JP2016180990A - 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016180990A JP2016180990A JP2016095786A JP2016095786A JP2016180990A JP 2016180990 A JP2016180990 A JP 2016180990A JP 2016095786 A JP2016095786 A JP 2016095786A JP 2016095786 A JP2016095786 A JP 2016095786A JP 2016180990 A JP2016180990 A JP 2016180990A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- detection
- stage
- mark
- exposure
- exposure apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
- G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70716—Stages
- G03F7/70725—Stages control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70975—Assembly, maintenance, transport or storage of apparatus
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49105—Switch making
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Public Health (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
Description
以下、本発明の第1の実施形態を図1〜図31に基づいて説明する。
ΔL2=ΔYo×(1+cosθ)+ΔZo×sinθ …(2)
従って、式(1)、(2)からΔZo及びΔYoは次式(3)、(4)で求められる。
ΔYo=(ΔL1+ΔL2)/{2(1+cosθ)} …(4)
Δθy≒(ΔZoL−ΔZoR)/D …(6)
従って、主制御装置20は、上記式(3)〜式(6)を用いることで、Z干渉計43A、43Bの計測結果に基づいて、ウエハステージWSTの4自由度の変位ΔZo、ΔYo、Δθz、Δθyを算出することができる。
+2KΔZ(cosθb1+cosθb0−cosθa1−cosθa0)…(7)
ここで、KΔLは、2つの光束LB1,LB2の光路差ΔLに起因する位相差、ΔYは、反射型回折格子RGの+Y方向の変位、ΔZは、反射型回折格子RGの+Z方向の変位、pは回折格子のピッチ、nb,naは上述の各回折光の回折次数である。
その場合、式(7)の右辺第3項の括弧内は零になり、同時にnb=−na(=n)を満たすので、次式(9)が得られる。
上式(9)より、位相差φsymは光の波長に依存しないことがわかる。
Δx=g(z,θy,θz)=θy(z−c)+θz(z−d) ……(11)
上式(10)において、aは、図12のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、bは、Yエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。また、上式(11)において、cは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにローリング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標であり、dは、Xエンコーダの補正情報の取得のためにヨーイング量を変化させた場合の図12と同様のグラフの、各直線が交わる点のZ座標である。
次に、本発明の第2の実施形態を、図32〜図34に基づいて説明する。この第2の実施形態は、スケールの格子ピッチの補正情報及び格子線の曲がりの補正情報を取得する際の動作が前述の第1の実施形態と異なるのみで、装置の構成及びその他の動作等は第1の実施形態と同様である。従って、以下では、かかる相違点について説明を行うものとする。
Claims (54)
- 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系から離れて配置され、前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の第1方向に関して位置が異なる複数の検出領域でそれぞれ前記基板のマークを検出可能なマーク検出系と、
前記マーク検出系によって検出可能なマークを有する基準部材と、
前記投影光学系および前記マーク検出系の下方に配置され、前記基板を保持するホルダを有するステージと、
前記ステージを駆動するモータを有し、前記基板が前記投影光学系および前記マーク検出系とそれぞれ対向して配置されるように前記ステージを移動する駆動系と、
前記ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記ステージと対向するように前記投影光学系および前記マーク検出系の下端側に設けられるとともに、前記ヘッドを介して前記格子部に計測ビームを照射し、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって前記ステージの位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記格子部に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ、前記エンコーダシステムで計測される位置情報に基づいて前記駆動系を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記複数の検出領域の相対位置情報を取得するために、前記複数の検出領域でそれぞれ前記基準部材のマークが検出されるように前記マーク検出系の下方に前記基準部材を配置するとともに、前記マーク検出系による前記マークの検出動作において、前記所定面内で前記第1方向と交差する第2方向に関して位置が異なる前記基板の複数のマークを前記複数の検出領域の少なくとも一部で検出するために、前記複数の検出領域に対して前記基板が前記第2方向に相対移動されるように前記駆動系を制御し、
前記基板の露光動作において、前記複数の検出領域の相対位置情報および前記マーク検出系の検出情報が用いられ、
前記検出動作と前記露光動作でそれぞれ、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項1に記載の露光装置において、
前記基準部材のマークは、前記複数の検出領域による同時検出が可能となるように前記複数の検出領域をカバーする所定領域に形成される露光装置。 - 請求項1又は2に記載の露光装置において、
前記投影光学系および前記マーク検出系の下方に配置されるとともに、前記基準部材を有し、前記ステージと異なるステージを、さらに備え、
前記複数の検出領域でそれぞれ前記基準部材のマークが検出されるように、前記駆動系によって前記異なるステージが移動されるとともに、前記エンコーダシステムによって前記異なるステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ステージはその上面に基準マークを有し、
前記制御装置は、前記マーク検出系による前記基準マークの検出動作において、前記複数の検出領域の1つに前記基準マークが配置されるように前記駆動系を制御し、前記露光動作において前記基準マークの検出情報を用い、
前記基準マークの検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項4に記載の露光装置において、
前記ステージはその上面にスリットパターンを有し、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像を、前記スリットパターンを介して検出する空間像検出部を、さらに備え、
前記制御装置は、前記マーク像の検出動作において、前記マーク像が前記スリットパターン上に投影されるように前記駆動系を制御し、前記露光動作において前記マーク像の検出情報を用い、
前記マーク像の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項5に記載の露光装置において、
前記ステージは、前記ホルダが配置される、前記ステージの上面の凹部内で前記基板を保持し、
前記基準マークおよび前記スリットパターンは、前記凹部と異なる前記上面の開口内に配置される計測部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、少なくとも前記第1方向に関して前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が可変である露光装置。 - 請求項7に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記第2方向に関して前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が可変である露光装置。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記複数の検出領域の一部が移動可能であり、前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように、前記複数の検出領域のうち残りの検出領域に対して前記一部の検出領域が相対移動される露光装置。 - 請求項1〜9のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記複数の検出領域にそれぞれ検出光を照射する複数の光学系と、前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が変更されるように前記複数の光学系の一部を移動する駆動部とを有する露光装置。 - 請求項10に記載の露光装置において、
前記マーク検出系は、前記駆動部によって移動される前記光学系の位置情報を計測するセンサを有する露光装置。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マークの検出に用いられる前記マーク検出系の検出領域の数が異なる露光装置。 - 請求項1〜12のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マーク検出系によって検出される前記マークの数が異なる露光装置。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置でそれぞれ、複数の前記マークが検出される露光装置。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系から離れて配置され、前記所定面と直交する第3方向に関する前記基板の位置情報を検出する検出装置を、さらに備え、
前記検出装置による前記基板の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項15に記載の露光装置において、
前記マーク検出系および前記検出装置は、前記検出装置による前記基板の検出動作の少なくとも一部が前記マーク検出系による前記マークの検出動作と並行して実行されるように、前記投影光学系に対して前記第2方向の一側に離れて配置される露光装置。 - 請求項15又は16に記載の露光装置において、
前記ステージはその上面の一部に計測部材が設けられ、
前記制御装置は、前記検出装置によって前記計測部材が検出されるように前記駆動系を制御し、前記露光動作において前記計測部材の検出情報を用い、
前記計測部材の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記第3方向に関する前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項17に記載の露光装置において、
前記計測部材はスリットパターンを有し、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像を、前記スリットパターンを介して検出する空間像検出部を、さらに備え、
前記制御装置は、前記第3方向に関して異なる位置でそれぞれ、前記空間像検出部によって前記マーク像が検出されるように前記駆動系を制御し、前記露光動作において前記マーク像の検出情報を用い、
前記マーク像の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記第3方向に関する前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項15〜18のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記検出装置は、前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜19のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜20のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記格子部は反射型格子を有し、前記反射型格子が前記所定面と実質的に平行となるように配置され、
前記ステージは、前記ヘッドが設けられるとともに、前記格子部の下方で移動される露光装置。 - 請求項1〜21のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記マーク検出系は、前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項1〜22のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記投影光学系の下端部を取り囲むように設けられ、前記投影光学系の下に液体で液浸領域を形成するノズル部材を、さらに備え、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系に対して前記ノズル部材の外側に設けられ、
前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光される露光装置。 - 請求項23に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材を、さらに備え、
前記ノズル部材は、前記フレーム部材に設けられる露光装置。 - 請求項23に記載の露光装置において、
前記投影光学系を支持するフレーム部材と、
前記ノズル部材が設けられ、前記フレーム部材と異なるフレーム部材と、をさらに備える露光装置。 - 請求項1〜25のいずれか一項に記載の露光装置において、
前記ステージの移動中、前記格子部と対向する前記複数のヘッドの1つが別のヘッドに切り換えられ、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記複数のヘッドと異なる前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項26に記載の露光装置において、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測され、
前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項27に記載の露光装置において、
前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行われる露光装置。 - 請求項28に記載の露光装置において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記切換は、前記4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われる露光装置。 - 請求項29に記載の露光装置において、
少なくとも前記露光動作において、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向する3つ又は4つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。 - 請求項30に記載の露光装置において、
前記ステージの移動によって、前記格子部と対向するヘッドは、前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光装置。 - デバイス製造方法であって、
請求項1〜31のいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光方法であって、
前記投影光学系から離れて配置され、前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の第1方向に関して位置が異なる複数の検出領域でそれぞれ前記基板のマークを検出可能なマーク検出系の下方で、前記所定面内で前記第1方向と交差する第2方向に関して位置が異なる前記基板の複数のマークを前記複数の検出領域の少なくとも一部で検出するために、前記複数の検出領域に対して前記基板が前記第2方向に相対移動されるように、前記基板を保持するホルダを有するステージを移動することと、
前記複数の検出領域の相対位置情報を取得するために、前記複数の検出領域でそれぞれ基準部材のマークが検出されるように前記マーク検出系の下方に前記基準部材を配置することと、
前記ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記ステージと対向するように前記投影光学系および前記マーク検出系の下端側に設けられるとともに、前記ヘッドを介して前記格子部に計測ビームを照射するエンコーダシステムの、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって、前記ステージの位置情報を計測することと、
前記格子部に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ、前記エンコーダシステムで計測される位置情報に基づいて前記ステージの移動を制御することと、を含み、
前記基板の露光動作において、前記マーク検出系の検出情報および前記複数の検出領域の相対位置情報が用いられ、
前記マーク検出系による検出動作と前記露光動作でそれぞれ、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項33に記載の露光方法において、
前記基準部材は、前記ステージと異なるステージに設けられ、
前記複数の検出領域でそれぞれ前記基準部材のマークが検出されるように前記異なるステージが移動されるとともに、前記エンコーダシステムによって前記異なるステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項33又は34に記載の露光方法において、
前記マーク検出系によって前記ステージの上面に配置される基準マークを検出するために、前記複数の検出領域の1つに前記基準マークが配置されるように前記ステージが移動され、前記露光動作において前記基準マークの検出情報が用いられ、
前記基準マークの検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項35に記載の露光方法において、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像が、前記ステージの上面に配置されるスリットパターンを介して検出され、前記露光動作において前記マーク像の検出情報が用いられ、
前記マーク像の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項36に記載の露光方法において、
前記基板は、前記ホルダが配置される、前記ステージの上面の凹部内で保持され、
前記基準マークおよび前記スリットパターンは、前記凹部と異なる前記上面の開口内に配置される計測部材に設けられる露光方法。 - 請求項33〜37のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記基板上での前記マークの配置に基づいて、少なくとも前記第1方向に関して前記マーク検出系の前記複数の検出領域の間隔又は相対位置関係が調整される露光方法。 - 請求項33〜38のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マークの検出に用いられる前記マーク検出系の検出領域の数が異なる露光方法。 - 請求項33〜39のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置で、前記マーク検出系によって検出される前記マークの数が異なる露光方法。 - 請求項33〜40のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記複数の検出領域に対して前記基板を前記第2方向に相対移動する前記マークの検出動作において、前記第2方向の異なる位置でそれぞれ、複数の前記マークが検出される露光方法。 - 請求項33〜41のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系から離れて配置される検出装置によって、前記所定面と直交する第3方向に関する前記基板の位置情報が検出され、
前記検出装置による前記基板の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項42に記載の露光方法において、
前記検出装置による前記基板の検出動作はその少なくとも一部が、前記マーク検出系による前記マークの検出動作と並行して実行される露光方法。 - 請求項42又は43に記載の露光方法において、
前記検出装置によって前記ステージの上面に設けられる計測部材が検出されるように前記ステージが移動され、前記露光動作において前記計測部材の検出情報が用いられ、
前記計測部材の検出動作において、前記エンコーダシステムによって前記第3方向に関する前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項44に記載の露光方法において、
前記投影光学系を介して投影されるマーク像が、前記計測部材のスリットパターンを介して検出され、
前記マーク像の検出動作において、前記第3方向に関して異なる位置でそれぞれ前記マーク像が検出されるように前記ステージが移動されるとともに、前記エンコーダシステムによって前記第3方向に関する前記ステージの位置情報が計測され、
前記露光動作において前記マーク像の検出情報が用いられる露光方法。 - 請求項33〜45のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記投影光学系の下端部を取り囲むように設けられるノズルユニットによって、前記投影光学系の下に液体で液浸領域が形成され、前記基板は、前記投影光学系と前記液浸領域の液体とを介して露光され、
前記格子部と前記ヘッドとの他方は、前記投影光学系に対して前記ノズルユニットの外側に設けられる露光方法。 - 請求項33〜46のいずれか一項に記載の露光方法において、
前記ステージの移動中、前記格子部と対向する前記複数のヘッドの1つが別のヘッドに切り換えられ、
前記切換後、前記複数のヘッドのうち前記1つのヘッドを除く残りのヘッドと、前記複数のヘッドと異なる前記別のヘッドと、を含む複数のヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項47に記載の露光方法において、
前記切換前、前記格子部と対向する3つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測され、
前記切換後、前記3つのヘッドのうち前記1つのヘッドを除く2つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む3つのヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項48に記載の露光方法において、
前記切換は、前記切換前に用いられる前記3つのヘッドと、前記別のヘッドと、を含む4つのヘッドが前記格子部と対向している間に行われる露光方法。 - 請求項49に記載の露光方法において、
前記格子部は、それぞれ反射型格子が形成される4つのスケール部材を有し、
前記切換は、前記4つのヘッドがそれぞれ前記4つのスケール部材と対向している間に行われる露光方法。 - 請求項50に記載の露光方法において、
少なくとも前記露光動作において、前記4つのスケール部材の3つ又は4つとそれぞれ対向する3つ又は4つの前記ヘッドによって前記ステージの位置情報が計測される露光方法。 - 請求項51に記載の露光方法において、
前記ステージの移動によって、前記格子部と対向するヘッドは、前記3つのヘッドと前記4つのヘッドとの一方から他方に変更される露光方法。 - デバイス製造方法であって、
請求項33〜52のいずれか一項に記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 - 投影光学系を介して照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記投影光学系を支持するフレーム部材と、
前記投影光学系から離れて前記フレーム部材に設けられ、前記投影光学系の光軸と直交する所定面内の第1方向に関して位置が異なる複数の検出領域でそれぞれ前記基板のマークを検出可能なマーク検出系と、
前記投影光学系および前記マーク検出系の下方に配置され、前記基板を保持するステージと、
前記ステージを駆動するモータを有する駆動系と、
前記ステージに格子部とヘッドとの一方が設けられ、かつ前記格子部と前記ヘッドとの他方が前記投影光学系および前記マーク検出系の下端側に配置されるように前記フレーム部材に設けられるとともに、前記ヘッドを介して前記格子部に計測ビームを照射し、前記格子部と対向する複数の前記ヘッドによって前記ステージの位置情報を計測するエンコーダシステムと、
前記格子部に起因して生じる前記エンコーダシステムの計測誤差を補償しつつ、前記エンコーダシステムで計測される位置情報に基づいて前記駆動系を制御する制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記マーク検出系による前記マークの検出動作において、前記所定面内で前記第1方向と交差する第2方向に関して位置が異なる前記基板の複数のマークを前記複数の検出領域の少なくとも一部で検出するために、前記複数の検出領域に対して前記基板が前記第2方向に相対移動されるように前記駆動系を制御するとともに、前記基板の露光動作において、前記マーク検出系による前記マークの検出情報を用いて前記駆動系を制御し、
前記露光動作と前記検出動作でそれぞれ、前記エンコーダシステムによって前記ステージの位置情報が計測される露光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006236975 | 2006-08-31 | ||
JP2006236975 | 2006-08-31 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016004056A Division JP6187607B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017181138A Division JP6429050B2 (ja) | 2006-08-31 | 2017-09-21 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016180990A true JP2016180990A (ja) | 2016-10-13 |
JP6218125B2 JP6218125B2 (ja) | 2017-10-25 |
Family
ID=39136020
Family Applications (10)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532137A Expired - Fee Related JP5251511B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012245015A Expired - Fee Related JP5692609B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-11-07 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014000972A Expired - Fee Related JP5709071B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-01-07 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014168119A Expired - Fee Related JP5850110B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-08-21 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002677A Active JP5915915B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127287A Expired - Fee Related JP6016202B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-25 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004056A Expired - Fee Related JP6187607B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016095786A Expired - Fee Related JP6218125B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-05-12 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2017181138A Expired - Fee Related JP6429050B2 (ja) | 2006-08-31 | 2017-09-21 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018194757A Pending JP2019020747A (ja) | 2006-08-31 | 2018-10-16 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications Before (7)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008532137A Expired - Fee Related JP5251511B2 (ja) | 2006-08-31 | 2007-08-31 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2012245015A Expired - Fee Related JP5692609B2 (ja) | 2006-08-31 | 2012-11-07 | 移動体駆動方法及び移動体駆動システム、パターン形成方法及び装置、露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014000972A Expired - Fee Related JP5709071B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-01-07 | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2014168119A Expired - Fee Related JP5850110B2 (ja) | 2006-08-31 | 2014-08-21 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015002677A Active JP5915915B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-01-08 | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2015127287A Expired - Fee Related JP6016202B2 (ja) | 2006-08-31 | 2015-06-25 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2016004056A Expired - Fee Related JP6187607B2 (ja) | 2006-08-31 | 2016-01-13 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017181138A Expired - Fee Related JP6429050B2 (ja) | 2006-08-31 | 2017-09-21 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2018194757A Pending JP2019020747A (ja) | 2006-08-31 | 2018-10-16 | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (9) | US8013982B2 (ja) |
EP (4) | EP3291010A1 (ja) |
JP (10) | JP5251511B2 (ja) |
KR (10) | KR101902723B1 (ja) |
CN (1) | CN101410945B (ja) |
HK (3) | HK1218166A1 (ja) |
SG (5) | SG182983A1 (ja) |
TW (7) | TW201738667A (ja) |
WO (1) | WO2008026739A1 (ja) |
Families Citing this family (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180137600A (ko) | 2006-08-31 | 2018-12-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TWI610149B (zh) * | 2006-08-31 | 2018-01-01 | Nikon Corp | 移動體驅動系統及移動體驅動方法、圖案形成裝置及方法、曝光裝置及方法、元件製造方法、以及決定方法 |
TW201738667A (zh) | 2006-08-31 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法 |
KR101477471B1 (ko) | 2006-09-01 | 2014-12-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101511929B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2015-04-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
US8237919B2 (en) * | 2007-08-24 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads |
US9304412B2 (en) * | 2007-08-24 | 2016-04-05 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, device manufacturing method, and measuring method |
US9013681B2 (en) * | 2007-11-06 | 2015-04-21 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9256140B2 (en) * | 2007-11-07 | 2016-02-09 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method with measurement device to measure movable body in Z direction |
US8665455B2 (en) * | 2007-11-08 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8422015B2 (en) | 2007-11-09 | 2013-04-16 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, pattern formation apparatus and exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL1036180A1 (nl) * | 2007-11-20 | 2009-05-25 | Asml Netherlands Bv | Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method. |
US8711327B2 (en) * | 2007-12-14 | 2014-04-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8792079B2 (en) * | 2007-12-28 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method having encoders to measure displacement between optical member and measurement mount and between measurement mount and movable body |
US8237916B2 (en) * | 2007-12-28 | 2012-08-07 | Nikon Corporation | Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
JP5088588B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-12-05 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US8269945B2 (en) | 2007-12-28 | 2012-09-18 | Nikon Corporation | Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method |
NL1036742A1 (nl) | 2008-04-18 | 2009-10-20 | Asml Netherlands Bv | Stage system calibration method, stage system and lithographic apparatus comprising such stage system. |
US8817236B2 (en) | 2008-05-13 | 2014-08-26 | Nikon Corporation | Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8228482B2 (en) * | 2008-05-13 | 2012-07-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8786829B2 (en) * | 2008-05-13 | 2014-07-22 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5195022B2 (ja) * | 2008-05-23 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | 位置計測装置及び位置計測方法、パターン形成装置及びパターン形成方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US8214718B2 (en) * | 2008-06-19 | 2012-07-03 | International Business Machines Corporation | Erasure flagging system and method for errors-and-erasures decoding in storage devices |
US8653488B2 (en) * | 2008-07-30 | 2014-02-18 | Nuflare Technology, Inc. | Electron beam apparatus |
US8325325B2 (en) | 2008-09-22 | 2012-12-04 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8508735B2 (en) * | 2008-09-22 | 2013-08-13 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, movable body drive method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
JP5151852B2 (ja) * | 2008-09-22 | 2013-02-27 | 株式会社ニコン | 補正情報作成方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
US8994923B2 (en) * | 2008-09-22 | 2015-03-31 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8599359B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-12-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method |
US8773635B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-07-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8902402B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-12-02 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8760629B2 (en) * | 2008-12-19 | 2014-06-24 | Nikon Corporation | Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body |
JP5438988B2 (ja) * | 2009-02-17 | 2014-03-12 | 株式会社ミツトヨ | 測定システムおよび干渉計 |
US8553204B2 (en) | 2009-05-20 | 2013-10-08 | Nikon Corporation | Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
US8970820B2 (en) * | 2009-05-20 | 2015-03-03 | Nikon Corporation | Object exchange method, exposure method, carrier system, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US8792084B2 (en) * | 2009-05-20 | 2014-07-29 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method |
CA2764308A1 (en) * | 2009-07-17 | 2011-01-20 | Diversitech Equipment And Sales (1984) Ltd. | Fume extraction system with automatic fume hood positioning |
US8488109B2 (en) | 2009-08-25 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US20110096318A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110102761A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-05-05 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method |
US20110096312A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabricating method |
US20110096306A1 (en) * | 2009-09-28 | 2011-04-28 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110128523A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Nikon Corporation | Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method |
US20110123913A1 (en) * | 2009-11-19 | 2011-05-26 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method |
US8488106B2 (en) * | 2009-12-28 | 2013-07-16 | Nikon Corporation | Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
NL2006804A (en) | 2010-06-24 | 2011-12-28 | Asml Netherlands Bv | Measurement system, method and lithographic apparatus. |
NL2007155A (en) | 2010-08-25 | 2012-02-28 | Asml Netherlands Bv | Stage apparatus, lithographic apparatus and method of positioning an object table. |
CN102175133B (zh) * | 2011-02-25 | 2012-07-18 | 清华大学 | 全局金属膜厚度测量装置 |
CN102721380B (zh) * | 2011-03-30 | 2016-03-30 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 镭射平面度量测系统及方法 |
JP5533769B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2014-06-25 | ウシオ電機株式会社 | マスクとワークの位置合せ方法 |
KR101801148B1 (ko) * | 2011-08-16 | 2017-11-27 | 삼성전자주식회사 | 초정밀 위치 제어 장치 및 그 6자유도 스테이지의 위치 및 자세 정보 산출 방법 |
US9207549B2 (en) | 2011-12-29 | 2015-12-08 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement |
JP5971965B2 (ja) * | 2012-02-07 | 2016-08-17 | キヤノン株式会社 | 面形状計測方法、面形状計測装置、プログラム、および、光学素子の製造方法 |
WO2014054689A1 (ja) * | 2012-10-02 | 2014-04-10 | 株式会社ニコン | 移動体装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
JP2014115115A (ja) * | 2012-12-06 | 2014-06-26 | Advantest Corp | 補正装置、プローブ装置、および試験装置 |
JP6381184B2 (ja) | 2013-07-09 | 2018-08-29 | キヤノン株式会社 | 校正方法、測定装置、露光装置および物品の製造方法 |
JP6228420B2 (ja) * | 2013-10-08 | 2017-11-08 | キヤノン株式会社 | 検出装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
US9804488B2 (en) * | 2014-03-21 | 2017-10-31 | Carpe Diem Technologies, Inc. | System and method for fabricating miniature structures on a flexible substrate |
CN105045042B (zh) * | 2015-04-23 | 2017-06-16 | 清华大学 | 一种硅片台曝光区域六自由度位移测量方法 |
CN106483778B (zh) * | 2015-08-31 | 2018-03-30 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 基于相对位置测量的对准系统、双工件台系统及测量系统 |
CN111812949A (zh) * | 2015-09-30 | 2020-10-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
CN113900361B (zh) * | 2015-09-30 | 2024-02-09 | 株式会社尼康 | 曝光装置及曝光方法、以及平面显示器制造方法 |
CN107544213B (zh) * | 2016-06-29 | 2019-10-25 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 光刻机动态调平调焦方法 |
JP6704813B2 (ja) * | 2016-08-05 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 計測装置、露光装置、および物品の製造方法 |
JP6426691B2 (ja) * | 2016-12-22 | 2018-11-21 | ファナック株式会社 | 数値制御装置 |
JP6506785B2 (ja) * | 2017-02-02 | 2019-04-24 | 株式会社Kokusai Electric | リソグラフィ用テンプレートの製造方法、プログラム及び基板処理装置 |
CN108801161B (zh) * | 2017-04-28 | 2021-06-29 | 北京小米移动软件有限公司 | 测量系统、方法及装置、可读存储介质 |
CN109856929B (zh) * | 2017-11-30 | 2020-06-16 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 信号处理装置及处理方法、对准系统及对准方法和光刻机 |
CN108168438B (zh) * | 2017-12-28 | 2020-02-14 | 长春禹衡光学有限公司 | 一种封闭式光栅 |
CN108844500B (zh) * | 2018-04-10 | 2020-11-20 | 苏州久越金属科技有限公司 | 一种镭射自动化高效测量方法 |
CN108710266B (zh) * | 2018-05-18 | 2021-05-04 | 江苏影速集成电路装备股份有限公司 | 一种触发式对位结构的直写式曝光系统及方法 |
CN112334834B (zh) * | 2018-07-03 | 2023-10-17 | 应用材料公司 | 使用各自进行多次扫描的多个写入列来制作准确的光栅图案的系统和方法 |
CN111351464A (zh) * | 2018-12-20 | 2020-06-30 | 鸿富锦精密电子(郑州)有限公司 | 平整度检测装置及方法 |
JP7301695B2 (ja) * | 2019-09-19 | 2023-07-03 | キヤノン株式会社 | 制御装置、制御方法、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
JP7212996B1 (ja) | 2022-05-09 | 2023-01-26 | アツ子 森内 | 多目的 閂ケース付きアナログデジタル錠 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03167419A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Futaba Corp | 相対移動量測定装置 |
JPH04265805A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-09-22 | Karl Suess Kg Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft & Ind Gmbh & Co | x,y,φ座標テーブル用測定装置 |
JP2002164269A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2006128693A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | 光学的に位置を評価する機器及び方法 |
WO2006057263A1 (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Nikon Corporation | 移動体システム、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006165216A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Nikon Corp | 評価方法、走査露光方法及び走査型露光装置 |
JP2006201586A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
Family Cites Families (174)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE221563C (ja) | ||||
DE224448C (ja) | ||||
JPS5129184B1 (ja) | 1971-07-15 | 1976-08-24 | ||
US4215938A (en) | 1978-09-28 | 1980-08-05 | Farrand Industries, Inc. | Method and apparatus for correcting the error of a position measuring interferometer |
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57117238A (en) | 1981-01-14 | 1982-07-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Exposing and baking device for manufacturing integrated circuit with illuminometer |
JPS57153433A (en) | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
JPS60119407A (ja) | 1983-11-30 | 1985-06-26 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 比較検査装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
US4780617A (en) | 1984-08-09 | 1988-10-25 | Nippon Kogaku K.K. | Method for successive alignment of chip patterns on a substrate |
JPS6144429A (ja) | 1984-08-09 | 1986-03-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 位置合わせ方法、及び位置合せ装置 |
JPS61113376A (ja) | 1984-11-07 | 1986-05-31 | Sony Corp | テレビジヨン信号の動き検出装置 |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JPS63292005A (ja) * | 1987-05-25 | 1988-11-29 | Nikon Corp | 走り誤差補正をなした移動量検出装置 |
US5489986A (en) | 1989-02-28 | 1996-02-06 | Nikon Corporation | Position detecting apparatus |
US5070250A (en) | 1989-02-28 | 1991-12-03 | Nikon Corporation | Position detection apparatus with adjustable beam and interference fringe positions |
US5021649A (en) | 1989-03-28 | 1991-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Relief diffraction grating encoder |
JP3077149B2 (ja) | 1990-01-22 | 2000-08-14 | 株式会社ニコン | 測定装置、測定方法、及び露光装置、露光方法、及び回路パターンチップ |
US5523843A (en) | 1990-07-09 | 1996-06-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Position detecting system |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
US5506684A (en) | 1991-04-04 | 1996-04-09 | Nikon Corporation | Projection scanning exposure apparatus with synchronous mask/wafer alignment system |
JP3149472B2 (ja) | 1991-08-30 | 2001-03-26 | 株式会社ニコン | 走査露光装置および物体の移動測定装置 |
DE4219311C2 (de) | 1991-06-13 | 1996-03-07 | Sony Magnescale Inc | Verschiebungsdetektor |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
JPH05129184A (ja) | 1991-10-30 | 1993-05-25 | Canon Inc | 投影露光装置 |
JP3167419B2 (ja) | 1992-05-28 | 2001-05-21 | 株式会社アルファ | 自動車用バッテリ監視装置 |
JPH06124873A (ja) | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
KR100300618B1 (ko) | 1992-12-25 | 2001-11-22 | 오노 시게오 | 노광방법,노광장치,및그장치를사용하는디바이스제조방법 |
JP3316833B2 (ja) | 1993-03-26 | 2002-08-19 | 株式会社ニコン | 走査露光方法、面位置設定装置、走査型露光装置、及び前記方法を使用するデバイス製造方法 |
JP3303386B2 (ja) | 1993-02-03 | 2002-07-22 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び方法 |
US5461237A (en) | 1993-03-26 | 1995-10-24 | Nikon Corporation | Surface-position setting apparatus |
US5583609A (en) | 1993-04-23 | 1996-12-10 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus |
JP3375076B2 (ja) | 1993-04-27 | 2003-02-10 | 株式会社ニコン | 投影露光方法及び装置、並びに素子製造方法 |
US5581324A (en) | 1993-06-10 | 1996-12-03 | Nikon Corporation | Thermal distortion compensated projection exposure method and apparatus for manufacturing semiconductors |
US6122036A (en) | 1993-10-21 | 2000-09-19 | Nikon Corporation | Projection exposure apparatus and method |
JPH09223650A (ja) | 1996-02-15 | 1997-08-26 | Nikon Corp | 露光装置 |
US5625453A (en) * | 1993-10-26 | 1997-04-29 | Canon Kabushiki Kaisha | System and method for detecting the relative positional deviation between diffraction gratings and for measuring the width of a line constituting a diffraction grating |
JPH07190741A (ja) * | 1993-12-27 | 1995-07-28 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 測定誤差補正法 |
JPH07220990A (ja) | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
JPH07270122A (ja) * | 1994-03-30 | 1995-10-20 | Canon Inc | 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法 |
JPH0883753A (ja) | 1994-09-13 | 1996-03-26 | Nikon Corp | 焦点検出方法 |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JP3815750B2 (ja) * | 1995-10-09 | 2006-08-30 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、ならびに前記ステージ装置を用いた露光装置およびデバイス製造方法 |
JPH09318321A (ja) * | 1996-05-30 | 1997-12-12 | Olympus Optical Co Ltd | 測長装置 |
JPH1063011A (ja) | 1996-08-14 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 走査型露光装置及び走査露光方法 |
US5917580A (en) | 1996-08-29 | 1999-06-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Scan exposure method and apparatus |
US5825043A (en) | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
CN1144263C (zh) | 1996-11-28 | 2004-03-31 | 株式会社尼康 | 曝光装置以及曝光方法 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH10223528A (ja) | 1996-12-30 | 1998-08-21 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置合わせ方法 |
USRE40043E1 (en) | 1997-03-10 | 2008-02-05 | Asml Netherlands B.V. | Positioning device having two object holders |
JPH10270535A (ja) | 1997-03-25 | 1998-10-09 | Nikon Corp | 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JPH1116816A (ja) | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Nikon Corp | 投影露光装置、該装置を用いた露光方法、及び該装置を用いた回路デバイスの製造方法 |
US6020964A (en) | 1997-12-02 | 2000-02-01 | Asm Lithography B.V. | Interferometer system and lithograph apparatus including an interferometer system |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
JP3809268B2 (ja) | 1997-12-19 | 2006-08-16 | キヤノン株式会社 | デバイス製造方法 |
JPH11191585A (ja) | 1997-12-26 | 1999-07-13 | Canon Inc | ステージ装置、およびこれを用いた露光装置、ならびにデバイス製造方法 |
JPH11233420A (ja) | 1998-02-18 | 1999-08-27 | Nikon Corp | 投影露光装置及び位置検出方法 |
KR100841147B1 (ko) | 1998-03-11 | 2008-06-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 레이저 장치, 자외광 조사 장치 및 방법, 물체의 패턴 검출장치 및 방법 |
US6008610A (en) | 1998-03-20 | 1999-12-28 | Nikon Corporation | Position control apparatus for fine stages carried by a coarse stage on a high-precision scanning positioning system |
WO1999049504A1 (fr) | 1998-03-26 | 1999-09-30 | Nikon Corporation | Procede et systeme d'exposition par projection |
AU3849199A (en) | 1998-05-19 | 1999-12-06 | Nikon Corporation | Aberration measuring instrument and measuring method, projection exposure apparatus provided with the instrument and device-manufacturing method using the measuring method, and exposure method |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
JP2000068192A (ja) | 1998-08-18 | 2000-03-03 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及び位置検出方法 |
US6144118A (en) * | 1998-09-18 | 2000-11-07 | General Scanning, Inc. | High-speed precision positioning apparatus |
DE69943311D1 (de) | 1998-12-24 | 2011-05-12 | Canon Kk | Trägerplattesteuerungsvorrichtung, Belichtungsapparat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung |
TW490596B (en) | 1999-03-08 | 2002-06-11 | Asm Lithography Bv | Lithographic projection apparatus, method of manufacturing a device using the lithographic projection apparatus, device manufactured according to the method and method of calibrating the lithographic projection apparatus |
US6924884B2 (en) | 1999-03-08 | 2005-08-02 | Asml Netherlands B.V. | Off-axis leveling in lithographic projection apparatus |
US6381004B1 (en) | 1999-09-29 | 2002-04-30 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP4428781B2 (ja) | 1999-12-28 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | 光学式ロータリエンコーダ及びモータ制御装置 |
DE60114397T2 (de) | 2000-01-11 | 2006-08-03 | Electro Scientific Industries, Inc., Portland | Verfahren und vorrichtung zur korrektur von abbe fehlern |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2001313250A (ja) | 2000-02-25 | 2001-11-09 | Nikon Corp | 露光装置、その調整方法、及び前記露光装置を用いるデバイス製造方法 |
US6771350B2 (en) | 2000-02-25 | 2004-08-03 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method capable of controlling illumination distribution |
JP2001332490A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-11-30 | Nikon Corp | 位置合わせ方法、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法 |
US6639686B1 (en) | 2000-04-13 | 2003-10-28 | Nanowave, Inc. | Method of and apparatus for real-time continual nanometer scale position measurement by beam probing as by laser beams and the like of atomic and other undulating surfaces such as gratings or the like relatively moving with respect to the probing beams |
JP2002014005A (ja) | 2000-04-25 | 2002-01-18 | Nikon Corp | 空間像計測方法、結像特性計測方法、空間像計測装置及び露光装置 |
US20020041377A1 (en) | 2000-04-25 | 2002-04-11 | Nikon Corporation | Aerial image measurement method and unit, optical properties measurement method and unit, adjustment method of projection optical system, exposure method and apparatus, making method of exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2002090114A (ja) | 2000-07-10 | 2002-03-27 | Mitsutoyo Corp | 光スポット位置センサ及び変位測定装置 |
US7561270B2 (en) | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
US7289212B2 (en) * | 2000-08-24 | 2007-10-30 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby |
TW527526B (en) | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1364257A1 (en) | 2001-02-27 | 2003-11-26 | ASML US, Inc. | Simultaneous imaging of two reticles |
CN101674512A (zh) | 2001-03-27 | 2010-03-17 | 1...有限公司 | 产生声场的方法和装置 |
JP4198338B2 (ja) * | 2001-07-09 | 2008-12-17 | 株式会社 東北テクノアーチ | ステージ装置 |
JP2003031474A (ja) | 2001-07-16 | 2003-01-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 露光装置および露光方法 |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
JP2003249443A (ja) | 2001-12-21 | 2003-09-05 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ位置管理方法、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
WO2003065428A1 (fr) | 2002-01-29 | 2003-08-07 | Nikon Corporation | Systeme de reglage d'etat de formation d'images, procede d'insolation, appareil d'exposition, programme, et support d'enregistrement d'information |
US6987555B2 (en) | 2002-04-23 | 2006-01-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP4168665B2 (ja) | 2002-05-22 | 2008-10-22 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、デバイス製造方法 |
AU2003252349A1 (en) * | 2002-07-31 | 2004-02-16 | Nikon Corporation | Position measuring method, position control method, exposure method and exposure apparatus, and device manufacturing method |
KR20050035890A (ko) | 2002-08-23 | 2005-04-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 투영 광학계, 포토리소그래피 방법, 노광 장치 및 그 이용방법 |
JP2004101362A (ja) | 2002-09-10 | 2004-04-02 | Canon Inc | ステージ位置計測および位置決め装置 |
CN101349876B (zh) | 2002-11-12 | 2010-12-01 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
DE60335595D1 (de) | 2002-11-12 | 2011-02-17 | Asml Netherlands Bv | Lithographischer Apparat mit Immersion und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung |
EP1571697A4 (en) | 2002-12-10 | 2007-07-04 | Nikon Corp | EXPOSURE SYSTEM AND DEVICE PRODUCTION METHOD |
EP1450176A1 (en) | 2003-02-21 | 2004-08-25 | Liaisons Electroniques-Mecaniques Lem S.A. | Magnetic field sensor and electrical current sensor therewith |
JP4362862B2 (ja) * | 2003-04-01 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
EP3062152B1 (en) | 2003-04-10 | 2017-12-20 | Nikon Corporation | Environmental system including vaccum scavenge for an immersion lithography apparatus |
EP2672307A3 (en) | 2003-05-06 | 2014-07-23 | Nikon Corporation | Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method |
JP4292573B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2009-07-08 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
US7025498B2 (en) | 2003-05-30 | 2006-04-11 | Asml Holding N.V. | System and method of measuring thermal expansion |
CN101436003B (zh) * | 2003-06-19 | 2011-08-17 | 株式会社尼康 | 曝光装置及器件制造方法 |
CN102323724B (zh) | 2003-07-28 | 2014-08-13 | 株式会社尼康 | 液浸曝光装置及其制造方法、曝光装置、器件制造方法 |
JP4492239B2 (ja) | 2003-07-28 | 2010-06-30 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
TWI295408B (en) | 2003-10-22 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method, and measurement system |
US7589822B2 (en) | 2004-02-02 | 2009-09-15 | Nikon Corporation | Stage drive method and stage unit, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US7102729B2 (en) | 2004-02-03 | 2006-09-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method |
TW200537255A (en) | 2004-02-04 | 2005-11-16 | Nikon Corp | Exposure equipment and method, position control method and device manufacturing method |
JP2005252246A (ja) | 2004-02-04 | 2005-09-15 | Nikon Corp | 露光装置及び方法、位置制御方法、並びにデバイス製造方法 |
JP2005236087A (ja) * | 2004-02-20 | 2005-09-02 | Nikon Corp | 露光装置 |
JP4429037B2 (ja) | 2004-02-27 | 2010-03-10 | キヤノン株式会社 | ステージ装置及びその制御方法 |
JP2005249452A (ja) | 2004-03-02 | 2005-09-15 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | リニアエンコーダ、画像読取装置及び画像記録装置 |
JP4622340B2 (ja) | 2004-03-04 | 2011-02-02 | 株式会社ニコン | 露光装置、デバイス製造方法 |
JP2005268608A (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | ステージ装置 |
US7898642B2 (en) | 2004-04-14 | 2011-03-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4751032B2 (ja) | 2004-04-22 | 2011-08-17 | 株式会社森精機製作所 | 変位検出装置 |
US20050241694A1 (en) | 2004-04-29 | 2005-11-03 | Red Flame Hot Tap Services Ltd. | Hot tapping method, system and apparatus |
US7126109B2 (en) * | 2004-06-14 | 2006-10-24 | Gsi Group Corporation | Encoder scale error compensation employing comparison among multiple detectors |
JP4305915B2 (ja) | 2004-06-17 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 基地局選択に用いる基準を求める方法 |
WO2005124834A1 (ja) | 2004-06-22 | 2005-12-29 | Nikon Corporation | ベストフォーカス検出方法及び露光方法、並びに露光装置 |
JP2006017895A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Integrated Solutions:Kk | 露光装置 |
JP4305917B2 (ja) | 2004-07-14 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 映像信号処理装置及びテレビジョン装置 |
US7256871B2 (en) | 2004-07-27 | 2007-08-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for calibrating the same |
JP4852951B2 (ja) | 2004-09-17 | 2012-01-11 | 株式会社ニコン | 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
KR101618493B1 (ko) | 2004-09-17 | 2016-05-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
WO2006038952A2 (en) | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Nikon Corporation | Projection optical device and exposure apparatus |
JP4424739B2 (ja) | 2004-10-19 | 2010-03-03 | キヤノン株式会社 | ステージ装置 |
TWI538013B (zh) * | 2004-11-18 | 2016-06-11 | 尼康股份有限公司 | A position measuring method, a position control method, a measuring method, a loading method, an exposure method and an exposure apparatus, and a device manufacturing method |
US7528931B2 (en) * | 2004-12-20 | 2009-05-05 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20060139595A1 (en) | 2004-12-27 | 2006-06-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method for determining Z position errors/variations and substrate table flatness |
JP2006196555A (ja) * | 2005-01-11 | 2006-07-27 | Nikon Corp | 収差計測方法及び装置、並びに露光方法及び装置 |
JP2006210570A (ja) | 2005-01-27 | 2006-08-10 | Nikon Corp | 調整方法、露光装置 |
US7161659B2 (en) | 2005-04-08 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7515281B2 (en) | 2005-04-08 | 2009-04-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7405811B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7349069B2 (en) | 2005-04-20 | 2008-03-25 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and positioning apparatus |
US7348574B2 (en) | 2005-09-02 | 2008-03-25 | Asml Netherlands, B.V. | Position measurement system and lithographic apparatus |
US7362446B2 (en) | 2005-09-15 | 2008-04-22 | Asml Netherlands B.V. | Position measurement unit, measurement system and lithographic apparatus comprising such position measurement unit |
JP2007093546A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Nikon Corp | エンコーダシステム、ステージ装置及び露光装置 |
US7978339B2 (en) | 2005-10-04 | 2011-07-12 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus temperature compensation |
KR101780574B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2017-10-10 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
JP5195417B2 (ja) | 2006-02-21 | 2013-05-08 | 株式会社ニコン | パターン形成装置、露光装置、露光方法及びデバイス製造方法 |
US8908145B2 (en) * | 2006-02-21 | 2014-12-09 | Nikon Corporation | Pattern forming apparatus and pattern forming method, movable body drive system and movable body drive method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method |
US8027021B2 (en) * | 2006-02-21 | 2011-09-27 | Nikon Corporation | Measuring apparatus and method, processing apparatus and method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, and device manufacturing method |
US7602489B2 (en) | 2006-02-22 | 2009-10-13 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7253875B1 (en) | 2006-03-03 | 2007-08-07 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7636165B2 (en) | 2006-03-21 | 2009-12-22 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement systems lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4265805B2 (ja) | 2006-03-29 | 2009-05-20 | シャープ株式会社 | 画像処理システム |
US7576832B2 (en) | 2006-05-04 | 2009-08-18 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7483120B2 (en) | 2006-05-09 | 2009-01-27 | Asml Netherlands B.V. | Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method |
JP4393540B2 (ja) | 2006-08-01 | 2010-01-06 | シャープ株式会社 | 樹脂含有粒子の凝集体の製造方法、トナー、現像剤、現像装置および画像形成装置 |
TWI610149B (zh) | 2006-08-31 | 2018-01-01 | Nikon Corp | 移動體驅動系統及移動體驅動方法、圖案形成裝置及方法、曝光裝置及方法、元件製造方法、以及決定方法 |
KR20180137600A (ko) * | 2006-08-31 | 2018-12-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
TW201738667A (zh) | 2006-08-31 | 2017-11-01 | Nippon Kogaku Kk | 曝光方法及曝光裝置、以及元件製造方法 |
KR101477471B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2014-12-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법 |
KR101511929B1 (ko) * | 2006-09-01 | 2015-04-13 | 가부시키가이샤 니콘 | 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 디바이스 제조 방법, 그리고 캘리브레이션 방법 |
US7619207B2 (en) | 2006-11-08 | 2009-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7903866B2 (en) | 2007-03-29 | 2011-03-08 | Asml Netherlands B.V. | Measurement system, lithographic apparatus and method for measuring a position dependent signal of a movable object |
US7710540B2 (en) | 2007-04-05 | 2010-05-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US8547527B2 (en) | 2007-07-24 | 2013-10-01 | Nikon Corporation | Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and pattern formation apparatus, and device manufacturing method |
JP5088588B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-12-05 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
-
2007
- 2007-08-31 TW TW106125555A patent/TW201738667A/zh unknown
- 2007-08-31 SG SG2012048674A patent/SG182983A1/en unknown
- 2007-08-31 TW TW104127309A patent/TWI572995B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020177020724A patent/KR101902723B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020147035544A patent/KR101565277B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020087027029A patent/KR101444473B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR20147009442A patent/KR101493661B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020167008608A patent/KR101763546B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW102133477A patent/TWI510870B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 WO PCT/JP2007/067063 patent/WO2008026739A1/ja active Application Filing
- 2007-08-31 KR KR1020147035543A patent/KR101634893B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 KR KR1020187015765A patent/KR20180063382A/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 SG SG10201507251TA patent/SG10201507251TA/en unknown
- 2007-08-31 JP JP2008532137A patent/JP5251511B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 CN CN2007800104390A patent/CN101410945B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 EP EP17196163.4A patent/EP3291010A1/en not_active Withdrawn
- 2007-08-31 TW TW096132485A patent/TWI422981B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020147020063A patent/KR101565272B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 EP EP15182331.7A patent/EP2990872B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 TW TW104134833A patent/TWI590005B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 TW TW105138868A patent/TWI597585B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 SG SG2012048666A patent/SG182982A1/en unknown
- 2007-08-31 SG SG10201507256WA patent/SG10201507256WA/en unknown
- 2007-08-31 EP EP07806536.4A patent/EP2071612B1/en not_active Not-in-force
- 2007-08-31 US US11/896,412 patent/US8013982B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-31 KR KR1020157025223A patent/KR101749442B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 TW TW104127308A patent/TWI572994B/zh not_active IP Right Cessation
- 2007-08-31 KR KR1020137027815A patent/KR101423017B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-31 EP EP17185287.4A patent/EP3279738A1/en not_active Withdrawn
- 2007-08-31 SG SG2011060951A patent/SG174737A1/en unknown
-
2011
- 2011-07-27 US US13/191,829 patent/US8203697B2/en active Active
-
2012
- 2012-05-11 US US13/469,828 patent/US8947639B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-11 US US13/469,869 patent/US8937710B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-07 JP JP2012245015A patent/JP5692609B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-01-07 JP JP2014000972A patent/JP5709071B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-08-21 JP JP2014168119A patent/JP5850110B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-05 US US14/478,801 patent/US10101673B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2014-09-05 US US14/478,704 patent/US20140375976A1/en not_active Abandoned
- 2014-12-15 US US14/570,669 patent/US10162274B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-01-08 JP JP2015002677A patent/JP5915915B2/ja active Active
- 2015-06-25 JP JP2015127287A patent/JP6016202B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-01-13 JP JP2016004056A patent/JP6187607B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-12 JP JP2016095786A patent/JP6218125B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2016-05-30 HK HK16106076.6A patent/HK1218166A1/zh not_active IP Right Cessation
-
2017
- 2017-09-21 JP JP2017181138A patent/JP6429050B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2018
- 2018-03-26 HK HK18104102.7A patent/HK1244891A1/zh unknown
- 2018-03-29 HK HK18104345.4A patent/HK1244893A1/zh unknown
- 2018-10-16 JP JP2018194757A patent/JP2019020747A/ja active Pending
- 2018-10-17 US US16/162,977 patent/US20190049862A1/en not_active Abandoned
- 2018-10-18 US US16/164,016 patent/US20190049863A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03167419A (ja) * | 1989-11-28 | 1991-07-19 | Futaba Corp | 相対移動量測定装置 |
JPH04265805A (ja) * | 1990-10-22 | 1992-09-22 | Karl Suess Kg Praezisionsgeraete Fuer Wissenschaft & Ind Gmbh & Co | x,y,φ座標テーブル用測定装置 |
JP2002164269A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
JP2006128693A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Asml Netherlands Bv | 光学的に位置を評価する機器及び方法 |
WO2006057263A1 (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-01 | Nikon Corporation | 移動体システム、露光装置及びデバイス製造方法 |
JP2006165216A (ja) * | 2004-12-07 | 2006-06-22 | Nikon Corp | 評価方法、走査露光方法及び走査型露光装置 |
JP2006201586A (ja) * | 2005-01-21 | 2006-08-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 露光装置 |
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6429050B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP6331235B2 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
JP5863155B2 (ja) | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170317 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170315 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170509 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170904 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170917 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6218125 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |