JP2015535390A5 - - Google Patents
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Claims (86)
- 光活性領域を含む光起電力素子であって、前記光活性領域が、
少なくとも1つのn型層を含むn型領域と、
少なくとも1つのp型層を含むp型領域と、前記n型領域と前記p型領域との間に配置された、
厚さが10nmから100μmまでであり、n型領域またはp型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層と
を含む、光起電力素子。 - 前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層の厚さが、100nmから100μmまでである、請求項1に記載の光起電力素子。
- 前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層の前記厚さが、100nmから700nmまでである、請求項1又は2に記載の光起電力素子。
- 前記ペロブスカイト半導体が、三次元結晶構造を有する、請求項1から3までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層が、前記ペロブスカイト半導体からなる層である、請求項1から4までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層の厚さが、100nmから100μmまでである、請求項5に記載の光起電力素子。
- 前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層の厚さが、100nmから700nmまでである、請求項5に記載の光起電力素子。
- 前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層が、前記n型領域及び前記p型領域と接触する、請求項1から7までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層が、前記n型領域と第1のプレーナ・ヘテロ接合を及び前記p型領域と第2のプレーナ・ヘテロ接合を形成する、請求項1から8までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記光活性領域が、
前記n型領域と、
前記p型領域と、前記n型領域と前記p型領域との間に配置された、
(i)多孔性材料及び多孔性材料の気孔内に配置されるペロブスカイト半導体を含む第1の層と、
(ii)前記第1の層の上に配置されたキャッピング層であって、前記キャッピング層が開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層である、キャッピング層と、
を含み、
前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記第1の層中の前記ペロブスカイト半導体と接触する、
請求項1から7までのいずれか一項に記載の光起電力素子。 - 前記多孔性材料がメソポーラスである、請求項10に記載の光起電力素子。
- 前記多孔性材料が、誘電性材料である、請求項10又は11に記載の光起電力素子。
- 前記多孔性材料が、電荷輸送材料である、請求項10又は11に記載の光起電力素子。
- 前記第1の層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記p型領域及び前記n型領域のうちの一方と接触し、前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記p型領域及び前記n型領域のうちの他方と接触する、請求項10から13までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記p型領域又は前記n型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する、請求項10から14までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記キャッピング層の厚さが、前記第1の層の厚さよりも厚い、請求項10から15までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記キャッピング層の前記厚さが、100nmから700nmまでである、請求項10から16までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記第1の層の前記厚さが、5nmから1000nmまで、好ましくは30nmから200nmまでである、請求項10から17までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記n型領域がn型層である、請求項1から18までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記n型領域が、n型層及びn型エキシトン・ブロッキング層を含む、請求項1から18までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記n型エキシトン・ブロッキング層が、前記n型層と前記ペロブスカイト半導体を含む前記層との間に配置される、請求項20に記載の光起電力素子。
- 前記p型領域がp型層である、請求項1から21までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記p型領域が、p型層及びp型エキシトン・ブロッキング層を含む、請求項1から21までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記p型エキシトン・ブロッキング層が、前記p型層と前記ペロブスカイト半導体を含む前記層との間に配置される、請求項23に記載の光起電力素子。
- 前記ペロブスカイト半導体が、3.0eV以下のバンド・ギャップを有する、請求項1から24までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記ペロブスカイトが、ハロゲン化物アニオン又はカルコゲナイドアニオンから選択される少なくとも1つのアニオンを含む、請求項1から25までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記ペロブスカイトが、第1のカチオン、第2のカチオン、及び前記少なくとも1つのアニオンを含む、請求項26に記載の光起電力素子。
- 前記第2のカチオンが、Sn2+、Pb2+及びCu2+から選択される金属カチオンであり、好ましくは前記金属カチオンが、Sn2+及びPb2+から選択される、請求項26又は27に記載の光起電力素子。
- 前記第1のカチオンが、有機カチオンである、請求項27又は28に記載の光起電力素子。
- 前記有機カチオンが、化学式(R1R2R3R4N)+を有し、
R1が、水素、非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、
R2が、水素、非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、
R3が、水素、非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、及び
R4が、水素、非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールである、
請求項29に記載の光起電力素子。 - 前記有機カチオンが、化学式(R5R6N=CH−NR7R8)+を有し、R5が、水素、非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、R6が、水素、非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、R7が、水素、非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、及びR8が、水素、非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールである、請求項29に記載の光起電力素子。
- 前記ペロブスカイトが、ハロゲン化物アニオン及びカルコゲナイドアニオンから選択される2つ以上の異なるアニオンを含む混合型アニオンペロブスカイトである、請求項26から31までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 前記ペロブスカイトが、混合型ハロゲン化物ペロブスカイトであり、前記2つ以上の異なるアニオンが、2つ以上の異なるハロゲン化物アニオンである、請求項32に記載の光起電力素子。
- 前記多孔性材料が、4.0eV以上のバンド・ギャップを有する誘電性材料である、請求項10から33までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置された、前記光活性領域とを含む、請求項1から34までのいずれか一項に記載の光起電力素子。
- 第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置された、前記光活性領域とを含み、
前記第2の電極が、前記光活性領域の前記n型領域と接触し、前記第1の電極が、前記光活性領域の前記p型領域と接触し、
前記第1の電極が、透明又は半透明の電気的導電性材料を含み、
前記第2の電極が、金属を含み、任意選択で、前記金属が、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム又は白金から選択される、
請求項1から35までのいずれか一項に記載の光起電力素子。 - タンデム接合又は多接合光起電力素子であり、前記素子が、第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置された、
前記光活性領域と、
少なくとも1つの別の光活性領域と
を含む、請求項1から36までのいずれか一項に記載の光起電力素子。 - 第1の電極と、第2の電極と、前記第1の電極と前記第2の電極との間に配置された、
前記光活性領域と、
少なくとも1つの別の光活性領域と
を含み、
前記少なくとも1つの別の光活性領域が、半導体材料の少なくとも1つの層を含む、
請求項37に記載の光起電力素子。 - 前記半導体材料が、結晶シリコン、銅亜鉛スズ硫化物、銅亜鉛スズセレン化物、銅亜鉛スズセレン化硫化物、銅インジウムガリウムセレン化物、銅インジウムガリウム二セレン化物又は銅インジウムセレン化物の層を含む、請求項38に記載の光起電力素子。
- 下記の領域を下記の順番で、
I.第1の電極と、
II.請求項1から34までのいずれか一項において規定した第1の光活性領域と、
III.p型半導体の層(A)と、
IV.真性半導体の第1の層と、
V.p型半導体の層(B)又はn型半導体の層(B)と、
VI.真性半導体の第2の層と、
VII.n型半導体の層(C)と、
VIII.第2の電極と、
を含む、請求項38又は39に記載の光起電力素子。 - 下記の領域を下記の順番で、
I.第1の電極と、
II.請求項1から34までのいずれか一項において規定した第1の光活性領域と、
III.透明導電性酸化物の層と、
IV.n型半導体の層(D)と、
V.銅亜鉛スズ硫化物、銅亜鉛スズセレン化物、銅亜鉛スズセレン化硫化物、銅インジウムガリウムセレン化物、銅インジウムガリウム二セレン化物又は銅インジウムセレン化物の層と、
VI.第2の電極と、
を含む、請求項38又は39に記載の光起電力素子。 - 光活性領域を含む光起電力素子を製造するためのプロセスであって、前記光活性領域が、
少なくとも1つのn型層を含むn型領域と、
少なくとも1つのp型層を含むp型領域と、前記n型領域と前記p型領域との間に配置された、
厚さが10nmから100μmまでであり、n型領域またはp型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層と、
を含み、前記プロセスが、
(a)第1の領域を設けるステップと、
(b)前記第1の領域の上に第2の領域を配置するステップであって、前記第2の領域が、前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層を含む、配置するステップと、
(c)前記第2の領域の上に第3の領域を配置するステップと、
を含み、
前記第1の領域が、少なくとも1つのn型層を含む前記n型領域であり、及び前記第3の領域が、少なくとも1つのp型層を含む前記p型領域である、又は
前記第1の領域が、少なくとも1つのp型層を含む前記p型領域であり、及び前記第3の領域が、少なくとも1つのn型層を含む前記n型領域である、
プロセス。 - 前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置する前記ステップ(b)が、
気相堆積によって前記第1の領域の上に前記ペロブスカイトの固体層を生成するサブステップ、
を含む、請求項42に記載のプロセス。 - 気相堆積によって前記第1の領域の上に前記ペロブスカイトの固体層を生成する前記ステップが、
(i)蒸気に前記第1の領域を曝すサブステップであって、前記蒸気が、前記ペロブスカイト又は前記ペロブスカイトを生成するための1つ若しくは複数の反応物質を含む、曝すサブステップと、
(ii)前記第1の領域の上に前記ペロブスカイトの固体層を生成するために、前記第1の領域上への前記蒸気の堆積を可能にするサブステップと、
を含む、請求項43に記載のプロセス。 - 前記気相堆積は、ペロブスカイトの前記固体層が100nmから100μmまで、好ましくは、100nmから700nmまでの厚さを有するまで続けることが可能である、請求項43又は44に記載のプロセス。
- 前記ペロブスカイトを蒸発させること又は前記ペロブスカイトを生成するための1つ若しくは複数の反応物質を蒸発させることによって前記蒸気を生成するステップをさらに含む、請求項42又は45に記載のプロセス。
- 前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置する前記ステップ(b)が、
気相堆積によって前記ペロブスカイトの固体層を生成するサブステップであって、前記気相堆積が、デュアル・ソース気相堆積である、生成するサブステップ、
を含む、請求項42から46までのいずれか一項に記載のプロセス。 - (i)蒸気に前記第1の領域を曝すステップであって、前記蒸気が、前記ペロブスカイトを生成するための2つの反応物質を含む、曝すステップと、
(ii)前記第1の領域の上に前記ペロブスカイトの固体層を生成するために、前記第1の領域上への前記蒸気の堆積を可能にするステップと、
を含み、
(i)が、第1のソースから第1の反応物質を蒸発させること及び第2のソースから第2の反応物質を蒸発させることによって前記ペロブスカイトを生成するための2つの反応物質を含む前記蒸気を生成するサブステップをさらに含む、
請求項42から47までのいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記第1の反応物質が、(i)金属カチオン及び(ii)第1のアニオンを含む第1の化合物を含み、並びに、前記第2の反応物質が、(i)有機カチオン及び(ii)第2のアニオンを含む第2の化合物を含む、請求項48に記載のプロセス。
- 前記有機カチオンが、化学式(R1R2R3R4N)+を有し、
R1が、水素、又は非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、
R2が、水素、又は非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、
R3が、水素、又は非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールであり、及び
R4が、水素、又は非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキル、又は非置換型若しくは置換型アリールである、
請求項49に記載のプロセス。 - 前記第1のアニオン及び前記第2のアニオンが、ハロゲン化物イオン又はカルコゲナイドイオンから選択される異なるアニオンである、請求項49又は50に記載のプロセス。
- 前記第1のアニオン及び前記第2のアニオンが、ハロゲン化物アニオンから選択される異なるアニオンである、請求項49から50までのいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記第1の反応物質が、BX2である第1の化合物を含み、及び前記第2の反応物質が、AX’である第2の化合物を含み、
Bが、Ca2+、Sr2+、Cd2+、Cu2+、Ni2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Pd2+、Ge2+、Sn2+、Pb2+、Yb2+及びEu2+から選択されるカチオンであり、
Xが、F−、Cl−、Br−及びI−から選択されるアニオンであり、
Aが、化学式(R5NH3)+のカチオンであり、R5が、水素、又は非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキルであり、
X’が、F−、Cl−、Br−及びI−から選択されるアニオンであり、並びに
X及びX’が、異なるアニオンである、
請求項48から52までのいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置する前記ステップ(b)が、
(iii)前記ペロブスカイトの前記固体層を加熱するサブステップ、
をさらに含む、請求項44から53までのいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置する前記ステップ(b)が、
(i)蒸気に前記第1の領域を曝すサブステップであって、前記蒸気が、第1のペロブスカイト前駆物質化合物を含み、前記第1の領域の上に前記第1のペロブスカイト前駆物質化合物の固体層を生成するために、前記第1の領域上への前記蒸気の堆積を可能にする、曝すサブステップと、
(ii)第2のペロブスカイト前駆物質化合物を含む溶液で前記第1のペロブスカイト前駆物質化合物の前記得られた固体層を処理するサブステップであって、これによって、開口気孔率のない前記ペロブスカイト半導体の前記層を生成するために、前記第1のペロブスカイト前駆物質化合物と前記第2のペロブスカイト前駆物質化合物とを反応させる、処理するサブステップと、
を含み、
前記第1のペロブスカイト前駆物質化合物が、(i)第1のカチオン及び(ii)第1のアニオンを含み、並びに前記第2のペロブスカイト前駆物質化合物が、(i)第2のカチオン及び(ii)第2のアニオンを含む、
請求項42に記載のプロセス。 - 前記第1のカチオン並びにアニオン及び前記第2のカチオン並びにアニオンが、請求項49から52までのいずれか一項に規定されるものである、請求項55に記載のプロセス。
- 前記第1のペロブスカイト前駆物質化合物が、化学式BX2を有し、及び前記第2のペロブスカイト前駆物質化合物が、化学式AX’を有し、
Bが、Ca2+、Sr2+、Cd2+、Cu2+、Ni2+、Mn2+、Fe2+、Co2+、Pd2+、Ge2+、Sn2+、Pb2+、Yb2+及びEu2+から選択されるカチオンであり、
Xが、F−、Cl−、Br−及びI−から選択されるアニオンであり、
Aが、化学式(R5NH3)+のカチオンであり、R5が、水素、又は非置換型若しくは置換型C1〜C20アルキルであり、
X’が、F−、Cl−、Br−及びI−から選択されるアニオンであり、並びに
X及びX’が、同じ又は異なるアニオンである、
請求項55に記載のプロセス。 - 前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置する前記ステップ(b)が、
(i)前記第1の領域の上に1つ又は複数の前駆物質溶液を配するサブステップであって、前記1つ又は複数の前駆物質溶液が、溶剤中に溶解した前記ペロブスカイト、又は1つ若しくは複数の溶剤中に溶解した前記ペロブスカイトを生成するための1つ若しくは複数の反応物質を含む、配するサブステップと、
(ii)前記ペロブスカイトの固体層を前記第1の領域の上に生成するために前記1つ又は複数の溶剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項42に記載のプロセス。 - 前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置する前記ステップ(b)が、
(i)前記第1の領域の上に前駆物質溶液を配するサブステップであって、前記前駆物質溶液が、溶剤中に溶解した前記ペロブスカイトを含む、配するサブステップと、
(ii)前記ペロブスカイトの固体層を前記第1の領域の上に生成するために、前記溶剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項42に記載のプロセス。 - 前記ペロブスカイトの前記固体層を前記第1の領域の上に生成するために、前記第1の領域上へと前記1つ又は複数の前駆物質溶液をスピンコートするステップを含む、請求項58又は59に記載のプロセス。
- 前記第1の領域の上に前記1つ又は複数の前駆物質溶液を配する前記ステップ及び前記1つ又は複数の溶剤を除去する前記ステップが、前記ペロブスカイトの前記固体層が100nmから100μmまで、好ましくは、100nmから700nmまでの厚さを有するまで行われる、請求項58から60までのいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置する前記ステップ(b)が、
(iii)前記ペロブスカイトの前記固体層を加熱するサブステップ、
をさらに含む、請求項58から61までのいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記ペロブスカイトの前記固体層を加熱する前記ステップが、不活性雰囲気中で前記ペロブスカイトの前記固体層を加熱するサブステップを含む、請求項54又は62に記載のプロセス。
- 前記ペロブスカイトの前記固体層が加熱される温度は、150℃を超えない、請求項54、62及び63のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記ペロブスカイトの前記固体層が、30℃から150℃までの温度で、好ましくは40℃から110℃までの温度で加熱される、請求項54、62、63及び64のいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記光活性領域が、
前記n型領域と、前記p型領域と、前記n型領域と前記p型領域との間に配置された、
(i)多孔性材料及び前記多孔性材料の孔内に配置されるペロブスカイト半導体を含む第1の層と、
(ii)前記第1の層の上に配置されたキャッピング層であって、前記キャッピング層が開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層である、キャッピング層と、
を含み、
前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記第1の層中の前記ペロブスカイト半導体と接触し、
前記プロセスが、
(a)前記第1の領域を設けるステップと、
(b)前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置するステップであって、前記第2の領域が、
(i)多孔性材料及び多孔性材料の気孔内に配置されるペロブスカイト半導体を含む第1の層と、
(ii)前記第1の層の上のキャッピング層であり、前記キャッピング層が、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の前記層であり、前記キャッピング層中の前記ペロブスカイト半導体が、前記第1の層中の前記ペロブスカイト半導体と接触する、キャッピング層と、
を含む、配置するステップと、
(c)前記第2の領域の上に前記第3の領域を配置するステップと
を含む、請求項42に記載のプロセス。 - 前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置する前記ステップ(b)が、
(i)前記第1の領域の上に多孔性材料を配置するサブステップと、
(ii)前記第1の層を生成するために前記多孔性材料の気孔内に前記ペロブスカイトを配するサブステップと、前記キャッピング層を生成するために前記第1の層の上へと前記ペロブスカイトをさらに配置するサブステップと、
を含む、請求項66に記載のプロセス。 - 前記多孔性材料の気孔内へと前記ペロブスカイトを前記配するステップ及び前記第1の層の上へと前記ペロブスカイトを前記さらに配置するステップが、単一ステップで一緒に実行される、請求項67に記載のプロセス。
- 前記第1の領域の上に多孔性材料を配置する前記ステップ(i)が、
前記第1の領域上へ組成物を配置するサブステップであって、前記組成物が、前記多孔性材料、溶剤、及び任意選択で結合剤を含む、配置するサブステップと、
前記溶剤及び、存在するときには、前記結合剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項67又は68に記載のプロセス。 - 前記第1の領域の上に前記多孔性材料を配置する前記ステップ(i)が、前記第1の領域上へと前記組成物をスクリーン印刷するサブステップ、ドクタ・ブレーディングするサブステップ、スピンコーティングするサブステップ、スロット・ダイ・コーティングするサブステップ又はスプレイ・コーティングするサブステップを含む、請求項69に記載のプロセス。
- 前記第1の領域の上に前記多孔性材料を配置する前記ステップ(i)が、前記組成物を加熱するサブステップをさらに含む、請求項69又は70に記載のプロセス。
- 前記組成物が、結合剤を含まず、前記組成物を加熱する温度が、150℃を超えない、請求項69に記載のプロセス。
- 前記第1の領域の上に前記多孔性材料を配置する前記ステップ(i)は、前記第1の領域の上に配置した前記多孔性材料の厚さが、5nmから1000nmまで、好ましくは、30nmから200nmまでになるまで実行される、請求項69から72までのいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記第1の層を生成するために前記多孔性材料の気孔内へと前記ペロブスカイトを配し、前記キャッピング層を生成するために前記第1の層の上へと前記ペロブスカイトをさらに配置するステップ(ii)は、前記キャッピング層が、100nmから100μmまで、好ましくは100nmから700nmまでの厚さを有するまで行われる、請求項69から73までのいずれか一項に記載のプロセス。
- ステップ(ii)は、
前記多孔性材料の上へと1つ又は複数の前駆物質溶液を配するサブステップであって、前記1つ又は複数の前駆物質溶液が、溶剤中に溶解した前記ペロブスカイト、又は1つ若しくは複数の溶剤中に溶解した前記ペロブスカイトを生成するための1つ若しくは複数の反応物質を含む、配するサブステップと、
前記多孔性材料の気孔内に固体ペロブスカイトを及び前記第1の層の上に配置された前記ペロブスカイトの固体キャッピング層を生成するために前記1つ又は複数の溶剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項69から74までのいずれか一項に記載のプロセス。 - ステップ(ii)は、
前記多孔性材料の上へと前駆物質溶液を配するサブステップであって、前記前駆物質溶液が、溶剤中に溶解した前記ペロブスカイトを含む、配するサブステップと、
前記多孔性材料の気孔内に固体ペロブスカイトを及び前記第1の層の上に配置された前記ペロブスカイトの固体キャッピング層を生成するために前記溶剤を除去するサブステップと、
を含む、請求項69から75までのいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記多孔性材料の気孔内に前記固体ペロブスカイトを及び前記第1の層の上に配置された前記ペロブスカイトの前記固体キャッピング層を生成するために、前記多孔性材料の上へと前記1つ又は複数の前駆物質溶液をスピンコーティングするステップ又はスロット・ダイ・コーティングするステップを含む、請求項69から76までのいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記第1の領域の上に前記第2の領域を配置するステップ(b)が、
(iii)前記ペロブスカイトを加熱するサブステップ、
をさらに含む、請求項69から77までのいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記ペロブスカイトを加熱する前記ステップが、不活性雰囲気中で前記ペロブスカイトを加熱するステップを含む、請求項78に記載のプロセス。
- 前記ペロブスカイトが加熱される温度が、150℃を超えない、請求項78又は79に記載のプロセス。
- 前記ペロブスカイトが、30℃から150℃までの温度で、好ましくは40℃から110℃までの温度で加熱される、請求項78から80までのいずれか一項に記載のプロセス。
- 光活性領域を含む反転型光起電力素子を製造するためのプロセスであって、前記光活性領域が、
少なくとも1つのn型層を含むn型領域と、
少なくとも1つのp型層を含むp型領域と、前記n型領域と前記p型領域との間に配置された、
厚さが10nmから100μmまでであり、n型領域またはp型領域とプレーナ・ヘテロ接合を形成する、開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層と、
を含み、前記プロセスが、
(a)第1の領域を設けるステップと、
前記第1の領域の上に第2の領域を配置するステップ(b)であり、前記第2の領域が、前記開口気孔率のないペロブスカイト半導体の層を含む、配置するステップと、
(c)前記第2の領域の上に第3の領域を配置するステップと、
を含み、
前記第1の領域が、少なくとも1つのp型層を含む前記p型領域であり、及び前記第3の領域が、少なくとも1つのn型層を含む前記n型領域であり、
前記第1の領域が、第1の電極の上に配置される、
プロセスである、請求項42から81までのいずれか一項に記載のプロセス。 - 前記第1の電極が、透明材料又は半透明材料を含む、請求項82に記載のプロセス。
- タンデム接合又は多接合光起電力素子を製造するためのプロセスであって、
(d)前記第3の領域の上にトンネル接合を配置するステップと、
(e)前記トンネル接合の上にさらなる光活性領域を配置するステップであり、前記さらなる光活性領域が、請求項42又は66において規定した前記光活性領域と同じである又は異なる、配置するステップと、
(f)任意選択でステップ(d)及び(e)を繰り返すステップと、
(g)前のステップにおいて配置した前記さらなる光活性領域の上に第2の電極を配置するステップと、
をさらに含む、請求項42から81までのいずれか一項に記載のプロセス。 - 全体のプロセスが、150℃を超えない1つ又は複数の温度で実行される、請求項42から84までのいずれか一項に記載のプロセス。
- 前記光起電力素子が、請求項1から41までのいずれか一項に規定されたものである、請求項42から85までのいずれか一項に記載のプロセス。
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