JP2015188206A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2015188206A5
JP2015188206A5 JP2015029202A JP2015029202A JP2015188206A5 JP 2015188206 A5 JP2015188206 A5 JP 2015188206A5 JP 2015029202 A JP2015029202 A JP 2015029202A JP 2015029202 A JP2015029202 A JP 2015029202A JP 2015188206 A5 JP2015188206 A5 JP 2015188206A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
logic element
electrically connected
transistor
switch
function
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015029202A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015188206A (ja
JP6625328B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2015029202A priority Critical patent/JP6625328B2/ja
Priority claimed from JP2015029202A external-priority patent/JP6625328B2/ja
Publication of JP2015188206A publication Critical patent/JP2015188206A/ja
Publication of JP2015188206A5 publication Critical patent/JP2015188206A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6625328B2 publication Critical patent/JP6625328B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (8)

  1. 第1のロジックエレメントと、
    前記第1のロジックエレメントと電気的に接続された第1のスイッチと、
    前記第1のスイッチと電気的に接続された第2のロジックエレメントと、を有し、
    少なくとも、前記第1のロジックエレメントは、第2のスイッチを有し、
    前記第2のスイッチは、前記第1のロジックエレメントからの出力電位をLレベルとする機能を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 第1のロジックエレメントと、
    前記第1のロジックエレメントと電気的に接続された第1のスイッチと、
    前記第1のスイッチと電気的に接続された第2のロジックエレメントと、を有し、
    少なくとも、前記第1のロジックエレメントは、論理積回路を有し、
    前記論理積回路は、前記第1のロジックエレメントからの出力電位をLレベルとする機能を有することを特徴とする半導体装置。
  3. 第1のロジックエレメントと、
    前記第1のロジックエレメントと電気的に接続された第1のスイッチと、
    前記第1のスイッチと電気的に接続された第2のロジックエレメントと、を有し、
    少なくとも、前記第1のロジックエレメントは、AND回路を有し、
    前記AND回路は、前記第1のロジックエレメントからの出力電位をLレベルとする機能を有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一において、
    前記第1のスイッチは、第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、容量とを有し、
    前記第2のトランジスタのゲートは、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、
    前記第2のトランジスタのゲートは、前記容量の第1の電極と電気的に接続され、
    前記第1のトランジスタのゲートは、第1の信号線と電気的に接続され、
    前記第3のトランジスタのゲートは、第2の信号線と電気的に接続され、
    前記第2の信号線からの信号に基づき、複数のコンテキストのうち、いずれか一を選択する機能を有することを特徴とする半導体装置。
  5. 第1のロジックエレメントと、
    前記第1のロジックエレメントと電気的に接続された、スイッチと、
    前記スイッチと電気的に接続された、第2のロジックエレメントとを有し、
    少なくとも、前記第1のロジックエレメントは、レジスタと電気的に接続されたメモリを有し、
    前記メモリは、前記レジスタのデータを保持する機能を有し、
    前記レジスタは、前記メモリにデータを保持したあと、出力電位をLレベルとする機能を有することができることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項5において、
    前記メモリは、酸化物半導体を有するトランジスタを有することを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれか一において、
    前記第1のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
  8. 請求項1乃至請求項7のいずれか一において、
    前記第2のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
JP2015029202A 2014-03-06 2015-02-18 半導体装置の駆動方法 Active JP6625328B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015029202A JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2015-02-18 半導体装置の駆動方法

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014043550 2014-03-06
JP2014043550 2014-03-06
JP2014049713 2014-03-13
JP2014049713 2014-03-13
JP2015029202A JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2015-02-18 半導体装置の駆動方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2015188206A JP2015188206A (ja) 2015-10-29
JP2015188206A5 true JP2015188206A5 (ja) 2018-03-29
JP6625328B2 JP6625328B2 (ja) 2019-12-25

Family

ID=54018451

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015029202A Active JP6625328B2 (ja) 2014-03-06 2015-02-18 半導体装置の駆動方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9350358B2 (ja)
JP (1) JP6625328B2 (ja)
KR (1) KR102470104B1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6333028B2 (ja) * 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置
US9419622B2 (en) 2014-03-07 2016-08-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP6677449B2 (ja) * 2014-03-13 2020-04-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の駆動方法
JP6541376B2 (ja) 2014-03-13 2019-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 プログラマブルロジックデバイスの動作方法
KR20180081732A (ko) * 2015-11-13 2018-07-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 전자 부품, 및 전자 기기
CN115995242A (zh) * 2016-03-18 2023-04-21 株式会社半导体能源研究所 半导体装置
US10263119B2 (en) * 2016-09-23 2019-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable device with high reliability for a semiconductor device, display system, and electronic device
KR20220131274A (ko) 2020-01-21 2022-09-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 기기

Family Cites Families (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60198861A (ja) 1984-03-23 1985-10-08 Fujitsu Ltd 薄膜トランジスタ
JPH0244256B2 (ja) 1987-01-28 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244260B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244258B2 (ja) 1987-02-24 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn3o6deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPS63210023A (ja) 1987-02-24 1988-08-31 Natl Inst For Res In Inorg Mater InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法
JPH0244262B2 (ja) 1987-02-27 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn6o9deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH0244263B2 (ja) 1987-04-22 1990-10-03 Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho
JPH05251705A (ja) 1992-03-04 1993-09-28 Fuji Xerox Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP3479375B2 (ja) 1995-03-27 2003-12-15 科学技術振興事業団 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
JPH11505377A (ja) 1995-08-03 1999-05-18 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 半導体装置
JP3625598B2 (ja) 1995-12-30 2005-03-02 三星電子株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP4170454B2 (ja) 1998-07-24 2008-10-22 Hoya株式会社 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
JP2000150861A (ja) 1998-11-16 2000-05-30 Tdk Corp 酸化物薄膜
JP3276930B2 (ja) 1998-11-17 2002-04-22 科学技術振興事業団 トランジスタ及び半導体装置
TW460731B (en) 1999-09-03 2001-10-21 Ind Tech Res Inst Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD
JP4089858B2 (ja) 2000-09-01 2008-05-28 国立大学法人東北大学 半導体デバイス
KR20020038482A (ko) 2000-11-15 2002-05-23 모리시타 요이찌 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널
JP3997731B2 (ja) 2001-03-19 2007-10-24 富士ゼロックス株式会社 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法
JP2002289859A (ja) 2001-03-23 2002-10-04 Minolta Co Ltd 薄膜トランジスタ
JP4090716B2 (ja) 2001-09-10 2008-05-28 雅司 川崎 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置
JP3925839B2 (ja) 2001-09-10 2007-06-06 シャープ株式会社 半導体記憶装置およびその試験方法
US7061014B2 (en) 2001-11-05 2006-06-13 Japan Science And Technology Agency Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film
JP4164562B2 (ja) 2002-09-11 2008-10-15 独立行政法人科学技術振興機構 ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ
JP4083486B2 (ja) 2002-02-21 2008-04-30 独立行政法人科学技術振興機構 LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法
CN1445821A (zh) 2002-03-15 2003-10-01 三洋电机株式会社 ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法
JP3933591B2 (ja) 2002-03-26 2007-06-20 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7339187B2 (en) 2002-05-21 2008-03-04 State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University Transistor structures
JP2004022625A (ja) 2002-06-13 2004-01-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法
US7105868B2 (en) 2002-06-24 2006-09-12 Cermet, Inc. High-electron mobility transistor with zinc oxide
US7067843B2 (en) 2002-10-11 2006-06-27 E. I. Du Pont De Nemours And Company Transparent oxide semiconductor thin film transistors
JP4166105B2 (ja) 2003-03-06 2008-10-15 シャープ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2004273732A (ja) 2003-03-07 2004-09-30 Sharp Corp アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4108633B2 (ja) 2003-06-20 2008-06-25 シャープ株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス
US7262463B2 (en) 2003-07-25 2007-08-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transistor including a deposited channel region having a doped portion
CN102354658B (zh) 2004-03-12 2015-04-01 独立行政法人科学技术振兴机构 薄膜晶体管的制造方法
US7297977B2 (en) 2004-03-12 2007-11-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Semiconductor device
US7145174B2 (en) 2004-03-12 2006-12-05 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Semiconductor device
US7282782B2 (en) 2004-03-12 2007-10-16 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Combined binary oxide semiconductor device
US7211825B2 (en) 2004-06-14 2007-05-01 Yi-Chi Shih Indium oxide-based thin film transistors and circuits
JP2006100760A (ja) 2004-09-02 2006-04-13 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタおよびその製造方法
US7285501B2 (en) 2004-09-17 2007-10-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a solution processed device
US7298084B2 (en) 2004-11-02 2007-11-20 3M Innovative Properties Company Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes
US7791072B2 (en) 2004-11-10 2010-09-07 Canon Kabushiki Kaisha Display
US7863611B2 (en) 2004-11-10 2011-01-04 Canon Kabushiki Kaisha Integrated circuits utilizing amorphous oxides
US7829444B2 (en) 2004-11-10 2010-11-09 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor manufacturing method
US7453065B2 (en) 2004-11-10 2008-11-18 Canon Kabushiki Kaisha Sensor and image pickup device
EP1812969B1 (en) 2004-11-10 2015-05-06 Canon Kabushiki Kaisha Field effect transistor comprising an amorphous oxide
EP1810335B1 (en) 2004-11-10 2020-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Light-emitting device
RU2358355C2 (ru) 2004-11-10 2009-06-10 Кэнон Кабусики Кайся Полевой транзистор
US7579224B2 (en) 2005-01-21 2009-08-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a thin film semiconductor device
TWI569441B (zh) 2005-01-28 2017-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
TWI505473B (zh) 2005-01-28 2015-10-21 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7858451B2 (en) 2005-02-03 2010-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof
US7948171B2 (en) 2005-02-18 2011-05-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US20060197092A1 (en) 2005-03-03 2006-09-07 Randy Hoffman System and method for forming conductive material on a substrate
US8681077B2 (en) 2005-03-18 2014-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof
US7544967B2 (en) 2005-03-28 2009-06-09 Massachusetts Institute Of Technology Low voltage flexible organic/transparent transistor for selective gas sensing, photodetecting and CMOS device applications
US7645478B2 (en) 2005-03-31 2010-01-12 3M Innovative Properties Company Methods of making displays
US8300031B2 (en) 2005-04-20 2012-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element
JP2006344849A (ja) 2005-06-10 2006-12-21 Casio Comput Co Ltd 薄膜トランジスタ
US7691666B2 (en) 2005-06-16 2010-04-06 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7402506B2 (en) 2005-06-16 2008-07-22 Eastman Kodak Company Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby
US7507618B2 (en) 2005-06-27 2009-03-24 3M Innovative Properties Company Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles
KR100711890B1 (ko) 2005-07-28 2007-04-25 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법
JP2007059128A (ja) 2005-08-23 2007-03-08 Canon Inc 有機el表示装置およびその製造方法
JP5116225B2 (ja) 2005-09-06 2013-01-09 キヤノン株式会社 酸化物半導体デバイスの製造方法
JP2007073705A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Canon Inc 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP4280736B2 (ja) 2005-09-06 2009-06-17 キヤノン株式会社 半導体素子
JP4850457B2 (ja) 2005-09-06 2012-01-11 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード
EP1998374A3 (en) 2005-09-29 2012-01-18 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof
JP5037808B2 (ja) 2005-10-20 2012-10-03 キヤノン株式会社 アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
KR101117948B1 (ko) 2005-11-15 2012-02-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 액정 디스플레이 장치 제조 방법
TWI292281B (en) 2005-12-29 2008-01-01 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same
US7867636B2 (en) 2006-01-11 2011-01-11 Murata Manufacturing Co., Ltd. Transparent conductive film and method for manufacturing the same
JP4977478B2 (ja) 2006-01-21 2012-07-18 三星電子株式会社 ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法
US7576394B2 (en) 2006-02-02 2009-08-18 Kochi Industrial Promotion Center Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof
US7977169B2 (en) 2006-02-15 2011-07-12 Kochi Industrial Promotion Center Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof
KR20070101595A (ko) 2006-04-11 2007-10-17 삼성전자주식회사 ZnO TFT
US20070252928A1 (en) 2006-04-28 2007-11-01 Toppan Printing Co., Ltd. Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof
JP5028033B2 (ja) 2006-06-13 2012-09-19 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4999400B2 (ja) 2006-08-09 2012-08-15 キヤノン株式会社 酸化物半導体膜のドライエッチング方法
JP4609797B2 (ja) 2006-08-09 2011-01-12 Nec液晶テクノロジー株式会社 薄膜デバイス及びその製造方法
JP4332545B2 (ja) 2006-09-15 2009-09-16 キヤノン株式会社 電界効果型トランジスタ及びその製造方法
JP5164357B2 (ja) 2006-09-27 2013-03-21 キヤノン株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4274219B2 (ja) 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
US7622371B2 (en) 2006-10-10 2009-11-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fused nanocrystal thin film semiconductor and method
US7772021B2 (en) 2006-11-29 2010-08-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays
JP2008140684A (ja) 2006-12-04 2008-06-19 Toppan Printing Co Ltd カラーelディスプレイおよびその製造方法
KR101303578B1 (ko) 2007-01-05 2013-09-09 삼성전자주식회사 박막 식각 방법
US8207063B2 (en) 2007-01-26 2012-06-26 Eastman Kodak Company Process for atomic layer deposition
KR100851215B1 (ko) 2007-03-14 2008-08-07 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치
US7795613B2 (en) 2007-04-17 2010-09-14 Toppan Printing Co., Ltd. Structure with transistor
KR101325053B1 (ko) 2007-04-18 2013-11-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20080094300A (ko) 2007-04-19 2008-10-23 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이
KR101334181B1 (ko) 2007-04-20 2013-11-28 삼성전자주식회사 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법
US8274078B2 (en) 2007-04-25 2012-09-25 Canon Kabushiki Kaisha Metal oxynitride semiconductor containing zinc
KR101345376B1 (ko) 2007-05-29 2013-12-24 삼성전자주식회사 ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5215158B2 (ja) 2007-12-17 2013-06-19 富士フイルム株式会社 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス
JP4623179B2 (ja) 2008-09-18 2011-02-02 ソニー株式会社 薄膜トランジスタおよびその製造方法
JP5451280B2 (ja) 2008-10-09 2014-03-26 キヤノン株式会社 ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
TWI567735B (zh) * 2011-03-31 2017-01-21 半導體能源研究所股份有限公司 記憶體電路,記憶體單元,及訊號處理電路
CN103534950B (zh) 2011-05-16 2017-07-04 株式会社半导体能源研究所 可编程逻辑装置
US9673823B2 (en) * 2011-05-18 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of driving semiconductor device
US8779799B2 (en) 2011-05-19 2014-07-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Logic circuit
JP6125850B2 (ja) 2012-02-09 2017-05-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び半導体装置の作製方法
DE112013002281T5 (de) * 2012-05-02 2015-03-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmierbare Logikvorrichtung
US20130300456A1 (en) 2012-05-10 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor chip and semiconductor device
KR102059218B1 (ko) 2012-05-25 2019-12-24 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 프로그래머블 로직 디바이스 및 반도체 장치
KR102107591B1 (ko) * 2012-07-18 2020-05-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 기억 소자 및 프로그래머블 로직 디바이스
TWI591966B (zh) 2012-10-17 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 可編程邏輯裝置及可編程邏輯裝置的驅動方法
WO2014061567A1 (en) * 2012-10-17 2014-04-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
KR102112364B1 (ko) 2012-12-06 2020-05-18 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US8947121B2 (en) 2013-03-12 2015-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Programmable logic device
JP6333028B2 (ja) 2013-04-19 2018-05-30 株式会社半導体エネルギー研究所 記憶装置及び半導体装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2015188206A5 (ja)
JP2015222807A5 (ja)
JP2016140050A5 (ja) 半導体装置の駆動方法
JP2016219845A5 (ja)
JP2017227854A5 (ja)
JP2017201569A5 (ja) 半導体装置
JP2013009315A5 (ja) プログラマブルロジックデバイス
JP2015018594A5 (ja) 記憶装置
JP2014209714A5 (ja) 半導体装置
JP2016006862A5 (ja)
JP2018124977A5 (ja) 半導体装置
JP2016212944A5 (ja) 半導体装置、及び電子部品
JP2016054282A5 (ja)
JP2013235564A5 (ja)
JP2015188070A5 (ja)
JP2015129903A5 (ja) 半導体装置
JP2016076285A5 (ja) 半導体装置
JP2013009300A5 (ja) 記憶装置
JP2015195365A5 (ja)
JP2016115386A5 (ja) 半導体装置
JP2013085238A5 (ja) 半導体装置
JP2016072982A5 (ja) ロジック回路
JP2016146227A5 (ja) 半導体装置
JP2014038603A5 (ja)
JP2014241407A5 (ja)