JP6486174B2 - 半導体装置の駆動方法 - Google Patents
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Description
本実施の形態では、本発明の一態様の撮像装置について、図面を参照して説明する。
図1(A)は、本発明の一態様の撮像装置100の構成例を示す平面図である。撮像装置100は、画素部110と、画素部110を駆動するための第1の周辺回路260、第2の周辺回路270、第3の周辺回路280、及び第4の周辺回路290を有する。画素部110は、p行q列(p及びqは2以上の自然数)のマトリクス状に配置された複数の画素111を有する。第1の周辺回路260乃至第4の周辺回路290は、複数の画素111に接続し、複数の画素111を駆動するための信号を供給する機能を有する。なお、本明細書等において、第1の周辺回路260乃至第4の周辺回路290などを「周辺回路」もしくは「駆動回路」と呼ぶ場合がある。例えば、第1の周辺回路260は周辺回路の一部と言える。
撮像装置100が有する1つの画素111を複数の副画素112で構成し、それぞれの副画素112に特定の波長帯域の光を透過するフィルタ(カラーフィルタ)を組み合わせることで、カラー画像表示を実現するための情報を取得することができる。
次に、図5の回路図を用いて、副画素112の具体的な回路構成例について説明する。図5に、n行目の画素111が有する副画素112[n]と、n+1行目の画素111が有する副画素112[n+1]が、トランジスタ129を介して電気的に接続する回路構成例を示す。トランジスタ129は、スイッチ201、スイッチ202、またはスイッチ203として機能できる。
次に、図6乃至図9を用いて、撮像装置100をグローバルシャッタ方式で行う撮像動作の一例を説明する。全ての副画素112において、リセット動作及び蓄積動作を一括で行い、読み出し動作を順次行うことで、グローバルシャッタ方式による撮像を行うことができる。ここでは、副画素112の動作例を、副画素112[n]及び副画素112[n+1]を用いて説明する。
まず、時刻T1において、電位PR、および電位TXの電位をH電位とする。すると、トランジスタ121、トランジスタ122がオン状態となり、ノードND[n]、およびノードFD[n]がH電位となる。また、トランジスタ125、トランジスタ126がオン状態となり、ノードND[n+1]、およびノードFD[n+1]がH電位となる。この動作により、ノードFD[n]およびノードFD[n+1]に保持されている電荷量がリセットされる(図7(A)参照。)。時刻T1乃至時刻T2までの期間を「リセット期間」ともいう。また、リセット期間中の動作を「リセット動作」ともいう。
次いで、時刻T2において、電位PRをL電位とする。電位TXはH電位のままとする。また、時刻T2において、フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]には、逆方向バイアスが印加されている。フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]に逆方向バイアスが印加されている状態で、フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]に光が入射すると、フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]が有する電極の他方から一方に向かって電流が流れる(図7(B)参照。)。この時の電流量は光の強度に従って変化する。すなわち、フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]に入射する光の強度が高いほど上記電流量は多くなり、ノードFD[n]およびノードFD[n+1]からの電荷の流出も多くなる。逆に、フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]に入射する光の強度が低いほど上記電流量は少なくなり、ノードFD[n]およびノードFD[n+1]からの電荷の流出も少なくなる。よって、ノードFD[n]およびノードFD[n+1]の電位は、光の強度が高いほど変化が大きく、光の強度が低いほど変化が小さい。
次いで、時刻T4において、配線146[n]に供給する電位SELをH電位とする。ここでは、nが1の場合(1行目の場合)について説明する。なお、配線146[n]にH電位を供給する直前に、配線137[m]の電位がH電位になるようにプリチャージしておく。配線146[n]に供給する電位SELをH電位とすると、トランジスタ124がオン状態となり、ノードFD[n]の電位に応じた速度で配線137[m]の電位が低下する(図8(B)参照。)。時刻T5において配線146[n]に供給する電位SELをL電位とすると、トランジスタ124がオフ状態となり、配線137[m]の電位が決定される。この時の配線137[m]の電位を測定することで、副画素112[n]の受光量を算出することができる。
次に、図10乃至図12を用いて、高速撮像を実現する撮像装置100の動作例について説明する。図10は副画素112の動作を説明するタイミングチャートであり、図11及び図12は、副画素112の動作状態を示す回路図である。
まず、時刻T1において、電位PR、および電位TXの電位をH電位とする。すると、トランジスタ121、トランジスタ122がオン状態となり、ノードND[n]、およびノードFD[n]がH電位となる。また、トランジスタ125、トランジスタ126がオン状態となり、ノードND[n+1]、およびノードFD[n+1]がH電位となる。この動作により、ノードFD[n]およびノードFD[n+1]に保持されている電荷量がリセットされる(図11(A)参照。)。
次いで、時刻T2において、電位PRをL電位とする。また、配線144[n+1]に供給される電位TXをL電位とする。配線144[n]に供給される電位TXはH電位のままとする。また、時刻T2において、フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]には、逆方向バイアスが印加されている。フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]に逆方向バイアスが印加されている状態で、フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]に光が入射すると、フォトダイオードPD[n]およびフォトダイオードPD[n+1]が有する電極の他方から一方に向かって電流が流れる(図11(B)参照。)。前述したように、この時の電流量は光の強度に従って変化する。よって、ノードFD[n]の電位は、光の強度が高いほど変化が大きく、光の強度が低いほど変化が小さい。
読み出し動作は、動作例1と同様に行うことができる。
本実施の形態では、副画素112の他の回路構成例について、図面を参照して説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の撮像装置1100について、図面を参照して説明する。本実施の形態に示す撮像装置1100は、上記実施の形態に示した撮像装置100と比べてさらにダイナミックレンジを向上させることができる構成を有する。図15は、本発明の一態様の撮像装置1100の構成例を示す平面図である。撮像装置1100は上記実施の形態に示した撮像装置100と同様の構成を有することができるが、画素111が有する副画素の構成が異なる。本実施の形態では、撮像装置1100の撮像装置100と異なる点(副画素の構成)について説明する。なお、本実施の形態において、特に説明のない撮像装置1100の構成については、上記実施の形態に示した撮像装置100に係る説明を援用する。
撮像装置1100が有する副画素1112の具体的な回路構成例について説明する。撮像装置1100は、奇数行目または偶数行目のどちらか一方の画素111に副画素1112を用い、他方の画素111に副画素112を用いる。本実施の形態では、奇数行目の画素111に副画素1112を用い、偶数行目の画素111に副画素112を用いる例を説明する。よって、本実施の形態においてnは1以上p以下の奇数である。
次に、図17乃至図21を用いて、大光量下においても出力飽和が生じにくい高速撮像を実現することができる撮像装置1100の動作例について説明する。図17は副画素1112の動作を説明するタイミングチャートであり、図18乃至図21は、副画素1112の動作状態を示す回路図である。
まず、時刻T1において、電位PBをL電位とする。また、電位PR、および電位TXの電位をH電位とする。すると、トランジスタ152がオフ状態となり、トランジスタ121、トランジスタ122がオン状態となり、ノードND[n]、およびノードFD[n]がH電位となる。また、トランジスタ125、トランジスタ126がオン状態となり、ノードND[n+1]、およびノードFD[n+1]がH電位となる。この動作により、ノードFD[n]およびノードFD[n+1]に保持されている電荷量がリセットされる(図18参照。)。
次いで、時刻T2において、電位PRをL電位とする。また、配線144[n+1]に供給される電位TXをL電位とする。配線144[n]に供給される電位TXはH電位のままとする。また、時刻T2において、フォトダイオードPD[n+1]には、逆方向バイアスが印加されている。フォトダイオードPD[n+1]に逆方向バイアスが印加されている状態で、フォトダイオードPD[n+1]に光が入射すると、フォトダイオードPD[n+1]が有する電極の他方から一方に向かって電流が流れる(図19参照。)。前述したように、この時の電流量は光の強度に従って変化する。よって、ノードFD[n]の電位は、光の強度が高いほど変化が大きく、光の強度が低いほど変化が小さい。
読み出し動作は、上記実施の形態に示した動作例1と同様に行うことができる。
本実施の形態では、撮像装置100を、固体撮像素子の一種であるCMOSイメージセンサで構成する場合の一例について、図23乃至図26を用いて説明する。図23に示す画素領域251は、撮像装置100が有する画素111の一部の断面図である。図23に示す周辺回路領域252は、撮像装置100が有する周辺回路の一部の断面図である。また、図23に示すトランジスタ241の拡大図を図24に示す。また、図23に示すトランジスタ281の拡大図を図26(A)に示す。また、図23に示すトランジスタ282の拡大図を図26(B)に示す。
ここで、半導体層242a、半導体層242b、および半導体層242cの積層により構成される半導体層242の機能およびその効果について、図25に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図25は、図24にC1−C2の一点鎖線で示す部位のエネルギーバンド構造図である。図25は、トランジスタ241のチャネル形成領域のエネルギーバンド構造を示している。
ここで、半導体層242に適用可能な酸化物半導体について詳細に説明しておく。
周辺回路及び画素回路に、OR回路、AND回路、NAND回路、及びNOR回路などの論理回路や、インバータ回路、バッファ回路、シフトレジスタ回路、フリップフロップ回路、エンコーダ回路、デコーダ回路、増幅回路、アナログスイッチ回路、積分回路、微分回路、及びメモリ素子などを適宜設けることができる。
本実施の形態では、上記実施の形態に示したトランジスタに用いることができるトランジスタの構成例について、図30乃至図33を用いて説明する。
図30(A1)に例示するトランジスタ410は、ボトムゲート型のトランジスタの1つであるチャネル保護型のトランジスタである。トランジスタ410は、半導体層242のチャネル形成領域上に、チャネル保護層として機能できる絶縁層209を有する。絶縁層209は、絶縁層117と同様の材料および方法により形成することができる。電極244の一部、および電極245の一部は、絶縁層209上に形成される。
図31(A1)に例示するトランジスタ430は、トップゲート型のトランジスタの1つである。トランジスタ430は、絶縁層109の上に半導体層242を有し、半導体層242および絶縁層109上に、半導体層242の一部に接する電極244および半導体層242の一部に接する電極245を有し、半導体層242、電極244、および電極249上に絶縁層117を有し、絶縁層117上に電極243を有する。
図32に例示するトランジスタ450は、半導体層242bの上面及び側面が半導体層242aに覆われた構造を有する。図32(A)はトランジスタ450の上面図である。図32(B)は、図32(A)中のX1−X2の一点鎖線で示した部位の断面図(チャネル長方向の断面図)である。図32(C)は、図32(A)中のY1−Y2の一点鎖線で示した部位の断面図(チャネル幅方向の断面図)である。
本実施の形態では、本発明の一態様に係る撮像装置を用いた電子機器の一例について説明する。
以下、各々の撮像方式について説明する。
最初に、連続撮像sharing方式について説明する。本方式では、共有化トランジスタであるトランジスタ829をオン状態として、各サブ画素が結合した1つの画素として扱う。各サブ画素のフォトダイオードPDを結合することで、高感度の画素とすることができる。画素の駆動方法は、全画素のTX1、TX2、…、TXnにそれぞれ対応するサブ画素を順次リセットおよび露光する。そして各行の画素のサブ画素から順次読み出しを行い、A/Dコンバータにおいてデジタルデータに変換する。すなわち、高速なA/D変換を行うことなく連続撮像が可能になる。
次に、連続撮像non−sharing方式について説明する。本方式では、共有化トランジスタをオフ状態として、各サブ画素を独立した画素として扱う。画素の駆動方法は、全画素のTX1乃至TXnに各々対応するサブ画素を順次リセットおよび露光する。そして各行の画素のサブ画素から順次読み出しを行い、A/Dコンバータにおいてデジタルデータに変換する。すなわち、連続撮像方式が可能になる。なお、本方式は、連続撮像sharing方式に対して、各サブ画素のフォトダイオードを共有化しないため、感度は低くなるが、ノイズ源になりうるsharing pathの寄与が無いのでノイズに対して有利である。
最後に、通常撮像方式について説明する。本方式では、トランジスタ829をオフ状態として、各サブ画素を独立した画素として扱う。画素の駆動方法は、全画素のTX1乃至TXnに各々対応するサブ画素を同時にリセットおよび露光する。そして各行の画素のサブ画素から順次読み出しを行い、A/Dコンバータにおいてデジタルデータに変換する。すなわち、通常のイメージセンサと同様の撮像が可能になる。
連続撮像sharing方式、連続撮像non−sharing方式、通常撮像方式における撮像が可能であることを確認するために、固体撮像装置810に定常光源からの均一光を照射して、上記撮像方式による撮像を行った。
まず、連続撮像sharing方式について確認した。具体的には、TX1、TX2に対応するサブ画素での撮像を短期間に連続して行うことによる撮像画像への影響を確認するため、A方式のTX1画像とTX2画像、A方式のTX1画像とB方式のTX1画像、A方式のTX2画像とC方式のTX2画像、を比較した。なお、これらの撮像画像は、本来一致すべき撮像画像である。
次に、連続撮像non−sharing方式について確認した。具体的には、TX1、TX2に対応するサブ画素での撮像を短期間に連続して行うことによる撮像画像への影響を確認するため、D方式のTX1画像とTX2画像、D方式のTX1画像とE方式のTX1画像、D方式のTX2画像とF方式のTX2画像、を比較した。なお、これらの撮像画像は、TX1、TX2に対応したサブ画素の位置が異なることによる照射光強度のずれの範囲内で一致すべき撮像画像である。
次に、通常撮像方式について確認した。具体的には、TX1、TX2に対応するサブ画素での撮像を一括もしくは独立して行うことによる撮像画像への影響を確認するため、G方式のTX1画像とTX2画像、E方式のTX1画像とG方式のTX1画像、F方式のTX2画像とG方式のTX2画像、を比較する。なお、これらの撮像画像は、TX1、TX2に対応したサブ画素の位置が異なることによる照射光強度のずれの範囲内で一致すべき撮像画像である。
次に、連続撮像sharing方式と連続撮像non−sharing方式の感度を比較することで、sharingトランジスタをonにすることによる感度向上効果の確認を行う。両撮像方式において、林時計工業株式会社製のメタルハライドランプLA−180Me−R4から光強度を変えて一様な光を照射した際の撮像画像を取得した。なお、リセット時間は90μs、露光時間は180μsとした。取得した撮像画像について、各撮像方式におけるリセット画像を用いてソフトウェア上のCDS処理を行った後、各撮像方式に関して光量(照射光強度×照射時間)とA/D変換後の出力デジタル値(階調値)の関係を求めた。
次に、撮像間隔が300μsの時の、固体撮像装置810の消費電力を測定した。消費電力の測定結果を図54(A)に示す。図54(A)では、固体撮像装置810の各部における消費電力の内訳も示している。なお、固体撮像装置810全体の消費電力は809μWであった。
104 絶縁層
105 絶縁層
106 コンタクトプラグ
107 絶縁層
108 絶縁層
109 絶縁層
110 画素部
111 画素
112 副画素
113 絶縁層
114 コンタクトプラグ
115 絶縁層
116 絶縁層
117 絶縁層
118 絶縁層
121 トランジスタ
122 トランジスタ
123 トランジスタ
124 トランジスタ
125 トランジスタ
126 トランジスタ
127 トランジスタ
128 トランジスタ
129 トランジスタ
131 配線
132 配線
133 配線
134 配線
135 配線
136 配線
137 配線
141 配線
142 配線
143 配線
144 配線
146 配線
151 容量素子
152 トランジスタ
153 トランジスタ
154 トランジスタ
155 トランジスタ
161 配線
201 スイッチ
202 スイッチ
203 スイッチ
205 絶縁層
209 絶縁層
213 電極
217 絶縁層
220 光電変換素子
221 p型半導体層
222 i型半導体層
223 n型半導体層
224 開口
225 開口
226 電極
227 電極
230 画素回路
241 トランジスタ
242 半導体層
243 電極
244 電極
245 電極
246 トランジスタ
249 電極
251 画素領域
252 周辺回路領域
254 ノード
255 不純物元素
256 ノード
257 容量素子
260 周辺回路
261 配線
263 配線
265 配線
266 配線
267 配線
270 周辺回路
280 周辺回路
281 トランジスタ
282 トランジスタ
283 i型半導体層
284 低濃度p型不純物領域
285 p型半導体層
286 絶縁層
287 電極
288 側壁
289 トランジスタ
290 周辺回路
291 フォトダイオード
292 トランジスタ
293 トランジスタ
294 低濃度n型不純物領域
295 n型半導体層
301 期間
302 期間
303 期間
311 期間
312 期間
313 期間
382 Ec
386 Ec
390 トラップ準位
410 トランジスタ
411 トランジスタ
420 トランジスタ
421 トランジスタ
430 トランジスタ
431 トランジスタ
440 トランジスタ
441 トランジスタ
450 トランジスタ
451 トランジスタ
600 レンズ
602 フィルタ
604 配線層
660 光
800 固体撮像装置
810 固体撮像装置
820 固体撮像装置
821 トランジスタ
825 画素
829 トランジスタ
830 固体撮像装置
835 DSPブロック
880 オプティカルフローシステム
901 筐体
902 筐体
903 表示部
904 表示部
905 マイク
906 スピーカー
907 操作キー
908 スタイラス
909 カメラ
911 筐体
912 表示部
919 カメラ
921 筐体
922 シャッターボタン
923 マイク
925 レンズ
927 発光部
931 筐体
932 表示部
933 リストバンド
939 カメラ
941 筐体
942 筐体
943 表示部
944 操作キー
945 レンズ
946 接続部
951 筐体
952 表示部
954 スピーカー
955 ボタン
956 入出力端子
957 マイク
959 カメラ
1100 撮像装置
1112 副画素
1800 シフトレジスタ回路
1810 シフトレジスタ回路
1900 バッファ回路
1910 バッファ回路
2100 アナログスイッチ回路
2110 垂直出力線
2200 出力線
112B 副画素
112G 副画素
112R 副画素
242a 半導体層
242b 半導体層
242c 半導体層
243a 電極
243b 電極
383a Ec
383b Ec
383c Ec
602B フィルタ
602G フィルタ
602R フィルタ
Claims (4)
- 第1の回路と、第2の回路と、第1のトランジスタと、を有し、
前記第1の回路は、第1の光電変換素子と、第2のトランジスタ乃至第4のトランジスタと、を有し、
前記第2の回路は、第2の光電変換素子と、第5のトランジスタと、第6のトランジスタと、を有し、
前記第1の光電変換素子は、前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第1のノードと電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは、前記第1のノードと電気的に接続され、
前記第2の光電変換素子は、前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、第2のノードと電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第2のノードと電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第3のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第5のトランジスタのソースまたはドレインの一方と電気的に接続される半導体装置の駆動方法であって、
第1のステップと、第2のステップと、第3のステップと、第4のステップと、を有し、
前記第1のステップにおいて、前記第2のトランジスタ及び前記第5のトランジスタは、オフ状態であり、
前記第1のステップにおいて、前記第3のトランジスタ及び前記第1のトランジスタは、オン状態であり、
前記第1のステップにおいて、前記第2の光電変換素子の受光量に応じた第1の電位を前記第1のノードに書き込み、
前記第2のステップにおいて、前記第2のトランジスタ及び第3のトランジスタは、オフ状態であり、
前記第2のステップにおいて、前記第1のトランジスタ及び前記第5のトランジスタは、オン状態であり、
前記第2のステップにおいて、前記第2の光電変換素子の受光量に応じた第2の電位を前記第2のノードに書き込み、
前記第3のステップにおいて、前記第1の電位に応じた情報を、前記第4のトランジスタを介して読み出し、
前記第4のステップにおいて、前記第2の電位に応じた情報を、前記第6のトランジスタを介して読み出すことを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 請求項1において、
前記第2のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記第3のトランジスタ、及び前記第5のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
前記第1のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置の駆動方法。
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