JP6728268B2 - 撮像装置、撮像システム、および、移動体 - Google Patents
撮像装置、撮像システム、および、移動体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6728268B2 JP6728268B2 JP2018085872A JP2018085872A JP6728268B2 JP 6728268 B2 JP6728268 B2 JP 6728268B2 JP 2018085872 A JP2018085872 A JP 2018085872A JP 2018085872 A JP2018085872 A JP 2018085872A JP 6728268 B2 JP6728268 B2 JP 6728268B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pixel
- photoelectric conversion
- pixels
- conversion unit
- time
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 121
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 239
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 120
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 71
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 43
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 38
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 35
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 35
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 13
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 6
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 15
- 101001082142 Homo sapiens Pentraxin-related protein PTX3 Proteins 0.000 description 13
- BFHAYPLBUQVNNJ-UHFFFAOYSA-N Pectenotoxin 3 Natural products OC1C(C)CCOC1(O)C1OC2C=CC(C)=CC(C)CC(C)(O3)CCC3C(O3)(O4)CCC3(C=O)CC4C(O3)C(=O)CC3(C)C(O)C(O3)CCC3(O3)CCCC3C(C)C(=O)OC2C1 BFHAYPLBUQVNNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 102100036088 Pituitary homeobox 3 Human genes 0.000 description 13
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 8
- 101000942118 Homo sapiens C-reactive protein Proteins 0.000 description 6
- 101000920800 Homo sapiens Endoplasmic reticulum-Golgi intermediate compartment protein 2 Proteins 0.000 description 6
- 101000583156 Homo sapiens Pituitary homeobox 1 Proteins 0.000 description 6
- KJWMGLBVDNMNQW-VWTMXFPPSA-N Pectenotoxin 1 Chemical compound O[C@@H]1[C@H](C)CCO[C@]1(O)[C@H]1O[C@@H]2/C=C/C(/C)=C/[C@H](C)C[C@](C)(O3)CC[C@@H]3[C@](O3)(O4)CC[C@@]3(CO)C[C@@H]4[C@@H](O3)C(=O)C[C@]3(C)[C@@H](O)[C@@H](O3)CC[C@@]3(O3)CCC[C@H]3[C@@H](C)C(=O)O[C@@H]2C1 KJWMGLBVDNMNQW-VWTMXFPPSA-N 0.000 description 6
- 102100030345 Pituitary homeobox 1 Human genes 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 241000282412 Homo Species 0.000 description 2
- 101000622137 Homo sapiens P-selectin Proteins 0.000 description 2
- 101001092910 Homo sapiens Serum amyloid P-component Proteins 0.000 description 2
- 102100023472 P-selectin Human genes 0.000 description 2
- 102100036202 Serum amyloid P-component Human genes 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013144 data compression Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000037433 frameshift Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/805—Coatings
- H10F39/8053—Colour filters
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/803—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements
- H10F39/8037—Pixels having integrated switching, control, storage or amplification elements the integrated elements comprising a transistor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/10—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths
- H04N23/11—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof for generating image signals from different wavelengths for generating image signals from visible and infrared light wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/70—Circuitry for compensating brightness variation in the scene
- H04N23/73—Circuitry for compensating brightness variation in the scene by influencing the exposure time
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/80—Camera processing pipelines; Components thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/131—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing infrared wavelengths
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/133—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements including elements passing panchromatic light, e.g. filters passing white light
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/10—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof for transforming different wavelengths into image signals
- H04N25/11—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics
- H04N25/13—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements
- H04N25/134—Arrangement of colour filter arrays [CFA]; Filter mosaics characterised by the spectral characteristics of the filter elements based on three different wavelength filter elements
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/53—Control of the integration time
- H04N25/531—Control of the integration time by controlling rolling shutters in CMOS SSIS
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/58—Control of the dynamic range involving two or more exposures
- H04N25/581—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously
- H04N25/585—Control of the dynamic range involving two or more exposures acquired simultaneously with pixels having different sensitivities within the sensor, e.g. fast or slow pixels or pixels having different sizes
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/50—Control of the SSIS exposure
- H04N25/57—Control of the dynamic range
- H04N25/59—Control of the dynamic range by controlling the amount of charge storable in the pixel, e.g. modification of the charge conversion ratio of the floating node capacitance
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
- H04N25/771—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising storage means other than floating diffusion
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/18—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors
- H10F39/186—Complementary metal-oxide-semiconductor [CMOS] image sensors; Photodiode array image sensors having arrangements for blooming suppression
- H10F39/1865—Overflow drain structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/80—Constructional details of image sensors
- H10F39/802—Geometry or disposition of elements in pixels, e.g. address-lines or gate electrodes
- H10F39/8023—Disposition of the elements in pixels, e.g. smaller elements in the centre of the imager compared to larger elements at the periphery
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
- H04N23/80—Camera processing pipelines; Components thereof
- H04N23/84—Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals
- H04N23/88—Camera processing pipelines; Components thereof for processing colour signals for colour balance, e.g. white-balance circuits or colour temperature control
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Description
本発明の別の側面に係る実施例の光電変換装置は、入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、前記複数の画素に含まれる第1の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧は、前記複数の画素に含まれる第2の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧と異なることを特徴とする。
本発明の別の側面に係る実施例の光電変換装置は、入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、前記複数の画素に含まれる第1の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度は、前記複数の画素に含まれる第2の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度と異なることを特徴とする。
本発明の別の側面に係る実施例の光電変換装置は、入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、第1の駆動モードと、第2の駆動モードと、を切替可能に備え、前記第1の駆動モードにおいて、第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、前記第2の時刻に、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、前記第2の駆動モードにおいて、1フレームを得るための露光期間の開始時において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、前記露光期間の開始時から終了時まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、前記露光期間の終了時に、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、前記第1の駆動モードと前記第2の駆動モードとの切替えに応じて、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の有する前記光電変換部の飽和電荷量を変更することを特徴とする。
本発明の第1の実施形態について説明する。図1は、撮像装置の構成を示すブロック図である。撮像装置1は半導体基板を用いて1つのチップで構成することができる。撮像装置1は、複数の画素が配された撮像領域2を有している。更に、撮像装置1は制御部3を有している。制御部3は、垂直走査部4、信号処理部5、および出力部6に制御信号、電源電圧等を供給する。
を信号処理部7に出力する。信号処理部7は、各画素からの信号を信号処理する。典型的には、各画素からのそれぞれからの信号に、ホワイトバランスに応じたゲインをかけて、現像画像を生成する処理を行う。なお、信号処理部7は撮像装置1の内部に設けられていてもよい。
図2は、撮像装置1のうち、撮像領域2に含まれる画素の等価回路を表す図である。撮像領域2には、画素が行列状に配されているとして、説明の簡略化のために、n行目からn+2行目までのうち、m列目からm+2列目までの、3行×3列の画素を例に取っている。1個の画素を破線で囲い、これをPIXとして示した。すなわち、図2には9個の画素PIXが示されているが、撮像装置1はさらに多くの画素を有している。
次に、撮像装置の駆動方法について説明する。以下の説明では、撮像装置の駆動方法について、第1の駆動モードと第2の駆動モードについて説明する。第1の駆動モードおよび第2の駆動モードはいずれもグローバル電子シャッタを行う駆動モードであり、光電変換部PDでの電荷の蓄積と光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を含むが、電荷の転送のタイミングが異なる。具体的には、第1の駆動モードでは露光期間の終了時に光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を行うのに対して、第2の駆動モードでは露光期間の途中に光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を行う。本実施形態の撮像装置は、少なくとも、第2の駆動モードで動作を行う。
図4〜6を用いて、グローバル電子シャッタを行う第1の駆動モードについて説明する。第1の駆動モードでは、露光期間中に生じた電荷を光電変換部PDで蓄積し、露光期間の終了時に、光電変換部PDで蓄積していた電荷を保持部MEMに転送する動作を行う。
次に、図7を用いて、グローバル電子シャッタを行う第2の駆動モードについて説明する。第2の駆動モードでは、露光期間中に生じた電荷を光電変換部PDで蓄積し、露光期間の途中に、光電変換部PDで蓄積していた電荷を保持部MEMに転送する動作を行う。そして、1回目の保持部MEMへの電荷の転送動作の後には、その後の期間における光電変換で生じた電荷を、光電変換部PD、または、光電変換部PDおよび保持部MEMで蓄積する。以下、第2の駆動モードの一例として、1フレームの露光期間中に光電変換部PDから保持部MEMへの電荷の転送を2回行う例について説明する。なお、第1の駆動モードと同じ部分については説明を省略する。なお、このような駆動は、このような駆動は、2回転送駆動とも呼ばれる。
続いて、図8〜13を用いて、本実施形態の構成と効果について説明する。以下、撮像装置1が第2の駆動モードで動作する場合について説明する。
本実施形態の構成と効果について説明する前に、比較例について説明する。比較例1の撮像装置では、赤(R)、緑(Gr、Gb)、青(B)の各画素(以下、それぞれ「R画素」、「G画素」、「B画素」と称する)の光電変換部PDの飽和電荷量が全て等しい。図8〜10は、それぞれ、入射光の条件が異なる場合における、比較例1の撮像装置の動作を説明するための図である。
続いて、本実施形態の構成と効果について、実施例1を例に説明する。実施例1の撮像装置では、G画素、R画素、B画素の光電変換部PDの飽和電荷量を互いに異ならせている。すなわち、それぞれの有する光電変換部PDの飽和電荷量が互いに異なる第1の画素と第2の画素と第3の画素とを含む構成としている。ここでは、具体的には、G画素の光電変換部PDの飽和電荷量を1としたときに、R画素の光電変換部PDは飽和電荷量を0.86に、B画素の光電変換部PDは飽和電荷量を0.5にしている。これは、図2に図示するように、G画素、R画素、B画素それぞれに対するゲート駆動配線PTX3の配線を色ごとに別に設けており、ゲート駆動配線PTX3のオフレベルの電位をG画素、R画素、B画素それぞれで異なる値とすることで実現している。
0.7R≦r≦1.3R・・・式(1)
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。第1の実施形態との差分のみ、詳しく説明する。第2の実施形態の撮像装置の全体ブロック図も、第1の実施形態と同じく図1で示される。
第2の実施形態の撮像装置について、実施例2を例に説明する。図14は、実施例2の撮像装置のうち、撮像領域2に含まれる画素の等価回路を表す図である。図14に太線で示すように、実施例2の撮像装置では、R画素およびB画素の排出スイッチTX3が同一の配線で駆動され、G画素(Gr、Gb)の排出スイッチTX3が同一の配線で駆動される。実施例2の撮像装置では、図14に示すように、カラーフィルタCFの種類に応じて、各画素PIXのそれぞれの排出スイッチTX3の駆動配線が蛇行している。なお、ゲート駆動配線PTX(n)とゲート駆動配線PTX(n+2)は、不図示の領域で同一となっている。
第2の実施形態の撮像装置の別の例として、実施例3について説明する。図15は、実施例3の撮像装置のうち、撮像領域2に含まれる画素の等価回路を表す図である。図15に示すように、実施例3の撮像装置では、G画素、R画素、B画素の全ての画素の排出スイッチTX3が同一の配線で駆動される。なお、各ゲート駆動配線PTX(n)、PTX(n+1)、PTX(n+2)は、不図示の領域で同一となっている。
次に、本発明の第3の実施形態について説明する。第1の実施形態との差分のみ、詳しく説明する。第3の実施形態の撮像装置の全体ブロック図も、第1の実施形態と同じく図1で示される。
本実施形態の構成と効果について説明する前に、比較例について説明する。比較例2の撮像装置では、通常画素とIR画素の各画素の光電変換部PDの飽和電荷量が全て等しい。図19〜20は、それぞれ、入射光の条件が異なる場合における、比較例2の撮像装置の動作を説明するための図である。なお、図19〜21においては、図8〜13と同様に、(a)は駆動パルスを示すタイミングチャート、(b)は撮像装置のある領域へ入射される光の光量を示している。また、(c)はIR画素の光電変換部PDの電荷量の時間変化、(d)は通常画素の光電変換部PDの電荷量の時間変化を示している。
一方、本発明の第3の実施形態の例である実施例4の撮像装置では、IR画素と通常画素とで、光電変換部PDの飽和電荷量を互いに異ならせている。すなわち、それぞれの有する光電変換部PDの飽和電荷量が互いに異なる第1の画素と第2の画素とを含む構成としている。ここでは、具体的には、IR画素の光電変換部PDの飽和電荷量を1としたときに、通常画素の光電変換部PDは飽和電荷量を0.625にしている。これは、図17に図示するように、IR画素、通常画素それぞれに対するゲート駆動配線PTX3の配線を別に設けており、ゲート駆動配線PTX3のオフレベルの電位をIR画素と通常画素とで異なる値とすることで実現している。
本発明の第4の実施形態による撮像システムについて、図22を用いて説明する。図22は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
本発明の第5の実施形態による撮像システム及び移動体について、図23を用いて説明する。図23は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
MEM 保持部
SF 増幅部
TX1 第1の転送スイッチ
TX2 第2の転送スイッチ
OUT 出力線(垂直信号線)
Claims (26)
- 入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、
前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、
第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、
遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、
前記複数の画素は、それぞれの有する前記光電変換部の飽和電荷量が互いに異なる第1の画素と第2の画素とを含むことを特徴とする撮像装置。 - 前記撮像装置は、第1のフレームと、前記第1のフレームの後に続く第2のフレームと、の撮像を行う撮像装置であって、
前記第2のフレームの露光期間は、前記第1の期間および前記第2の期間を含み、
前記第1の時刻において、前記保持部は前記第1のフレームに対応する電荷を保持しており、
遅くとも前記第2の時刻までに前記第1のフレームに対応する信号の出力が完了するように、前記第1の期間に、前記複数の画素の前記第2の転送スイッチが順にオンし、かつ、前記複数の画素の前記増幅部が前記信号を順に出力することを特徴とする請求項1に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素から出力された前記信号を、複数の処理条件のいずれかで信号処理する信号処理部をさらに有し、
前記信号処理において、前記第1の画素から出力された信号の処理条件と前記第2の画素から出力された信号の処理条件とが互いに異なることを特徴とする請求項1または2に記載の撮像装置。 - 前記信号処理は、前記信号にゲインをかける処理を含み、
前記信号処理において、前記第1の画素から出力された信号にかけるゲインと前記第2の画素から出力された信号にかけるゲインとが互いに異なることを特徴とする請求項3に記載の撮像装置。 - 前記ゲインはホワイトバランスゲインであることを特徴とする請求項4に記載の撮像装置。
- 前記信号処理において、前記第1の画素から出力された信号にかけるゲインは前記第2の画素から出力された信号にかけるゲインよりも小さく、前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量は前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量よりも大きいことを特徴とする請求項4または5に記載の撮像装置。
- 前記信号処理において前記第1の画素の信号にかけるゲインに対する前記第2の画素の信号にかけるゲインの比をr、前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量に対する前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量の比をRとすると、
0.7R≦r≦1.3Rを満たすことを特徴とする請求項4から6のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記信号処理部における前記処理条件を設定する条件設定部をさらに有し、
前記条件設定部による前記処理条件の設定に応じて、前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量および前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量の少なくとも一方を変更することを特徴とする請求項3から7のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量および前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量の少なくとも一方は変更可能であることを特徴とする請求項1から8のいずれか一項に記載の撮像装置。
- 前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチをさらに有し、
前記第1の画素の排出スイッチのオフ状態のポテンシャル障壁の高さは、前記第2の画素の排出スイッチのオフ状態のポテンシャル障壁の高さと異なることを特徴とする請求項1から9のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記第1の画素の排出スイッチのオフ状態のポテンシャル障壁の高さ、および、前記第2の画素の排出スイッチのオフ状態のポテンシャル障壁の高さ、の少なくとも一方は変更可能であることを特徴とする請求項10に記載の撮像装置。
- 前記排出スイッチはトランジスタであり、
前記排出スイッチのゲートに印加するオフ電圧を変えることによりオフ状態のポテンシャル障壁の高さを変更可能であることを特徴とする請求項10または11に記載の撮像装置。 - 前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、
前記第1の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧は、前記第2の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧と異なることを特徴とする請求項10から12のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記排出スイッチはトランジスタであり、
前記第1の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度は、前記第2の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度と異なることを特徴とする請求項10から13のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記第1の画素および前記第2の画素の少なくとも一方は、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタを有し、
前記第1の画素と前記第2の画素は、前記カラーフィルタの種類が異なることを特徴とする請求項1から14のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記第1の画素の有するカラーフィルタは緑のカラーフィルタであり、
前記第2の画素の有するカラーフィルタは赤または青のカラーフィルタであり、
前記第1の画素の光電変換部の飽和電荷量は前記第2の画素の光電変換部の飽和電荷量よりも大きいことを特徴とする請求項15に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、を有し、
前記カラーフィルタの種類が異なる画素が行列状に配列されており、
前記カラーフィルタの種類に応じて、前記複数の画素のそれぞれの前記排出スイッチのゲートの配線を、各行または各列に2本ずつ有することを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 前記複数の画素のそれぞれは、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、を有し、
前記カラーフィルタの種類が異なる画素が行列状に配列されており、
前記カラーフィルタの種類に応じて、前記複数の画素のそれぞれの前記排出スイッチのゲートの配線が蛇行していることを特徴とする請求項1から16のいずれか一項に記載の撮像装置。 - ホワイトバランスを設定する設定部を有し、
前記ホワイトバランスの設定に応じて、前記第1の画素の有する前記光電変換部の飽和電荷量および前記第2の画素の有する前記光電変換部の飽和電荷量の少なくとも一方を変更することを特徴とする請求項1から18のいずれか一項に記載の撮像装置。 - 入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、
前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、
第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、
遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、
前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、
前記複数の画素に含まれる第1の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧は、前記複数の画素に含まれる第2の画素の排出スイッチのゲートに印加されるオフ電圧と異なる
ことを特徴とする撮像装置。 - 前記第1の画素および前記第2の画素の少なくとも一方は、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタを有し、
前記第1の画素と前記第2の画素は、前記カラーフィルタの種類が異なることを特徴とする請求項20に記載の撮像装置。 - 入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、前記光電変換部の電荷を排出する排出スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、
前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、
第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、
遅くとも前記第2の時刻までに、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、
前記排出スイッチは前記光電変換部と接続されたトランジスタであり、
前記複数の画素に含まれる第1の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度は、前記複数の画素に含まれる第2の画素の排出スイッチのゲート電極の下に配置される半導体領域の不純物濃度と異なる
ことを特徴とする撮像装置。 - 前記第1の画素および前記第2の画素の少なくとも一方は、前記光電変換部の前記入射光の入射方向の上流側に配置されたカラーフィルタを有し、
前記第1の画素と前記第2の画素は、前記カラーフィルタの種類が異なる
ことを特徴とする請求項22に記載の撮像装置。 - 入射光によって生じた電荷の蓄積を行う光電変換部と、前記電荷を保持する保持部と、前記電荷に基づく信号を出力する増幅部と、前記光電変換部から前記保持部へ前記電荷を転送する第1の転送スイッチと、前記保持部から前記増幅部へ前記電荷を転送する第2の転送スイッチと、をそれぞれが有する複数の画素と、
前記複数の画素に接続された出力線と、を有し、
第1の駆動モードと、第2の駆動モードと、を切替可能に備え、
前記第1の駆動モードにおいて、
第1の時刻において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
前記第1の時刻から第2の時刻まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、かつ、前記少なくとも1つの画素の前記光電変換部が前記第1の時刻から前記第2の時刻までの第1の期間に生じた電荷を蓄積し、
前記第2の時刻に、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
前記第2の時刻の後の第3の時刻に、前記複数の画素の前記保持部が、前記光電変換部において前記第1の期間に生じた電荷、および、前記光電変換部において前記第2の時刻から前記第3の時刻までの第2の期間に生じた電荷、の両方を保持し、
前記第2の駆動モードにおいて、
1フレームを得るための露光期間の開始時において、前記複数の画素の前記光電変換部が前記電荷の蓄積を開始し、
前記露光期間の開始時から終了時まで、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の前記第1の転送スイッチがオフに維持され、
前記露光期間の終了時に、前記複数の画素の前記第1の転送スイッチがオフからオンに制御され、
前記第1の駆動モードと前記第2の駆動モードとの切替えに応じて、前記複数の画素の少なくとも1つの画素の有する前記光電変換部の飽和電荷量を変更することを特徴とする撮像装置。 - 請求項1から24のいずれか一項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置から出力される信号を処理する処理装置と、を有することを特徴とする撮像システム。 - 移動体であって、
請求項1から24のいずれか一項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置の前記画素から出力される信号から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と、を有することを特徴とする移動体。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018085872A JP6728268B2 (ja) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 |
BR102019007251-2A BR102019007251A2 (pt) | 2018-04-26 | 2019-04-10 | aparelho de formação de imagem, sistema de formação de imagem, e objeto móvel |
RU2019111729A RU2720316C1 (ru) | 2018-04-26 | 2019-04-18 | Устройство формирования изображений, система формирования изображений и подвижный объект |
US16/394,765 US11063076B2 (en) | 2018-04-26 | 2019-04-25 | Imaging apparatus, imaging system, and mobile object having pixels with different saturation charge quantities |
CN201910341360.0A CN110418080A (zh) | 2018-04-26 | 2019-04-26 | 成像设备、成像系统和移动体 |
EP19171417.9A EP3562146A1 (en) | 2018-04-26 | 2019-04-26 | Imaging apparatus and imaging system |
US17/362,574 US11843010B2 (en) | 2018-04-26 | 2021-06-29 | Imaging apparatus having switching drive modes, imaging system, and mobile object |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018085872A JP6728268B2 (ja) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019193169A JP2019193169A (ja) | 2019-10-31 |
JP6728268B2 true JP6728268B2 (ja) | 2020-07-22 |
Family
ID=66290331
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018085872A Active JP6728268B2 (ja) | 2018-04-26 | 2018-04-26 | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11063076B2 (ja) |
EP (1) | EP3562146A1 (ja) |
JP (1) | JP6728268B2 (ja) |
CN (1) | CN110418080A (ja) |
BR (1) | BR102019007251A2 (ja) |
RU (1) | RU2720316C1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR3096542B1 (fr) * | 2019-05-21 | 2021-04-23 | Valeo Comfort & Driving Assistance | Dispositif de capture d’images à expositions multiples et système de surveillance d’un conducteur associé |
JP2021060275A (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 受光素子及び測距装置 |
EP4072126A4 (en) * | 2019-12-02 | 2023-01-25 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | SOLID STATE IMAGING DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE |
EP4075793A4 (en) * | 2019-12-10 | 2023-01-04 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Imaging device and electronic apparatus |
JP7649158B2 (ja) * | 2021-02-15 | 2025-03-19 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6273891A (ja) * | 1985-09-27 | 1987-04-04 | Hitachi Ltd | 固体撮像素子 |
JPH10143245A (ja) * | 1996-11-07 | 1998-05-29 | Komatsu Ltd | 移動体の障害物衝突防止装置 |
US6246436B1 (en) | 1997-11-03 | 2001-06-12 | Agilent Technologies, Inc | Adjustable gain active pixel sensor |
US6137100A (en) | 1998-06-08 | 2000-10-24 | Photobit Corporation | CMOS image sensor with different pixel sizes for different colors |
RU72779U1 (ru) * | 2007-12-13 | 2008-04-27 | Общество с ограниченной ответственностью "КАФС" | Система для контроля вождения транспортного средства (варианты) |
JP5098831B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2012-12-12 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子およびカメラシステム |
JP5256917B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2013-08-07 | 株式会社ニコン | 固体撮像素子 |
JP5355026B2 (ja) * | 2008-10-09 | 2013-11-27 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP5521312B2 (ja) * | 2008-10-31 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
WO2010116974A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | ローム株式会社 | 光電変換装置および撮像装置 |
JP5342969B2 (ja) * | 2009-09-10 | 2013-11-13 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置及び撮像方法 |
US8605177B2 (en) * | 2009-09-16 | 2013-12-10 | Altasens, Inc. | Image sensor with wide dynamic range |
JP5422362B2 (ja) * | 2009-12-15 | 2014-02-19 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
US8928792B1 (en) * | 2011-01-31 | 2015-01-06 | Aptina Imaging Corporation | CMOS image sensor with global shutter, rolling shutter, and a variable conversion gain, having pixels employing several BCMD transistors coupled to a single photodiode and dual gate BCMD transistors for charge storage and sensing |
CN103258829A (zh) * | 2012-02-16 | 2013-08-21 | 索尼公司 | 固态成像装置、图像传感器及其制造方法以及电子设备 |
BR112015001381A8 (pt) * | 2012-07-26 | 2019-07-30 | Olive Medical Corp | sistema e método para imageamento digital em um ambiente com iluminação deficiente |
US20150054997A1 (en) * | 2013-08-23 | 2015-02-26 | Aptina Imaging Corporation | Image sensors having pixel arrays with non-uniform pixel sizes |
JP6376785B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2018-08-22 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
JP5968350B2 (ja) * | 2014-03-14 | 2016-08-10 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
US9674470B2 (en) * | 2014-04-11 | 2017-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and method for driving electronic device |
JP2015220532A (ja) * | 2014-05-15 | 2015-12-07 | コニカミノルタ株式会社 | 撮像装置および撮像方法 |
JP2016181532A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、及び、電子機器 |
US10594970B2 (en) * | 2015-06-15 | 2020-03-17 | Sony Corporation | Image sensor and electronic device |
WO2016204507A1 (ko) * | 2015-06-16 | 2016-12-22 | 엘지전자 주식회사 | 자율 주행 차량 |
WO2017006781A1 (ja) | 2015-07-08 | 2017-01-12 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 固体撮像素子および駆動方法、並びに電子機器 |
JP6558998B2 (ja) | 2015-07-28 | 2019-08-14 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
JP6676317B2 (ja) * | 2015-09-11 | 2020-04-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、および、撮像システム |
US10205894B2 (en) | 2015-09-11 | 2019-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Imaging device and imaging system |
CN105306796A (zh) * | 2015-10-10 | 2016-02-03 | 安霸半导体技术(上海)有限公司 | 具有定期红外照明和全局快门cmos传感器的夜视设备 |
CN112788224B (zh) | 2016-01-29 | 2023-04-04 | 松下知识产权经营株式会社 | 摄像装置 |
US10998357B2 (en) * | 2016-03-29 | 2021-05-04 | Sony Corporation | Solid-state imaging device having pixels with high and low sensitivity photoelectric conversion units, and electronic device including the same |
JP6719984B2 (ja) | 2016-06-06 | 2020-07-08 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像システム |
JP2018045482A (ja) * | 2016-09-15 | 2018-03-22 | ソニー株式会社 | 撮像装置、信号処理装置、及び、車両制御システム |
-
2018
- 2018-04-26 JP JP2018085872A patent/JP6728268B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-10 BR BR102019007251-2A patent/BR102019007251A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2019-04-18 RU RU2019111729A patent/RU2720316C1/ru active
- 2019-04-25 US US16/394,765 patent/US11063076B2/en active Active
- 2019-04-26 EP EP19171417.9A patent/EP3562146A1/en not_active Withdrawn
- 2019-04-26 CN CN201910341360.0A patent/CN110418080A/zh active Pending
-
2021
- 2021-06-29 US US17/362,574 patent/US11843010B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2720316C1 (ru) | 2020-04-28 |
EP3562146A1 (en) | 2019-10-30 |
US20190333949A1 (en) | 2019-10-31 |
US11063076B2 (en) | 2021-07-13 |
US20210327938A1 (en) | 2021-10-21 |
JP2019193169A (ja) | 2019-10-31 |
CN110418080A (zh) | 2019-11-05 |
BR102019007251A2 (pt) | 2019-11-05 |
US11843010B2 (en) | 2023-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7108421B2 (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
US10504949B2 (en) | Solid-state imaging device, method of driving solid-state imaging device, imaging system, and movable object | |
JP6728268B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 | |
US10638066B2 (en) | Imaging apparatus | |
US10554913B2 (en) | Solid-state imaging device, imaging system and movable object | |
JP6664259B2 (ja) | 撮像装置、撮像システム、および、移動体 | |
US20200252570A1 (en) | Photoelectric conversion apparatus | |
JP6929114B2 (ja) | 光電変換装置及び撮像システム | |
US10645322B2 (en) | Image pickup device | |
US10979647B2 (en) | Imaging device and imaging system | |
JP7538618B2 (ja) | 光電変換装置及び光電変換システム | |
US20190387189A1 (en) | Imaging device, imaging system, and mobile apparatus | |
US11258967B2 (en) | Imaging device and method of driving imaging device | |
JP7516031B2 (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
JP7514159B2 (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
US10791295B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus, imaging system, and moving body | |
US12316993B2 (en) | Photoelectric conversion apparatus | |
JP7225271B2 (ja) | 光電変換装置、撮像システム、移動体 | |
JP2019036770A (ja) | 撮像装置及び撮像システム | |
JP2020170784A (ja) | 光電変換装置 | |
JP2015231157A (ja) | 撮像装置及びその駆動方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190409 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190409 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200602 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200701 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6728268 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |