KR101686342B1 - 반투명 페로브스카이트 태양전지 및 제조 방법 - Google Patents

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권혁찬
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Abstract

본 발명은 투명기판 위에 형성된 투명전극과, 상기 투명 전극 상부에 형성되는 흡수층으로서, 복수의 기둥 형태의 기공이 형성된 나노기공구조의 지지체와 상기 지지체의 기공에 침투되어 있는 페로브스카이트 물질이 일체화되어 있는 흡수층과, 상기 흡수층 상에 형성되는 홀전도층을 포함하는 반투명 페로브스카이트 태양전지를 제공한다. 상기 흡수층은 용액 공정 기반으로 제조될 수 있고, 지지체와 일체화된 페로브스카이트 물질을 포함하는 복합 구조의 흡수층은 광투과도가 증가되고 산란 및 반사 손실이 줄어들어 광변환 효율이 향상되며, 개선된 성능의 반투명 태양전지로 활용될 수 있다.

Description

반투명 페로브스카이트 태양전지 및 제조 방법 {Semitransparent perovskite solar cells and fabrication thereof}
본 발명은 반투명성을 갖는 페로브스카이트 태양전지에 관한 것으로서, 상세하게는 투과도가 우수하고 효율이 향상되며 용액 공정으로 제조되는 반투명 페로브스카이트 태양전지를 제안한다.
태양전지 분야는 청정에너지에 관한 관심이 늘면서 지속적으로 활발하게 연구되고 있다. 태양전지의 효율 향상을 위한 노력으로는 흡수계수가 큰 물질, 광전하 이동도가 큰 물질로 변경을 하거나, 발생된 광전하를 효율적으로 전기로 변환될 수 있는 구조로 바꾸는 것이 있다. 특히 나노 구조화는 최근 계속해서 연구되고 있으며, 다공성 구조, 나노 피라미드 구조, 박막구조, 나노 와이어구조 등과 같은 많은 구조들이 연구되었다.
최근 태양전지가 반투명하게도 제작이 가능하다는 것이 알려지면서, 태양전지를 유리창에 적용하여 자가발전 건물이나 자동차에 사용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 만약 반투명 태양전지가 건물 유리창에 직접 적층되어 발전을 할 수 있게 된다면 기존에는 큰 면적이 필요하거나 지붕 정도에만 적용을 할 수 있었던 태양전지의 한계를 극복할 수 있을 것으로 보고 있다.
그러나 빛의 흡수량이 적은 반투명 태양전지의 특성상, 광변환 효율이 일반 태양전지보다 낮은 단점이 있다. 태양전지 자체를 유리창으로 사용하기 위해서는 투명성이 클수록 좋지만 투과도가 커질수록 효율이 더욱 낮아지는 한계를 갖는 것이다. 따라서 상용화를 위해서는 고 투명성을 가지면서도 높은 효율을 동시에 갖는 반투명 태양전지가 요구된다. 또한 기존의 반투명 태양전지는 결정질 실리콘 박막을 이용하였기 때문에 제조 비용이 과도한 문제도 안고 있다.(등록특허 10-833675호)
한편, 유기금속 할로겐(organometal halide) 페로브스카이트(perovskite) 태양전지가 저가의 제작 비용으로 고효율을 달성할 수 있는 태양전지로 각광을 받으며 관련 연구가 활발히 진행되고 있다. 물질 자체의 가격이 기존의 실리콘이나 고분자 태양전지에 비하여 저렴하고, 용액공정으로 저온에서 제작이 가능하다는 장점이 있어 저가 태양전지를 실현할 수 있는 기반을 갖추고 있다. 또한 페로브스카이트 자체의 광전기적 특성이 매우 우수하며 밴드갭에너지(band gap energy)가 태양전지로 활용하기에 매우 적합하여 고효율의 태양전지로 제작이 가능하다는 이점이 있다. 그러나 최근에 활발히 연구가 진행되는 페로브스카이트 태양전지는 주로 효율 향상에만 초점이 맞춰져 있고(예를 들어, 등록특허 10-1544317, 등록특허 10-1540364 등) 반투명 태양전지에 대해서는 큰 관심을 두지 않고 있다.
페로브스카이트 흡수층을 이용한 태양전지에 있어서도 반투명 태양전지를 제조할 수 있을 것이다. 그런데 페로브스카이트 물질은 저가의 용액공정으로 제작할 경우 표면이 거칠고 불균일하게 코팅이 되며, 반투명 태양전지로 제작하기 위해 얇게 코팅을 하더라도 표면이 균일하지 않아 충분한 투과도가 나오지 않는다는 단점이 있다.
이러한 문제로 인하여 페로브스카이트 태양전지는 반투명 태양전지 측면에서는 아직까지 효율과 투명성을 상용화 정도까지 끌어올리지는 못한 실정이다.
본 발명은 전술한 기술적 배경하에서 창안된 것으로, 본 발명의 목적은 투명성과 효율이 우수한 반투명 페로브스카이트 태양전지를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 저가의 공정으로 반투명 페로브스카이트 태양전지를 제조하는 것이다.
기타, 본 발명의 또 다른 목적 및 기술적 특징은 이하의 상세한 설명에서 보다 구체적으로 제시될 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 투명전극을 포함하는 투명기판을 준비하고, 상기 투명 전극 상부에 복수의 기둥 형태의 기공이 형성된 나노기공구조의 지지체를 형성하고, 상기 지지체의 기공에 페로브스카이트 물질을 용액 공정으로 침투시켜 지지체와 일체화되는 흡수층을 형성하고, 상기 흡수층 상에 홀전도층을 형성하는 단계를 포함하는 반투명 페로브스카이트 태양전지 제조방법을 제공한다.
상기 나노기공구조의 지지체는 양극산화알루미늄인 것이 바람직하며, 이 경우 상기 지지체는 투명기판의 투명 전극 상부로 Al 박막을 형성한 후 Al 박막을 어노다이징하고, 와이드닝시켜 형성한다.
상기 페로브스카이트 물질을 침투시키는 용액 공정은 페로브스카이트 물질을 구성하는 전체 물질을 용해시킨 용액으로 한번에 스핀코팅할 수도 있고, 페로브스카이트 물질을 구성하는 제1물질의 용액을 미리 코팅한 후, 제2물질의 용액에 디핑하여 순차적으로 진행할 수도 있다.
본 발명은 또한, 투명기판 위에 형성된 투명전극과, 상기 투명 전극 상부에 형성되는 흡수층으로서, 복수의 기둥 형태의 기공이 형성된 나노기공구조의 지지체와 상기 지지체의 기공에 페로브스카이트 물질이 침투되어 일체화되어 있는 흡수층과, 상기 흡수층 상에 형성되는 홀전도층을 포함하는 반투명 페로브스카이트 태양전지를 제공한다.
제조된 반투명 태양전지에서 흡수층의 투과도 및 태양전지의 효율 향성을 위해, 상기 나노기공구조의 지지체의 기공은 직경이 30 ~ 90 nm 의 범위로 제어하고, 나노기공구조의 지지체의 두께는 100 ~ 350 nm 의 범위로 제어하는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 투과도가 클 경우 낮은 효율을 보이는 기존의 반투명 태양전지의 단점을 개선하기 위해, 기공크기 및 기공도 등을 제어하여 나노 구조화된 AAO 지지체를 통해 반사 손실을 줄이며 높은 투과도 뿐만 아니라 높은 효율을 발현하는 반투명 페로브스카이트 태양전지를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 기존 태양전지의 광 흡수층의 제작이 고진공 증착 방법이나 고가의 물질을 사용하였으나, 흡수층의 지지체로서 AAO 층을 적용함으로써 페로브스카이트 광흡수층을 용액공정을 통해 나노기공 내부로 침투시켜 AAO 지지체와 페로브스카이트층이 일체화된 흡수층을 용이하게 제조할 수 있다.
본 발명은 또한, 대면적의 평탄한 흡수층을 제작할 수 있어 저반사 효과 및 광투과도 개선 효과를 기대할 수 있으며, 흡수층의 나노 구조화를 통하여 투과도 및 광전자 추출 효율을 더욱 개선시킬 수 있다.
도 1a 내지 1d는 본 발명의 반투명 태양전지의 페로브스카이트 흡수층 구조 및 제조 공정을 보인 모식도
도 2는 흡수층의 나노 구조화를 통한 투과도 향상을 보인 모식도
도 3은 AAO의 기공 안에 페로브스카이트 흡수층을 채워 넣은 전자현미경 사진
도 4는 본 발명의 실시예에 따라 FTO/TiO2/흡수층(AAO+perovskite)을 형성한 셀의 사진
도 5a는 본 발명의 실시예에 따른 반투명 태양전지와 비교예의 투과도 그래프
도 5b는 본 발명의 반투명 태양전지의 AAO 지지체 기공 크기에 따른 투과도 그래프
도 5c는 본 발명의 반투명 태양전지의 AAO 지지체 두께에 따른 투과도 그래프
도 6a는 본 발명의 실시예에 따른 반투명 태양전지와 비교예의 성능을 보인 그래프
도 6b는 본 발명의 실시예에 따른 태양전지의 다양한 흡수층 두께에 대한 성능을 보인 그래프
본 발명은 반투명성을 가지며 저가의 용액 공정을 적용하여 흡수층을 형성할 수 있는 페로브스카이트 태양전지를 제안한다.
용액 공정 기반의 반투명 페로브스카이트 태양전지는 용액 공정으로 제조된 흡수층의 투과도를 향상시켜, 태양전지 효율을 증가시키는 것이 가장 중요하다. 본 발명에서는 흡수층으로 사용되는 페로브스카이트 물질을 나노기공구조를 갖는 지지체 내부에 침투시켜 나노기공구조의 지지체와 페로브스카이드 물질이 일체화된 혼합 흡수층을 사용한다. 이와 같은 태양전지 흡수층의 나노 구조화를 통해 광반사 손실을 최소화시키고, 광투과성은 최대로 하면서도 효율적으로 광흡수와 광전하 전달을 제어하여 우수한 투명성과 광변환 특성을 부여할 수 있음을 확인하였다.
본 발명에 있어서, 상기 나노기공구조의 지지체로는 양극산화알루미늄(Anodized aluminum oxide : 이하 AAO)을 이용한다. 알루미늄을 양극으로 하여 통전하게 되면 양극에서 발생하는 산소에 의하여 알루미늄 면이 산화되고, 산화 알루미늄 피막이 형성된다. 이러한 양극산화(anodizing) 후에 산화된 알루미늄을 산에 천천히 녹이게 되면 양극산화 과정에서 구멍들이 넓어지면서 원기둥 모양의 기공이 형성된다(와이드닝(widening)). 이렇게 제작된 나노기공구조의 AAO는 다양한 나노재료의 구조를 형성하기 위한 주형(template)으로 이용되어 왔다.
본 발명에서는 박막 형태로 알루미늄을 투명전극 위에 형성하고 다양한 조건에서 광투과성과 광변환효율을 동시에 향상시킬 수 있는 기공 구조를 구현한 후, 기존의 나노재료와는 다르게 AAO 층을 제거하지 않은 채 태양전지의 흡수층 물질로 기공을 채워서 태양전지 흡수층 지지체로 이용하는 한편, 동시에 빛의 일부분이 통과할 수 있는 길을 마련하는 목적으로 활용한다.
도 1a 내지 1d을 참조하면, 양극산화알루미늄을 이용한 페로브스카이트 태양전지 제조 공정이 모식적으로 도시되어 있다.
먼저, 반투명 태양전지를 위하여 하부기판으로 유리를 사용하고, 그 위에 FTO 투명전극 및 N타입의 물질인 TiO2 층을 순차적으로 형성한다(도 1a). 투명전극과 TiO2 층은 용액 공정으로 코팅하여 형성할 수 있다. 다음으로, AAO 층을 형성한다(도 1b). AAO 층은 먼저 알루미늄 금속을 100 ~ 350nm 정도로 얇게 증착하거나 코팅 등에 의하여 형성한다. 알루미늄층은 양극산화(anodizing) 과정을 거쳐 작은 기공을 가지는 다공성의 산화알루미늄층으로 변화되며, 이후 산화알루미늄층을 산성용액에서 식각을 통해 기공의 크기를 늘리는 와이드닝(widening) 과정을 거쳐 제조된다. 이렇게 제작된 AAO 지지체에 페로브스카이트 전구체 용액을 스핀코팅(spin-coating)법으로 코팅하고, 약 100℃ 정도의 온도에서 열처리하여 페로브스카이트 물질이 AAO 의 기공에 침투되어, 나노기공구조의 AAO와 페로브스카이트 물질이 일체화된 흡수층이 완성된다(도 1c). 마지막으로 HTM 용액을 스핀코팅하여 흡수층 위에 홀전도층을 형성한다(도 1d).
페로브스카이트 물질은 지지체가 없는 구조에서 용액공정으로 제작할 시에 표면이 거칠고 불균일하게 코팅되며, 얇게 코팅해도 표면이 균일하지 않아 충분한 투과도가 나오지 않기 때문에 반투명 태양전지로 활용하는데 한계가 있었다(도 2 참조). 반면, 본 발명에서 제안하는 나노기공구조의 AAO에 침투되어 일체화된 페로브스카이트 흡수층은 균일하고 평탄한 필름으로 형성할 수 있고, 그 결과 투과도를 크게 향상시킬 수 있다. AAO 지지체를 제거하지 않고 빛을 흡수하는 층의 지지체로 사용함으로써 지지체가 없는 단일 필름 구조의 페로브스카이트 흡수층 대비 흡수층의 표면 거칠기를 개선하며, 빛이 AAO의 벽을 효과적으로 통과하도록 하고, 나아가 광전자가 직진 방향으로 효율적으로 이동되기 용이한 기둥(Colummnar) 구조의 흡수층을 구현할 수 있다.
이를 위하여 본 발명에 있어서, 흡수층의 AAO 지지체의 두께, AAO 지지체의 기공 크기, 기공도 등을 제어함으로써 투과도와 효율을 동시에 향상시킬 수 있다. 흡수층의 페로브스카이트 물질의 광흡수를 최대화하며 광전자 전달 효율을 높이기 위해 AAO 지지체의 기공 크기는 30 ~ 90 nm 의 범위가 바람직하다. 또한, AAO 지지체에 침투되어 일체화된 페로브스카이트층의 반사 손실을 줄이고 광흡수를 최대로 하기 위해 AAO 지지체(및 페로브스카이트층)의 두께는 100 ~ 350nm의 범위로 형성하는 것이 바람직하다.
AAO 지지체는 하부 기판 상부에 형성한 Al 박막을 20V ~ 50V 의 전압 조건에서 어노다이징하고, 20 ~ 35분 동안 와이드닝하여 기공 크기를 적절하게 제어할 수 있다. 제조된 AAO 지지체는 유기물 제거를 위해 200 ~ 500℃에서 5 ~ 30분간 후속적인 열처리를 진행할 수도 있다.
태양전지 흡수층으로 사용하는 페로브스카이트 물질은 분자구조가 ABX3 형태이며, 본 발명에서 A는 formamidinium (HC(NH2)2 +) 또는 methylammonium (CH3NH3 +)을 사용할 수 있고, B는 납(Pb) 또는 주석(Sn)을 사용할 수 있으며, X로는 할로겐 이온물질 - 염소이온(Cl-), 브롬이온(Br-), 요오드이온(I-) 등을 사용할 수 있다.
AAO 지지체의 기공 내부에 일체화되는 페로브스카이트 흡수층은 용액 공정 기반으로 침투시키는 것이 바람직하다. 이 경우 용액 공정은 유기 용매에 페로브스카이트 흡수층을 구성하는 전체 물질을 모두 용해시킨 용액을 한번에 코팅하여 지지체에 침투시킬 수도 있고, 흡수층을 구성하는 일부 물질의 용액을 미리 지지체에 코팅한 후 나머지 물질의 용액에 지지체를 디핑(dipping)하여 순차적으로 진행할 수도 있다.
한번의 코팅으로 흡수층을 형성하는 경우, 용매에 두 가지 물질을 용해시켜 코팅 용액을 준비할 수 있다. 예를 들어, 제1물질로는 formamidinium halide 또는 methylammonium halide), 제2물질로는 lead halide 또는 tin halide를 함께 용질로서 사용할 수 있다. 이 경우 halide에는 염소(Cl), 브롬(Br), 또는 요오드(I)가 포함될 수 있다. 단계적으로 또는 순차적인 흡수층의 형성 시, 예를 들어 PbI2 를 용해시킨 용액을 먼저 스핀코팅한 후 methylammonium iodide가 용해된 용액에 디핑 (dipping) 할 수도 있다. 페로브스카이트 흡수층 제조에 사용되는 유기 용매는 DMF(dimethylformamide), GBL(γ-Butyrolactone), DMSO(Dimethyl sulfoxide) 등을 사용할 수 있다.
한편, 지지체에 코팅되는 페로브스카이트 코팅층은 투과성을 변화시키기 위해 4000 ~ 8000rpm 의 스핀코팅 회전속도, 10 ~ 40wt%의 용액 농도 조절 등 다양한 조건을 통해 50 ~ 200nm의 두께로 형성될 수 있다. 스핀 코팅 후, 코팅층은 70 ~ 120℃ 에서 10 ~ 120 분간 열처리하여 지지체 기공 내부로 침투시킬 수 있다.
실시예 - 나노기공구조 지지체와 일체화된 페로브스카이트 흡수층
FTO 가 코팅된 유리기판 위에 TiO2 를 용액공정을 통해 약 50 nm 두께로 코팅하였다. 그 위에 알루미늄을 150 nm 로 코팅을 한 후, 옥살산 용액에서 40V 조건으로 어노다이징을 한 후, 인산 용액에서 30분간 와이드닝을 하여 AAO 층을 제작하였다. AAO 층의 두께는 약 150 nm 로 제작이 되었다.
이 기판에 25 wt%(질량백분율) 농도의 페로브스카이트 용액을 6000 rpm(분당 회전 횟수), 45초로 스핀코팅을 진행하여 페로브스카이트 물질의 두께도 150 nm 로 코팅을 하였다. 도 3은 AAO의 기공 안에 페로브스카이트 흡수층이 채워진 단면 구조를 보이고 있다.
본 실시예에서 페로브스카이트 물질로는 CH3NH3PbI3 - xClx 를 사용하였으며, methylammonium와 납(Pb), I- 및 Cl- 을 포함하는 용액을 스핀 코팅하였다. 구체적으로는 DMF 용매에 methylammonium iodide (CH3NH3I)와 PbCl2 를 3 : 1의 비율로 혼합하여 얻어진 용액을 사용하였다. 투명 기판 위에 투명전극(FTO), TiO2층, 흡수층(AAO+perovskite)을 순차적으로 형성한 셀의 사진을 도 4에 도시하였다. 반투명성 셀이 얻어진 것을 알 수 있다.
페로브스카이트 흡수층을 형성한 후, 홀(hole) 전도물질인 spiro-OMeTAD 을 코팅하였다.
반투명 페로브스카이트 태양전지의 성능 테스트
본 발명의 실시예에 따른 태양전지(AAO 지지체 포함 흡수층)와 비교예로서 나노기공구조의 지지체 없이 페로브스카이트 물질만 단일층으로(planar) 코팅한 흡수층에 대해 투과도를 테스트하고 그 결과를 도 5a에 도시하였다.
전체적으로 본 발명의 실시예에 따른 태양전지가 평균 가시광선 투과도(Average Visible Transmittance : AVT) 측면에서 모두 우수한 것을 알 수 있다. 또한, 비교예의 경우 전체 투과도(Total transmittance, 투과되는 모든 빛)와 정 투과도(specular transmittance, 직선으로 투과되는 빛)의 차이가 많이 나는 것을 알 수 있다. 이러한 결과는 페로브스카이트 단일층의 흡수층의 경우 불균일한 표면 구조로 인하여 빛의 산란이 많이 발생되는데 기인한다.
다음으로, 다양한 양극산화 조건 및 와이드닝 조건을 통해 AAO 지지체의 기공 크기를 달리하여 흡수층을 제작하고, 비교예와 함께 투과도를 측정하여 그 결과를 도 5b에 도시하였다. 기공 크기가 53 nm인 지지체를 포함하는 흡수층에서 가시광선 영역인 400 ~ 800nm 에서 평균 투과도가 약 30% 가까이로 측정되었고(27.57%의 투과도), 기공 크기와 상관없이 비교예(planar 13.91%의 투과도) 보다 높은 투과도를 보이는 것을 확인하였다.
또한, AAO 지지체에 코팅되는 페로브스카이트 물질의 코팅 두께에 따른 투과도 차이를 도 5c에 도시하였다. 지지체의 기공을 66 nm로 일정하게 하고 페로브스카이트 코팅층의 두께를 다르게 한 결과, 코팅층의 두께가 90 nm의 경우 가시광선 영역인 400 ~ 800nm 에서 평균 투과도가 43.29% 로 매우 높게 나타나는 것을 확인하였다.
이러한 결과로부터 지지체의 기공 및 페로브스카이트 물질의 코팅 두께를 변화시킴으로써 지지체 및 그 내부에 침투된 페로브스카이트 물질이 복합된 흡수층의 투과도를 반투명 태양전지의 성능에 부합하게 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
AAO 지지체를 포함하는 복합 구조의 흡수층과 페로브스카이트 단일층(planar 구조)만으로 구성된 흡수층을 갖는 각각의 태양전지에 대해 성능을 테스트하여 도 6a에 그 결과를 나타내었다. AAO 지지체 복합 구조와 planar 구조에서의 페로브스카이트 흡수층의 두께는 동일하게 150 nm로 형성하였다. AAO 구조의 효율은 9.74%인 반면, planar 구조에서의 효율이 8.08%로 낮게 나타났다.
또한, 페로브스카이트 용액 농도 또는 코팅 조건을 변화시켜 코팅층의 두께를 90nm ~ 220nm로 달리하여 제작한 태양전지에 대해 성능을 테스트하고 그 결과를 도 6b에 도시하였다. 220nm 두께의 샘플에서 효율 11.72 % 을 보여 코팅층 두께와 효율의 상관성을 확인하였다.
이와 같은 투과도 및 성능 테스트 결과를 종합할 때 본 발명의 나노기공구조 지지체와 페로브스카이트 물질이 일체화된 흡수층의 경우 반투명 태양전지의 효율 향상 및 상용화에 크게 기여할 수 있을 것으로 기대된다. 본 발명에 따른 AAO 지지체의 기공 내부로 흡수층 재료를 액상상태로 침투시켜 일체화시키는 복합 구조의 흡수층은 고분자 태양전지, 염료감응형 태양전지, 칼로겐화합물 태양전지 등에도 적용될 수 있으며, 바람직하게는 저온 액상 공정이 용이한 유-무기 페로브스카이트 흡수층 재료를 사용하는 투명 태양전지 또는 반투명 태양전지 제작에 더욱 유용하게 적용될 수 있다.
이상에서 바람직한 실시예를 통하여 본 발명을 예시적으로 설명하였으나, 본 발명은 이와 같은 특정 실시예에만 한정되는 것은 아니며 본 발명에서 제시한 기술적 사상, 구체적으로는 특허청구범위에 기재된 범주 내에서 다양한 형태로 수정, 변경, 또는 개선될 수 있을 것이다.

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  11. 투명기판 위에 형성된 투명전극과,
    상기 투명 전극 상부에 형성되는 흡수층으로서, 복수의 기둥 형태의 기공이 형성된 양극산화알루미늄 나노기공구조의 지지체와 상기 지지체의 기공에 페로브스카이트 물질이 침투되어 일체화되어 있는 흡수층과,
    상기 흡수층 상에 형성되는 홀전도층을 포함하고,
    상기 나노기공구조의 지지체의 기공은 직경이 30 ~ 90 nm 의 범위이며, 상기 나노기공구조의 지지체의 두께는 100 ~ 350 nm 의 범위이고, 상기 페로브스카이트 물질은 4000 ~ 8000rpm 의 스핀코팅 회전속도와 10 ~ 30wt% 의 용액농도로 조절하여 지지체 상면에 50 ~ 200nm 두께로 코팅하여 나노기공구조와 일체화되며,
    상기 흡수층의 투과도는 40%를 초과하는 것을 특징으로 하는
    반투명 페로브스카이트 태양전지.
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  15. 제11항에 있어서,
    상기 페로브스카이트 물질은 ABX3 형태의 분자식에서, A는 formamidinium (HC(NH2)2 +) 또는 methylammonium (CH3NH3 +), B는 납(Pb) 또는 주석(Sn), X는 할로겐 이온물질 - 염소이온(Cl-), 브롬이온(Br-), 또는 요오드이온(I-)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반투명 페로브스카이트 태양전지.
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