JP2016140050A5 - 半導体装置の駆動方法 - Google Patents

Claims (4)

1. 第１の回路と、第２の回路と、第１のトランジスタと、を有し、
   前記第１の回路は、第１の光電変換素子と、第２のトランジスタ乃至第４のトランジスタと、を有し、
   前記第２の回路は、第２の光電変換素子と、第５のトランジスタと、第６のトランジスタと、を有し、
   前記第１の光電変換素子は、前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第１のノードと電気的に接続され、
   前記第４のトランジスタのゲートは、前記第１のノードと電気的に接続され、
   前記第２の光電変換素子は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第２のノードと電気的に接続され、
   前記第６のトランジスタのゲートは、前記第２のノードと電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第５のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される半導体装置の駆動方法であって、
   第１のステップと、第２のステップと、第３のステップと、第４のステップと、を有し、
   前記第１のステップにおいて、前記第２のトランジスタ及び前記第５のトランジスタは、オフ状態であり、
   前記第１のステップにおいて、前記第３のトランジスタ及び前記第１のトランジスタは、オン状態であり、
   前記第１のステップにおいて、前記第２の光電変換素子の受光量に応じた第１の電位を前記第１のノードに書き込み、
   前記第２のステップにおいて、前記第２のトランジスタ及び第３のトランジスタは、オフ状態であり、
   前記第２のステップにおいて、前記第１のトランジスタ及び前記第５のトランジスタは、オン状態であり、
   前記第２のステップにおいて、前記第２の光電変換素子の受光量に応じた第２の電位を前記第２のノードに書き込み、
   前記第３のステップにおいて、前記第１の電位に応じた情報を、前記第４のトランジスタを介して読み出し、
   前記第４のステップにおいて、前記第２の電位に応じた情報を、前記第６のトランジスタを介して読み出すことを特徴とする半導体装置の駆動方法。
2. 請求項１において、
   前記第２のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第３のトランジスタ、及び前記第５のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記第１のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。