CN112242491B - 一种无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种无电子输运层的钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池器件的制备技术领域，具体制备过程包括制备n型半导体纳米颗粒掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层、制备PMMA钝化层及制备无电子输运层钙钛矿太阳能电池等步骤。本发明所提供的方法简单易行，制备的样品具有较高的光电转换效率，同时可以大大提高钙钛矿太阳能电池的稳定性，稳定性的解决有助于钙钛矿太阳能电池的规模化应用。
Description
技术领域
本发明属于太阳能电池器件的制备技术领域，具体涉及一种无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法。
背景技术
钙钛矿太阳能电池因具有优异的性能而受到人们的广泛关注。通常的钙钛矿太阳能电池器件的结构主要分为正置结构和倒置结构两种。无论是正置结构还是倒置结构中都需要电子传输层和空穴传输层。电子传输层可以降低电极和钙钛矿之间的势垒，促进载流子的传输，也可以有效的阻挡空穴，从而抑制电子和空穴在界面处的复合。由于电子和空穴的相对质量存在过大差异，同时电子提取效率和空穴提取效率的过大差异，会引起钙钛矿太阳能器件强烈的迟滞效应，为了解决这一问题，同时并不降低钙钛矿太阳能电池的光电转换效率，本发明主要在光吸收层引入电子掺杂，在光吸收层中引入梯度带隙，提高光吸收层中的光生电子提取和传输效率，基于这一特点可以钙钛矿太阳能电池器件中的电子输运层。在不降低钙钛矿太阳能电池器件光电转换效率的基础上，制备无电子传输层钙钛矿太阳能电池器件。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供了一种电池结构简单且性能优良的无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法利用电子传输层材料对钙钛矿太阳能电池中的光吸收层进行掺杂，制备无电子传输层钙钛矿太阳能电池器件，以便在不降低钙钛矿太阳能电池器件光电转换效率的基础上简化钙钛矿太阳能电池器件的结构。
本发明为解决上述技术问题采用如下技术方案，一种无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于具体步骤为：
步骤S100：制备钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S101：将CH3NH3I粉末和PbI2粉末混合后分散于DMF和DMSO的混合溶剂中，再于60℃搅拌10-15h得到钙钛矿前驱液，将得到的钙钛矿前驱液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到澄清的钙钛矿光吸收层前驱溶液；
步骤S200：制备n型半导体材料TiO2纳米颗粒掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液；
步骤S201：将锐钛矿相TiO2纳米晶体分散于氯仿和无水乙醇的混合溶剂中制得浓度不超过5wt%的TiO2胶体溶液；
步骤S202：将PCBM分散于氯苯中制得浓度为50mg mL-1的PCBM前驱溶液；
步骤S203：将CH3NH3I粉末和PbI2粉末混合后分散于DMF和DMSO的混合溶剂中，再于60℃搅拌10-15h得到钙钛矿前驱液，将得到的钙钛矿前驱液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到澄清的钙钛矿前驱液；
步骤S204：将步骤S201制得的TiO2胶体溶液和步骤S202制得的PCBM前驱溶液滴加到步骤S203制得的澄清的钙钛矿前驱液中，继续于60℃搅拌1-2h；
步骤S205：将步骤S204得到的混合溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到TiO2和PCBM掺杂的电子型钙钛矿光吸收层前驱溶液；
步骤S300：制备空穴传输层前驱液
步骤S301：将Spiro-OMeTAD分散于氯苯中并加入锂盐溶液和TBP，再将配好的溶液在室温下搅拌3-5h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到空穴传输层前驱液；
步骤S400：制备PMMA前驱体溶液
步骤S401：将PMMA粉末分散于氯苯中，再于60℃搅拌7-10h；
步骤S402：将步骤S401得到的PMMA溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤得到PMMA前驱体溶液；
步骤S500：清洗ITO基片
步骤S501：将ITO基片分别在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声洗涤15-20min并重复1-2次以除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S502：将步骤S501超声洗涤后的ITO基片放入干燥箱中，在100℃条件下干燥15-20min；
步骤S503：将步骤S502处理后的ITO基片放入紫外臭氧机中紫外照射臭氧10-20min即得干净的ITO基片；
步骤S600：制备无电子传输层结钙钛矿太阳能电池器件
步骤S601：用移液枪取20-30μL步骤S205得到的TiO2和PCBM掺杂的电子型钙钛矿光吸收层前驱溶液直接涂覆在步骤S503得到的干净的ITO基片上，旋涂参数设置为6000rpm旋凃30s，在旋凃第5-8s时滴加80-100μL氯苯，旋凃结束后放置在加热台上于100℃退火30min形成电子掺杂型钙钛矿光吸收层；
步骤S602：在步骤S601得到的电子掺杂型钙钛矿光吸收层上均匀涂覆S402得到的PMMA前驱溶液，旋涂参数设置为5000-6000rpm旋涂10-20s，再于100-105℃退火5-10min形成厚度为5-10nm的PMMA超薄层；
步骤S603：用移液枪量取20-30μL步骤S101制备的钙钛矿光吸收层前驱溶液均匀涂覆在步骤S602得到的PMMA超薄层上，旋涂参数设置为5000-6000rpm旋凃20-30s，在旋凃第5-8s时滴加80-100μL氯苯，旋凃结束后放置在加热台上于100-105℃退火20-30min形成梯度带隙的钙钛矿光吸收层；
步骤S700：空穴传输层的制备
步骤S701：用移液枪取25μL步骤S301得到空穴传输层前驱液均匀涂覆在步骤S603得到的钙钛矿光吸收层上，旋涂参数设置为6000rpm旋涂30s，旋涂结束后放置于湿度小于10%的恒温恒湿箱中氧化15-20h；
步骤S800：金电极的制备
步骤S801：将步骤S701氧化处理后的器件放置于真空蒸镀仪中，在4.0*10-5Pa高真空条件下蒸镀得到厚度为80-100nm的金电极。
进一步优选，步骤S101所述CH3NH3I粉末、PbI2粉末与DMF和DMSO的混合溶剂的投料配比为223mg:645mg:1mL，其中DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1。
进一步优选，步骤S201中所述氯仿和无水乙醇的混合溶剂中氯仿与无水乙醇的体积比为1:1-2；步骤S202中所述PCBM与氯苯的投料配比为50mg:1mL；步骤S203中所述CH3NH3I粉末、PbI2粉末与DMF和DMSO的混合溶剂的投料配比为223mg:645mg:1mL，其中DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1。
进一步优选，步骤S301中所述Spiro-OMeTAD与氯苯的投料配比为90mg:1mL，锂盐溶液、TBP与Spiro-OMeTAD的投料配比为22.5μL:36μL:90mg，锂盐溶液的浓度为520mg mL-1，锂盐溶液中的溶剂为乙腈。
进一步优选，步骤S401中PMMA与氯苯的投料配比为3-5mg:1mL。
本发明与现有技术相比具有以下优点：本发明的特点是利用双层钙钛矿太阳能电池光吸收层，其中在同ITO接近层中引入n型半导体材料TiO2掺杂使其起到光吸收层和电子输运层的双重作用，同时在光吸收层中引入梯度带隙，提高光吸收层中的光生电子提取和传输效率，在不降低钙钛矿太阳能电池效率的基础上简化钙钛矿太阳能电池器件的结构。
附图说明
图1是本发明实施例1制得钙钛矿太阳能电池的结构示意图；
图2是本发明实施例1制得的钙钛矿太阳能电池的光吸收层的表面形貌图；
图3是本发明实施例1制得的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线。
具体实施方式
以下通过实施例对本发明的上述内容做进一步详细说明，但不应该将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本发明上述内容实现的技术均属于本发明的范围。
实施例1
步骤S100：制备钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S101：将CH3NH3I粉末和PbI2粉末混合后分散于DMF和DMSO的混合溶剂中，计量比为CH3NH3I粉末：PbI2粉末：（DMF和DMSO的混合溶剂）=223mg：645mg：1mL，DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1；然后用磁力搅拌器于60℃搅拌10h得到钙钛矿前驱液，将所得的钙钛矿前驱液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到澄清的钙钛矿光吸收层前驱溶液；
步骤S200：制备n型半导体材料TiO2纳米颗粒掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S201：将锐钛矿相TiO2纳米晶体分散在1mL氯仿和无水乙醇的混合溶剂中制得浓度为4.5wt%的TiO2胶体溶液，其中氯仿和无水乙醇的混合溶剂中氯仿与无水乙醇的体积比为1:1；
步骤S202：将PCBM溶解在氯苯中制得浓度为50mg mL-1的PCBM前驱溶液；
步骤S203：将CH3NH3I粉末和PbI2粉末混合后分散于DMF和DMSO的混合溶剂中，计量比为CH3NH3I粉末：PbI2粉末：（DMF和DMSO的混合溶剂）=223mg：645mg：1mL，DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1；然后用磁力搅拌器于60℃搅拌10h得到钙钛矿前驱液，将所得的钙钛矿前驱液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到澄清的钙钛矿前驱液；
步骤S204：将步骤S201制得的TiO2胶体溶液和步骤S202制备的PCBM前驱溶液滴加到步骤S203得到的澄清的钙钛矿前驱液中，继续于60℃搅拌2h；
步骤S205：将步骤S204得到的混合溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到TiO2和PCBM掺杂的电子型钙钛矿光吸收层前驱溶液；
步骤S300：制备空穴传输层前驱液
步骤S301：将Spiro-OMeTAD溶于氯苯中，Spiro-OMeTAD同氯苯的计量比为90mg：1mL，然后添加锂盐溶液和TBP，锂盐溶液和TBP同Spiro-OMeTAD的比例为22.5μL:36μL:90mg，其中锂盐溶液的浓度为520mg mL-1，锂盐溶液中的溶剂为乙腈，将上述配好的溶液在室温下搅拌5h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到空穴传输层前驱液；
步骤S400：制备PMMA前驱体溶液
步骤S401：称取4mg PMMA粉末分散于1mL氯苯中，然后用磁力搅拌器于60℃搅拌10h；
步骤S402：将步骤S401所得的PMMA溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤得到PMMA前驱溶液；
步骤S500：清洗ITO基片
步骤S501：将ITO基片分别在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声洗涤20min并重复2次以除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S502：将步骤S501超声洗涤后的ITO基片放入干燥箱中，在100℃条件下干燥15-20min；
步骤S503：将步骤S502处理后的ITO基片放入紫外臭氧机中紫外照射臭氧10min即得干净的ITO基片；
步骤S600：制备无电子传输层结钙钛矿太阳能电池器件
步骤S601：用移液枪取20μL步骤S205得到的TiO2和PCBM掺杂的电子型钙钛矿光吸收层前驱溶液直接涂覆在步骤S503得到的干净的ITO基片上，旋涂参数设置为6000rpm旋凃30s，在旋凃第5s时滴加80μL氯苯，旋凃结束后放置在加热台上于100℃退火30min形成电子掺杂型钙钛矿光吸收层；
步骤S602：在步骤S601得到的电子掺杂型钙钛矿光吸收层上均匀涂覆S402得到的PMMA前驱溶液，旋涂参数设置为5000rpm旋涂20s，再于100℃退火10min形成厚度约为10nm的PMMA超薄层；
步骤S603：用移液枪量取30μL步骤S101制备的钙钛矿光吸收层前驱溶液均匀涂覆在步骤S602得到的PMMA超薄层上，旋涂参数设置为5000rpm旋凃30s，在旋凃第5s时滴加80μL氯苯，旋凃结束后放置在加热台上于100℃退火20min形成梯度带隙的钙钛矿光吸收层；
步骤S700：空穴传输层的制备
步骤S701：用移液枪取25μL步骤S301得到空穴传输层前驱液均匀涂覆在步骤S603得到的钙钛矿光吸收层上，旋涂参数设置为6000rpm旋涂30s，旋涂结束后放置于湿度小于10%的恒温恒湿箱中氧化15h；
步骤S800：金电极的制备
步骤S801：将步骤S701氧化处理后的器件放置于真空蒸镀仪中，在4.0*10-5Pa高真空条件下蒸镀得到厚度约为100nm的金电极。
图2是本实施例制得的钙钛矿太阳能电池的光吸收层的表面形貌图；
图3是本实施例制得的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线。
实施例2
步骤S100：制备钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S101：将CH3NH3I粉末和PbI2粉末混合后分散于DMF和DMSO的混合溶剂中，计量比为CH3NH3I粉末：PbI2粉末：（DMF和DMSO的混合溶剂）=223mg：645mg：1mL，DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1；然后用磁力搅拌器于60℃搅拌10h得到钙钛矿前驱液，将所得的钙钛矿前驱液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到澄清的钙钛矿光吸收层前驱溶液；
步骤S200：制备n型半导体材料TiO2纳米颗粒掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S201：将锐钛矿相TiO2纳米晶体分散在1mL氯仿和无水乙醇的混合溶剂中制得浓度为4.0wt%的TiO2胶体溶液，氯仿和无水乙醇的混合溶剂中氯仿与无水乙醇的体积比为1:2；
步骤S202：将PCBM溶解在氯苯中制得浓度为50mg mL-1的PCBM前驱溶液；
步骤S203：将CH3NH3I粉末和PbI2粉末混合后分散于DMF和DMSO的混合溶剂中，计量比为CH3NH3I粉末：PbI2粉末：（DMF和DMSO的混合溶剂）=223mg：645mg：1mL，DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1；然后用磁力搅拌器于60℃搅拌10h得到钙钛矿前驱液，将所得的钙钛矿前驱液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到澄清的钙钛矿前驱液；
步骤S204：将步骤S201制得的TiO2胶体溶液和步骤S202制备的PCBM前驱溶液滴加到步骤S203得到的澄清的钙钛矿前驱液中，继续于60℃搅拌2h；
步骤S205：将步骤S204得到的混合溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到TiO2和PCBM掺杂的电子型钙钛矿光吸收层前驱溶液；
步骤S300：制备空穴传输层前驱液
步骤S301：将Spiro-OMeTAD溶于氯苯中，Spiro-OMeTAD同氯苯的计量比为90mg：1mL，然后添加锂盐溶液和TBP，锂盐溶液和TBP同Spiro-OMeTAD的比例为22.5μL:36μL:90mg，其中锂盐溶液的浓度为520mg mL-1，锂盐溶液中的溶剂为乙腈，将上述配好的溶液在室温下搅拌3h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到空穴传输层前驱液；
步骤S400：制备PMMA前驱体溶液
步骤S401：称取5mg PMMA粉末分散于1mL氯苯中，然后用磁力搅拌器于60℃搅拌10h；
步骤S402：将步骤S401所得的PMMA溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤得到PMMA前驱溶液；
步骤S500：清洗ITO基片
步骤S501：将ITO基片分别在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声洗涤15min并重复2次以除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S502：将步骤S501超声洗涤后的ITO基片放入干燥箱中，在100℃条件下干燥20min；
步骤S503：将步骤S502处理后的ITO基片放入紫外臭氧机中紫外照射臭氧10min即得干净的ITO基片；
步骤S600：制备无电子传输层结钙钛矿太阳能电池器件
步骤S601：用移液枪取30μL步骤S205得到的TiO2和PCBM掺杂的电子型钙钛矿光吸收层前驱溶液直接涂覆在步骤S503得到的干净的ITO基片上，旋涂参数设置为6000rpm旋凃30s，在旋凃第8s时滴加100μL氯苯，旋凃结束后放置在加热台上于100℃退火30min形成电子掺杂型钙钛矿光吸收层；
步骤S602：在步骤S601得到的电子掺杂型钙钛矿光吸收层上均匀涂覆S402得到的PMMA前驱溶液，旋涂参数设置为5000rpm旋涂20s，再于105℃退火5min形成厚度约为10nm的PMMA超薄层；
步骤S603：用移液枪量取30μL步骤S101制备的钙钛矿光吸收层前驱溶液均匀涂覆在步骤S602得到的PMMA超薄层上，旋涂参数设置为6000rpm旋凃30s，在旋凃第8s时滴加100μL氯苯，旋凃结束后放置在加热台上于105℃退火20min形成梯度带隙的钙钛矿光吸收层；
步骤S700：空穴传输层的制备
步骤S701：用移液枪取25μL步骤S301得到空穴传输层前驱液均匀涂覆在步骤S603得到的钙钛矿光吸收层上，旋涂参数设置为6000rpm旋涂30s，旋涂结束后放置于湿度小于10%的恒温恒湿箱中氧化20h；
步骤S800：金电极的制备
步骤S801：将步骤S701氧化处理后的器件放置于真空蒸镀仪中，在4.0*10-5Pa高真空条件下蒸镀得到厚度约为100nm的金电极。
以上显示和描述了本发明的基本原理，主要特征和优点，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围。
Claims (5)
1.一种无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于具体步骤为：
步骤S100：制备钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S101：将CH3NH3I粉末和PbI2粉末混合后分散于DMF和DMSO的混合溶剂中，再于60℃搅拌10-15h得到钙钛矿前驱液，将得到的钙钛矿前驱液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到澄清的钙钛矿光吸收层前驱溶液；
步骤S200：制备TiO2和PCBM掺杂的电子型钙钛矿光吸收层前驱溶液
步骤S201：将锐钛矿相TiO2纳米晶体分散于氯仿和无水乙醇的混合溶剂中制得浓度不超过5wt%的TiO2胶体溶液；
步骤S202：将PCBM分散于氯苯中制得浓度为50mg mL-1的PCBM前驱溶液；
步骤S203：将CH3NH3I粉末和PbI2粉末混合后分散于DMF和DMSO的混合溶剂中，再于60℃搅拌10-15h得到钙钛矿前驱液，将得到的钙钛矿前驱液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到澄清的钙钛矿前驱液；
步骤S204：将步骤S201制得的TiO2胶体溶液和步骤S202制得的PCBM前驱溶液滴加到步骤S203制得的澄清的钙钛矿前驱液中，继续于60℃搅拌1-2h；
步骤S205：将步骤S204得到的混合溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到TiO2和PCBM掺杂的电子型钙钛矿光吸收层前驱溶液；
步骤S300：制备空穴传输层前驱液
步骤S301：将Spiro-OMeTAD分散于氯苯中并加入锂盐溶液和TBP，再将配好的溶液在室温下搅拌3-5h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到空穴传输层前驱液；
步骤S400：制备PMMA前驱体溶液
步骤S401：将PMMA粉末分散于氯苯中，再于60℃搅拌7-10h；
步骤S402：将步骤S401得到的PMMA溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤得到PMMA前驱体溶液；
步骤S500：清洗ITO基片
步骤S501：将ITO基片分别在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声洗涤15-20min并重复1-2次以除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S502：将步骤S501超声洗涤后的ITO基片放入干燥箱中，在100℃条件下干燥15-20min；
步骤S503：将步骤S502处理后的ITO基片放入紫外臭氧机中紫外照射臭氧10-20min即得干净的ITO基片；
步骤S600：钙钛矿光吸收层的制备
步骤S601：用移液枪取20-30μL步骤S205得到的TiO2和PCBM掺杂的电子型钙钛矿光吸收层前驱溶液直接涂覆在步骤S503得到的干净的ITO基片上，旋涂参数设置为6000rpm旋凃30s，在旋凃第5-8s时滴加80-100μL氯苯，旋凃结束后放置在加热台上于100℃退火30min形成电子掺杂型钙钛矿光吸收层；
步骤S602：在步骤S601得到的电子掺杂型钙钛矿光吸收层上均匀涂覆S402得到的PMMA前驱溶液，旋涂参数设置为5000-6000rpm旋涂10-20s，再于100-105℃退火5-10min形成厚度为5-10nm的PMMA超薄层；
步骤S603：用移液枪量取20-30μL步骤S101制备的钙钛矿光吸收层前驱溶液均匀涂覆在步骤S602得到的PMMA超薄层上，旋涂参数设置为5000-6000rpm旋凃20-30s，在旋凃第5-8s时滴加80-100μL氯苯，旋凃结束后放置在加热台上于100-105℃退火20-30min形成梯度带隙的钙钛矿光吸收层；
步骤S700：空穴传输层的制备
步骤S701：用移液枪取25μL步骤S301得到空穴传输层前驱液均匀涂覆在步骤S603得到的钙钛矿光吸收层上，旋涂参数设置为6000rpm旋涂30s，旋涂结束后放置于湿度小于10%的恒温恒湿箱中氧化15-20h；
步骤S800：金电极的制备
步骤S801：将步骤S701氧化处理后的器件放置于真空蒸镀仪中，在4.0*10-5Pa高真空条件下蒸镀得到厚度为80-100nm的金电极。
2.根据权利要求1所述的无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S101所述CH3NH3I粉末、PbI2粉末与DMF和DMSO的混合溶剂的投料配比为223mg:645mg:1mL，其中DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1。
3.根据权利要求1所述的无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S201中所述氯仿和无水乙醇的混合溶剂中氯仿与无水乙醇的体积比为1:1-2；步骤S202中所述PCBM与氯苯的投料配比为50mg:1mL；步骤S203中所述CH3NH3I粉末、PbI2粉末与DMF和DMSO的混合溶剂的投料配比为223mg:645mg:1mL，其中DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1。
4. 根据权利要求1所述的无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S301中所述Spiro-OMeTAD与氯苯的投料配比为90mg:1mL，锂盐溶液、TBP与Spiro-OMeTAD的投料配比为22.5μL:36μL:90mg，锂盐溶液的浓度为520mg mL-1，锂盐溶液中的溶剂为乙腈。
5.根据权利要求1所述的无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S401中PMMA与氯苯的投料配比为3-5mg:1mL。
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