JP6486737B2 - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6486737B2 JP6486737B2 JP2015055876A JP2015055876A JP6486737B2 JP 6486737 B2 JP6486737 B2 JP 6486737B2 JP 2015055876 A JP2015055876 A JP 2015055876A JP 2015055876 A JP2015055876 A JP 2015055876A JP 6486737 B2 JP6486737 B2 JP 6486737B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- photoelectric conversion
- electrode
- conversion element
- oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
- H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
- H10K30/83—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes comprising arrangements for extracting the current from the cell, e.g. metal finger grid systems to reduce the serial resistance of transparent electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/10—Organic polymers or oligomers
- H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
- H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
- H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/624—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing six or more rings
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)は、実施形態に係る光電変換素子101を例示する模式的平面図である。図1(b)は、図1(a)に表した切断面A−A’における光電変換素子101の模式的断面図である。図1(c)は、図1(a)に表した切断面B−B’における光電変換素子101の模式的断面図である。
図1(c)に表したように、第1電極10は、第1部分10aと、第2部分10bと、第3部分10cと、を含む。第1部分10aは、第2電極20の上に設けられ、Z軸方向において第2電極20と離間する。例えば、第1部分10aは、第2電極20に対して平行である。第2部分10bは、Y軸方向において、第2電極20と並ぶ。第3部分10cは、第1部分10aと第2部分10bとの間に設けられ、第1部分10aと第2部分10bとを接続する部分である。
(基板15)
基板15は、ほかの構成部材(第1電極10、第2電極20、第1層11、第2層12、中間層31、光電変換層13および絶縁層17)を支持する。この基板15は、電極を形成することができる。基板15としては、熱や有機溶媒によって変質しないものが好ましい。基板15は、例えば、無機材料を含む基板、プラスチック基板、高分子フィルム、または、金属基板等である。無機材料としては、無アルカリガラス、石英ガラス等が挙げられる。プラスチック及び高分子フィルムの材料としては、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマー等が挙げられる。金属基板の材料としては、ステンレス鋼(SUS)、チタン、シリコン等が挙げられる。
第1電極10および第2電極20に関する説明において、単に「電極」という場合には、第1電極10および第2電極20の少なくともいずれかをいうものとする。
光電変換層13には、ペロブスカイト構造を有する材料を用いることができる。ペロブスカイト構造は、例えばイオンA1、イオンA2、およびイオンXからなり、A1A2X3と表すことができる。イオンA2がイオンA1に比べて小さい場合にペロブスカイト構造を有する場合がある。ペロブスカイト構造は、例えば立方晶系の単位格子をもつ。立方晶の各頂点にイオンA1が配置され、体心にイオンA2が配置される。体心のイオンA2を中心として立方晶の各面心にイオンXが配置される。
光電変換素子においては、第1層11および第2層12のいずれか一方が正孔輸送層であり、いずれか他方が電子輸送層である。前述した通り、この例では第1層11が正孔輸送層であり、第2層12が電子輸送層である。
例えば、第1層11の材料として、p形有機物半導体またはn形有機半導体を用いることができる。
第1層11の厚さは、例えば、2nm以上1000nm以下である。
中間層31(ドーパントブロック層)の材料には、中間層31と接するキャリア輸送層に含まれる成分が拡散しにくい(例えば拡散性が無い)材料が用いられる。これにより、中間層31は、ドーパントブロック性を有する。すなわち、中間層31は、キャリア輸送層のドーパントが光電変換層13へ拡散することを抑制する。
次に、実施形態に係る光電変換素子の製造方法の例について説明する。
図2は、実施形態に係る光電変換素子の製造方法を例示するフローチャートである。実施形態に係る光電変換素子の製造方法は、ステップS101〜ステップS106を含む。
なお、第1電極10の材料としてPEDOTを用いる場合には、スピンコート法などの塗布によって電極を形成することができる。第1電極10の形成において塗布される溶液は、エタノール水溶液であることが好ましい。これにより、溶液の表面張力および浸透性が調整される。例えば、PEDOTを含むエタノール水溶液を所望の厚さとなるように塗布した後、ホットプレート等で加熱および乾燥する。140℃以上200℃以下の温度において、1分間以上10分間以下程度、加熱および乾燥することが好ましい。
以上説明したようにして、実施形態に係る光電変換素子が形成される。
図3に表した領域R1は、光電変換層であるペロブスカイト層に4−tert−ブチルピリジンを滴下した領域である。図3に表した領域R2は、ペロブスカイト層にアセトニトリルを滴下した領域である。
さらに、光電変換素子101cは、第2層12cと中間層31cとを含む。第2層12cは、ドープされた電子輸送層である。第2層12cの材料は、図4(a)で説明した第1層11aと同様である。中間層31cは、第2層12cのドーパントが光電変換層13へ拡散することを抑制するドーパントブロック層である。中間層31cの材料は、図4(a)で説明した中間層31aと同様である。
また、各具体例のいずれか2つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
Claims (12)
- ペロブスカイト構造を有する材料を含む光電変換層と、
第1物質と第2物質とを含む第1層と、
前記光電変換層と前記第1層との間に設けられた中間層と、
を備え、
前記第1層における前記第2物質の濃度は、前記第1層における前記第1物質の濃度よりも低く、
前記第1層における前記第2物質の濃度は、前記光電変換層における前記第2物質の濃度の10倍以上である、光電変換素子。 - 前記中間層は、正孔輸送性を有する請求項1記載の光電変換素子。
- 前記中間層は、金属酸化物を含む請求項1または2に記載の光電変換素子。
- 前記金属酸化物は、チタン酸化物、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、亜鉛酸化物、ニッケル酸化物、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、セシウム酸化物、およびアルミニウム酸化物の少なくともいずれかを含む請求項3記載の光電変換素子。
- 前記中間層は、チオシアン酸塩を含む請求項1〜4のいずれか1つに記載の光電変換素子。
- 前記第1物質は、Spiro−OMeTADを含む請求項1〜5のいずれか1つに記載の光電変換素子。
- 前記第2物質は、ピリジン化合物およびアセトニトリルの少なくともいずれかを含む請求項1〜6のいずれか1つに記載の光電変換素子。
- 前記ピリジン化合物は、4−tert−ブチルピリジンを含む請求項7記載の光電変換素子。
- 前記ペロブスカイト構造を有する材料をA1A2X3としたときに、
前記A1は、CH3NH3を含み、
前記A2は、PbおよびSnの少なくともいずれかを含み、
前記Xは、Cl、Br、およびIの少なくともいずれかを含む請求項1〜8のいずれか1つに記載の光電変換素子。 - ポリエチレンジオキシチオフェンを含む第1電極をさらに備え、
前記第1層は、前記第1電極と前記中間層との間に設けられる請求項1〜9のいずれか1つに記載の光電変換素子。 - 第2電極と、第2層と、をさらに備え、
前記光電変換層は、前記第1電極と前記第2電極との間に設けられ、
前記第2層は、前記第2電極と前記光電変換層との間に設けられる請求項10記載の光電変換素子。 - 前記第2層は、ハロゲン化合物および金属酸化物の少なくともいずれかを含む請求項11記載の光電変換素子。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015055876A JP6486737B2 (ja) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 光電変換素子 |
US15/069,294 US10622574B2 (en) | 2015-03-19 | 2016-03-14 | Photoelectric conversion element and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015055876A JP6486737B2 (ja) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 光電変換素子 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019025463A Division JP6675505B2 (ja) | 2019-02-15 | 2019-02-15 | 光電変換素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016178156A JP2016178156A (ja) | 2016-10-06 |
JP6486737B2 true JP6486737B2 (ja) | 2019-03-20 |
Family
ID=56925449
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015055876A Active JP6486737B2 (ja) | 2015-03-19 | 2015-03-19 | 光電変換素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10622574B2 (ja) |
JP (1) | JP6486737B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6339037B2 (ja) | 2015-03-18 | 2018-06-06 | 株式会社東芝 | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP6382781B2 (ja) | 2015-09-15 | 2018-08-29 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法および製造装置 |
KR20180090116A (ko) | 2017-02-02 | 2018-08-10 | 삼성전자주식회사 | 광 필터 및 이를 포함하는 광 분광기 |
JP6378383B1 (ja) | 2017-03-07 | 2018-08-22 | 株式会社東芝 | 半導体素子およびその製造方法 |
JP7068934B2 (ja) | 2017-06-30 | 2022-05-17 | パナソニックホールディングス株式会社 | 太陽電池および太陽電池モジュール |
EP3503141B1 (en) * | 2017-12-21 | 2022-01-26 | Exeger Operations AB | A solar cell and a method for manufacturing the solar cell |
KR102045989B1 (ko) * | 2018-03-14 | 2019-11-18 | 한국과학기술연구원 | 상호 확산을 사용한 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법 |
EP3796407A4 (en) * | 2018-09-18 | 2021-07-21 | Lg Chem, Ltd. | ELEMENT MANUFACTURING PROCESS |
WO2021261190A1 (ja) * | 2020-06-24 | 2021-12-30 | パナソニック株式会社 | 太陽電池 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2012111610A1 (ja) * | 2011-02-14 | 2014-07-07 | 日本電気株式会社 | チアゾール系化合物及びその用途 |
JP2012195280A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-10-11 | Sony Corp | 光電変換素子、光電変換素子の製造方法、電子機器および建築物 |
JP2013211149A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Ricoh Co Ltd | 光電変換素子およびその製造方法 |
JP2014049551A (ja) | 2012-08-30 | 2014-03-17 | Peccell Technologies Inc | ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法 |
JP6031657B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-11-24 | ペクセル・テクノロジーズ株式会社 | ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法 |
JP6031656B2 (ja) | 2012-08-31 | 2016-11-24 | ペクセル・テクノロジーズ株式会社 | ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法 |
ES2924644T3 (es) * | 2012-09-18 | 2022-10-10 | Univ Oxford Innovation Ltd | Dispositivo optoelectrónico |
AU2014222513A1 (en) * | 2013-03-01 | 2015-09-24 | Oxford University Innovation Limited | Semiconducting layer production process |
JP6128900B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-05-17 | 大阪瓦斯株式会社 | 無機ホール輸送材を使用したペロブスカイト系光電変換装置 |
JP6141054B2 (ja) | 2013-03-08 | 2017-06-07 | 大阪瓦斯株式会社 | 有機−無機ナノハイブリッド光電変換装置 |
CN105474421A (zh) * | 2013-05-06 | 2016-04-06 | 阿文戈亚研究公司 | 高性能的钙钛矿敏化的介观太阳能电池 |
PL2997585T3 (pl) * | 2013-05-17 | 2020-01-31 | Exeger Operations Ab | Ogniwo słoneczne uczulane barwnikiem i sposób wytwarzania ogniwa słonecznego |
EP2822009A1 (en) * | 2013-07-01 | 2015-01-07 | Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) | Solar cell and process for producing the same |
JP2016529737A (ja) * | 2013-09-04 | 2016-09-23 | ダイソル・リミテッドDyesol Ltd | 光起電力デバイス |
JP6252071B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2017-12-27 | 株式会社リコー | 光電変換素子 |
WO2015116297A2 (en) * | 2013-11-12 | 2015-08-06 | The Regents Of The University Of California | Sequential processing with vapor treatment of thin films of organic-inorganic perovskite materials |
-
2015
- 2015-03-19 JP JP2015055876A patent/JP6486737B2/ja active Active
-
2016
- 2016-03-14 US US15/069,294 patent/US10622574B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10622574B2 (en) | 2020-04-14 |
JP2016178156A (ja) | 2016-10-06 |
US20160276612A1 (en) | 2016-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6486737B2 (ja) | 光電変換素子 | |
JP6486719B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
KR101587895B1 (ko) | 역구조 유기 전자소자 및 그의 제조방법 | |
US10714270B2 (en) | Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same | |
US10283279B2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP6005785B1 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
US9214255B2 (en) | P-doped conjugated polymer electrolyte and an organic electronic device using the same | |
US20160380221A1 (en) | Photoelectric conversion element, wiring board for photoelectric conversion element, method for manufacturing photoelectric conversion element and photoelectric conversion structure | |
JP5537636B2 (ja) | 太陽電池及び太陽電池モジュール | |
KR101609588B1 (ko) | 광활성층 제조용 코팅조성물 및 이를 이용한 고효율 태양전지의 제조방법 | |
US20230225140A1 (en) | Perovskite photoelectric element and method for manufacturing same | |
JP5362017B2 (ja) | 有機薄膜太陽電池 | |
JP6675505B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
US9178171B2 (en) | Photovoltaic cell and method for manufacturing the same | |
EP3024043A2 (en) | Solar cell | |
US20160379762A1 (en) | Photoelectric conversion element | |
JP6434847B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法および製造装置 | |
Feng et al. | Organometal halide perovskite as hole injection enhancer in organic light-emitting diode | |
JP2016066645A (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
EP4181223A1 (en) | Organic hole transport material doped with acid-base by-product, and optical device using same | |
KR20230138732A (ko) | 페로브스카이트 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 페로브스카이트 박막을 포함하는 소자 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법 | |
KR20210132536A (ko) | 향상된 안정성을 갖는 유무기 페로브스카이트 화합물 | |
Soulis et al. | Thiophene-Based Copolymers Synthesized by Electropolymerization for Application as Hole Transport Layer in Organic Photovoltaics Cells | |
JP2016100357A (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171205 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180910 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181119 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190220 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6486737 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |