JP2016115932A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (9)

1. トランジスタと、
   第１のスイッチ及び第２のスイッチと、
   容量素子と、を有し、
   前記容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のスイッチを介して、第１の電位が前記トランジスタのゲートに与えられ、
   前記第２のスイッチを介して、第２の電位が前記容量素子の第２の端子に与えられ、
   前記容量素子の容量値は、前記トランジスタのゲート容量値と等しいことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１において、
   前記第１のスイッチは、前記トランジスタの上方に配置され、
   前記第２のスイッチは、前記第１のスイッチの上方に配置され、
   前記容量素子は、前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとの間に配置され、
   前記容量素子の第１の端子として機能する第１の導電膜は凹状に形成され、
   前記容量素子の第２の端子として機能する第２の導電膜は、前記凹状に沿うように形成されることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチはそれぞれ、トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、ゲートと重なる領域に積層された酸化物半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
4. トランジスタと、
   第１のスイッチ乃至第Ｎのスイッチと（Ｎは３以上の自然数）、
   第１の容量素子乃至第Ｎ−１の容量素子と、を有し、
   前記第１の容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第Ｊの容量素子の第１の端子は、前記第Ｊ−１の容量素子の第２の端子に電気的に接続され（Ｊは２以上、Ｎ−１以下の自然数）、
   前記第１のスイッチを介して、第１の電位が前記トランジスタのゲートに与えられ、
   前記第Ｋのスイッチを介して、第Ｋの電位が前記第Ｋ−１の容量素子の第２の端子に与えられ（Ｋは２以上、Ｎ以下の自然数）、
   前記第１の容量素子の容量値は、前記トランジスタのゲート容量値と等しく、
   前記第Ｊの容量素子の容量値は、前記第Ｊ−１の容量素子の容量値と等しい、ことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項４において、
   前記第１のスイッチ乃至前記第Ｎのスイッチはそれぞれ、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
6. トランジスタと、
   第１のスイッチ及び第２のスイッチと、
   第１の容量素子及び第２の容量素子と、を有し、
   前記第１の容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第２の容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第１のスイッチを介して、第１の電位が前記トランジスタのゲートに与えられ、
   前記第２のスイッチを介して、第２の電位が前記第１の容量素子の第２の端子に与えられ、
   前記第２の容量素子の第２の端子に第３の電位が与えられ、
   前記第１の容量素子の容量値は、前記トランジスタのゲート容量値と前記第２の容量素子の容量値との和に等しい、ことを特徴とする半導体装置。
7. 請求項６において、
   前記第１のスイッチ及び第２のスイッチはそれぞれ、トランジスタを有し、
   前記トランジスタは、ゲートと重なる領域に積層された酸化物半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
8. トランジスタと、
   第１のスイッチ乃至第Ｎのスイッチと（Ｎは３以上の自然数）、
   第１の容量素子乃至第Ｎの容量素子と、を有し、
   前記第１の容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第Ｎの容量素子の第１の端子は、前記トランジスタのゲートに電気的に接続され、
   前記第Ｊの容量素子の第１の端子は、前記第Ｊ−１の容量素子の第２の端子に電気的に接続され（Ｊは２以上、Ｎ−１以下の自然数）、
   前記第１のスイッチを介して、第１の電位が前記トランジスタのゲートに与えられ、
   前記第Ｋのスイッチを介して、第Ｋの電位が前記第Ｋ−１の容量素子の第２の端子に与えられ（Ｋは２以上、Ｎ以下の自然数）、
   前記第Ｎの容量素子の第２の端子に第Ｎ＋１の電位が与えられ、
   前記第１の容量素子の容量値は、前記トランジスタのゲート容量値と前記第Ｎの容量素子の容量値との和に等しく、
   前記第Ｊの容量素子の容量値は、前記第Ｊ−１の容量素子の容量値と等しい、ことを特徴とする半導体装置。
9. 請求項８において、
   前記第１のスイッチ乃至前記第Ｎのスイッチはそれぞれ、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。