JP6728268B2 - 撮像装置、撮像システム、および、移動体 - Google Patents

撮像装置、撮像システム、および、移動体 Download PDF

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Description

本発明は、撮像装置、撮像システム、および、移動体に関する。
近年、CMOSイメージセンサにおいて、グローバル電子シャッタを行うことが提案されている。グローバル電子シャッタを行う撮像装置では、1フレームを得るための光電変換による電荷の蓄積動作の開始時刻および終了時刻(露光開始時刻と露光終了時刻)を各画素で揃える。これにより、動きの速い被写体を撮影する場合でも被写体像が歪まないという利点がある。
特許文献1には、グローバル電子シャッタ機能を備えた撮像装置が記載されている。特許文献1に記載の撮像装置では、1フレームを得るための露光期間のうち、露光開始時刻から始まる第1の期間では第1の期間における光電変換によって生じた電荷を光電変換部に蓄積する。当該露光開始時刻において、保持部は前のフレームを得るための露光期間に蓄積された電荷を保持しており、第1の期間ではその読み出し動作が各画素で順次行われる。第1の期間の終了時には、各画素において光電変換部から保持部への電荷の転送が行われる。そして、第1の期間より後の第2の期間では、第2の期間における光電変換によって生じた電荷を光電変換部、または、光電変換部および保持部によって蓄積する。
特許文献1に記載の撮像装置では、このように、1フレームを得るための露光期間の途中に光電変換部から保持部への電荷の転送を行う。これにより、画質の低下を抑制しつつ、画素の飽和電荷量を向上させることのできるグローバル電子シャッタ動作を実現している。
特開2015−177349号公報
特許文献1に記載の撮像装置では、例えば動きの速い被写体を撮影した場合など、1フレームを得るための露光期間中に光量が大きく変化する場合に、各画素から出力される信号の出力比が、本来の出力比からずれる場合がある。そのため、画質が低下するという課題があった。
そこで本発明では、上述の課題に鑑み、画質を向上させることを目的とする。
本発明の一側面としての撮像装置は、入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、前記第2の時刻に、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、前記複数の画素は、それぞれの有する前記光電変換部の飽和電荷量が互いに異なる第1の画素と第2の画素とを含むことを特徴とする。
本発明の別の側面に係る実施例の光電変換装置は、入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、前記複数の画素に含まれる第1の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧は、前記複数の画素に含まれる第2の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧と異なることを特徴とする。
本発明の別の側面に係る実施例の光電変換装置は、入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、前記複数の画素に含まれる第1の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度は、前記複数の画素に含まれる第2の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度と異なることを特徴とする。
本発明の別の側面に係る実施例の光電変換装置は、入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、第1の駆動モードと、第2の駆動モードと、を切替可能に備え、前記第1の駆動モードにおいて、第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、前記第2の時刻に、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、前記第2の駆動モードにおいて、1フレームを得るための露光期間の開始時において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、前記露光期間の開始時から終了時まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、前記露光期間の終了時に、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、前記第1の駆動モードと前記第2の駆動モードとの切替えに応じて、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の有する前記光電変換部の飽和電荷量を変更することを特徴とする。
本発明によれば、画質を向上させることができる。
撮像装置の構成を示すブロック図である。 撮像装置の等価回路を表す図である。 撮像装置の断面構造を模式的に示す図である。 第1の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスを示す図である。 第1の駆動モードにおける撮像装置の画素の各部のポテンシャル状態を模式的に示す図である。 第1の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスを示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスを示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスと画素部の電荷量の一例を模式的に示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスと画素部の電荷量の一例を模式的に示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスと画素部の電荷量の一例を模式的に示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスと画素部の電荷量の一例を模式的に示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスと画素部の電荷量の一例を模式的に示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスと画素部の電荷量の一例を模式的に示す図である。 撮像装置の等価回路を表す図である。 撮像装置の等価回路を表す図である。 撮像装置の断面構造を模式的に示す図である。 撮像装置の等価回路を表す図である。 撮像装置の断面構造を模式的に示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスと画素部の電荷量の一例を模式的に示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスと画素部の電荷量の一例を模式的に示す図である。 第2の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスと画素部の電荷量の一例を模式的に示す図である。 撮像システムの構成を示すブロック図である。 移動体の構成を示すブロック図である。
本発明に係る1つの実施形態は、複数の画素と、複数の画素に接続され、複数の画素からの信号が出力される出力線とを備える撮像装置である。複数の画素のそれぞれが、光電変換部と、電荷を保持する保持部と、電荷に基づく信号を出力する増幅部とを有する。さらに、光電変換部から保持部へ電荷を転送する第1の転送スイッチと、保持部から増幅部へ電荷を転送する第2の転送スイッチとが配される。このような構成により、複数の画素の間で光電変換の期間が一致するような撮像動作、いわゆる、グローバル電子シャッタを行うことができる。電子シャッタとは、入射光によって生じた電荷の蓄積を電気的に制御することである。
本発明に係るいくつかの実施形態では、第1の時刻において、複数の画素の光電変換部が同時に電荷の蓄積を開始する(kフレーム目の露光期間の開始。ただし、ここではkは2以上の正の整数)。第1の時刻から第2の時刻まで、少なくとも1つの画素において、第1の転送スイッチがオフに維持される。当該少なくとも1つの画素については、この期間に生じた電荷が光電変換部に蓄積される。第1の時刻から第2の時刻までの期間が第1の期間である。
第1の期間に、複数の画素の保持部に保持された電荷に基づく信号を、増幅部が、順次、出力線へ出力する。言い換えると、当該第1の期間に、各画素が少なくとも1回ずつ信号を出力する。具体的な動作としては、当該第1の期間に、複数の画素の第2の転送スイッチが、順次、オンする。第1の期間に生じた電荷は光電変換部に蓄積されるので、保持部は第1の時刻より前に生じた電荷を、この第1の期間の間、保持することができる。なお、第1の時刻において保持部が保持している電荷は、具体的には、前のフレーム((k−1)フレーム)の露光期間に光電変換部で生成された電荷である。
第1の期間に出力する信号の数は、出力する画像のフォーマットによって変更されうる。例えば動画の撮影であれば、1フレームに用いられる水平ラインの数だけ信号が出力されればよい。このような実施形態では、撮像装置が備える画素の全部から信号が出力されなくてもよい。
複数の画素からの信号の出力が終わった後、少なくとも第2の時刻から第3の時刻までの第2の期間、複数の画素の保持部が電荷を保持する。このとき、保持部は、第1の期間で生じた電荷と第2の期間で生じた電荷とを保持する。第3の時刻に、複数の画素の第1の転送スイッチが同時にオンからオフに制御される。
光電変換部は、少なくとも第1の期間に生じる電荷を蓄積できればよいため、光電変換部の飽和電荷量が小さくても、画素の飽和電荷量を維持することができる。したがって、このような構成により、飽和電荷量を維持しつつ、グローバル電子シャッタを行うことができる。なお、いくつかの実施形態では、複数の画素の保持部が電荷を保持している第2の期間は、第1の期間よりも長い。第2の期間が第1の期間より長いことにより、光電変換部の飽和電荷量をより小さくできるためである。
いくつかの実施形態では、1フレームを得るための露光期間の途中に光電変換部から保持部へ電荷を転送するグローバル電子シャッタを行う撮像装置において、画素間出力比のずれを抑制することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。もちろん、本発明に係る実施形態は、以下に説明される実施形態のみに限定されない。例えば、以下のいずれかの実施形態の一部の構成を、他の実施形態に追加した例、あるいは他の実施形態の一部の構成と置換した例も本発明の実施形態である。また、以下の実施形態では、第1導電型がN型であり、第2導電型がP型である。しかし、第1導電型がP型であり、第2導電型がN型であってもよい。
[第1の実施形態]
本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、撮像装置の構成を示すブロック図である。撮像装置1は半導体基板を用いて1つのチップで構成することができる。撮像装置1は、複数の画素が配された撮像領域2を有している。更に、撮像装置1は制御部3を有している。制御部3は、垂直走査部4、信号処理部5、および出力部6に制御信号、電源電圧等を供給する。
垂直走査部4は撮像領域2に配された複数の画素に駆動パルスを供給する。通常、画素行ごともしくは複数の画素行ごとに駆動パルスを供給する。垂直走査部4はシフトレジスタもしくはアドレスデコーダを用いて構成することができる。
信号処理部5は、不図示の列回路、水平走査回路、水平出力線を含んで構成される。列回路は、各々が、垂直走査部4により選択された画素行に含まれる複数の画素の信号を受ける複数の回路ブロックにより構成されている。各回路ブロックは、信号保持部、増幅回路、ノイズ除去回路、アナログデジタル変換回路のいずれか、もしくはそれらの組み合わせにより構成することができる。水平走査回路はシフトレジスタもしくはアドレスデコーダを用いて構成することができる。
出力部6は水平出力線を介して伝達された信号を撮像装置1の外に出力する。出力部6は、バッファもしくは増幅回路を含んで構成されている。出力部6は、各画素からの信号
を信号処理部7に出力する。信号処理部7は、各画素からの信号を信号処理する。典型的には、各画素からのそれぞれからの信号に、ホワイトバランスに応じたゲインをかけて、現像画像を生成する処理を行う。なお、信号処理部7は撮像装置1の内部に設けられていてもよい。
(画素構造)
図2は、撮像装置1のうち、撮像領域2に含まれる画素の等価回路を表す図である。撮像領域2には、画素が行列状に配されているとして、説明の簡略化のために、n行目からn+2行目までのうち、m列目からm+2列目までの、3行×3列の画素を例に取っている。1個の画素を破線で囲い、これをPIXとして示した。すなわち、図2には9個の画素PIXが示されているが、撮像装置1はさらに多くの画素を有している。
各画素PIXは、光電変換部PD、保持部MEM、増幅部SF、第1の転送スイッチTX1、および、第2の転送スイッチTX2を含む。さらに、各画素PIXは、リセットトランジスタRES、選択トランジスタSELを含む。
光電変換部PDは、入射光によって生じた電荷を蓄積する。光電変換部PDのアノードは固定電位に接地され、カソードは第1の転送部である第1の転送スイッチTX1を介して保持部MEMの一方の端子に接続される。第1の転送スイッチTX1は、光電変換部PDの電荷を保持部MEMに転送する。光電変換部PDのカソードは、さらに、第3の転送部である第3の転送スイッチTX3を介してオーバーフロードレイン(以下、OFD)として機能する第2の電源である電源線と接続される。第3の転送スイッチTX3は、光電変換部PDの電荷を排出する排出スイッチである。
保持部MEMの他方の端子は固定電位に接地されている。保持部MEMの一方の端子は、さらに、第2の転送部である第2の転送スイッチTX2を介して増幅部SFである増幅トランジスタのゲート端子に接続される。第2の転送スイッチTX2は、保持部MEMの電荷を増幅部SFの入力ノードである浮遊拡散部(Floating Diffusion Portion)FDに転送する。増幅部SFのゲート端子は、リセット部であるリセットトランジスタRESを介して第1の電源である画素電源線に接続される。リセットトランジスタRESは、増幅部SFの入力ノードである浮遊拡散部FDの電圧をリセットする。選択トランジスタSELは、出力線である垂直信号線OUTに信号を出力する画素PIXを選択する。増幅部SFは、入射光によって生じた電荷に基づく信号を垂直信号線OUTに出力する。増幅部SFは、例えばソースフォロアである。ここでは、第1の転送スイッチTX1、第2の転送スイッチTX2、排出スイッチTX3は、それぞれ、MOSトランジスタである。各トランジスタの制御電極に与えられる信号は、図2では、OFDとして機能する電源線と画素電源線とを分けているが、これらは共通の電源に接続されてもよい。
選択トランジスタSELは、一方の主電極が垂直信号線に、他方の主電極が増幅トランジスタSFの一方の主電極と接続されている。アクティブな信号PSELが選択トランジスタSELの制御電極に入力されると、選択トランジスタSELの両主電極は導通状態となる。これにより増幅部SFは、垂直信号線OUTに設けられた不図示の定電流源とでソースフォロワ回路を形成し、増幅部SFの制御電極であるゲート端子の電位に応じた信号が垂直信号線OUTに現れる。垂直信号線OUTに現れた信号、すなわち画素PIXから出力された信号に基づいて撮像装置1から信号が出力される。また、増幅部SFのゲート端子と、リセットトランジスタRESおよび第2転送スイッチTX2の主電極とが共通に接続される入力ノードである浮遊拡散部FDは、容量値を有しており、電荷を保持することができる。
本実施形態の撮像装置1はカラーセンサであり、各画素PIXのそれぞれにカラーフィルタが配置されている。図2中の各画素PIXの左上にそれぞれ示すように、赤(R)、緑(Gr、Gb)、青(B)のカラーフィルタがそれぞれ配置された画素PIXがベイヤー配列で並んでいる。本実施形態の撮像装置1では、排出スイッチTX3のゲート駆動配線が、各行にPTX3−1とPTX3−2の2本ずつあり、赤(R)、緑(Gr、Gb)、青(B)の各画素PIXが、カラーフィルタの色ごとに別の駆動配線に接続されている。
本実施形態では、n行の画素行においては、赤(R)の画素PIXにはゲート駆動配線PTX3−1(n)が、緑(Gr)の画素PIXにはゲート駆動配線PTX3−2(n)が、それぞれ接続されている。(n+1)行の画素行においては、緑(Gb)の画素PIXにはゲート駆動配線PTX3−1(n+1)が、青(B)の画素PIXにはゲート駆動配線PTX3−2(n+1)が、それぞれ接続されている。緑(Gr)の画素PIXを駆動するゲート駆動配線PTX3−2(n)と緑(Gb)の画素を駆動するゲート駆動配線PTX3−1(n+1)は、不図示の領域で同一となっている。
図3は、撮像装置の断面構造を模式的に示している。図3には1つの画素の断面が示されている。なお、図3において、図2に示した各部と同じ機能を有する部分には同じ符号を付している。図3では、表面照射型の撮像装置を示しているが、これに限定はされず、裏面照射型の撮像装置であってもよい。また、ここでは、信号電荷として電子を用いる場合を例にとって、半導体領域の導電型は説明する。信号電荷としてホールを用いる場合には各半導体領域の導電型を逆導電型とすればよい。
光電変換部PDは埋め込み型のフォトダイオード構造を有する。光電変換部PDは、N型の半導体領域202と、P型の半導体領域203と、を有する。N型の半導体領域202、および、P型の半導体領域203がPN接合を形成する。P型の半導体領域203により界面のノイズを抑制することが可能となる。
N型の半導体領域202の周囲には、P型の半導体領域201が配置されている。P型の半導体領域201は、N型の半導体基板にP型の不純物イオンを注入して形成してもよいし、P型の半導体基板を用いて形成してもよい。
保持部MEMは、N型の半導体領域205を含む。N型の半導体領域205に、信号となる電荷が保持される。また、N型の半導体領域205と半導体基板の表面との間にP型の半導体領域を配置してもよい。これにより、保持部MEMが埋め込み型の構造を有することができる。
ゲート電極207は、第1の転送スイッチTX1のゲートを構成する。また、ゲート電極207の下には、ゲート絶縁膜を介して、N型の半導体領域213が配置されている。N型の半導体領域213の不純物濃度は、N型の半導体領域202の不純物濃度よりも低い。ゲート電極207に供給する電圧によって、光電変換部PDと保持部MEMとの間のポテンシャル状態を制御可能である。
N型の半導体領域208は、浮遊拡散部FDを構成する。N型の半導体領域208は、増幅部SFのゲートと、プラグ209を介して電気的に接続されている。
ゲート電極204は、第2の転送スイッチTX2のゲートを構成する。ゲート電極204に供給する電圧によって、保持部MEMと浮遊拡散部FDの間のポテンシャル状態を制御可能である。
保持部MEMは、遮光部210によって遮光される。遮光部210は、可視光域の光の透過率の低い材料、例えば、タングステンやアルミニウム等の金属で形成される。遮光部210は、少なくとも保持部MEMを覆っているが、図示するように、第1の転送スイッチのゲート電極207の全体、および、第2の転送スイッチのゲート電極204の一部の上部まで延在して配置されていてもよい。この構成によれば、遮光部210による遮光機能をさらに高めることができるので好ましい。遮光部210の開口の上には、カラーフィルタCF、マイクロレンズMLが配置されている。すなわち、各画素PIXには、光電変換部PDの入射光の入射方向の上流側に、カラーフィルタCFとマイクロレンズMLが配置されている。
N型の半導体領域212は、OFD領域の一部を構成する。プラグ215は、N型の半導体領域212へ電源電圧を供給するためのプラグであり、OFDとして機能する第2の電源と接続されている。
ゲート電極211は、排出スイッチTX3のゲートを構成する。ゲート電極211に供給する電圧によって、光電変換部PDとOFD領域との間のポテンシャル状態を制御可能である。
(駆動方法)
次に、撮像装置の駆動方法について説明する。以下の説明では、撮像装置の駆動方法について、第1の駆動モードと第2の駆動モードについて説明する。第1の駆動モードおよび第2の駆動モードはいずれもグローバル電子シャッタを行う駆動モードであり、光電変換部PDでの電荷の蓄積と光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を含むが、電荷の転送のタイミングが異なる。具体的には、第1の駆動モードでは露光期間の終了時に光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を行うのに対して、第2の駆動モードでは露光期間の途中に光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を行う。本実施形態の撮像装置は、少なくとも、第2の駆動モードで動作を行う。
なお、本実施形態の撮像装置は、ローリングシャッタを行う駆動モードを有していてもよい。ローリングシャッタの駆動モードでは、複数の画素の光電変換部PDによる電荷の蓄積を、順次、開始する。その後、複数の画素の第1の転送スイッチTX1を、順次、オンに制御する。
(第1の駆動モード)
図4〜6を用いて、グローバル電子シャッタを行う第1の駆動モードについて説明する。第1の駆動モードでは、露光期間中に生じた電荷を光電変換部PDで蓄積し、露光期間の終了時に、光電変換部PDで蓄積していた電荷を保持部MEMに転送する動作を行う。
図4は、第1の駆動モードにおける駆動パルスを模式的に示している。図4では、n〜(n+2)行目の画素の、選択トランジスタSEL、リセットトランジスタRES、第1の転送スイッチTX1、第2の転送スイッチTX2、および、排出スイッチTX3に供給される駆動パルスが示されている。駆動パルスがハイレベルの時に、対応するトランジスタまたはスイッチがオンする。駆動パルスがローレベルの時に、対応するトランジスタまたはスイッチがオフする。これらの駆動パルスは、撮像装置1に配された制御部3が供給する。
図5は、各タイミングでの、画素の各部のポテンシャル状態を模式的に示している。図5は電子に対するポテンシャルの図であり、図の上側ほど電子に対するポテンシャルが高い、つまり電位としては低いことを表している。図5は左から、OFD、排出スイッチTX3、光電変換部PD、第1の転送スイッチTX1、保持部MEM、第2の転送スイッチTX2、浮遊拡散部FDの電位を表しており、図2、3に示した各部に対応する。
まず、時刻t2より前に、前のフレームの露光が行われている。露光とは、光電変換によって生じた電荷が信号として蓄積または保持されることを意味する。
時刻t1の前は、光電変換部PDに光が照射され、時刻t1までの期間に光電変換部PDに入射した光の光量に対応した電荷が光電変換部PDに蓄積されている。その状態が、図5(a)に模式的に示されている。
時刻t1から時刻t2までの期間に、第1の転送スイッチ制御信号PTX1(n)、PTX1(n+1)、PTX1(n+2)(以下、これらをまとめて「PTX1」と称する)がハイレベルとなり、第1の転送スイッチTX1がオンになる。これにより、光電変換部PDに溜まっていた電荷が、保持部MEMへと転送される。その状態が、図5(b)に模式的に示されている。時刻t2にPTX1が再びローレベルとなり、転送動作が終了する。このときの状態が、図5(c)に模式的に示されている。この光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送動作は、全画素同時に行われる。第1の駆動モードにおける前のフレームの露光の終了は、光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の第1の転送スイッチTX1を全画素同時にオンからオフへ制御することである(図4の時刻t2)。
時刻t3から時刻t4までの期間に、排出スイッチ制御信号PTX3−1(n)、PTX3−1(n+1)、PTX3−1(n+2)、PTX3−2(n)、PTX3−2(n+1)、PTX3−2(n+2)(以下、これらをまとめて「PTX3」と称する)がハイレベルとなり、光電変換部PDからOFDへ電荷が排出される。その状態が図5(d)に模式的に示されている。この光電変換部PDからOFDへの排出動作は全画素同時に行われる。第1の駆動モードにおける露光の開始は、光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を行う排出スイッチTX3を全画素同時にオンからオフへ制御することである(図4の時刻t4)。
このように、第1の駆動モードでは、光電変換部PDからOFDへの電荷の排出、および、光電変換部PDから保持部MEMへの転送を全画素同時に行う。これにより、複数の画素の間で光電変換の期間が一致するような撮像動作、いわゆる、グローバル電子シャッタを行うことができる。
次に、光電変換部PDから保持部MEMへと転送された電荷の読み出しの動作を説明する。なおここでは、排出スイッチTX3をオンからオフへと制御することで開始される次のフレームの露光(光電変換部PDでの電荷の蓄積)が開始された後に前のフレームの信号の読み出し動作が開始される場合について説明するが、これに限定はされない。
時刻t5には、浮遊拡散部FDのリセットトランジスタRES(n)がオンからオフへと制御され、浮遊拡散部FDのリセットが解除される。同時に、行選択制御信号PSEL(n)がハイレベルになることで、選択トランジスタSEL(n)がオンとなり、n行目の画素が選択される。これにより、n行目の画素の浮遊拡散部FDの電位に対応する電圧が、垂直信号線OUTに出力される。
時刻t6から時刻t7までの期間に、リセットノイズ選択信号PTNがハイレベルになる。このタイミングで、信号処理部5に含まれる列回路が、n行目の画素の浮遊拡散部FDのリセットノイズレベルをサンプルホールドする。これにより、ノイズ信号の読み出し(N読み)が行われる。
時刻t8から時刻t9までの期間に、第2の転送スイッチ制御信号PTX2(n)がハイレベルになり、n行目の画素の第2転送スイッチTX2がオンになる。これにより、保持部MEMに溜まっていた電荷が、浮遊拡散部FDへと転送される。その状態が、図5(e)に示されている。時刻t9に第2の転送スイッチ制御信号PTX2(n)が再びローレベルになり、n行目の画素の第2転送スイッチTX2がオフになる。これにより、保持部MEMから浮遊拡散部FDへの電荷の転送の動作が終了する。このときの状態が、図5(f)に示されている。
時刻t9において保持部MEMから浮遊拡散部FDへの電荷の転送の動作が完了した後、垂直出力線OUTには、リセットレベルに、浮遊拡散部FDに溜まった電荷に対応する電位が加算されたレベル(光信号レベル)が出力されている。時刻t10から時刻t11までの期間に、画像信号選択信号PTSがハイレベルになり、列回路がこの光信号レベルをサンプルホールドする。これにより、光信号の読み出し(S読み)が行われる。光信号レベルから、先にサンプルホールドしたリセットノイズレベルが減算され、ノイズが除去された画像信号として後段へ出力される。
時刻t12には、選択トランジスタSEL(n)がオフになるとともに、リセットトランジスタRES(n)がオンになり、n行目の浮遊拡散部FDの電位が再びリセットされる。
上述のような駆動パルスにしたがって、画素の選択、リセット、ノイズ信号の読み出し(N読み)、浮遊拡散部FDへの電荷の転送、光信号の読み出し(S読み)という一連の読み出し動作が、画素行ごとに行われる。出力された信号は、撮像装置の外部でAD変換されてもよいし撮像装置の内部でAD変換されてもよい。図4に示すように、n行目に続いて、(n+1)行目、(n+2)行目の画素行についても、読み出し動作が順次行われる。
本明細書においては、各画素行において、「ノイズ信号の読み出し(N読み)、浮遊拡散部FDへの電荷の転送、光信号の読み出し(S読み)」が行われている期間を、「読み出し期間」と定義する。図4の左側の読み出し期間がkフレーム目の読み出し期間とすると、続く右側は(k+1)フレーム目の読み出し期間である。また、本明細書においては、各画素の光電変換部PDにおいて、1フレームに対応する電荷の蓄積が行われている期間を、「露光期間」と定義する。本実施形態においては、OFDへの電荷の排出が完了する時刻t4から、保持部MEMへの電荷の転送が完了する時刻t13までの期間が、(k+1)フレームの露光期間である。図4のタイミングチャートの上下に示すように、本実施形態では、kフレーム目の読み出し期間と、(k+1)フレーム目の露光期間と、の少なくとも一部が重複している。
以後の説明においては、「ノイズ信号の読み出し(N読み)、浮遊拡散部FDへの電荷の転送、光信号の読み出し(S読み)」の一連の動作を行うために画素内の各部に供給される駆動パルスをまとめて「読み出し信号」と呼ぶ。図6は、第1の駆動モードにおける撮像装置の駆動パルスを示す図であり、読み出し動作が行毎に順次行われていることを斜めの線で示している。第1の転送スイッチ制御信号PTX1および排出スイッチ制御信号PTX3は、それぞれ全画素同時に供給されるため、図6においては全画素まとめて1つの信号で表している。図6は図4と同じタイミングを表しており、図4のタイミングを多画素配列に対応するような場合として簡易的に表現した図である。
以上説明したように、第1の駆動モードにおいては、露光期間の終了時に光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を行う。したがって、光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送が、1フレームの露光期間中に1回だけ行われる。このような駆動は、1回転送駆動とも呼ばれる。
(第2の駆動モード)
次に、図7を用いて、グローバル電子シャッタを行う第2の駆動モードについて説明する。第2の駆動モードでは、露光期間中に生じた電荷を光電変換部PDで蓄積し、露光期間の途中に、光電変換部PDで蓄積していた電荷を保持部MEMに転送する動作を行う。そして、1回目の保持部MEMへの電荷の転送動作の後には、その後の期間における光電変換で生じた電荷を、光電変換部PD、または、光電変換部PDおよび保持部MEMで蓄積する。以下、第2の駆動モードの一例として、1フレームの露光期間中に光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を2回行う例について説明する。なお、第1の駆動モードと同じ部分については説明を省略する。なお、このような駆動は、このような駆動は、2回転送駆動とも呼ばれる。
図7は、第2の駆動モードにおける駆動パルスを模式的に示している。第1の駆動モードと同様に、時刻t2より前には前のフレームの露光が行われており、時刻t4においては、保持部MEMは前のフレームの露光期間に光電変換部PDで生成された電荷が蓄積されている。また、時刻t4において排出スイッチTX3が全画素同時にオンからオフへ制御されることで、次のフレームの露光期間が開始される。時刻t4は露光期間が開始される時刻であり、第1の時刻と呼ぶ。
第1の時刻(時刻t4)から第1の期間が経過する第2の時刻(時刻t14)までは、第1の転送スイッチTX1がオフに維持される。この実施例においては、全ての画素の第1の転送スイッチTX1がオフに維持される。しかしながら本発明はこれに限定はされず、少なくとも1つの画素において、第1の時刻から第2の時刻まで、第1の転送スイッチTX1がオフに維持されていればよい。
第1の時刻(時刻t4)から第1の期間が経過した時刻が第2の時刻(時刻t14)である。すなわち、第1の時刻(時刻t4)から第2の時刻(時刻t14)までの期間が第1の期間である。第1の期間においては、当該第1の期間に生じる電荷が光電変換部PDに蓄積される。
そして、第1の期間には、保持部MEMが保持している前のフレームに対応する電荷の読み出し動作が順次行われる。遅くとも第2の時刻までに、前のフレームに対応する信号の出力が完了するように、読み出し動作が順次行われる。
第2の時刻(時刻t14)に、第1の転送スイッチTX1をオンにする。これにより、光電変換部PDの電荷が保持部MEMに転送される。つまり、第2の時刻以降は、第1の期間に生じた電荷が、保持部MEMによって保持される。この実施例では、全ての画素の第1の転送スイッチTX1が同時にオフからオンに遷移する。しかし、第2の時刻までに、複数の画素の第1の転送スイッチTX1がオンしていればよく、遷移のタイミングは互いに異なっていてもよい。例えば、上述の読み出し動作が終わった画素から順に、第1の転送スイッチTX1をオンにしてもよい。
第2の時刻(時刻t14)から第2の期間が経過した時刻が第3の時刻(時刻t13)である。すなわち、第2の時刻(時刻t14)から第3の時刻(時刻t13)までの期間が第2の期間である。本実施例では、時刻t14の後の時刻t15において、第1の転送スイッチTX1が再びオンからオフへと制御される。時刻t15から時刻t13までの第2露光期間に生じる電荷は光電変換部PDに蓄積される。また、第2露光期間においては、時刻t4から時刻t15までの第1露光期間に生じた電荷は保持部MEMによって保持される。時刻t15から時刻t13の間の時刻に、第1の転送スイッチTX1が再びオフからオンへと制御されると、光電変換部PDの電荷が保持部MEMに転送される。したがって、第3の時刻(時刻t13)においては、保持部MEMが、第1の期間に生じた電荷と、第2の期間に生じた電荷と、の両方を保持する。
このように、第2の駆動モードによれば、1フレームの露光が終了してからすぐに、次の露光を開始することができる。したがって、情報が欠落する期間をほとんどなくすことができるため、画質を向上させることができる。
また、第2の駆動モードでは、保持部MEMに保持されている前のフレームに対応する電荷の読み出しが完了した後に、光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を露光期間の途中に行う。これにより、光電変換部PDの飽和電荷量が小さくても、画素の飽和電荷量を増加させることができる。画素の飽和電荷量は、1回の露光で生じる電荷のうち、信号として扱うことができる電荷量の最大値である。光電変換部PDの飽和電荷量、および、保持部MEMの飽和電荷量は、それぞれ、光電変換部PDが蓄積できる電荷量の最大値、および、保持部MEMが保持できる電荷量の最大値である。
1回の露光期間は、第1の期間と第2の期間の合計である。ここで、保持部MEMに保持された前のフレームの電荷は、第1の期間に読み出される。そのため、第1の期間が終われば、保持部MEMが電荷を保持することができる。したがって、光電変換部PDは、少なくとも第1の期間に生じる電荷を蓄積できればよい。通常は、第1の期間に生じる電荷の量は、1回の露光期間に生じる電荷の量より少ないため、光電変換部PDの飽和電荷量を小さくすることができるのである。
なお、本実施例では第2の期間において、第1の転送スイッチTX1のオンからオフへの制御を1回だけ行っている(時刻t15)。しかし、これに限定はされず、第2の期間における第1の転送スイッチTX1のオンからオフへの制御は0回であってもよいし、複数回であってもよい。0回の場合は、第2露光期間に生じる電荷は、光電変換部PDで生じた電荷が即座に保持部MEMに転送され、保持部MEMによって保持される。複数回の場合は、光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送が、1フレームの露光期間中に3回以上行われることになる。このように、第2の期間における第1の転送スイッチTX1のオンからオフへの制御を複数回にすることで、光電変換部PDの飽和電荷量をさらに小さくすることができる。
1フレームに対応する露光期間中における、第1の転送スイッチTX1のオフからオンへの制御の回数は、光電変換部PDの飽和電荷量に対する保持部MEMの飽和電荷量の比とほぼ等しいか、それよりも大きいことが好ましく、ほぼ等しいことがより好ましい。これにより、光電変換部PDと保持部MEMのサイズを最適化することができる。
(本実施形態の効果)
続いて、図8〜13を用いて、本実施形態の構成と効果について説明する。以下、撮像装置1が第2の駆動モードで動作する場合について説明する。
カメラで撮影する際、被写体はある光源で照らされており、その光源の光が被写体で反射され、レンズを介して撮像装置1に入射する。図8〜13では、その光源のもとで人間の目で見て白と認識される被写体を撮影しているときを例にとって説明する。
(比較例1)
本実施形態の構成と効果について説明する前に、比較例について説明する。比較例1の撮像装置では、赤(R)、緑(Gr、Gb)、青(B)の各画素(以下、それぞれ「R画素」、「G画素」、「B画素」と称する)の光電変換部PDの飽和電荷量が全て等しい。図8〜10は、それぞれ、入射光の条件が異なる場合における、比較例1の撮像装置の動作を説明するための図である。
図8(a)は、駆動パルスを示すタイミングチャートであり、図7と同様の2回転送動作のときの駆動パルスを表している。図8(b)は、撮像装置のある領域へ入射される光の光量を示している。図8(b)において、下の破線は光量0(光が入っていない状態)を示し、上の破線は第1露光期間、第2露光期間のそれぞれで、G画素の光電変換部PDがちょうど飽和に達するレベルの光量を示す。図8の例では、図8(b)の2つの破線でそれぞれ示される光量の中間の光量が、撮像面の該当領域に入射されている。光量は、図8に図示された第1露光期間、第2露光期間を通して一定である。
図8(c)〜(e)に、G画素、R画素、B画素のそれぞれの光電変換部PDの電荷量の時間変化が示されている。G画素を例に動作を説明する。
時刻t4に排出スイッチTX3がオンからオフになると、光電変換部PDへの電荷の蓄積が開始される。図8の例の場合、入射光量が一定なので、光電変換部PDの電荷量は時間に比例して増加する。時刻t15において、光電変換部PDから保持部MEMへの1回目の電荷の転送が完了し、光電変換部PD内の電荷は再び0となる。
時刻t15からは第2露光期間となり、同じように光電変換部PDの電荷量は時間に比例して増加していき、時刻t13で再び保持部MEMへ転送されることで、光電変換部PD内の電荷は再度0となる。
光電変換部PDの飽和レベルを1とすると、図8の例では、第1露光期間、第2露光期間のそれぞれで、G画素には0.7の電荷が蓄積される。これらは保持部MEMで加算され、0.7+0.7=1.4が、該当フレームの、該当G画素の出力となる。
このとき、R画素およびB画素についても同様の動作が行われる。図8の例では、R画素には0.6+0.6=1.2、B画素には0.35+0.35=0.7の電荷が蓄積される。
図8の例においては、この光源下で人間の目で見て白と認識される被写体を撮影した際のG:R:Bの光量の比率は、1.4:1.2:0.7である。なお、この比率は、被写体に照射される光源によって異なる。この比率のことをホワイトバランスと呼ぶ。
ここで、ホワイトバランスに関して補足説明を加える。人間の目は、どのような光源下でも白いものを白と認識する。それに合わせるため、カメラではG画素、R画素、B画素のそれぞれからの信号に、ホワイトバランスに応じたゲインをかけて、最終的な現像画像を生成する。このゲインをホワイトバランスゲインと呼ぶ。ホワイトバランスゲインは、通常、撮像装置の後段にあるエンジン(信号処理部)で乗算される。例えば本例では、この光源下で人間が見て白と認識される被写体に対するG画素、R画素、B画素の最終現像画像での輝度値が揃うように、Rに1.4/1.2=1.17を、Bに1.4/0.7=2を乗算する。また、上記ホワイトバランスが崩れると、最終的な現像画像において白いものが白く見えなくなる現象が発生してしまう。本例では、この現象を色づき問題と呼ぶ。
比較例1では、上述のとおり、G画素、R画素、B画素の光電変換部PDの飽和電荷量は全て等しい。比較例1では、排出スイッチTX3のゲート駆動配線PTX3のオフレベルは、全ての画素で共通としている。すなわち、排出スイッチTX3のオフ状態のポテンシャル障壁の高さを全ての画素で等しくしている。比較例1のように全画素の飽和電荷量が同じ場合であっても、図8のように露光期間中に各画素の光電変換部PDが飽和に達しない場合には、色づきの問題は発生しない。
図9は、比較例1の撮像装置において、図8よりも入射光量が大きい場合の各画素の電荷量を示している。図9では、該領域への入射光量が、G画素の飽和レベルよりも高く、1フレーム期間内で光量一定の場合を示している。
このとき、G画素の光電変換部PDの電荷量は、第1露光期間、第2露光期間共に飽和レベル1に達している。光電変換部PDには飽和電荷量以上の電荷は蓄積できないので、該フレームの該G画素の出力は1+1=2になる。
このとき、図9(d)および(e)に示す通り、該領域のR画素とB画素は飽和に達していないが、G画素が飽和レベル“2”に達した時点で、後段のエンジンは、該領域の出力は飽和とみなす。そして、このような領域では、最終的な現像画像において、例えばG、R、B全て最大諧調として、白色の最大輝度領域として処理される。
よって、図9のようにG画素の光電変換部PDが第1露光期間、第2露光期間の両方で飽和に達する場合にも、比較例1のように全画素の飽和電荷量が同じ場合であっても、色づきの問題は発生しない。
図10は、比較例1の撮像装置において、色づきの問題が発生する状況を示している。図10では、例えば、人間が見て白と認識される被写体が動いている場合などを想定している。このとき、該領域への入射光量は、第1露光期間ではG飽和レベルを超えていたが、第2露光期間ではより暗くなり、中間光量になっている。
このとき、G画素の光電変換部PDの電荷量は、第1露光期間では飽和レベルである1に達するが、第2露光期間では0.7であり、最終的な出力は1+0.7=1.7となる。一方、R画素、B画素の光電変換部PDのそれぞれは、第1露光期間、第2露光期間共に飽和に達していない。
この場合、最終的なG画素の出力は“2”に達していないため、後段のエンジンは飽和と判断しない。しかしながら、第1露光期間においてG画素の光電変換部PDのみ飽和に達してしまっているため、G画素の電荷量が本来よりも小さくなり、G画素、R画素、B画素の電荷量の比率がずれてしまう。そして、該フレームのG画素、R画素、B画素の画素間の出力比がずれてしまう。
本来この光源下では、白い被写体を撮影した際のG:R:Bの比は、図8のように1.4:1.2:0.7=1:0.86:0.5のはずであった。しかしながら、図10の状況の場合、G:R:Bの出力比は1.7:1.55:0.9=1:0.91:0.53であり、本来のG、R、Bの比からずれてしまっている。この場合、相対的にR、Bの出力比が上がっているため、最終的な現像画像は、マゼンダ色に色づいてしまう。すなわち、比較例1の撮像装置では、明るい被写体が移動した場合、被写体の周囲が色づいてしまう場合がある。
(実施例1)
続いて、本実施形態の構成と効果について、実施例1を例に説明する。実施例1の撮像装置では、G画素、R画素、B画素の光電変換部PDの飽和電荷量を互いに異ならせている。すなわち、それぞれの有する光電変換部PDの飽和電荷量が互いに異なる第1の画素と第2の画素と第3の画素とを含む構成としている。ここでは、具体的には、G画素の光電変換部PDの飽和電荷量を1としたときに、R画素の光電変換部PDは飽和電荷量を0.86に、B画素の光電変換部PDは飽和電荷量を0.5にしている。これは、図2に図示するように、G画素、R画素、B画素それぞれに対するゲート駆動配線PTX3の配線を色ごとに別に設けており、ゲート駆動配線PTX3のオフレベルの電位をG画素、R画素、B画素それぞれで異なる値とすることで実現している。
この飽和の比率は、この光源下で人間が見て白と認識する被写体を撮影した際の、G画素、R画素、B画素の感度比に揃えている。すなわち、該光源下におけるホワイトバランスの比に揃えている。
図11は、図10の場合と同様に、第1露光期間における光量がG飽和レベルを超える光量であり、第2露光期間における光量が中間光量である場合における、実施例1の撮像装置の各画素の電荷量を示している。上述のようにG画素、R画素、B画素の飽和電荷量をホワイトバランスに応じて異ならせているため、第1露光期間においてG画素が飽和したときには、R画素、B画素もそれぞれ設定した飽和量に達する。また、第2露光期間ではいずれの画素も飽和には達しない。これにより、最終的な出力比はG:R:B=1.7:1.46:0.85=1:0.86:0.5となり、本来の出力比である図8の場合とずれない。つまり、本実施例1の撮像装置では、明るい被写体が移動した場合の、周囲の色づきを抑制できる。
図12は、図11の場合とは逆に、第1露光期間における光量が中間光量で、第2露光期間における光量がG飽和レベルを超える光量である場合における、実施例1の撮像装置の各画素の電荷量を示している。すなわち、撮像面の該領域が暗めの状態から明るい状態に変化する場合の例である。この場合も同様に、実施例1のように各画素の光電変換部PDの飽和電荷量をG画素、R画素、B画素で適切に変えておけば、色づきを抑制することができる。
図13は、図8〜12の場合とは異なる光源下で、人間の目で見て白と認識される被写体を実施例1の撮像装置で撮影した場合を示している。ここでも、図11〜12の場合と同様に、各画素の光電変換部PDの飽和電荷量の比率を、撮影環境の光源下におけるホワイトバランスの比に揃えている。図13の場合、この光源下では、人間が見て白と認識する被写体を撮影した際のG:R:Bの光量の比率、すなわちホワイトバランスの比は、1:0.5:0.5である。そのため、図13の例では、G画素の光電変換部PDの飽和電荷量を1としたときに、R画素の光電変換部PDの飽和電荷量は0.5に、B画素の光電変換部PDの飽和電荷量は0.5にしている。この場合も、G画素、B画素、R画素それぞれのゲート駆動配線PTX3のオフレベルの電位を適切に調整することで実現している。
図13は、第1露光期間における光量がG飽和レベルを超える光量であり、第2露光期間における光量が中間光量である場合における、実施例1の撮像装置の各画素の電荷量を示している。この場合も図11の場合と同様に、第1露光期間においてG画素が飽和したときには、R画素、B画素もそれぞれ設定した飽和量に達し、第2露光期間ではいずれの画素も飽和には達しない。これにより、最終的な出力比はG:R:B=1.6:0.8:0.8=1:0.5:0.5となり、本来の出力比からずれない。つまり、本実施例1の撮像装置では、明るい被写体が移動した場合の、周囲の色づきを抑制できる。
このように、画素ごとに光電変換部PDの飽和電荷量を異ならせることで、1フレームを得るための露光期間の途中に光電変換部PDから保持部MEMへ電荷を転送するグローバル電子シャッタを行った場合の画素間出力比のずれを抑制することができる。具体的には、各画素のカラーフィルタの色情報(または種類の情報)と、撮影時の光源下でのホワイトバランスと、に応じて、各画素の光電変換部PDの飽和電荷量を異ならせることで、画素間出力比のずれを抑制することができる。
本実施形態の撮像装置は、複数の画素PIXを含み、該複数の画素PIXは、それぞれの有する光電変換部PDの飽和電荷量が互いに異なる第1の画素と第2の画素とを含む。このとき、第1の画素と第2の画素は、後段の信号処理部による処理条件が異なる画素であることが好ましい。また、信号処理は各画素PIXから出力された信号にゲインをかける処理を含み、第1の画素と第2の画素は、該ゲインが異なる画素であることが好ましい。ここで、ゲインは、典型的にはホワイトバランスゲインである。これにより、画素間出力比のずれを抑制することができる。なお、第1の画素と第2の画素は、感度が異なる画素であるということもできる。
各画素の光電変換部PDの飽和電荷量は、上述のとおり、各画素の排出スイッチTX3のオフ状態のポテンシャル障壁の高さによって制御できる。排出スイッチTX3のオフ状態のポテンシャル障壁の高さは、各画素の排出スイッチTX3がトランジスタである場合には、排出スイッチTX3のゲート電極に印加するオフ電圧、すなわち、ゲート駆動配線PTX3のオフレベルの電位によって制御できる。あるいは、排出スイッチTX3のオフ状態のポテンシャル障壁の高さは、各画素の排出スイッチTX3がトランジスタである場合には、排出スイッチTX3のゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度によって制御できる。
各画素の光電変換部PDの飽和電荷量は、変更可能であることが好ましい。すなわち、第1の画素の光電変換部PDおよび第2の画素の光電変換部PDの飽和電荷量の少なくとも一方は変更可能であることが好ましい。これにより、撮影条件や信号処理部における処理条件に応じて各画素の光電変換部PDの飽和電荷量を変更することができ、様々な条件下で画素間出力比のずれを抑制することができるようになる。撮像装置が信号処理部における処理条件を設定する条件設定部を有する場合には、条件設定部による設定に応じて、各画素の光電変換部PDの飽和電荷量を変更することが好ましい。典型的には、条件設定部によるホワイトバランスの設定に応じて、各画素の光電変換部PDの飽和電荷量を変更することが好ましい。これにより、異なる光源下のそれぞれで、色づきを抑制することができる。
なお、図11〜13の例では、ホワイトバランスの比と、G画素、R画素、B画素の各画素の光電変換部PDの飽和電荷量の比を一致させる例を示したが、完全に一致しなくても効果はある。白い被写体を撮影した際に感度の高い画素の光電変換部PDの飽和電荷量を、感度の低い画素の光電変換部PDの飽和電荷量よりも大きくすれば、色づきを低減する効果がある。すなわち、第1の画素が第2の画素よりも後段の信号処理におけるホワイトバランスゲインが大きい画素である場合には、第1の画素の光電変換部PDの飽和電荷量を第2の画素の光電変換部PDの飽和電荷量よりも小さくすればよい。その上で、各画素の感度比(ここではホワイトバランスの比)と、各画素の光電変換部PDの飽和電荷量の比と、を近づけると、色づきを低減する効果が大きくなる。極端に不自然な色づきを避けるために、各画素の感度比と各画素の光電変換部の飽和電荷量の比のずれを、±30%以内に収めることが望ましい。すなわち、下記式(1)を満たすことが好ましい。
0.7R≦r≦1.3R・・・式(1)
上記式(1)において、Rは、信号処理部による信号処理において第1の画素の信号にかけるゲインに対する第2の画素の信号にかけるゲインの比を表す。また、上記式(1)において、rは、第1の画素の光電変換部PDの飽和電荷量に対する第2の画素の光電変換部PDの飽和電荷量の比を表す。
また、図10〜13では、簡単のために第1露光期間と第2露光期間の境界付近で、該領域への入射光量が変わる場合を図示したが、本発明の効果はその場合に限定されるものではない。第1露光期間や第2露光期間の途中に入射光量が変化する場合や、ステップ上でなくスロープ状に光量が変化する場合でも、本発明の効果は同様である。
本実施形態の撮像装置は、少なくとも第2の駆動モードで動作を行うが、駆動モードが切替可能で、第1の駆動モードでの動作も行うことができてもよい。第1の駆動モード(1回転送動作)の場合は、G画素の光電変換部PDが飽和する場合、必ず後段のエンジンは飽和とみなすことができるため、色づきの問題は発生しない。よって第1の駆動モードの場合、各画素の光電変換部PDの飽和電荷量は同一でもよい。実施例1の撮像装置は、各画素のゲート駆動配線PTX3のオフレベルの電位を個別に設定可能な構成を有するため、各画素の光電変換部PDの飽和電荷量を個別に設定できるようになっている。したがって、駆動モードの切替えに応じて、各画素の光電変換部PDの飽和電荷量の変更を行ってもよい。具体的には、第1の駆動モードに切替えた場合には、各画素のゲート駆動配線PTX3のオフレベルの電位が同一になるように変更してもよい。各画素の第1の転送スイッチTX1の制御信号のタイミングを変更可能とし、かつ、転送回数または転送タイミングに対応してゲート駆動配線PTX3のオフレベルの電位を変更する構成とすることで、一装置内でこれら対応が可能となる。
[第2の実施形態]
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。第1の実施形態との差分のみ、詳しく説明する。第2の実施形態の撮像装置の全体ブロック図も、第1の実施形態と同じく図1で示される。
(実施例2)
第2の実施形態の撮像装置について、実施例2を例に説明する。図14は、実施例2の撮像装置のうち、撮像領域2に含まれる画素の等価回路を表す図である。図14に太線で示すように、実施例2の撮像装置では、R画素およびB画素の排出スイッチTX3が同一の配線で駆動され、G画素(Gr、Gb)の排出スイッチTX3が同一の配線で駆動される。実施例2の撮像装置では、図14に示すように、カラーフィルタCFの種類に応じて、各画素PIXのそれぞれの排出スイッチTX3の駆動配線が蛇行している。なお、ゲート駆動配線PTX(n)とゲート駆動配線PTX(n+2)は、不図示の領域で同一となっている。
例えば、第1の実施形態で説明した図13の光源下の例の場合、人間の目で見て白と認識される被写体を撮影した際のR画素とB画素の感度(またはホワイトバランスゲイン)は同一である。そのため、G画素の光電変換部PDの飽和電荷量と、R画素およびB画素の光電変換部PDの飽和電荷量と、を個別に調整できれば、色づきを抑制することができる。換言すれば、この場合は、R画素の光電変換部PDの飽和電荷量とB画素の光電変換部PDの飽和電荷量は、個別に調整できなくても、色づきを抑制することができる。
実施例2の撮像装置では、図14の回路のように、G画素の排出スイッチTX3を駆動する配線と、R画素およびB画素の排出スイッチTX3を駆動する配線とを分けている。これにより、G画素と、R画素およびB画素と、の間で排出スイッチTX3のオフレベルの電位を個別に調整できるようにしている。実施例2では、R画素の排出スイッチTX3とB画素の排出スイッチTX3とを同一の配線で駆動しているので、R画素とB画素の飽和電荷量は個別に調整できないが、例えば図13の場合の光源下など、光源によっては色づきを抑制することができる。
(実施例3)
第2の実施形態の撮像装置の別の例として、実施例3について説明する。図15は、実施例3の撮像装置のうち、撮像領域2に含まれる画素の等価回路を表す図である。図15に示すように、実施例3の撮像装置では、G画素、R画素、B画素の全ての画素の排出スイッチTX3が同一の配線で駆動される。なお、各ゲート駆動配線PTX(n)、PTX(n+1)、PTX(n+2)は、不図示の領域で同一となっている。
実施例3では、排出スイッチTX3のゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度を各画素で異ならせることによって、各画素の光電変換部PDの飽和電荷量を異ならせている。
図16は、実施例3の撮像装置の断面構造を模式的に示している。図16には1つの画素の断面が示されている。図3に示した実施例1の撮像装置の断面構造と異なる点としては、排出スイッチTX3のゲート電極211の下に、不図示の絶縁層を介して、画素ごとに個別の半導体領域であるp型領域214があることである。実施例3の撮像装置では、G画素、R画素、B画素のそれぞれで、p型領域214の不純物濃度を変えることで、排出スイッチTX3のオフ状態のポテンシャル障壁の高さを変えている。こうすることで、G画素、R画素、B画素の各画素の光電変換部PDの飽和電荷量を異ならせて、各画素の飽和電荷量の比をホワイトバランスの比に合わせるようにしている。これにより、色づきを抑制することができる。
[第3の実施形態]
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。第1の実施形態との差分のみ、詳しく説明する。第3の実施形態の撮像装置の全体ブロック図も、第1の実施形態と同じく図1で示される。
図17は、第3の実施形態の撮像装置のうち、撮像領域2に含まれる画素の等価回路を表す図である。第3の実施形態の撮像装置は、通常画素と、IR画素と、を有する。IR画素は、光電変換部PDの半導体基板における深さが、通常画素より深く、赤外光に対する感度を高めた画素である。第3の実施形態の撮像装置は、カラーフィルタは有していない。また、第3の実施形態の撮像装置が有する通常の画素は、第1〜第2の実施形態の各画素と、カラーフィルタを有していない点以外は同様の構造を有する画素である。
図17に示すように、第3の実施形態の撮像装置は、n行目にはIR画素が、(n+1)行目には通常画素が、(n+2)行目にはIR画素が、配置されている。第3の実施形態の撮像装置からは、隣接する行(例えばn行目と(n+1)行目)のIR画素からの出力から通常画素からの出力を減算することで、赤外光成分のみの出力を得ることができる。
図18は、第3の実施形態の撮像装置の断面構造を模式的に示している。図18には1つのIR画素の断面が示されている。なお、通常画素の断面構造は、図3からカラーフィルタCFを除いたものである。IR画素は、通常画素が有するN型の半導体領域202の代わりに、半導体基板における深さの深いN型の半導体領域216を有している。
(比較例2)
本実施形態の構成と効果について説明する前に、比較例について説明する。比較例2の撮像装置では、通常画素とIR画素の各画素の光電変換部PDの飽和電荷量が全て等しい。図19〜20は、それぞれ、入射光の条件が異なる場合における、比較例2の撮像装置の動作を説明するための図である。なお、図19〜21においては、図8〜13と同様に、(a)は駆動パルスを示すタイミングチャート、(b)は撮像装置のある領域へ入射される光の光量を示している。また、(c)はIR画素の光電変換部PDの電荷量の時間変化、(d)は通常画素の光電変換部PDの電荷量の時間変化を示している。
図19の状況では、第1露光期間、第2露光期間のいずれの期間においても、IR画素、通常画素ともに光電変換部PDは飽和していない。よって、該当フレームのIR画素と通常画素の各画素からの出力の比率は、両画素の感度比率と同じになっている。IR画素からの出力は0.8+0.8=1.6、通常画素からの出力は0.5+0.5=1である。その比率は、IR画素:通常画素=1.6:1である。
図20は、比較例2において、入射光量が第1露光期間と第2露光期間で変化した場合の例である。図20の状況の場合、IR画素は第1露光期間において飽和し、第2露光期間では飽和していない。一方、通常画素は、第1露光期間、第2露光期間のいずれにおいても飽和していない。そのため、最終的な画素出力の比率は、各画素の感度比率からずれてしまう。IR画素の出力は1+0.8=1.8、通常画素の出力は0.875+0.5=1.375であり、比率はIR画素:通常画素=1.8:1.375=1.309:1となり、感度比の1.6:1からずれてしまう。この状態でIR画素出力−通常画素出力を計算すると、図19のようにIR画素が各露光期間で飽和しない場合に比べて赤外光の成分が少ない、不正確な画像となってしまう。すなわち、この場合でも、画素間出力比のずれが発生する。
(実施例4)
一方、本発明の第3の実施形態の例である実施例4の撮像装置では、IR画素と通常画素とで、光電変換部PDの飽和電荷量を互いに異ならせている。すなわち、それぞれの有する光電変換部PDの飽和電荷量が互いに異なる第1の画素と第2の画素とを含む構成としている。ここでは、具体的には、IR画素の光電変換部PDの飽和電荷量を1としたときに、通常画素の光電変換部PDは飽和電荷量を0.625にしている。これは、図17に図示するように、IR画素、通常画素それぞれに対するゲート駆動配線PTX3の配線を別に設けており、ゲート駆動配線PTX3のオフレベルの電位をIR画素と通常画素とで異なる値とすることで実現している。
図21は、図20の場合と同様に、第1露光期間における光量がIR飽和レベルを超える光量であり、第2露光期間における光量が中間光量である場合における、実施例4の撮像装置の各画素の電荷量を示している。上述のようにIR画素、通常画素の飽和電荷量を感度比に応じて異ならせているため、第1露光期間においてIR画素が飽和したときには、通常画素もそれぞれ設定した飽和量に達する。また、第2露光期間ではいずれの画素も飽和には達しない。これにより、最終的な出力比はIR画素:通常画素=1.8:1.125=1.6:1となり、本来の出力比である図19の場合とずれない。
以上のように、第3の実施形態の撮像装置によれば、画素ごとに光電変換部PDの飽和電荷量を異ならせる。これにより、1フレームを得るための露光期間の途中に光電変換部PDから保持部MEMへ電荷を転送するグローバル電子シャッタを行った場合の画素間出力比のずれを抑制することができる。
[第4の実施形態]
本発明の第4の実施形態による撮像システムについて、図22を用いて説明する。図22は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
上記第1〜第3実施形態で述べた撮像装置は、種々の撮像システムに適用可能である。適用可能な撮像システムとしては、特に限定されるものではないが、例えば、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、監視カメラ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などが挙げられる。また、レンズなどの光学系と撮像装置とを備えるカメラモジュールも、撮像システムに含まれる。図22にはこれらのうちの一例として、デジタルスチルカメラのブロック図を例示している。
撮像システム300は、図22に示すように、撮像装置100、撮像光学系302、CPU310、レンズ制御部312、撮像装置制御部314、画像処理部316、絞りシャッタ制御部318、表示部320、操作スイッチ322、記録媒体324を備える。
撮像光学系302は、被写体の光学像を形成するための光学系であり、レンズ群、絞り304等を含む。絞り304は、その開口径を調節することで撮影時の光量調節を行なう機能を備えるほか、静止画撮影時には露光秒時調節用シャッタとしての機能も備える。レンズ群及び絞り304は、光軸方向に沿って進退可能に保持されており、これらの連動した動作によって変倍機能(ズーム機能)や焦点調節機能を実現する。撮像光学系302は、撮像システムに一体化されていてもよいし、撮像システムへの装着が可能な撮像レンズでもよい。
撮像光学系302の像空間には、その撮像面が位置するように撮像装置100が配置されている。撮像装置100は、第1〜第3実施形態で説明した撮像装置であり、CMOSセンサ(画素領域10)とその周辺回路(周辺回路領域)とを含んで構成される。撮像装置100は、複数の光電変換部を有する画素が2次元配置され、これらの画素に対してカラーフィルタが配置されることで、2次元単板カラーセンサを構成している。撮像装置100は、撮像光学系302により結像された被写体像を光電変換し、画像信号や焦点検出信号として出力する。
レンズ制御部312は、撮像光学系302のレンズ群の進退駆動を制御して変倍操作や焦点調節を行うためのものであり、その機能を実現するように構成された回路や処理装置により構成されている。絞りシャッタ制御部318は、絞り304の開口径を変化して(絞り値を可変として)撮影光量を調節するためのものであり、その機能を実現するように構成された回路や処理装置により構成される。
CPU310は、カメラ本体の種々の制御を司るカメラ内の制御装置であり、演算部、ROM、RAM、A/Dコンバータ、D/Aコンバータ、通信インターフェイス回路等を含む。CPU310は、ROM等に記憶されたコンピュータプログラムに従ってカメラ内の各部の動作を制御し、撮像光学系302の焦点状態の検出(焦点検出)を含むAF、撮像、画像処理、記録等の一連の撮影動作を実行する。CPU310は、信号処理部でもある。
撮像装置制御部314は、撮像装置100の動作を制御するとともに、撮像装置100から出力された信号をA/D変換してCPU310に送信するためのものであり、それら機能を実現するように構成された回路や制御装置により構成される。A/D変換機能は、撮像装置100が備えていてもかまわない。画像処理部316は、A/D変換された信号に対してγ変換やカラー補間等の画像処理を行って画像信号を生成するためのものであり、その機能を実現するように構成された回路や制御装置により構成される。このように、撮像システム300は、CPU310および画像処理部316を含む処理装置を有する。処理装置は、撮像装置100より出力された撮像データに各種の補正やデータの圧縮などを行う。
表示部320は、液晶表示装置(LCD)等の表示装置であり、カメラの撮影モードに関する情報、撮影前のプレビュー画像、撮影後の確認用画像、焦点検出時の合焦状態等を表示する。操作スイッチ322は、電源スイッチ、レリーズ(撮影トリガ)スイッチ、ズーム操作スイッチ、撮影モード選択スイッチ等で構成される。記録媒体324は、撮影済み画像等を記録するためのものであり、撮像システムに内蔵されたものでもよいし、メモリカード等の着脱可能なものでもよい。
このようにして、第1乃至第3実施形態による撮像装置100を適用した撮像システム300を構成することにより、高精度の焦点調節が可能であり且つ被写界深度の深い画像を取得しうる高性能の撮像システムを実現することができる。
[第5の実施形態]
本発明の第5の実施形態による撮像システム及び移動体について、図23を用いて説明する。図23は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
図23(a)は、車載カメラに関する撮像システム400の一例を示したものである。撮像システム400は、撮像装置410を有する。撮像装置410は、上述の第1〜第3実施形態に記載の撮像装置のいずれかである。撮像システム400は、撮像装置410により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部412と、撮像装置410により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差取得部414を有する。また、撮像システム400は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離取得部416と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部418と、を有する。ここで、視差取得部414や距離取得部416は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部418はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像システム400は、車両情報取得装置420と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム400は、衝突判定部418での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ECU430が接続されている。すなわち、制御ECU430は、距離情報に基づいて移動体を制御する移動体制御手段の一例である。また、撮像システム400は、衝突判定部418での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置440とも接続されている。例えば、衝突判定部418の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ECU430はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置440は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
本実施形態では、車両の周囲、例えば前方又は後方を撮像システム400で撮像する。図23(b)に、車両前方(撮像範囲450)を撮像する場合の撮像システム400を示した。車両情報取得装置420は、撮像システム400を動作させ撮像を実行させるように指示を送る。上述の第1〜第3実施形態の撮像装置を撮像装置410として用いることにより、本実施形態の撮像システム400は、測距の精度をより向上させることができる。
以上の説明では、他の車両と衝突しないように制御する例を述べたが、他の車両に追従して自動運転する制御、車線からはみ出さないように自動運転する制御等にも適用可能である。更に、撮像システムは、自動車等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体(移動装置)に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム(ITS)等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。
PD 光電変換部
MEM 保持部
SF 増幅部
TX1 第1の転送スイッチ
TX2 第2の転送スイッチ
OUT 出力線(垂直信号線)

Claims (26)

  1. 入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、
    前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、
    第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
    前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、
    遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
    前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、
    前記複数の画素は、それぞれの有する前記光電変換部の飽和電荷量が互いに異なる第1の画素と第2の画素とを含むことを特徴とする撮像装置。
  2. 前記撮像装置は、第1のフレームと、前記第1のフレームの後に続く第2のフレームと、の撮像を行う撮像装置であって、
    前記第2のフレームの露光期間は、前記第1の期間および前記第2の期間を含み、
    前記第1の時刻において、前記保持部は前記第1のフレームに対応する電荷を保持しており、
    遅くとも前記第2の時刻までに前記第1のフレームに対応する信号の出力が完了するように、前記第1の期間に、前記複数の画素の前記第2の転送スイッチが順にオンし、かつ、前記複数の画素の前記増幅部が前記信号を順に出力することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。
  3. 前記複数の画素から出力された前記信号を、複数の処理条件のいずれかで信号処理する信号処理部をさらに有し、
    前記信号処理において、前記第1の画素から出力された信号の処理条件と前記第2の画素から出力された信号の処理条件とが互いに異なることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。
  4. 前記信号処理は、前記信号にゲインをかける処理を含み、
    前記信号処理において、前記第1の画素から出力された信号にかけるゲインと前記第2の画素から出力された信号にかけるゲインとが互いに異なることを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。
  5. 前記ゲインはホワイトバランスゲインであることを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。
  6. 前記信号処理において、前記第1の画素から出力された信号にかけるゲインは前記第2の画素から出力された信号にかけるゲインよりも小さく、前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量は前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量よりも大きいことを特徴とする請求項4または5に記載の撮像装置。
  7. 前記信号処理において前記第1の画素の信号にかけるゲインに対する前記第2の画素の信号にかけるゲインの比をr、前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量に対する前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量の比をRとすると、
    0.7R≦r≦1.3Rを満たすことを特徴とする請求項4から6のいずれか一項に記載の撮像装置。
  8. 前記信号処理部における前記処理条件を設定する条件設定部をさらに有し、
    前記条件設定部による前記処理条件の設定に応じて、前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量および前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量の少なくとも一方を変更することを特徴とする請求項3から7のいずれか一項に記載の撮像装置。
  9. 前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量および前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量の少なくとも一方は変更可能であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の撮像装置。
  10. 前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチをさらに有し、
    前記第1の画素の排出スイッチのオフ状態のポテンシャル障壁の高さは、前記第2の画素の排出スイッチのオフ状態のポテンシャル障壁の高さと異なることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の撮像装置。
  11. 前記第1の画素の排出スイッチのオフ状態のポテンシャル障壁の高さ、および、前記第2の画素の排出スイッチのオフ状態のポテンシャル障壁の高さ、の少なくとも一方は変更可能であることを特徴とする請求項10に記載の撮像装置。
  12. 前記排出スイッチはトランジスタであり、
    前記排出スイッチのゲートに印加するオフ電圧を変えることによりオフ状態のポテンシャル障壁の高さを変更可能であることを特徴とする請求項10または11に記載の撮像装置。
  13. 前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、
    前記第1の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧は、前記第2の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧と異なることを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の撮像装置。
  14. 前記排出スイッチはトランジスタであり、
    前記第1の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度は、前記第2の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度と異なることを特徴とする請求項10から13のいずれか一項に記載の撮像装置。
  15. 前記第1の画素および前記第2の画素の少なくとも一方は、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタを有し、
    前記第1の画素と前記第2の画素は、前記カラーフィルタの種類が異なることを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載の撮像装置。
  16. 前記第1の画素の有するカラーフィルタは緑のカラーフィルタであり、
    前記第2の画素の有するカラーフィルタは赤または青のカラーフィルタであり、
    前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量は前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量よりも大きいことを特徴とする請求項15に記載の撮像装置。
  17. 前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、を有し、
    前記カラーフィルタの種類が異なる画素が行列状に配列されており、
    前記カラーフィルタの種類に応じて、前記複数の画素のそれぞれの前記排出スイッチのゲートの配線を、各行または各列に2本ずつ有することを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載の撮像装置。
  18. 前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、を有し、
    前記カラーフィルタの種類が異なる画素が行列状に配列されており、
    前記カラーフィルタの種類に応じて、前記複数の画素のそれぞれの前記排出スイッチのゲートの配線が蛇行していることを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載の撮像装置。
  19. ホワイトバランスを設定する設定部を有し、
    前記ホワイトバランスの設定に応じて、前記第1の画素の有する前記光電変換部の飽和電荷量および前記第2の画素の有する前記光電変換部の飽和電荷量の少なくとも一方を変更することを特徴とする請求項1から18のいずれか一項に記載の撮像装置。
  20. 入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、
    前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、
    第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
    前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、
    遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
    前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、
    前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、
    前記複数の画素に含まれる第1の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧は、前記複数の画素に含まれる第2の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧と異なる
    ことを特徴とする撮像装置。
  21. 前記第1の画素および前記第2の画素の少なくとも一方は、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタを有し、
    前記第1の画素と前記第2の画素は、前記カラーフィルタの種類が異なることを特徴とする請求項20に記載の撮像装置。
  22. 入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、
    前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、
    第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
    前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、
    遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
    前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、
    前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、
    前記複数の画素に含まれる第1の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度は、前記複数の画素に含まれる第2の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度と異なる
    ことを特徴とする撮像装置。
  23. 前記第1の画素および前記第2の画素の少なくとも一方は、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタを有し、
    前記第1の画素と前記第2の画素は、前記カラーフィルタの種類が異なる
    ことを特徴とする請求項22に記載の撮像装置。
  24. 入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、
    前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、
    第1の駆動モードと、第2の駆動モードと、を切替可能に備え、
    前記第1の駆動モードにおいて、
    第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
    前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、
    前記第2の時刻に、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
    前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、
    前記第2の駆動モードにおいて、
    1フレームを得るための露光期間の開始時において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
    前記露光期間の開始時から終了時まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、
    前記露光期間の終了時に、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
    前記第1の駆動モードと前記第2の駆動モードとの切替えに応じて、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の有する前記光電変換部の飽和電荷量を変更することを特徴とする撮像装置。
  25. 請求項1から24のいずれか一項に記載の撮像装置と、
    前記撮像装置から出力される信号を処理する処理装置と、を有することを特徴とする撮像システム。
  26. 移動体であって、
    請求項1から24のいずれか一項に記載の撮像装置と、
    前記撮像装置の前記画素から出力される信号から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
    前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と、を有することを特徴とする移動体。
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RU2019111729A RU2720316C1 (ru) 2018-04-26 2019-04-18 Устройство формирования изображений, система формирования изображений и подвижный объект
US16/394,765 US11063076B2 (en) 2018-04-26 2019-04-25 Imaging apparatus, imaging system, and mobile object having pixels with different saturation charge quantities
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3096542B1 (fr) * 2019-05-21 2021-04-23 Valeo Comfort & Driving Assistance Dispositif de capture d’images à expositions multiples et système de surveillance d’un conducteur associé
JP2021060275A (ja) * 2019-10-07 2021-04-15 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光素子及び測距装置
WO2021117511A1 (ja) * 2019-12-10 2021-06-17 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および電子機器

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6273891A (ja) * 1985-09-27 1987-04-04 Hitachi Ltd 固体撮像素子
JPH10143245A (ja) * 1996-11-07 1998-05-29 Komatsu Ltd 移動体の障害物衝突防止装置
US6246436B1 (en) 1997-11-03 2001-06-12 Agilent Technologies, Inc Adjustable gain active pixel sensor
US6137100A (en) 1998-06-08 2000-10-24 Photobit Corporation CMOS image sensor with different pixel sizes for different colors
RU72779U1 (ru) * 2007-12-13 2008-04-27 Общество с ограниченной ответственностью "КАФС" Система для контроля вождения транспортного средства (варианты)
JP5098831B2 (ja) * 2008-06-06 2012-12-12 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
JP5256917B2 (ja) * 2008-08-01 2013-08-07 株式会社ニコン 固体撮像素子
JP5355026B2 (ja) * 2008-10-09 2013-11-27 キヤノン株式会社 撮像装置
JP5521312B2 (ja) * 2008-10-31 2014-06-11 ソニー株式会社 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器
WO2010116974A1 (ja) * 2009-04-07 2010-10-14 ローム株式会社 光電変換装置および撮像装置
JP5342969B2 (ja) * 2009-09-10 2013-11-13 富士フイルム株式会社 撮像装置及び撮像方法
US8605177B2 (en) * 2009-09-16 2013-12-10 Altasens, Inc. Image sensor with wide dynamic range
JP5422362B2 (ja) * 2009-12-15 2014-02-19 株式会社東芝 固体撮像装置
US8928792B1 (en) * 2011-01-31 2015-01-06 Aptina Imaging Corporation CMOS image sensor with global shutter, rolling shutter, and a variable conversion gain, having pixels employing several BCMD transistors coupled to a single photodiode and dual gate BCMD transistors for charge storage and sensing
CN103258829A (zh) * 2012-02-16 2013-08-21 索尼公司 固态成像装置、图像传感器及其制造方法以及电子设备
EP2878123B1 (en) * 2012-07-26 2017-12-20 DePuy Synthes Products, Inc. Wide dynamic range using monochromatic sensor
US20150054997A1 (en) * 2013-08-23 2015-02-26 Aptina Imaging Corporation Image sensors having pixel arrays with non-uniform pixel sizes
JP6376785B2 (ja) 2014-03-14 2018-08-22 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
JP5968350B2 (ja) * 2014-03-14 2016-08-10 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
US9674470B2 (en) * 2014-04-11 2017-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device
JP2015220532A (ja) * 2014-05-15 2015-12-07 コニカミノルタ株式会社 撮像装置および撮像方法
JP2016181532A (ja) * 2015-03-23 2016-10-13 ソニー株式会社 固体撮像装置、及び、電子機器
WO2016203974A1 (ja) * 2015-06-15 2016-12-22 ソニー株式会社 イメージセンサ、および電子機器
WO2016204507A1 (ko) * 2015-06-16 2016-12-22 엘지전자 주식회사 자율 주행 차량
WO2017006781A1 (ja) 2015-07-08 2017-01-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
JP6558998B2 (ja) 2015-07-28 2019-08-14 キヤノン株式会社 撮像装置
US10205894B2 (en) 2015-09-11 2019-02-12 Canon Kabushiki Kaisha Imaging device and imaging system
JP6676317B2 (ja) * 2015-09-11 2020-04-08 キヤノン株式会社 撮像装置、および、撮像システム
CN105306796A (zh) * 2015-10-10 2016-02-03 安霸半导体技术(上海)有限公司 具有定期红外照明和全局快门cmos传感器的夜视设备
CN112788224B (zh) * 2016-01-29 2023-04-04 松下知识产权经营株式会社 摄像装置
CN108780803B (zh) * 2016-03-29 2023-03-17 索尼公司 固态成像装置及电子设备
JP6719984B2 (ja) 2016-06-06 2020-07-08 キヤノン株式会社 撮像装置、撮像システム
JP2018045482A (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 ソニー株式会社 撮像装置、信号処理装置、及び、車両制御システム

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