JP2016066645A - 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 - Google Patents
光電変換素子および光電変換素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016066645A JP2016066645A JP2014193127A JP2014193127A JP2016066645A JP 2016066645 A JP2016066645 A JP 2016066645A JP 2014193127 A JP2014193127 A JP 2014193127A JP 2014193127 A JP2014193127 A JP 2014193127A JP 2016066645 A JP2016066645 A JP 2016066645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- photoelectric conversion
- layer
- buffer layer
- conversion element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】実施形態によれば、第1の電極と、第2の電極と、光電変換層と、第1のバッファ層と、を備えた光電変換素子が提供される。前記第2の電極は、前記第1の電極と離隔して設けられる。前記光電変換層は、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられる。前記第1のバッファ層は、前記第1の電極と前記光電変換層との間および前記第2の電極と前記光電変換層との間のいずれか一方に設けられポリエチレンジオキシチオフェンを含む。前記第1のバッファ層の仕事関数は、前記光電変換層のp形半導体材料のHOMOよりも深い。前記第1のバッファ層の下層の最大高さに対する前記第1のバッファ層の厚さの比率は、1倍以上、2倍以下である。
【選択図】図1
Description
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図1(a)は、実施形態にかかる光電変換素子を表す模式的平面図である。図1(b)は、図1(a)に表した切断面A−Aにおける模式的断面図である。図1(c)は、図1(a)に表した切断面B−Bにおける模式的断面図である。図1(d)は、図1(c)に表した領域A1を拡大した模式的拡大図である。
より具体的には、図1(d)に表したように、第2の電極5は、第1の部分5aと、第2の部分5bと、を有する。第1の部分5aは、第2のバッファ層4の上に設けられる。第2の部分5bは、第1の部分5aから基板6へ延在する。第3のバッファ層は、第1のバッファ部分7aと、第2のバッファ部分7bと、を有する。第1の電極1、第1のバッファ層2、光電変換層3、および第2のバッファ層4は、基板6と、第2の電極5の第1の部分5aと、の間に設けられる。第3のバッファ層7の第1のバッファ部分7aは、第1の電極1と、第2の電極5の第1の部分5aと、の間に設けられる。第3のバッファ層7の第2のバッファ部分7bは、第1の電極1と、第2の電極5の第2の部分5bと、の間に設けられる。
以下、実施形態に係る光電変換素子10の構成部材について説明する。
基板6は、ほかの構成部材(基板6以外の構成部材)を支持する。基板6は、電極を形成することができる。基板6としては、熱や有機溶媒によって変質しないものが好ましい。基板6の材料としては、例えば、無機材料、プラスチック、高分子フィルム、あるいは金属基板等が挙げられる。無機材料としては、無アルカリガラス、石英ガラス等が挙げられる。プラスチックおよび高分子フィルムの材料としては、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、液晶ポリマー、シクロオレフィンポリマー等などが挙げられる。金属基板の材料としては、ステンレス鋼(SUS)、シリコン等が挙げられる。
ここでは、第1の電極1を例に挙げ説明する。第2の電極5の材料、第2の電極5の形成方法、および第2の電極5の厚さ等は、第1の電極1の場合と同様である。
第1のバッファ層2および第2のバッファ層4のいずれか一方は、光電変換層3と第1の電極1との間に設けられる。第1のバッファ層2および第2のバッファ層4のいずれか他方は、光電変換層3と第2の電極5との間に設けられる。図1(a)〜図1(d)に表した例では、第1のバッファ層2は、光電変換層3と第1の電極1との間に設けられる。図1(a)〜図1(d)に表した例では、第2のバッファ層4は、光電変換層3と第2の電極5との間に設けられる。
金属酸化物の例としては、チタン酸化物、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、亜鉛酸化物、ニッケル酸化物、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、セシウム酸化物、アルミニウム酸化物が挙げられる。
光電変換層3には、有機半導体からなるヘテロ接合またはバルクヘテロ接合を用いることができる。バルクヘテロ接合は、p形半導体とn形半導体とが光電変換層3の中で混合してミクロ層分離構造をとる。混合されたp形半導体とn形半導体とは、光電変換層3の内でナノオーダーのサイズのpn接合を形成し、接合面において生じる光電荷分離を利用して電流を得る。p形半導体は、電子供与性の性質を有する材料を含む。一方、n形半導体は、電子受容性の性質を有する材料を含む。実施形態においては、p形半導体およびn形半導体の少なくとも一方が有機半導体であってよい。
実施形態では、基板6には、ガラス板を用いることができる。第1の電極1には、ITOを用いることができる。第1のバッファ層2には、PEDOT:PSSを用いることができる。第2のバッファ層および第3のバッファ層7には、LiFを用いることができる。光電変換層3のp形有機半導体の材料としてPCE−10(1−マテリアル社)を用いることができる。光電変換層3のn形有機半導体の材料として、[70]PCBMを用いることができる。第2の電極4として、AgMgを用いることができる。
次に、図2(f)に表したように、第2の電極5として100nmのAgMg(Mg:90wt%)を形成する。
このようにして、図1(a)〜図1(d)に関して前述した光電変換素子10が製造される。
図3(a)は、第1の実施例および第1の比較例の特性を表す表である。図3(b)は、電圧と電流密度との間の関係を例示するグラフ図である。図3(b)に表したグラフ図の横軸は、電圧Vを表す。図3(b)に表したグラフ図の縦軸は、電流密度CDを表す。
「最大高さRz」とは、基準長さにおいて、山頂と谷底との間隔をいう。
図4に表したグラフ図の横軸は、下層の最大高さRzに対する第1のバッファ層の厚さの比率を表す。図4に表したグラフ図の縦軸は、変換効率を表す。
図5(a)は、厚さの倍率と変換効率との間の関係を例示するグラフ図である。図5(b)は、厚さの倍率と曲線因子との間の関係を例示するグラフ図である。図5(c)は、厚さの倍率と開放電圧との間の関係を例示するグラフ図である。図5(d)は、厚さの倍率と短絡電流密度との間の関係を例示するグラフ図である。図5(e)は、厚さの倍率と直列抵抗との間の関係を例示するグラフ図である。図5(f)は、厚さの倍率と並列抵抗(シャント抵抗)との間の関係を掲示するグラフ図である。
Claims (7)
- 第1の電極と、
前記第1の電極と離隔して設けられた第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた光電変換層と、
前記第1の電極と前記光電変換層との間および前記第2の電極と前記光電変換層との間のいずれか一方に設けられポリエチレンジオキシチオフェンを含む第1のバッファ層と、
を備え、
前記第1のバッファ層の仕事関数は、前記光電変換層のp形半導体材料のHOMOよりも深く、
前記第1のバッファ層の下層の最大高さに対する前記第1のバッファ層の厚さの比率は、1倍以上、2倍以下である光電変換素子。 - 前記第1のバッファ層の材料は、PEDOT:PSSである請求項1記載の光電変換素子。
- 前記第1の電極と前記光電変換層との間および前記第2の電極と前記光電変換層との間のいずれか他方に設けられた第2のバッファ層をさらに備えた請求項1または2に記載の光電変換素子。
- 前記第2のバッファ層の材料は、ハロゲン化合物または金属酸化物である請求項3記載の光電変換素子。
- 前記第2のバッファ層の材料は、LiFである請求項4記載の光電変換素子。
- 第1の電極と、
前記第1の電極と離隔して設けられた第2の電極と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた光電変換層と、
前記第1の電極と前記光電変換層との間および前記第2の電極と前記光電変換層との間のいずれか一方に設けられポリエチレンジオキシチオフェンを含む第1のバッファ層と、
を備えた光電変換素子の製造方法であって、
前記ポリエチレンジオキシチオフェンを含むアルコール水溶液を塗布する工程と、
前記アルコール水溶液を塗布した層を加熱する工程と、
を備えた光電変換素子の製造方法。 - 前記第1のバッファ層の材料は、PEDOT:PSSである請求項6記載の光電変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014193127A JP2016066645A (ja) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014193127A JP2016066645A (ja) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016066645A true JP2016066645A (ja) | 2016-04-28 |
Family
ID=55804288
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014193127A Pending JP2016066645A (ja) | 2014-09-22 | 2014-09-22 | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2016066645A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017199887A (ja) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | キヤノン電子株式会社 | 有機光電変換デバイス及び太陽電池 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100326525A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-12-30 | Thuc-Quyen Nguyen | Molecular semiconductors containing diketopyrrolopyrrole and dithioketopyrrolopyrrole chromophores for small molecule or vapor processed solar cells |
JP2012156255A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Institute Of Technology | 光電変換素子およびその作製方法 |
JP2013026432A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機光電変換素子とその製造方法、およびそれを用いた有機太陽電池 |
JP2014011004A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Tokai Rubber Ind Ltd | 有機半導体素子 |
JP2014053383A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Konica Minolta Inc | タンデム型の有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池 |
WO2014054759A1 (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-10 | 日本ケミコン株式会社 | 有機薄膜太陽電池 |
JP2014103153A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Toshiba Corp | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
-
2014
- 2014-09-22 JP JP2014193127A patent/JP2016066645A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20100326525A1 (en) * | 2009-03-26 | 2010-12-30 | Thuc-Quyen Nguyen | Molecular semiconductors containing diketopyrrolopyrrole and dithioketopyrrolopyrrole chromophores for small molecule or vapor processed solar cells |
JP2012156255A (ja) * | 2011-01-25 | 2012-08-16 | Tokyo Institute Of Technology | 光電変換素子およびその作製方法 |
JP2013026432A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機光電変換素子とその製造方法、およびそれを用いた有機太陽電池 |
JP2014011004A (ja) * | 2012-06-29 | 2014-01-20 | Tokai Rubber Ind Ltd | 有機半導体素子 |
JP2014053383A (ja) * | 2012-09-05 | 2014-03-20 | Konica Minolta Inc | タンデム型の有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池 |
WO2014054759A1 (ja) * | 2012-10-03 | 2014-04-10 | 日本ケミコン株式会社 | 有機薄膜太陽電池 |
JP2014103153A (ja) * | 2012-11-16 | 2014-06-05 | Toshiba Corp | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017199887A (ja) * | 2016-04-29 | 2017-11-02 | キヤノン電子株式会社 | 有機光電変換デバイス及び太陽電池 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5553727B2 (ja) | 有機光電変換素子及びその製造方法 | |
JP5300903B2 (ja) | ポリマーおよびそれを用いた太陽電池、太陽光発電システム | |
JP5591860B2 (ja) | 有機半導体およびそれを用いた太陽電池 | |
JP6408042B2 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JP6005785B1 (ja) | 光電変換素子およびその製造方法 | |
JP5603912B2 (ja) | 太陽電池モジュール | |
JP6486737B2 (ja) | 光電変換素子 | |
JP2016058455A (ja) | 光電変換素子、光電変換素子の配線基板、光電変換素子の製造方法、および光電変換構造体 | |
JP6486719B2 (ja) | 光電変換素子の製造方法 | |
JP2011119702A (ja) | 有機光電変換素子 | |
JP5537636B2 (ja) | 太陽電池及び太陽電池モジュール | |
JP5362017B2 (ja) | 有機薄膜太陽電池 | |
JP6076392B2 (ja) | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
JP5889998B1 (ja) | 有機薄膜太陽電池 | |
JP6076302B2 (ja) | 光電変換素子 | |
JP6010649B2 (ja) | 太陽電池モジュールおよびその製造方法 | |
JP6027641B2 (ja) | 光電変換素子および太陽電池 | |
JP6032284B2 (ja) | 有機光電変換素子の製造方法 | |
JP2016066645A (ja) | 光電変換素子および光電変換素子の製造方法 | |
JPWO2011101993A1 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
JP2017057264A (ja) | シリルアセチレン基を側鎖として有するポリマー、ならびにこれを用いた光電変換素子および太陽電池 | |
JP2016100357A (ja) | 光電変換装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160913 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170419 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170605 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171130 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180315 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180904 |