JP6704813B2 - 計測装置、露光装置、および物品の製造方法 - Google Patents
計測装置、露光装置、および物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6704813B2 JP6704813B2 JP2016154946A JP2016154946A JP6704813B2 JP 6704813 B2 JP6704813 B2 JP 6704813B2 JP 2016154946 A JP2016154946 A JP 2016154946A JP 2016154946 A JP2016154946 A JP 2016154946A JP 6704813 B2 JP6704813 B2 JP 6704813B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- distribution
- height
- processing unit
- measuring device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/02—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness
- G01B11/06—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness ; e.g. of sheet material
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
本発明に係る第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、露光装置100の構成を示す概略図である。露光装置100は、例えば、照明光学系1と、マスク2を保持するマスクステージ3と、投影光学系4と、基板5を保持する基板ステージ6と、位置計測部7と、フォーカス検出部8と、処理部9と、制御部10とを含みうる。制御部10は、例えば、CPUやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、マスク2のパターンを基板5に転写する処理(基板5を露光する処理)を制御する。
第2実施形態では、分布情報の生成方法についての他の例を説明する。第2実施形態では、第1方向の検出処理および第2方向の検出処理を初めに行い、それにより得られた第1分布と第2分布とに基づいて未検出部分の高さを補間(推定)することにより分布情報を生成する。図6は、第2実施形態に係る分布情報の生成方法を示すフローチャートである。図6に示すフローチャートの各工程は、処理部9によって行われうる。
第1実施形態および第2実施形態では、フォーカス検出部8によって基板5の面の高さを検出する例について説明したが、第3実施形態では、基板5の面の高さの代わりに基板5の厚さを検出する例について説明する。この場合、処理部9は、基板ステージ6(基板チャック6a)の保持面の高さをフォーカス検出部8に事前に検出させ、当該保持面の高さ分布を示す情報を取得しておく。そして、処理部9は、図3または図6に示すフローチャートに従って基板5の厚さをフォーカス検出部8に検出させた結果に基づいて、基板5の厚さ分布を示す情報を求める。これにより、処理部9は、基板ステージ6の保持面の高さ分布を示す情報と基板5の厚さ分布を示す情報とに基づいて、基板ステージ6よって保持された基板5の面内の高さ分布を示す情報(分布情報)を求めることができる。
本発明の実施形態における物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等の電子デバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程(基板を露光する工程)と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (16)
- 互いに異なる第1方向および第2方向のうちの一方における高さばらつきより他方における高さばらつきの方が大きい面を有する基板に対し、当該面の高さ分布を計測する計測装置であって、
検出領域内において前記基板の面の高さを検出する検出部と、
前記基板と前記検出領域とを相対的に走査させることにより走査方向における前記基板の面の高さ分布を求める処理部と、
を含み、
前記処理部は、前記第1方向に前記基板と前記検出領域とを相対的に走査させることにより前記第1方向における前記基板の面の高さ分布を第1分布として求め、前記第1分布における高さばらつきが基準値より小さい場合には、前記第2方向に前記基板と前記検出領域とを相対的に走査させることにより前記第2方向における前記基板の面の高さ分布を更に求める、ことを特徴とする計測装置。 - 前記基板は、パターンが形成された複数のパターン領域と、前記複数のパターン領域の間に設けられた間隙領域とを含み、
前記処理部は、前記複数のパターン領域のレイアウト情報に基づいて、前記間隙領域において前記検出部による高さの検出が行われるように前記基板と前記検出領域とを相対的に走査させる、ことを特徴とする請求項1に記載の計測装置。 - 前記処理部は、前記第1方向に前記基板と前記検出領域とを相対的に1回だけ走査させることにより前記第1分布を求め、前記第1分布における高さばらつきが前記基準値より小さい場合には、前記第2方向に前記基板と前記検出領域とを相対的に1回だけ走査させることにより前記第2方向における前記基板の面の高さ分布を更に求める、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の計測装置。
- 前記基板は、矩形形状を有し、
前記第1方向および前記第2方向は、前記基板の面の辺のうち互いに直交する2つの辺にそれぞれ平行である、ことを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の計測装置。 - 前記処理部は、前記第1分布における高さばらつきが前記基準値以上である場合には、前記第1分布から生成される、前記基板の面内における高さ分布を示す分布情報を取得する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記第1分布における高さばらつきが前記基準値以上である場合には、前記第1分布から、前記基板の面内における高さ分布を示す分布情報を生成する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記第1分布における高さばらつきが前記基準値以上である場合には、前記第2方向に前記基板と前記検出領域とを相対的に走査させずに、前記第1分布から、前記基板の面内における高さ分布を示す分布情報を生成する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記第1分布における高さばらつきが前記基準値以上である場合、前記第2方向における複数の位置の各々についても、前記第1方向に平行な方向における前記基板の面の高さ分布が前記第1分布であると推定して、前記分布情報を生成する、ことを特徴とする請求項5乃至7のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記第2方向における前記複数の位置の各々について前記第1分布を適用することにより、前記分布情報を生成する、ことを特徴とする請求項8に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記第1分布における高さばらつきが前記基準値より小さい場合には、前記第2方向における前記基板の面の高さ分布に基づいて、前記基板の面内における高さ分布を示す分布情報を生成する、ことを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記第1分布における高さばらつきが前記基準値より小さい場合には、前記第1分布にも基づいて前記分布情報を生成する、ことを特徴とする請求項10に記載の計測装置。
- 前記処理部は、前記第1分布における高さばらつきが前記基準値より小さい場合、前記第1分布と前記第2方向における前記基板の面の高さ分布とに基づいて、前記基板の面のうち前記検出部による検出が行われていない未検出部分の高さを補間することにより、前記基板の面内における高さ分布を示す分布情報を生成する、ことを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記第1分布における高さばらつきは、前記第1分布における高さの最大値と最小値との差を含む、ことを特徴とする請求項1乃至12のうちいずれか1項に記載の計測装置。
- 前記基板を保持する保持面を有するステージを含み、
前記検出部は、前記基板の厚さを検出し、前記基板の厚さの検出結果および前記保持面の高さ分布を示す情報に基づいて、前記保持面により保持された前記基板の面の高さを求める、ことを特徴とする請求項1乃至13のうちいずれか1項に記載の計測装置。 - 基板を露光する露光装置であって、
マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系と、
前記基板の面の高さ分布を計測する請求項1乃至14のうちいずれか1項に記載の計測装置と、
前記計測装置での計測結果に基づいて、前記基板の露光中における前記投影光学系の投影像を制御する制御部と、
を含むことを特徴とする露光装置。 - 請求項15に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016154946A JP6704813B2 (ja) | 2016-08-05 | 2016-08-05 | 計測装置、露光装置、および物品の製造方法 |
CN201780048850.0A CN109564397B (zh) | 2016-08-05 | 2017-06-15 | 测量装置、曝光装置以及物品的制造方法 |
PCT/JP2017/022039 WO2018025515A1 (ja) | 2016-08-05 | 2017-06-15 | 計測装置、露光装置、および物品の製造方法 |
KR1020197005133A KR102137986B1 (ko) | 2016-08-05 | 2017-06-15 | 계측 장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016154946A JP6704813B2 (ja) | 2016-08-05 | 2016-08-05 | 計測装置、露光装置、および物品の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018022114A JP2018022114A (ja) | 2018-02-08 |
JP2018022114A5 JP2018022114A5 (ja) | 2019-09-05 |
JP6704813B2 true JP6704813B2 (ja) | 2020-06-03 |
Family
ID=61073384
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016154946A Active JP6704813B2 (ja) | 2016-08-05 | 2016-08-05 | 計測装置、露光装置、および物品の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6704813B2 (ja) |
KR (1) | KR102137986B1 (ja) |
CN (1) | CN109564397B (ja) |
WO (1) | WO2018025515A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20220365450A1 (en) * | 2019-07-04 | 2022-11-17 | Asml Netherlands B.V. | Non-correctable error in metrology |
JP7475185B2 (ja) * | 2020-04-10 | 2024-04-26 | キヤノン株式会社 | 計測方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP7489829B2 (ja) * | 2020-05-21 | 2024-05-24 | キヤノン株式会社 | 処理装置、計測方法および物品製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06249621A (ja) * | 1993-02-24 | 1994-09-09 | Sumitomo Heavy Ind Ltd | 膜厚分布計測装置 |
JP4405241B2 (ja) * | 2002-11-19 | 2010-01-27 | 株式会社 液晶先端技術開発センター | 液晶ディスプレイ用ガラス基板の露光方法および露光装置ならびに処理装置 |
US20050134816A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-23 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, method of exposing a substrate, method of measurement, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
JP2006156508A (ja) | 2004-11-26 | 2006-06-15 | Nikon Corp | 目標値決定方法、移動方法及び露光方法、露光装置及びリソグラフィシステム |
JP2006349351A (ja) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 3次元微細形状測定方法 |
SG10201507256WA (en) * | 2006-08-31 | 2015-10-29 | Nikon Corp | Movable Body Drive Method And Movable Body Drive System, Pattern Formation Method And Apparatus, Exposure Method And Apparatus, And Device Manufacturing Method |
JP5406623B2 (ja) | 2009-08-10 | 2014-02-05 | キヤノン株式会社 | 計測装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
JP2012132754A (ja) * | 2010-12-21 | 2012-07-12 | Panasonic Corp | テクスチャ評価装置、テクスチャ評価方法 |
CN104024793B (zh) * | 2011-10-24 | 2017-02-15 | 株式会社日立制作所 | 形状检查方法及其装置 |
JP6014572B2 (ja) | 2013-11-06 | 2016-10-25 | Jfeスチール株式会社 | 厚み測定装置、厚み測定方法及び腐食深さ測定方法 |
JP6491833B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2019-03-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 高さ測定装置 |
WO2016098452A1 (ja) * | 2014-12-19 | 2016-06-23 | Hoya株式会社 | マスクブランク用基板、マスクブランク及びこれらの製造方法、転写用マスクの製造方法並びに半導体デバイスの製造方法 |
-
2016
- 2016-08-05 JP JP2016154946A patent/JP6704813B2/ja active Active
-
2017
- 2017-06-15 CN CN201780048850.0A patent/CN109564397B/zh active Active
- 2017-06-15 KR KR1020197005133A patent/KR102137986B1/ko active IP Right Grant
- 2017-06-15 WO PCT/JP2017/022039 patent/WO2018025515A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190032486A (ko) | 2019-03-27 |
JP2018022114A (ja) | 2018-02-08 |
CN109564397A (zh) | 2019-04-02 |
CN109564397B (zh) | 2021-01-29 |
WO2018025515A1 (ja) | 2018-02-08 |
KR102137986B1 (ko) | 2020-07-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102191685B1 (ko) | 투영식 노광 장치 및 방법 | |
TWI693667B (zh) | 移動體之控制方法、曝光方法、元件製造方法、移動體裝置、及曝光裝置 | |
JP6704813B2 (ja) | 計測装置、露光装置、および物品の製造方法 | |
KR102078079B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법 | |
JP2017037194A (ja) | 露光装置の制御方法、露光装置、プログラム、および物品の製造方法 | |
TWI568989B (zh) | 全域式影像檢測系統及其檢測方法 | |
JP6916616B2 (ja) | リソグラフィ装置、物品の製造方法、および計測装置 | |
TW201736948A (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
US10133177B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method | |
KR102459126B1 (ko) | 노광 장치, 노광 방법 및 물품 제조 방법 | |
CN109932876B (zh) | 测量装置、平板印刷装置、物品的制造方法以及测量方法 | |
JP6185724B2 (ja) | 露光装置および物品の製造方法 | |
JP2016009767A (ja) | 露光装置、および物品の製造方法 | |
JP2015106604A (ja) | ビームの傾き計測方法、描画方法、描画装置、及び物品の製造方法 | |
US11397384B2 (en) | Signal recognition during substrate patterning via digital photolithography | |
JP2020109531A (ja) | 露光装置、露光方法、および物品製造方法 | |
JP5676307B2 (ja) | パターン検査装置及びパターン検査方法 | |
JP2012114279A (ja) | 合焦装置、露光装置、及びデバイス製造方法 | |
JP2018151577A (ja) | 露光装置、露光方法、プログラム、決定方法及び物品の製造方法 | |
JP2006030039A (ja) | 高さ測定方法及び高さ測定装置、並びに信号処理方法 | |
JP2016062921A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2014216362A (ja) | 露光装置、露光方法、およびデバイスの製造方法 | |
JP2010278092A (ja) | 信号波形補正方法、露光装置、及び、デバイス製造方法 | |
JP2012078703A (ja) | 合焦装置、露光装置、及びデバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190724 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190724 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200413 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200513 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6704813 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |