JP2016028469A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (3)

1. 第１の回路と、第２の回路と、第１のトランジスタと、を有し、
   前記第１の回路は、第１の光電変換素子と、第２のトランジスタと、第１の電荷蓄積領域と、を有し、
   前記第２の回路は、第２の光電変換素子と、第３のトランジスタと、第２の電荷蓄積領域と、を有し、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の光電変換素子と電気的に接続され、
   前記第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第１の電荷蓄積領域と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第２の光電変換素子と電気的に接続され、
   前記第３のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の電荷蓄積領域と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方は、前記第１の光電変換素子と電気的に接続され、
   前記第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方は、前記第２の光電変換素子と電気的に接続される半導体装置であって、
   第１のステップと、第２のステップと、第３のステップと、第４のステップと、を有し、
   前記第１のステップにおいて、光源は、光を放出した状態であり、
   前記第１のステップにおいて、前記第１のトランジスタはオン状態、前記第２のトランジスタはオン状態、かつ、前記第３のトランジスタはオフ状態であり、
   前記第１のステップにおいて、前記第１の光電変換素子の受光量と前記第２の光電変換素子の受光量とを合わせた受光量に応じた第１の電位を前記第１の電荷蓄積領域に書き込み、
   前記第２のステップにおいて、前記光源は、光の放出を終了した状態であり、
   前記第２のステップにおいて、前記第１のトランジスタはオン状態、前記第２のトランジスタはオフ状態、かつ、前記第３のトランジスタはオン状態であり、
   前記第２のステップにおいて、前記第１の光電変換素子の受光量と前記第２の光電変換素子の受光量とを合わせた受光量に応じた第２の電位を前記第２の電荷蓄積領域に書き込み、
   前記第３のステップにおいて、前記第２のトランジスタはオフ状態、かつ、前記第３のトランジスタはオフ状態であり、
   前記第３のステップにおいて、前記第１の電荷蓄積領域に書き込まれた前記第１の電位に応じた第１の情報を読み出し、
   前記第４のステップにおいて、前記第２のトランジスタはオフ状態、かつ、前記第３のトランジスタはオフ状態であり、
   前記第４のステップにおいて、前記第２の電荷蓄積領域に書き込まれた前記第２の電位に応じた第２の情報を読み出すことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第２のトランジスタ及び前記第３のトランジスタは、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第１の回路は、第４のトランジスタを有し、
   前記第２の回路は、第５のトランジスタを有し、
   前記第４のトランジスタのゲートは、前記第１の電荷蓄積領域と電気的に接続され、
   前記第５のトランジスタのゲートは、前記第２の電荷蓄積領域と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。