JP2017212440A5 - 複合酸化物半導体、トランジスタ、及び表示装置 - Google Patents

Claims (12)

1. 第１の領域と、第２の領域と、を有する複合酸化物半導体であって、
   前記第１の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
   前記第２の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
   前記第１の領域の前記インジウムの濃度は、前記第２の領域の前記インジウムの濃度よりも高く、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ、径が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、またはその近傍であり、
   前記第１の領域と前記第２の領域とが、混合して配置される、複合酸化物半導体。
2. 第１の領域と、第２の領域と、を有する複合酸化物半導体であって、
   前記第１の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
   前記第２の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
   前記第１の領域の前記元素Ｍに対する前記インジウムの原子数比は、前記第２の領域の前記元素Ｍに対する前記インジウムの原子数比よりも大きく、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ、径が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、またはその近傍であり、
   前記第１の領域と前記第２の領域とが、混合して配置される、複合酸化物半導体。
3. 第１の領域と、第２の領域と、を有する複合酸化物半導体であって、
   前記第１の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
   前記第２の領域は、インジウム、亜鉛及び元素Ｍ（元素Ｍは、Ｇａ、Ａｌ、Ｈｆ、Ｙ、またはＳｎのいずれか一つ、または複数）を含み、
   前記第１の領域は、前記第２の領域よりも前記インジウムが多い領域であり、
   前記第２の領域は、前記第１の領域よりも前記元素Ｍが多い領域であり、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ、径が０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、またはその近傍であり、
   前記第１の領域と前記第２の領域とが、混合して配置される、複合酸化物半導体。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記第１の領域の前記元素Ｍ及び前記第２の領域の前記元素Ｍは、Ｇａである、複合酸化物半導体。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記複合酸化物半導体は、ナノビーム電子回折パターンにより、リング状の領域に複数のスポットが観察される領域を有する、複合酸化物半導体。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
   前記第２の領域の前記元素Ｍの濃度は、前記第２の領域の中心部から周辺部に向けて減少している、複合酸化物半導体。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
   前記第１の領域及び前記第２の領域は、それぞれ、径が１ｎｍ以上２ｎｍ以下、またはその近傍である、複合酸化物半導体。
8. 請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記第１の領域と前記第２の領域とが、均一に分布している、複合酸化物半導体。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
   前記第１の領域と前記第２の領域とが、ランダムに分散している、複合酸化物半導体。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一に記載の前記複合酸化物半導体をチャネル領域に有する、トランジスタ。
11. 請求項１０に記載の前記トランジスタが、画素に配置された、表示装置。
12. 請求項１０に記載の前記トランジスタが、ゲートドライバに配置された、表示装置。