CN112687810A - 一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，分别利用电子传输层材料和空穴传输层材料对钙钛矿太阳能电池中的光吸收层进行掺杂，制备n型掺杂和P型掺杂的异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层。主要包括以下几个方面：制备n型钙钛矿光吸收层；制备p型钙钛矿光吸收层；制备异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层。在同电子传输层接触部分的光吸收层中引入n型半导体材料TiO2掺杂，实现光吸收层中电子的快速提取；在同空穴传输层接触部分的光吸收层中引入p型有机半导体材料Spiro‑OMeTAD掺杂，实现光生空穴的快速提取。利用此方法实现钙钛矿太阳能电池性能的进一步提高。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池器件的制备技术领域，具体涉及一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法。
背景技术
钙钛矿太阳能电池是一种以有机-无机杂化钙钛矿结构材料为光吸收层的新型太阳能电池。钙钛矿光吸收层具有高的载流子迁移率、长的扩散长度、大的吸收系数、高的缺陷容忍度等优点。通常的钙钛矿太阳能电池器件的结构主要为电极/电子传输层/光吸收层/空穴传输层/电极，电子传输层/光吸收层以及光吸收层/空穴传输层之间的界面存在很强的界面效应，影响电子和空穴的提取和传输，进而影响太阳能电池的效率。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供了一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，该方法分别利用n型半导体材料TiO2和p型半导体材料Spiro-OMeTAD对钙钛矿太阳能电池中的光吸收层进行掺杂，最终制备n型掺杂和P型掺杂的异质结光吸收层，以便实现钙钛矿太阳能电池性能的进一步提高。
本发明为解决上述技术问题采用如下技术方案，一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于具体步骤为：
步骤S100：制备n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S101：将锐钛矿相的TiO2纳米颗粒分散在氯仿与无水乙醇的混合溶剂中制备浓度不超过5wt%的纳米TiO2前驱液；
步骤S102：称量CH3NH3I和PbI2试剂并将两者溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中，然后用磁力搅拌器于50-60℃搅拌10-15h得到浓度为1.5-1.8mol/mL的澄清钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S103：将步骤S101制得的TiO2前驱液和步骤S102制得的钙钛矿光吸收层前驱液按照体积比1-10:100混合，再于50-60℃搅拌1-2h，将搅拌后的混合溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤，得到n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液；
步骤S200：制备P型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S201：将Spiro-OMeTAD用氯苯溶解制得浓度不超过10wt%的spiro-OMeTAD前驱液；
步骤S202：将CH3NH3I和PbI2混合后溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中，然后用磁力搅拌器于50-60℃搅拌10-15h得到浓度为1.5-1.8mol/mL的澄清钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S203：将步骤S201制得的Spiro-OMeTAD前驱液和步骤S202制得的钙钛矿光吸收层前驱液按照体积比1-10:100混合，再于50-60℃搅拌1-2h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤，得到p型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液；
步骤S300：制备空穴传输层前驱液
步骤S301：将Spiro-OMeTAD溶于氯苯，然后添加锂盐和TBP，其中锂盐浓度为500-520mg mL-1，溶剂为乙腈，于室温搅拌3-5h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到空穴传输层前驱液；
步骤S400：ITO基片的清洗
步骤S500：制备异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池
步骤S501：在步骤S400得到的ITO基片上涂覆氯包覆的二氧化钛纳米胶体溶液，制备电子传输层，旋凃参数为：旋涂转速3000-4000rpm、旋凃时间30-40s，旋凃结束后放置于加热台上于140-150℃加热20-30min；
步骤S502：用移液枪量取20-30μL经过步骤S103制备的n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液，涂覆在经过步骤S501制备的电子传输层上，旋涂参数为：5000-6000rpm旋凃20-30s，在旋凃第5-8s时滴加80-100μL氯苯，旋凃结束后将得到的薄膜放置在加热台上于90-100℃退火30min形成体异质结电子掺杂型钙钛矿光吸收层；
步骤S503：用移液枪量取20-30μL经过步骤S203制备的p型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液，涂覆在经过步骤S502制备的电子掺杂型钙钛矿光吸收层上，旋涂参数为：5000-6000rpm旋凃20-30s，在旋凃第5-8s时滴加80-100μL氯苯，旋凃结束后将得到的薄膜放置在加热台上于100-110℃退火20-30min形成体异质结空穴掺杂型钙钛矿光吸收层，该体异质结空穴掺杂型钙钛矿光吸收层同体异质结电子掺杂型钙钛矿光吸收层组合，形成异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层；
步骤S504：用移液枪取20-30μL经过步骤S301过滤的空穴传输层前驱液，涂覆在步骤S503制备的异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层上，旋涂参数为：5000-6000rpm旋涂20-30s，再将制得的器件放置于湿度小于10%的恒温恒湿箱中氧化15-20h；
步骤S505：将经过步骤S504处理的器件放置于真空蒸镀仪中，待真空度大于4*10- 5Pa时开始镀金形成金电极，金的蒸镀厚度为80-100nm。
进一步限定，步骤S400的具体过程为：
步骤S401：将ITO基片依次分别在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声洗涤15-20min并重复1-2次，以除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S402：将超声洗涤后的ITO基片放入干燥箱中，于90-100℃干燥15 -20min；
步骤S403：将ITO基片放入紫外臭氧机中，紫外照射臭氧10-20min即得干净的ITO基片。
进一步限定，步骤S101中氯仿与无水乙醇的混合溶剂中氯仿与无水乙醇的体积比为1:1-1.2；步骤S102中DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO体积比为4:1；步骤S202中DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1。
进一步限定，步骤S102中按照摩尔比为1:1-1.05的比例称量CH3NH3I和PbI2试剂；步骤S202中将CH3NH3I和PbI2按照摩尔比为1:1-1.05混合得到混合粉末，混合后溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中。
进一步限定，步骤S301的具体过程为：称取90mg Spiro-OMeTAD溶于1-1.2mL氯苯，然后添加22.5μL锂盐和36μL TBP，其中锂盐浓度为500-520mg mL-1，溶剂为乙腈，于室温搅拌3-5h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到空穴传输层前驱液。
进一步限定，所述锂盐为双(三氟甲烷)磺酰亚胺锂盐。
本发明与现有技术相比具有以下有益效果：本发明制备的钙钛矿太阳能电池器件最终制得n型掺杂和P型掺杂的异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层，以实现钙钛矿太阳能电池性能的进一步提高。本发明的创新之处主要在钙钛矿太阳能电池光吸收层中引入异质结结构，在同电子传输层接触部分的光吸收层中引入n型掺杂，在同空穴传输层接触部分的光吸收层中引入p型掺杂，通过调控光吸收层中的电子和空穴的掺杂量，有效提高光吸收层的载流子收集效率和迁移率，实现电子和空穴提取效率的同步性，降低由于电子和空穴的迁移率不同而导致的严重的迟滞效应。
附图说明
图1为本发明钙钛矿太阳能电池的结构示意图；
图2为本实施例制备的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线，图中可以看出钙钛矿电池的光电转换效率达到了17.9%；
图3为为本实施例制备的钙钛矿太阳能电池的稳定性曲线。数据表明这一电池表现出了相当好的湿度稳定性，500小时后保持了85%的初始效率。
具体实施方式
以下通过实施例对本发明的上述内容做进一步详细说明，但不应该将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本发明上述内容实现的技术均属于本发明的范围。
实施例1
步骤S100：制备n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S101：将锐钛矿相TiO2纳米颗粒分散在1mL氯仿与无水乙醇的混合溶剂中，氯仿与无水乙醇的体积比为1:1，制得浓度5wt%的纳米TiO2前驱液；
步骤S102：将CH3NH3I和PbI2按照摩尔比为1:1混合得到混合粉末，混合后溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中，混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1，然后用磁力搅拌器于60℃搅拌10h得到澄清的浓度为1.5mol/mL的钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S103：将经过步骤S101制得的TiO2前驱液和步骤S102制得的钙钛矿光吸收层前驱液按照体积比5:100混合，于60℃温度下搅拌2h，将搅拌后的混合溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤，得到n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S200：制备p型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S201：将Spiro-OMeTAD用氯苯溶解制得浓度为5wt%的Spiro-OMeTAD前驱液；
步骤S202：将CH3NH3I和PbI2按照摩尔比为1:1混合得到混合粉末，混合后溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中，混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1，然后用磁力搅拌器于60℃搅拌15h得到澄清的浓度为1.5mol/mL的钙钛矿前驱液；
步骤S203：将步骤S201制得的spiro-OMeTAD前驱液和步骤S202制得的钙钛矿前驱液按照体积比5:100混合，继续于60℃搅拌2h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤，得到p型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂的钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S300：制备空穴传输层前驱液
步骤S301：称取90mg Spiro-OMeTAD溶于1mL氯苯，然后添加22.5μL双(三氟甲烷)磺酰亚胺锂盐和36μL TBP，其中为双(三氟甲烷)磺酰亚胺锂盐浓度为520mg mL-1，溶剂为乙腈，于室温搅拌5h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到空穴传输层前驱液；
步骤S400：ITO基片的清洗
步骤S401：将ITO基片依次分别在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声洗涤20 min并重复2次，以除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S402：将超声洗涤后的ITO基片放入干燥箱中，在100℃条件下干燥20min；
步骤S403：将ITO基片放入紫外臭氧机中，紫外照射臭氧20 min即得干净的ITO基片；
步骤S500：制备异质结钙钛矿太阳能电池器件
步骤S501：在步骤S403得到的基片上涂覆氯包覆二氧化钛（TiO2-Cl）纳米胶体溶液制备电子传输层；旋凃参数为，转速3000rpm、旋凃时间30s，旋凃法结束后放置于加热台上于140℃加热30min；
步骤S502：用移液枪量取20μL经过步骤S103制备的n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液，涂覆在经过步骤S501制备的电子传输层上，旋涂参数为：6000rpm旋凃20-30s，在旋凃第5s时滴加100μL氯苯，旋凃结束后将得到的薄膜放置在加热台上于100℃退火30min形成体异质结电子掺杂型钙钛矿光吸收层；
步骤S503：然后用移液枪量取30μL经过步骤S203制备的p型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液，涂覆在经过步骤S502制备的电子掺杂型钙钛矿光吸收层上，旋涂参数为：5000rpm旋凃30s，在旋凃第5s时滴加100μL氯苯，旋凃结束后将得到的薄膜放置在加热台上于100℃退火30min形成体异质结空穴掺杂型钙钛矿光吸收层，该异质结空穴掺杂型钙钛矿光吸收层同上一层形成体异质结电子掺杂型钙钛矿光吸收层组合，形成异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层；
步骤S504：用移液枪取30μL经过步骤S301制备的空穴传输层溶液，涂覆在经过步骤S503制备的异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层上，旋涂参数为：6000rpm旋涂30s，将得到的器件放置于湿度小于10%的恒温恒湿箱中氧化20 h；
步骤S505：将经过步骤S504处理的器件放置于真空蒸镀仪中，待真空度大于4*10-5Pa时开始镀金形成金电极，金的蒸镀厚度约为100nm。
图2为本实施例制备的钙钛矿太阳能电池的I-V曲线，图中可以看出钙钛矿太阳能电池的光电转换效率达到了17.9%。
图3为本实施例制备的钙钛矿太阳能电池的稳定性曲线，数据表明这一钙钛矿太阳能电池表现出了相当好的湿度稳定性，500小时后保持了85%的初始效率。
实施例2
步骤S100：制备n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S101：将锐钛矿相TiO2纳米颗粒分散在1mL氯仿与无水乙醇的混合溶剂中，氯仿与无水乙醇的体积比为1:1，制得浓度5wt%的纳米TiO2前驱液；
步骤S102：将CH3NH3I和PbI2按照摩尔比为1:1混合得到混合粉末，混合后溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中，混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1，然后用磁力搅拌器于60℃搅拌10h得到澄清的浓度为1.8mol/mL的钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S103：将进过步骤S101制得的TiO2前驱液和步骤S102制得的钙钛矿光吸收层前驱液按照体积比10:100混合，继续于60℃搅拌2h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤得到n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S200：制备P型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S201：将Spiro-OMeTAD用氯苯溶解制得浓度10wt%的Spiro-OMeTAD前驱液；
步骤S202：将CH3NH3I和PbI2按照摩尔比为1:1混合得到混合粉末，混合后溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中，混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1，然后用磁力搅拌器于60℃搅拌15h得到澄清的浓度为1.8mol/mL的钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S203：将步骤S201制得的Spiro-OMeTAD前驱液和步骤S202制得的钙钛矿光吸收层前驱液按照体积比10:100混合，继续于60℃搅拌2h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤，得到p型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂的钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S300：制备空穴传输层前驱液
步骤S301：称取90mg Spiro-OMeTAD溶于1mL氯苯，然后添加22.5μL双(三氟甲烷)磺酰亚胺锂盐和36μL TBP，其中为双(三氟甲烷)磺酰亚胺锂盐浓度为520mg mL-1，溶剂为乙腈，于室温搅拌5h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到空穴传输层前驱液；
步骤S400： ITO基片的清洗
步骤S401：将ITO基片依次分别在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声洗涤20min并重复1次，以除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S402：将超声洗涤后的ITO基片放入干燥箱中，在100℃条件下干燥20min；
步骤S403：将ITO基片放入紫外臭氧机中，紫外照射臭氧20 min即得干净的ITO基片
步骤S500：制备异质结钙钛矿太阳能电池器件
步骤S501：在步骤S403得到的基片上涂覆氯包覆二氧化钛纳米胶体溶液制备电子传输层，旋凃参数为，转速4000rpm、旋凃时间30s，旋凃法结束后放置于加热台上于140℃加热20min；
步骤S502：用移液枪量取30μL经过步骤S103制备的n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿光吸收层前驱液，涂覆在经过步骤S502制备的电子传输层上，旋涂参数为：6000rpm旋凃30s，在旋凃第8s时滴加100μL氯苯，旋凃结束后将得到的薄膜放置在加热台上于100℃退火30min形成体异质结电子掺杂型钙钛矿光吸收层；
步骤S503：然后用移液枪量取30μL经过步骤S203制得的p型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂的钙钛矿光吸收层前驱液，涂覆在经过步骤S502制备的电子掺杂型钙钛矿光吸收层上，旋涂参数为：6000rpm旋凃30s，在旋凃第8s时滴加100μL氯苯，旋凃结束后将得到的薄膜放置在加热台上于100℃退火20-30min形成体异质结空穴掺杂型钙钛矿光吸收层，该体异质结空穴掺杂型钙钛矿光吸收层同体异质结电子掺杂型钙钛矿光吸收层组合，形成异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层；
步骤S504：用移液枪取30μL经过步骤S301过滤的空穴传输层溶液，涂覆在经过步骤S503制备的异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层上，旋涂参数为：6000rpm旋涂30s，将得到器件放置于湿度小于10%的恒温恒湿箱中氧化15-20h；
步骤S505：将经过步骤S504处理的器件放置于真空蒸镀仪中，待真空度大于4*10- 5Pa时开始镀金形成金电极，金的蒸镀厚度约为80nm。
以上显示和描述了本发明的基本原理，主要特征和优点，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明的范围。
Claims (6)
1.一种异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于具体步骤为：
步骤S100：制备n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S101：将锐钛矿相的TiO2纳米颗粒分散在氯仿与无水乙醇的混合溶剂中制备浓度不超过5wt%的纳米TiO2前驱液；
步骤S102：称量CH3NH3I和PbI2试剂并将两者溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中，再用磁力搅拌器于50-60℃搅拌10-15h得到浓度为1.5-1.8mol/mL的澄清钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S103：将步骤S101制得的TiO2前驱液和步骤S102制得的钙钛矿光吸收层前驱液按照体积比1-10:100混合，再于50-60℃搅拌1-2h，将搅拌后的混合溶液用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤，得到n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液；
步骤S200：制备P型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液
步骤S201：将Spiro-OMeTAD用氯苯溶解制得浓度不超过10wt%的spiro-OMeTAD前驱液；
步骤S202：将CH3NH3I和PbI2混合后溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中，再用磁力搅拌器于50-60℃搅拌10-15h得到浓度为1.5-1.8mol/mL的澄清钙钛矿光吸收层前驱液；
步骤S203：将步骤S201制得的Spiro-OMeTAD前驱液和步骤S202制得的钙钛矿光吸收层前驱液按照体积比1-10:100混合，再于50-60℃搅拌1-2h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤器进行过滤，得到p型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液；
步骤S300：制备空穴传输层前驱液
步骤S301：将Spiro-OMeTAD溶于氯苯，然后添加锂盐和TBP，其中锂盐浓度为500-520mgmL-1，溶剂为乙腈，于室温搅拌3-5h，然后用0.45μm规格的聚四氟乙烯过滤头进行过滤得到空穴传输层前驱液；
步骤S400：ITO基片的清洗
步骤S500：制备异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池
步骤S501：在步骤S400得到的ITO基片上涂覆氯包覆的二氧化钛纳米胶体溶液，制备电子传输层，旋凃参数为：旋涂转速3000-4000rpm、旋凃时间30-40s，旋凃结束后放置于加热台上于140-150℃加热20-30min；
步骤S502：用移液枪量取20-30μL经过步骤S103制备的n型半导体材料TiO2掺杂的钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液，涂覆在经过步骤S501制备的电子传输层上，旋涂参数为：5000-6000rpm旋凃20-30s，在旋凃第5-8s时滴加80-100μL氯苯，旋凃结束后将得到的薄膜放置在加热台上于90-100℃退火30min形成体异质结电子掺杂型钙钛矿光吸收层；
步骤S503：用移液枪量取20-30μL经过步骤S203制备的p型有机半导体材料Spiro-OMeTAD掺杂钙钛矿太阳能电池光吸收层前驱液，涂覆在经过步骤S502制备的电子掺杂型钙钛矿光吸收层上，旋涂参数为：5000-6000rpm旋凃20-30s，在旋凃第5-8s时滴加80-100μL氯苯，旋凃结束后将得到的薄膜放置在加热台上于100-110℃退火20-30min形成体异质结空穴掺杂型钙钛矿光吸收层，该体异质结空穴掺杂型钙钛矿光吸收层同体异质结电子掺杂型钙钛矿光吸收层组合，形成异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层；
步骤S504：用移液枪取20-30μL经过步骤S301过滤的空穴传输层前驱液，涂覆在步骤S503制备的异质结钙钛矿太阳能电池光吸收层上，旋涂参数为：5000-6000rpm旋涂20-30s，再将制得的器件放置于湿度小于10%的恒温恒湿箱中氧化15-20h；
步骤S505：将经过步骤S504处理的器件放置于真空蒸镀仪中，待真空度大于4*10-5Pa时开始镀金形成金电极，金的蒸镀厚度为80-100nm。
2.根据权利要求1所述的异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于步骤S400的具体过程为：
步骤S401：将ITO基片依次分别在去离子水、异丙醇、无水乙醇中超声洗涤15-20min并重复1-2次，以除去ITO基片上附着的水溶性杂质和有机性杂质；
步骤S402：将超声洗涤后的ITO基片放入干燥箱中，于90-100℃干燥15 -20min；
步骤S403：将ITO基片放入紫外臭氧机中，紫外照射臭氧10-20min即得干净的ITO基片。
3.根据权利要求1所述的异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S101中氯仿与无水乙醇的混合溶剂中氯仿与无水乙醇的体积比为1:1-1.2；步骤S102中DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO体积比为4:1；步骤S202中DMF和DMSO的混合溶剂中DMF与DMSO的体积比为4:1。
4.根据权利要求1所述的异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：步骤S102中按照摩尔比为1:1-1.05的比例称量CH3NH3I和PbI2试剂；步骤S202中将CH3NH3I和PbI2按照摩尔比为1:1-1.05混合得到混合粉末，混合后溶解于DMF和DMSO的混合溶剂中。
5.根据权利要求1所述的异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于步骤S301的具体过程为：称取90mg Spiro-OMeTAD溶于1-1.2mL氯苯，然后添加22.5μL锂盐和36μL TBP。
6.根据权利要求1所述的异质结光吸收层钙钛矿太阳能电池的制备方法，其特征在于：所述锂盐为为双(三氟甲烷)磺酰亚胺锂盐。
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