시터(Cst)를 포함할 수 있다.
구동 트랜지스터(TR11)는 제1 노드(N11)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제2 노드(N12)에 연결되어 있는 일단 및 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 구동 트랜지스터(TR11)는 제1 노드(N11)의 전압에 대응하여 전원 라인(ELVDD)으로부터 발광 소자(LED)로 흐르는 전류량을 제어한다.
스위칭 트랜지스터(TR12)는 제1 스캔 라인(SLn)에 연결되어 있는 게이트 전극, 데이터 라인(DL)에 연결되어 있는 일단 및 제2 노드(N12)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 스위칭 트랜지스터(TR12)는 제1 스캔 라인(SLn)에 인가되는 게이트 온 전압의 제1 스캔 신호에 따라 턴 온되어 데이터 라인(DL)에 인가되는 데이터 전압을 제2 노드(N12)에 전달한다.
보상 트랜지스터(TR13)는 제1 스캔 라인(SLn)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 일단 및 제1 노드(N11)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 보상 트랜지스터(TR13)는 제1 스캔 라인(SLn)에 인가되는 게이트 온 전압의 스캔 신호에 따라 턴 온되어 구동 트랜지스터(TR11)를 다이오드 연결시켜 구동 트랜지스터(TR11)의 문턱 전압을 보상할 수 있다.
제1 발광 제어 트랜지스터(TR14)는 발광 제어 라인(ELn)에 연결되어 있는 게이트 전극, 전원 라인(ELVDD)에 연결되어 있는 일단 및 제2 노드(N12)에 연결되어 있는 타단을 포함한다.
제2 발광 제어 트랜지스터(TR15)는 발광 제어 라인(ELn)에 연결되어 있는 게이트 전극, 제3 노드(N13)에 연결되어 있는 일단 및 발광 소자(LED)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 제1 및 제2 발광 제어 트랜지스터(TR14, TR15)는 발광 제어 라인(ELn)에 인가되는 게이트 온 전압의 발광 제어 신호에 따라 턴 온되어 전원 라인(ELVDD)으로부터 구동 트랜지스터(TR11)를 통해 발광 소자(LED)로 전류가 흐르도록 한다.
제1 초기화 트랜지스터(TR16)는 제2 스캔 라인(SLn-1)에 연결되어 있는 게이트 전극, 초기화 전압 라인(VLint)에 연결되어 있는 일단 및 제1 노드(N11)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 제1 초기화 트랜지스터(TR16)는 제2 스캔 라인(SLn-1)에 인가되는 게이트 온 전압의 제2 스캔 신호에 의해 턴 온되어 초기화 전압 라인(VLint)의 초기화 전압을 제1 노드(N11)에 전달하여 구동 트랜지스터(TR11)의 게이트 전압을 초기화할 수 있다.
제2 초기화 트랜지스터(TR17)는 제3 스캔 라인(SLn-2)에 연결되어 있는 게이트 전극, 초기화 전압 라인(VLint)에 연결되어 있는 일단 및 발광 소자(LED)의 애노드 전극에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 제2 초기화 트랜지스터(TR17)는 제3 스캔 라인(SLn-2)에 인가되는 게이트 온 전압의 제3 스캔 신호에 의해 턴 온되어 초기화 전압 라인(VLint)의 초기화 전압을 발광 소자(LED)의 애노드 전극에 전달하여 발광 소자(LED)를 초기화할 수 있다.
유지 커패시터(Cst)는 전원 라인(ELVDD)에 연결되어 있는 일단 및 제1 노드(N11)에 연결되어 있는 타단을 포함한다. 제1 노드(N11)에는 구동 트랜지스터(TR11)의 문턱 전압이 보상된 데이터 전압이 인가되고, 유지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N11)의 전압을 유지하는 역할을 한다.
발광 소자(LED)는 제2 발광 제어 트랜지스터(TR15)의 타단에 연결된 애노드 전극 및 전원 전극(ELVSS)에 연결된 캐소드 전극을 포함할 수 있다.
도 3에서 상술한 구동 트랜지스터(TR1)는 도 6의 구동 트랜지스터(TR11)에 대응되고, 도 3에서 상술한 유지 커패시터(Cst)는 도 6의 유지 커패시터(Cst)에 대응되고, 도 3에서 상술한 전원 라인(ELVDD)은 도 6의 전원 라인(ELVDD)에 대응될 수 있다. 그리고 도 3에서 상술한 노드 라인(N)은 도 6의 제1 노드(N11)에 연결되는 라인으로 보상 트랜지스터(TR13)에 연결되는 라인일 수 있다.
구동 트랜지스터(TR11)의 채널의 길이가 길어지면 전원 라인(ELVDD)으로부터 발광 소자(LED)로 흐르는 전류를 제어할 수 있는 구동 트랜지스터(TR11)의 구동 범위가 증가하게 되고, 발광 소자(LED)의 휘도 범위가 증가할 수 있다. 또한, 유지 커패시터(Cst)의 면적이 넓어짐에 따라 유지 커패시터(Cst)는 더욱 강건하게 제1 노드(N11)에 인가된 전압을 유지할 수 있다.
지금까지 참조한 도면과 기재된 발명의 상세한 설명은 단지 본 발명의 예시적인 것으로서, 이는 단지 본 발명을 설명하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.
110: 기판
130: 반도체층
140: 제1 전극
150: 게이트 전극
160: 제2 전극
TR1, TR11: 구동 트랜지스터
Cst: 유지 커패시터

Claims (20)

  1. 기판에 형성된 제1 함몰부 및 제2 함몰부;
    상기 기판 위에 위치하고, 상기 제1 함몰부와 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 위치하고, 상기 제1 함몰부와 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 반도체층;
    상기 반도체층 위에 위치하여 상기 반도체층을 제어하고, 상기 제1 함몰부 및 반도체층과 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 게이트 전극;
    상기 제2 함몰부와 중첩하고 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 제1 전극; 및
    상기 제2 함몰부와 중첩하고, 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하며 상기 제1 전극과 마주하는 하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 게이트 전극은 상기 반도체층 아래에 전기적으로 연결된 전극을 포함하지 않고,
    상기 제1 함몰부에서 상기 기판의 두께는 상기 제1 함몰부를 제외한 비함몰부에서 상기 기판의 두께보다 얇고
    상기 제1 전극은 상기 반도체층 및 상기 게이트 전극과 다른 층에 위치하는 표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    발광 소자를 더 포함하고,
    상기 반도체층과 상기 게이트 전극은 상기 발광 소자로 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 이루는 표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 반도체층은 서로 이격되어 있는 일단과 타단, 및 일단과 타단 사이에 위치하는 채널 영역을 포함하고,
    상기 채널 영역은 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함하는 표시 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터의 채널 길이는 상기 채널 영역의 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응하는 표시 장치.
  5. 삭제
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 유지하는 유지 커패시터를 이루는 표시 장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함하고, 상기 유지 커패시터의 용량은 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응하는 표시 장치.
  8. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 함몰부, 상기 반도체층 및 상기 게이트 전극과 중첩하는 제3 전극을 더 포함하고,
    상기 게이트 전극과 상기 제3 전극은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 유지하는 유지 커패시터를 이루는 표시 장치.
  9. 제8 항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 제3 전극 각각은 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함하고,
    상기 유지 커패시터의 용량은 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응하는 표시 장치.
  10. 기판에 형성된 제1 함몰부 및 제2 함몰부;
    상기 제1 함몰부와 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 반도체층;
    상기 제1 함몰부 및 상기 반도체층과 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 게이트 전극;
    상기 기판 위에 위치하고, 상기 제2 함몰부와 중첩하고, 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 위치하고, 상기 제2 함몰부와 중첩하고, 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하고, 전기적 도전 금속으로 형성되는 제1 전극;
    상기 제1 전극 위에 위치하고, 상기 제2 함몰부와 중첩하고, 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하여 상기 제1 전극과 마주하는 하는 제2 전극; 및
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 절연층을 포함하고,
    상기 제2 함몰부에서 상기 기판의 두께는 상기 제2 함몰부를 제외한 비함몰부에서 상기 기판의 두께보다 얇고,
    상기 제1 전극은 상기 반도체층 및 상기 게이트 전극과 다른 층에 위치하는 표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    발광 소자; 및
    상기 발광 소자로 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 유지하는 유지 커패시터를 이루는 표시 장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함하고, 상기 유지 커패시터의 용량은 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응하는 표시 장치.
  13. 제11 항에 있어서,
    상기 반도체층은 서로 이격되어 있는 일단과 타단, 및 일단과 타단 사이에 위치하는 채널 영역을 포함하고, 상기 반도체층과 상기 게이트 전극은 상기 발광 소자로 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 이루는 표시 장치.
  14. 제13 항에 있어서,
    상기 채널 영역은 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 갖는 요철을 포함하고,
    상기 구동 트랜지스터의 채널 길이는 상기 채널 영역의 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응하는 표시 장치.
  15. 기판;
    상기 기판에 형성된 제1 함몰부 및 제2 함몰부;
    상기 기판 위에 위치하고, 상기 제1 함몰부와 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 버퍼층;
    상기 버퍼층 위에 위치하는 반도체층;
    상기 버퍼층 위에 위치하는 발광 소자; 및
    상기 제1 함몰부에 중첩하는 채널 영역을 포함하고, 상기 발광 소자로 흐르는 전류량을 제어하는 구동 트랜지스터를 포함하고,
    상기 반도체층 위에 위치하고 상기 제1 함몰부 및 상기 반도체층과 중첩하고, 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 게이트 전극을 포함하고,
    상기 제2 함몰부와 중첩하고 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하는 제1 전극; 및
    상기 제2 함몰부와 중첩하고, 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 요철을 포함하며 상기 제1 전극과 마주하는 하는 제2 전극을 포함하고,
    상기 게이트 전극은 상기 반도체층 아래에 전기적으로 연결된 전극을 포함하지 않고,
    상기 제1 함몰부에서 상기 기판의 두께는 상기 제1 함몰부를 제외한 비함몰부에서 상기 기판의 두께보다 얇고,
    상기 제1 전극은 상기 반도체층 및 상기 게이트 전극과 다른 층에 위치하는 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터의 채널 영역은 상기 제1 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 포함하고, 상기 구동 트랜지스터의 채널 길이는 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응하는 표시 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극은 상기 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 유지하는 유지 커패시터를 이루는 표시 장치.
  18. 제17 항에 있어서,
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극 각각은 상기 제2 함몰부의 모양에 대응하는 수직부와 수평부를 포함하고, 상기 유지 커패시터의 용량은 상기 수직부와 상기 수평부의 길이에 대응하는 표시 장치.
  19. 제15 항에 있어서,
    상기 제1 함몰부 및 상기 구동 트랜지스터와 중첩하는 유지 커패시터를 더 포함하는 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 유지 커패시터의 제1 전극으로 공유되는 표시 장치.
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