WO2021261190A1 - 太陽電池 - Google Patents
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- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims abstract description 82
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 47
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 21
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 30
- -1 2,4,6-trimethylphenyl Chemical group 0.000 claims description 22
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 8
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- BVBRZOLXXOIMQG-UHFFFAOYSA-N fluoroborane Chemical group FB BVBRZOLXXOIMQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims description 3
- OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N tris(pentafluorophenyl)borane Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1B(C=1C(=C(F)C(F)=C(F)C=1F)F)C1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F OBAJXDYVZBHCGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 claims description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 claims 2
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 239000011630 iodine Substances 0.000 abstract description 14
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 17
- 230000008859 change Effects 0.000 description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 14
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 12
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 11
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- PBAYDYUZOSNJGU-UHFFFAOYSA-N chelidonic acid Natural products OC(=O)C1=CC(=O)C=C(C(O)=O)O1 PBAYDYUZOSNJGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 4
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 3
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N (2,3,4,5,6-pentafluorophenoxy)boronic acid Chemical compound OB(O)OC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F LWNGJAHMBMVCJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004693 imidazolium salts Chemical class 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910003473 lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=N1 UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C21C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C21 SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRCOYCIXYAXCOU-UHFFFAOYSA-K CN.I[Pb+](I)I Chemical compound CN.I[Pb+](I)I QRCOYCIXYAXCOU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002841 Lewis acid Substances 0.000 description 1
- 229910013063 LiBF 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910013870 LiPF 6 Inorganic materials 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLORJRJHBLHPPD-UHFFFAOYSA-J [F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[K+].[K+] Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[K+].[K+] XLORJRJHBLHPPD-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- CLFSUXDTZJJJOK-UHFFFAOYSA-N bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide 4-tert-butyl-2-pyrazol-1-ylpyridine cobalt(3+) Chemical group [N-](S(=O)(=O)C(F)(F)F)S(=O)(=O)C(F)(F)F.[N-](S(=O)(=O)C(F)(F)F)S(=O)(=O)C(F)(F)F.[N-](S(=O)(=O)C(F)(F)F)S(=O)(=O)C(F)(F)F.[Co+3].N1(N=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(C)(C)C.N1(N=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(C)(C)C.N1(N=CC=C1)C1=NC=CC(=C1)C(C)(C)C CLFSUXDTZJJJOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001639 boron compounds Chemical class 0.000 description 1
- YFSQMOVEGCCDJL-UHFFFAOYSA-N boron monofluoride Chemical class F[B] YFSQMOVEGCCDJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229940006165 cesium cation Drugs 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical class OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-O dimethyl(phenyl)azanium Chemical compound C[NH+](C)C1=CC=CC=C1 JLTDJTHDQAWBAV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 150000007517 lewis acids Chemical class 0.000 description 1
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSBIQPJIWUJBBX-UHFFFAOYSA-N n-methoxyaniline Chemical compound CONC1=CC=CC=C1 NSBIQPJIWUJBBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000538 pentafluorophenyl group Chemical group FC1=C(F)C(F)=C(*)C(F)=C1F 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000003884 phenylalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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Definitions
- the solar cell of the present disclosure is A first electrode, a photoelectric conversion layer, an intermediate layer, a hole transport layer, and a second electrode are provided in this order, and here,
- the hole transport layer contains a hole transport material and an oxidizing agent.
- the photoelectric conversion layer contains a perovskite compound containing iodine, and the intermediate layer contains at least one selected from the group consisting of bromide, chloride, and fluoride.
- the perovskite solar cell of the present disclosure may include an electron transport layer between the first electrode and the photoelectric conversion layer.
- FIG. 2 shows a cross-sectional view of a modified example of the solar cell according to the first embodiment.
- the first electrode 2 may be formed by using a non-transparent material and providing a pattern through which light is transmitted.
- Examples of light-transmitting patterns are linear (striped), wavy, grid-like (ie, mesh-like), or punch-metal patterns with a large number of fine through-holes arranged regularly or irregularly. Is. When the first electrode 2 has these patterns, light can be transmitted through a portion where the electrode material does not exist.
- Examples of non-transparent materials are platinum, gold, silver, copper, aluminum, rhodium, indium, titanium, iron, nickel, tin, zinc, or alloys containing any of these.
- a conductive carbon material may be used as the non-transparent material.
- An example of the method for forming the hole transport layer 5 is a coating method or a printing method.
- coating methods are doctor blade method, bar coating method, spray method, dip coating method, or spin coating method.
- An example of a printing method is a screen printing method.
- the hole transport layer 5 may be formed by pressurizing or firing a film obtained by mixing a plurality of materials.
- the hole transport material is a small molecule organic substance or an inorganic semiconductor
- the hole transport layer 5 may be formed by a vacuum vapor deposition method.
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Abstract
本開示の太陽電池100は、第1電極2、光電変換層3、中間層4、正孔輸送層5、および第2電極6、をこの順で備え、ここで、前記正孔輸送層5は、正孔輸送材料および酸化剤を含み、前記光電変換層3は、ヨウ素を含むペロブスカイト化合物を含み、かつ、前記中間層4は、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つを含む。
Description
本開示は、太陽電池に関する。
非特許文献1は、光電変換材料として、CH3NH3PbI3により表されるペロブスカイト化合物を用い、電子輸送材料としてTiO2を用い、正孔輸送材料としてSpiro-OMETADを用いたペロブスカイト太陽電池を開示している。
"Sequential deposition as a route to high-performance perovskite-sensitized solar cells", Nature, vol.499, 18 July 2013, DOI:10.1038/nature12340
"Ionic Reactivity at Contacts and Aging of Methylammonium Lead Triiodide Perovskite Solar Cells", Adv. Energy Mater., 6: 1502246, DOI: 10.1002/aenm.201502246
"Surface passivation of perovskite film for efficient solar cells", Nature Photonics volume 13, pages460-466(2019)
"An interface stabilized perovskite solar cell with high stabilized efficiency and low voltage loss", Energy Environ. Sci., 2019, 12, 2192-2199
"Compositional engineering for thermally stable, high efficient perovskite solar cells exceeding 20% power conversion efficiency with 85 ℃/85% 1000h stability", Adv. Mater. 2019, 31, 1806823
本開示の目的は、高い光耐久性を有する太陽電池を提供することにある。
本開示の太陽電池は、
第1電極、光電変換層、中間層、正孔輸送層、および第2電極、をこの順で備え、ここで、
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料および酸化剤を含み、
前記光電変換層は、ヨウ素を含むペロブスカイト化合物を含み、かつ
前記中間層は、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つを含む。
第1電極、光電変換層、中間層、正孔輸送層、および第2電極、をこの順で備え、ここで、
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料および酸化剤を含み、
前記光電変換層は、ヨウ素を含むペロブスカイト化合物を含み、かつ
前記中間層は、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つを含む。
本開示は、高い光耐久性を有する太陽電池を提供する。
(本開示の基礎となった知見)
ペロブスカイト太陽電池は、光電変換材料として、ABX3(Aは1価のカチオン、Bは2価のカチオン、Xは1価のアニオン)により表されるペロブスカイト型結晶、およびその類似の構造体(以下、「ペロブスカイト化合物」という)を用いている。しかし、ペロブスカイト化合物は、高いイオン結晶性を有し、イオンマイグレーションを起こしやすいことが報告されている。特に、Xサイトを構成するヨウ素アニオンはマイグレーションを起こしやすく、光照射下で太陽電池デバイスに内部電界が生じると、正孔輸送層側へ移動する。例えば、非特許文献2では、正バイアス印加時に正孔輸送層側へ移動したヨウ素イオンが正孔輸送材料である2,2′,7,7′-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenylamine)9,9′-spirobifluorene(以下、「Spiro-OMeTAD」と記載される)を還元させることが報告されている。正孔輸送層が還元され、正孔濃度が下がると、正孔の取り出しや正孔の輸送能力が低下するため、太陽電池デバイスの性能は低下する。
ペロブスカイト太陽電池は、光電変換材料として、ABX3(Aは1価のカチオン、Bは2価のカチオン、Xは1価のアニオン)により表されるペロブスカイト型結晶、およびその類似の構造体(以下、「ペロブスカイト化合物」という)を用いている。しかし、ペロブスカイト化合物は、高いイオン結晶性を有し、イオンマイグレーションを起こしやすいことが報告されている。特に、Xサイトを構成するヨウ素アニオンはマイグレーションを起こしやすく、光照射下で太陽電池デバイスに内部電界が生じると、正孔輸送層側へ移動する。例えば、非特許文献2では、正バイアス印加時に正孔輸送層側へ移動したヨウ素イオンが正孔輸送材料である2,2′,7,7′-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenylamine)9,9′-spirobifluorene(以下、「Spiro-OMeTAD」と記載される)を還元させることが報告されている。正孔輸送層が還元され、正孔濃度が下がると、正孔の取り出しや正孔の輸送能力が低下するため、太陽電池デバイスの性能は低下する。
本発明者らは、この問題を解決するために、ヨウ素アニオンのマイグレーションが起きても正孔輸送層の正孔濃度が著しく低下しないように、予め正孔輸送材料の正孔濃度を上げておくこと、および正孔へのヨウ素イオンの拡散を少なくすることを検討した。正孔輸送材料の正孔濃度を高めるには、正孔輸送材料を酸化可能な酸化還元電位をもつ酸化剤を添加するとよい。
本開示において、「酸化剤」は、正孔輸送材料から電子を受け取り、当該正孔輸送材料の正孔濃度を高めることができるルイス酸も含む。
例えば、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン(以下、「TPFPB」と記載される)およびその誘導体のようなフルオロボロン系化合物は、酸化還元電位が十分に高いため、ペロブスカイト太陽電池の電子準位に適合するほぼすべての正孔輸送材料の正孔濃度を高めることができる。また、ヨウ素アニオンの拡散を防止するためには、ペロブスカイト光電変換層と正孔輸送層との間に中間層を設けることが考えられる。この中間層には、従来、ペロブスカイト表面の欠陥をパッシベーションする目的で、ヨウ化アルキルアンモニウムまたはヨウ化フェニルアルキルアンモニウムが広く使用されている(非特許文献3および非特許文献4を参照せよ)。しかしながら、これらヨウ素系の材料を用いると、フルオロボロン系化合物とヨウ素とが反応し、正孔輸送材料の正孔濃度を十分に高めることができない。そこで本発明者らは、正孔輸送層へフルオロボロン系化合物を添加し、かつ、ヨウ素アニオンの拡散防止層として臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも1つを含む中間層を設けることで、光照射中も正孔輸送層内の酸化還元反応が設計通りに動作し、光耐久性が大きく向上することを見出した。表1は、正孔輸送材料としてポリ[ビス(4-フェニル)(2,4,6-トリメチルフェニル)アミン](以下、「PTAA」と記載される)を用いた場合の、光照射中に起こる正孔輸送層内の酸化還元反応の模式図を示す。なお、表1では、中間層について、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つの例として、臭化物が用いられる場合を示す。以上のように、従来の変換効率を軸にした思想とは異なり、光耐久性および構成成分の酸化還元電位に着目することで、予想外の組合せに効果があることを見出した。
<第1実施形態>
以下、第1実施形態による太陽電池が説明される。
第1実施形態による太陽電池は、
第1電極、光電変換層、中間層、正孔輸送層、および第2電極、をこの順で備え、ここで、
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料および酸化剤を含み、
前記光電変換層は、ヨウ素を含むペロブスカイト化合物を含み、かつ
前記中間層は、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つを含む。
以下、第1実施形態による太陽電池が説明される。
第1実施形態による太陽電池は、
第1電極、光電変換層、中間層、正孔輸送層、および第2電極、をこの順で備え、ここで、
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料および酸化剤を含み、
前記光電変換層は、ヨウ素を含むペロブスカイト化合物を含み、かつ
前記中間層は、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つを含む。
以上の構成によれば、第1実施形態による太陽電池は、高い光耐久性を有する。
第1実施形態によるペロブスカイト太陽電池は、基板を備えていてもよい。図1は、第1実施形態による太陽電池の断面図を示す。
図1に示された太陽電池100は、基板1、第1電極2、光電変換層3、中間層4、正孔輸送層5、および第2電極6を、この順で備える。
本開示のペロブスカイト太陽電池は、第1電極および光電変換層の間に、電子輸送層を備えていてもよい。図2は、第1実施形態による太陽電池の変形例の断面図を示す。
図2に示された太陽電池200は、基板1、第1電極2、電子輸送層7、光電変換層3、中間層4、正孔輸送層5、および第2電極6を、この順で備える。
第1実施形態によるペロブスカイト太陽電池は、多孔質層を備えていてもよい。図3は、第1実施形態による太陽電池の変形例の断面図を示す。
図3に示された太陽電池300は、基板1、第1電極2、電子輸送層7、多孔質層8、光電変換層3、中間層4、正孔輸送層5、および第2電極6を、この順で備える。
太陽電池300は、例えば、以下の方法によって作製される。
まず、基板1の表面に第1電極2を、Chemical Vapor Deposition(CVD)、またはスパッタ法などにより形成する。次に、第1電極2の上に電子輸送層7をスパッタ法などによって形成する。電子輸送層7の上に、塗布法などによって多孔質層8を形成する。そして、多孔質層8の上に光電変換層3を塗布法などによって形成する。それから、光電変換層3の上に、塗布法などによって中間層4を形成する。中間層4の上に、塗布法などによって正孔輸送層5を形成する。正孔輸送層5の上に、第2電極6をCVD、スパッタ法などにより形成することにより、太陽電池300が得られる。なお、太陽電池100は、電子輸送層7および多孔質層8を形成しないことを除き、太陽電池300と同様の方法で作製され得る。太陽電池200は、多孔質層8を形成しないことを除き、太陽電池300と同様の方法で作製され得る。
<第2実施形態>
以下、第2実施形態による太陽電池が説明される。第2実施形態において説明された事項は、適宜、省略される。
以下、第2実施形態による太陽電池が説明される。第2実施形態において説明された事項は、適宜、省略される。
第2実施形態による太陽電池は、
第1電極、光電変換層、中間層、正孔輸送層、および第2電極、をこの順で備え、ここで、
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料および酸化剤を含み、
前記光電変換層は、ヨウ素を含むペロブスカイト化合物を含み、かつ
前記中間層が電離したときに生じるアニオンが中性になるための酸化還元電位の絶対値よりも、カチオン化した前記正孔輸送材料が中性になるための酸化還元電位の絶対値の方が大きい。
第1電極、光電変換層、中間層、正孔輸送層、および第2電極、をこの順で備え、ここで、
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料および酸化剤を含み、
前記光電変換層は、ヨウ素を含むペロブスカイト化合物を含み、かつ
前記中間層が電離したときに生じるアニオンが中性になるための酸化還元電位の絶対値よりも、カチオン化した前記正孔輸送材料が中性になるための酸化還元電位の絶対値の方が大きい。
以上の構成によれば、第2実施形態による太陽電池は、高い光耐久性を有する。
中間層が上記構成を満たすことにより、中間層に含まれるアニオンによって正孔輸送材料が還元されるのを防ぐことができる。
酸化還元電位は、例えば、酸化還元電位を求めたい材料が溶解した水溶液中に、標準電極(例えば、白金)および比較電極を挿入し、得られる電位差を読み取ることで測定できる。
中間層が、例えば、C2H5NH3Brを含む場合、中間層が電離したときに生じるアニオンは、Br-(すなわち、臭素アニオン)である。Br-が中性になるための酸化還元電位、すなわち、以下の式(1)の反応が起こるときの酸化還元電位は、約5.7eVである。なお、当該酸化還元電位は、水素の標準酸化還元電位を4.6eVとしたときの値である。
Br-→Br+e- ・・・(1)
Br-→Br+e- ・・・(1)
以下、本開示の太陽電池の各構成要素について、具体的に説明する。
<基板1>
基板1は、太陽電池の各層を保持する。基板1は、透明な材料から形成することができる。例えば、ガラス基板またはプラスチック基板(プラスチックフィルムを含む)を用いることができる。第1電極2が十分な強度を有している場合、第1電極2によって各層を保持することができるので、基板1を設けなくてもよい。
基板1は、太陽電池の各層を保持する。基板1は、透明な材料から形成することができる。例えば、ガラス基板またはプラスチック基板(プラスチックフィルムを含む)を用いることができる。第1電極2が十分な強度を有している場合、第1電極2によって各層を保持することができるので、基板1を設けなくてもよい。
<第1電極2>
第1電極2は、導電性を有する。また、第1電極2は、透光性を有し得る。例えば、可視領域から近赤外領域の光を透過させる。第1電極2は、例えば、透明であり、かつ導電性を有する金属酸化物から構成されうる。このような金属酸化物の例は、
(i)インジウム-錫複合酸化物、
(ii)アンチモンがドープされた酸化錫、
(iii)フッ素がドープされた酸化錫、
(iv)ホウ素、アルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選択される少なくとも1種の元素がドープされた酸化亜鉛、または
(v)これらの複合物
である。
第1電極2は、導電性を有する。また、第1電極2は、透光性を有し得る。例えば、可視領域から近赤外領域の光を透過させる。第1電極2は、例えば、透明であり、かつ導電性を有する金属酸化物から構成されうる。このような金属酸化物の例は、
(i)インジウム-錫複合酸化物、
(ii)アンチモンがドープされた酸化錫、
(iii)フッ素がドープされた酸化錫、
(iv)ホウ素、アルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群より選択される少なくとも1種の元素がドープされた酸化亜鉛、または
(v)これらの複合物
である。
第1電極2は、透明でない材料を用いて、光が透過するパターンを設けて形成されてもよい。光が透過するパターンの例は、線状(ストライプ状)、波線状、格子状(すなわち、メッシュ状)、または多数の微細な貫通孔が規則的または不規則に配列されたパンチメタル状のパターンである。第1電極2がこれらのパターンを有すると、電極材料が存在しない部分を光が透過することができる。透明でない材料の例は、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム、チタン、鉄、ニッケル、スズ、亜鉛、またはこれらのいずれかを含む合金である。導電性を有する炭素材料が、透明でない材料として使用されてもよい。
太陽電池が電子輸送層7を備えていない場合、第1電極2は、光電変換層3からの正孔に対するブロック性を有する。この場合、第1電極2は、光電変換層3とオーミック接触しない。さらに、光電変換層3からの正孔に対するブロック性とは、光電変換層3で発生した電子のみを通過させ、正孔を通過させない性質のことである。このような性質を有する材料のフェルミエネルギー準位は、光電変換層3の伝導帯上端のエネルギー準位に比べて高い。このような性質を有する材料のフェルミエネルギー準位は、光電変換層3のフェルミエネルギー準位に比べて高くてもよい。具体的な材料としては、アルミニウムが挙げられる。なお、アルミニウムは透光性を有さない。したがって、アルミニウムを用いて透光性の電極を形成する場合は、例えば、上述のようなパターン形状を有する電極が採用される。
太陽電池が第1電極2および光電変換層3の間に電子輸送層7を備える場合、第1電極2は、光電変換層3からの正孔に対するブロック性を有していなくてもよい。この場合、第1電極2は、光電変換層3との間でオーミック接触を形成可能な材料から構成されうる。この場合、第1電極2は、光電変換層3とオーミック接触してもよいし、しなくてもよい。
第1電極2の光の透過率は、例えば50%以上であってもよく、80%以上であってもよい。第1電極2が透過すべき光の波長は、光電変換層3の吸収波長に依存する。
第1電極2は、例えば、1nm以上1000nm以下の厚みを有していてもよい。
<電子輸送層7>
電子輸送層7は、半導体を含む。電子輸送層7は、バンドギャップが3.0eV以上の半導体から形成されていることが望ましい。これにより、可視光および赤外光を光電変換層3まで透過させることができる。半導体の例は、有機のn型半導体または無機のn型半導体である。
電子輸送層7は、半導体を含む。電子輸送層7は、バンドギャップが3.0eV以上の半導体から形成されていることが望ましい。これにより、可視光および赤外光を光電変換層3まで透過させることができる。半導体の例は、有機のn型半導体または無機のn型半導体である。
有機のn型半導体の例は、イミド化合物、キノン化合物、フラーレンまたはフラーレン誘導体である。無機のn型半導体の例は、金属酸化物またはペロブスカイト酸化物である。金属酸化物の例は、Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Bi、Cu、Hg、Ti、Ag、Mn、Fe、V、Sn、Zr、Sr、Ga、またはCrの酸化物である。金属酸化物は、例えば、TiO2である。ペロブスカイト酸化物は、例えば、SrTiO3またはCaTiO3である。
電子輸送層7は、バンドギャップが6eVよりも大きな物質を含んでいてもよい。バンドギャップが6eVよりも大きな物質の例は、
(i)フッ化リチウムまたはフッ化カルシウムのようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物、
(ii)酸化マグネシウムのようなアルカリ土類金属の酸化物、または
(iii)二酸化ケイ素
である。この場合、電子輸送層7の電子輸送性を確保するために、電子輸送層7は、例えば、10nm以下の厚みを有していてもよい。
(i)フッ化リチウムまたはフッ化カルシウムのようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属のハロゲン化物、
(ii)酸化マグネシウムのようなアルカリ土類金属の酸化物、または
(iii)二酸化ケイ素
である。この場合、電子輸送層7の電子輸送性を確保するために、電子輸送層7は、例えば、10nm以下の厚みを有していてもよい。
電子輸送層7は、互いに異なる材料からなる複数の層を含んでいてもよい。
<多孔質層8>
多孔質層8は、例えば、光電変換層3および電子輸送層7の間に配置されている。多孔質層8は、電子輸送層7の上に光電変換層3を形成する際の土台となり得る。多孔質層8は、光電変換層3の光吸収および光電変換層3から電子輸送層7への電子移動を阻害しない。
多孔質層8は、例えば、光電変換層3および電子輸送層7の間に配置されている。多孔質層8は、電子輸送層7の上に光電変換層3を形成する際の土台となり得る。多孔質層8は、光電変換層3の光吸収および光電変換層3から電子輸送層7への電子移動を阻害しない。
多孔質層8は、多孔質体を含む。多孔質体は、空孔を含む。多孔質層8に含まれる空孔は、電子輸送層7と接する部分から光電変換層3と接する部分に至るまで繋がっている。当該空孔は、典型的には、光電変換層3を構成する材料によって充填されており、電子は、直接、光電変換層3から電子輸送層7に移動しうる。
多孔質体は、例えば、絶縁性または半導体の粒子の連なりによって形成される。絶縁性の粒子の例は、酸化アルミニウム粒子または酸化ケイ素粒子である。半導体粒子の例は、無機半導体粒子である。無機半導体の例は、金属酸化物、金属元素のペロブスカイト酸化物、金属元素の硫化物、または金属カルコゲナイドである。金属酸化物の例は、Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Bi、Cu、Hg、Ti、Ag、Mn、Fe、V、Sn、Zr、Sr、Ga、Si、またはCrの酸化物である。金属酸化物は、例えば、TiO2である。金属元素のペロブスカイト酸化物の例は、SrTiO3またはCaTiO3である。金属元素の硫化物の例は、CdS、ZnS、In2S3、PbS、Mo2S、WS2、Sb2S3、Bi2S3、ZnCdS2、またはCu2Sである。金属カルコゲナイドの例、CdSe、In2Se3、WSe2、HgS、PbSe、またはCdTeである。
多孔質層8の厚みは、0.01μm以上10μm以下であってもよく、0.1μm以上1μm以下であってもよい。多孔質層8は、大きな表面粗さを有していてもよい。具体的には、実効面積/投影面積の値で与えられる表面粗さ係数が10以上であってもよく、100以上であってもよい。なお、投影面積とは、物体を真正面から光で照らしたときに、当該物体の後ろにできる影の面積である。実効面積とは、物体の実際の表面積のことである。実効面積は、物体の投影面積および厚さから求められる体積と、物体を構成する材料の比表面積および嵩密度とから計算することができる。
本開示の太陽電池は、多孔質層8を含んでいなくてもよい。
<光電変換層3>
光電変換層3は、組成式ABX3により表されるペロブスカイト化合物を含む。Aは1価のカチオンである。カチオンAの例は、アルカリ金属カチオンまたは有機カチオンのような1価のカチオンである。さらに具体的には、メチルアンモニウムカチオン(CH3NH3 +)、ホルムアミジニウムカチオン(NH2CHNH2 +)、セシウムカチオン(Cs+)が挙げられる。Bは2価の金属カチオンである。カチオンBの例は、Pbカチオン、Snカチオン、またはGeカチオンである。Xは1価のアニオンであり、ヨウ素を含む。アニオンXの例は、ハロゲンアニオンである。カチオンA、カチオンB、アニオンXのそれぞれのサイトは、複数種類のイオンによって占有されていてもよい。
光電変換層3は、組成式ABX3により表されるペロブスカイト化合物を含む。Aは1価のカチオンである。カチオンAの例は、アルカリ金属カチオンまたは有機カチオンのような1価のカチオンである。さらに具体的には、メチルアンモニウムカチオン(CH3NH3 +)、ホルムアミジニウムカチオン(NH2CHNH2 +)、セシウムカチオン(Cs+)が挙げられる。Bは2価の金属カチオンである。カチオンBの例は、Pbカチオン、Snカチオン、またはGeカチオンである。Xは1価のアニオンであり、ヨウ素を含む。アニオンXの例は、ハロゲンアニオンである。カチオンA、カチオンB、アニオンXのそれぞれのサイトは、複数種類のイオンによって占有されていてもよい。
光電変換層3の厚みは、その光吸収の大きさにもよるが、例えば、100nm以上2000nm以下である。光電変換層3は、溶液による塗布法などを用いて形成することができる。
<中間層4>
中間層4は、ヨウ素アニオンの光電変換層3から正孔輸送層5への拡散防止層として機能する。
中間層4は、ヨウ素アニオンの光電変換層3から正孔輸送層5への拡散防止層として機能する。
臭素、塩素、およびフッ素は、酸化還元電位が十分に高いため、正孔輸送層5における酸化剤による正孔輸送材料の酸化を阻害しない。その結果、太陽電池が、高い光耐久性を有する。
例えば、太陽電池の効率の変化率が0.2%/h以内、すなわち、-0.2%/h以上0.2%/h以下であることが望ましい。ここで、効率の変化率とは、太陽電池に100mW/cm2の疑似太陽光を照射した際の、単位時間当たりの光電変換効率の変化率である。
太陽電池の光耐久性を高めるために、中間層4は、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つを主成分として含んでもよい。ここで、主成分とは、モル比で最も多く含まれる成分のことである。中間層4は、実質的に、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つからなっていてもよい。ここで、「中間層4は、実質的に、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つからなる」とは、中間層4における、臭化物、塩化物、およびフッ化物の合計の含有率が90モル%以上であることを意味する。当該含有率は、95モル%以上であってもよい。中間層4は、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つのみからなってもよい。
太陽電池の光耐久性を高めるために、中間層4は、臭化物を含んでもよい。中間層4は、実質的に、臭化物からなっていてもよい。ここで、「中間層4は、実質的に、臭化物からなる」とは、中間層4が、臭化物を90モル%以上含むことを意味する。中間層4は、臭化物を95モル%以上含んでいてもよい。中間層4は、臭化物のみからなってもよい。
太陽電池の光耐久性を高めるために、中間層4は、組成式R-NH4Xにより表される化合物を含んでもよい。ここで、Rは炭化水素基であり、Xは臭素、塩素、およびフッ素からならなる群より選択される少なくとも一つである。Rの例は、アルキル基、フェニル基、またはフェニルアルキル基である。Xは、臭素を含んでもよい。
Rは、アルキル基であってもよい。すなわち、臭化物は、臭化アルキルアンモニウムであってもよい。ヨウ素アニオンの拡散防止性能を十分に確保するために、臭化アルキルアンモニウムの炭素数は4以上であってもよい。
電荷注入を阻害しないために、中間層4の厚みは10nm以下であってもよい。
<正孔輸送層5>
正孔輸送層5は、正孔輸送材料と酸化剤を含む。酸化剤は、正孔の濃度を高めるために添加される。
正孔輸送層5は、正孔輸送材料と酸化剤を含む。酸化剤は、正孔の濃度を高めるために添加される。
正孔輸送材料は、トリフェニルアミン誘導体を含んでいてもよい。
トリフェニルアミン誘導体の例は、spiro-OMeTAD、spiro-OMeTAD誘導体、PTAA、またはPTAA誘導体である。
spiro-OMeTAD誘導体として、spiro-OMeTADの水素原子またはメトキシ基の少なくとも一部が、別の官能基に置き換わっていてもよい。例えば、spiro-OMeTADのメトキシ基の少なくとも一部は、水素原子またはメチル基に置き換わっていてもよい。あるいは、spiro-OMeTADの水素原子の少なくとも一部は、メチル基またはメトキシ基に置き換わっていてもよい。
PTAA誘導体として、PTAAの水素原子またはメチル基の少なくとも一部が、別の官能基に置き換わっていてもよい。例えば、PTAAのメチル基の少なくとも一部は、水素原子またはメトキシ基に置き換わっていてもよい。あるいは、PTAAの水素原子の少なくとも一部は、メチル基またはメトキシ基に置き換わっていてもよい。
トリフェニルアミン誘導体は、PTAAまたはPTAA誘導体であってもよい。
正孔輸送層5は、トリフェニルアミン誘導体だけでなく、別の正孔輸送材料も含んでいてもよい。正孔輸送材料の例は、有機物または無機半導体である。
正孔輸送材料として用いられる有機物の例は、ポリ(3-ヘキシルチオフェン-2、5-ジイル)(以下、「P3HT」という)またはポリ(3、4-エチレンジオキシチオフェン)(以下、「PEDOT」という)である。特に、ペロブスカイト太陽電池に適した電子準位を有するフェニルアミンであってもよい。分子量は、特に限定されないが、高分子体であってもよい。
正孔輸送材料として用いられる無機半導体の例は、Cu2O、CuGaO2、CuSCN、CuI、CuPC、NiOx、MoOx、V2O5、または酸化グラフェンのようなカーボン系材料である。
酸化剤は、フルオロボロン系化合物であってもよい。フルオロボロン系化合物は、高い安定性および正孔輸送材料を酸化するのに適した酸化還元電位を有する。
フルオロボロン系化合物は、例えば、ペンタフルオロフェニル基を有するホウ素化合物である。このような化合物の例は、TPFPB、4-イソプロピル-4’-メチルジフェニルヨードニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラート、またはN,N-ジメチルアニリニウムテトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボラートである。
フルオロボロン系化合物は、TPFPBまたはTPFPB誘導体であってもよい。
酸化剤は、トリス(2-(1H-ピラゾール-1-イル)-4-tert-ブチルピリジン)コバルト(III)トリ[ビス(トリフルオロメタン)スルホンイミド](すなわち、FK209Co(III)TFSI塩)であってもよい。
酸化剤は、NOを含む塩であってもよい。当該塩の例は、NO-TFSI、NO-BF4、NO-PF6、またはTEMPO-TFSIである。
酸化剤は、2,3,5,6-テトラフルオロ-7,7,8,8-テトラシアノキノジメタン(すなわち、F4-TCNQ)であってもよい。
正孔輸送層5は、互いに異なる材料から形成される複数の層を含んでいてもよい。
正孔輸送層5の厚さは、低抵抗の観点から、1nm以上1000nm以下であってもよく、10nm以上500nm以下であってもよい。
正孔輸送層5の形成方法の例は、塗布法または印刷法である。塗布法の例は、ドクターブレード法、バーコート法、スプレー法、ディップコーティング法、またはスピンコート法である。印刷法の例は、スクリーン印刷法である。正孔輸送層5は、複数の材料を混合して得られた膜を加圧または焼成することにより形成されてもよい。正孔輸送材料が低分子の有機物または無機半導体である場合、真空蒸着法により正孔輸送層5が形成されてもよい。
正孔輸送層5は、支持電解質および溶媒を含んでいてもよい。支持電解質および溶媒は、正孔輸送層5中の正孔を安定化させる効果を有する。
支持電解質の例は、アンモニウム塩またはアルカリ金属塩である。アンモニウム塩の例は、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、六フッ化リン酸テトラエチルアンモニウム、イミダゾリウム塩、またはピリジニウム塩である。アルカリ金属塩の例は、LiN(SO2CnF2n+1)2、LiPF6、LiBF4、過塩素酸リチウム、または四フッ化ホウ素カリウムである。
正孔輸送層5に含まれる溶媒は、高いイオン伝導性を有していてもよい。当該溶媒は、水系溶媒および有機溶媒のいずれであってもよい。溶質の安定化の観点から、当該溶媒は有機溶媒であってもよい。有機溶媒の例は、tert-ブチルピリジン(以下、「tBP」という)、ピリジン、またはn-メチルピロリドンのような複素環化合物である。
溶媒としてイオン液体を、単独で、または別の溶媒に混合して用いてもよい。イオン液体は、低い揮発性および高い難燃性を有する。
イオン液体の例は、1-エチル-3-メチルイミダゾリウムテトラシアノボレートのようなイミダゾリウム化合物、ピリジン化合物、脂環式アミン化合物、脂肪族アミン化合物、またはアゾニウムアミン化合物である。
<第2電極6>
本開示の太陽電池は、正孔輸送層5を有するため、第2電極6は、光電変換層3からの電子に対するブロック性を有さなくてもよい。すなわち、第2電極6を構成する材料は、光電変換層3とオーミック接触する材料であってもよい。
本開示の太陽電池は、正孔輸送層5を有するため、第2電極6は、光電変換層3からの電子に対するブロック性を有さなくてもよい。すなわち、第2電極6を構成する材料は、光電変換層3とオーミック接触する材料であってもよい。
第2電極6は、導電性を有する。また、第2電極6は、透光性を有し得る。第2電極6は、第1電極2と同様に構成される。
第1電極2および第2電極6のうち、光を入射させる側の電極が透光性を有していればよい。したがって、第1電極2および第2電極6の一方は、透光性を有さなくてもよい。すなわち、第1電極2および第2電極6の一方は、透光性を有する材料を用いていなくてもよいし、光を透過させる開口部分を含むパターンを有していなくてもよい。
以下、実施例を参照しながら、本開示がより詳細に説明される。
実施例1による太陽電池は、図3に示される太陽電池300と同様の構造を有する。各構成要素は、以下の通りである。
基板1:ガラス基板
第1電極2:インジウムドープSnO2層(表面抵抗10Ω/sq.ジオマテック製)
電子輸送層7:TiO2(厚さ:10nm、ジオマテック製)
多孔質層8:TiO2
光電変換層3:CH(NH2)PbI3を主に含む
中間層4:C2H5NH3Br
正孔輸送層5:正孔輸送材料としてPTAA(Aldrich製)、添加剤としてTPFPB(東京化成製)を含む。
第2電極6:金(厚さ:80nm)
基板1:ガラス基板
第1電極2:インジウムドープSnO2層(表面抵抗10Ω/sq.ジオマテック製)
電子輸送層7:TiO2(厚さ:10nm、ジオマテック製)
多孔質層8:TiO2
光電変換層3:CH(NH2)PbI3を主に含む
中間層4:C2H5NH3Br
正孔輸送層5:正孔輸送材料としてPTAA(Aldrich製)、添加剤としてTPFPB(東京化成製)を含む。
第2電極6:金(厚さ:80nm)
実施例1による太陽電池は、以下のようにして作製された。
基板1、第1電極2、および電子輸送層7として、インジウムドープSnO2層およびTiO2層が形成された厚さ1mmの導電性ガラス基板(日本板硝子製)を用いた。TiO2層の上に、酸化チタンナノ粒子ペースト(150mg)(NR-D30、Greatcell solar製)をエタノール(1mL)で希釈した溶液をスピンコートで塗布したのち、500℃で30分間焼成した。このようにして、多孔質層8が形成された。
次に、PbI2(0.92M、東京化成製)、PbBr2(0.17M、東京化成製)、FAI(0.83M、Greatcell Solar製)、MABr(0.17M、Greatcell Solar製)、CsI(0.05M、岩谷産業製)、およびRbI(0.05M、岩谷産業製)を含む溶液を調整した。当該溶液の溶媒は、ジメチルスルホキシド(DMSO、acros製)およびN,N-ジメチルホルムアミド(DMF、acros製)の混合物であった。当該溶液におけるDMSOおよびDMFの混合比は、体積比で1:4であった。この溶液を電子輸送層7の上にスピンコートし、100℃のホットプレート上で45分間アニールすることで、光電変換層3が形成された。
次に、C2H5NH3Br(1mg)(Greatcell Solar製)を含むIPA(1mL)(Acros Organics製)溶液を用意した。この溶液を光電変換層3上にスピンコートすることによって、中間層4が形成された。
次に、PTAA(10mg)およびTPFPB(1.8mg)を含むトルエン(acros製)溶液を1mL用意した。この溶液を中間層4上にスピンコートすることによって、正孔輸送層5が形成された。
最後に、正孔輸送層5上に金(厚さ80nm)を蒸着し、第2電極6が形成された。
このようにして、実施例1による太陽電池が得られた。
上述したすべての工程は、-40℃以下の露点を有するドライルーム中で行われた。
<実施例2>
中間層4を作製するための溶液の溶質をC3H7NH3Br(Greatcell Solar製)とした以外は、実施例1と同様にして、実施例2による太陽電池が得られた。
中間層4を作製するための溶液の溶質をC3H7NH3Br(Greatcell Solar製)とした以外は、実施例1と同様にして、実施例2による太陽電池が得られた。
<実施例3>
中間層4を作製するための溶液の溶質をC4H9NH3Br(Greatcell Solar製)とした以外は、実施例1と同様にして、実施例3による太陽電池が得られた。
中間層4を作製するための溶液の溶質をC4H9NH3Br(Greatcell Solar製)とした以外は、実施例1と同様にして、実施例3による太陽電池が得られた。
<実施例4>
中間層4を作製するための溶液の溶質をC8H17NH3Br(Greatcell Solar製)とした以外は、実施例1と同様にして、実施例4による太陽電池が得られた。
中間層4を作製するための溶液の溶質をC8H17NH3Br(Greatcell Solar製)とした以外は、実施例1と同様にして、実施例4による太陽電池が得られた。
<比較例1>
中間層4を形成せず、かつ正孔輸送層5にTPFPBを加えない以外は、実施例1と同様にして、比較例1による太陽電池が得られた。
中間層4を形成せず、かつ正孔輸送層5にTPFPBを加えない以外は、実施例1と同様にして、比較例1による太陽電池が得られた。
<比較例2>
中間層4を形成せず、かつ正孔輸送層5を以下のようにして作製した。PTAA(10mg)を含むトルエン(acros社製)溶液(1mL)、tBP(6μL)、およびLiTFSIを1.8Mの濃度で溶解したアセトニトリル溶液(4.8μL)を混合した溶液を用意した。この溶液を中間層4上にスピンコートすることによって、正孔輸送層5が形成された。
中間層4を形成せず、かつ正孔輸送層5を以下のようにして作製した。PTAA(10mg)を含むトルエン(acros社製)溶液(1mL)、tBP(6μL)、およびLiTFSIを1.8Mの濃度で溶解したアセトニトリル溶液(4.8μL)を混合した溶液を用意した。この溶液を中間層4上にスピンコートすることによって、正孔輸送層5が形成された。
上記の事項以外は、実施例1と同様にして、比較例2による太陽電池が得られた。
<比較例3>
中間層4を形成しないこと以外は、実施例1と同様にして、比較例3による太陽電池が得られた。
中間層4を形成しないこと以外は、実施例1と同様にして、比較例3による太陽電池が得られた。
<比較例4>
正孔輸送層5を以下のようにして作製した。PTAA(10mg)を含むトルエン(acros社製)溶液(1mL)、tBP(6μL)、およびLiTFSIを1.8Mの濃度で溶解したアセトニトリル溶液(4.8μL)を混合した溶液を用意した。この溶液を中間層4上にスピンコートすることによって、正孔輸送層5が形成された。
正孔輸送層5を以下のようにして作製した。PTAA(10mg)を含むトルエン(acros社製)溶液(1mL)、tBP(6μL)、およびLiTFSIを1.8Mの濃度で溶解したアセトニトリル溶液(4.8μL)を混合した溶液を用意した。この溶液を中間層4上にスピンコートすることによって、正孔輸送層5が形成された。
上記の事項以外は、実施例3と同様にして、比較例4による太陽電池が得られた。
<比較例5>
中間層4を作製するための溶液の溶質をC4H9NH3I(Greatcell Solar製)とした以外は、実施例1と同様にして、比較例5による太陽電池が得られた。
中間層4を作製するための溶液の溶質をC4H9NH3I(Greatcell Solar製)とした以外は、実施例1と同様にして、比較例5による太陽電池が得られた。
[太陽電池特性の評価]
実施例1から4および比較例1から5の太陽電池の特性が、ソーラーシミュレータ(ALS440B、BAS製)を100mW/cm2の出力に設定し、疑似太陽光下で評価された。印加電圧に対する出力電流値を1.2Vから0Vまで変化させて記録し、変換効率を算出した。実施例1から4および比較例1から5の太陽電池の初期効率を表2に示す。
実施例1から4および比較例1から5の太陽電池の特性が、ソーラーシミュレータ(ALS440B、BAS製)を100mW/cm2の出力に設定し、疑似太陽光下で評価された。印加電圧に対する出力電流値を1.2Vから0Vまで変化させて記録し、変換効率を算出した。実施例1から4および比較例1から5の太陽電池の初期効率を表2に示す。
[効率の変化率]
実施例1から4および比較例1から5の太陽電池について光照射試験を行った。100mW/cm2の疑似太陽光下で、太陽電池デバイスが最適動作点付近で動作するように抵抗を接続し、出力をデータロガーで記録した。単位時間当たりの光電変換効率の変化率が、(光照射試験後の光電変換効率-光照射試験前の光電変換効率)/光照射試験前の光電変換効率/試験時間×100(%/h)により算出された。実施例1から4および比較例1から5の太陽電池の光電変換効率の変化率を表2に示す。
実施例1から4および比較例1から5の太陽電池について光照射試験を行った。100mW/cm2の疑似太陽光下で、太陽電池デバイスが最適動作点付近で動作するように抵抗を接続し、出力をデータロガーで記録した。単位時間当たりの光電変換効率の変化率が、(光照射試験後の光電変換効率-光照射試験前の光電変換効率)/光照射試験前の光電変換効率/試験時間×100(%/h)により算出された。実施例1から4および比較例1から5の太陽電池の光電変換効率の変化率を表2に示す。
太陽電池の安定的な動作には、効率の変化率が2%以内であることが望ましいと考えられる。太陽電池の種類によって工業規格で求められる安定時間は異なるが、目安として太陽電池の1日の最大駆動時間はおよそ10時間である。したがって、1時間当たりの効率の変化率は0.2%/h以内、すなわち、上記の単位時間当たりの光電変換効率の変化率を求める式によって算出される値が-0.2%/h以上0.2%/h以下であることが望ましい。実施例1から4の太陽電池は、比較例1から5の太陽電池と比較して、単位時間当たりの光電変換効率の低下が0.2%/h以内に抑えられていることがわかる。したがって、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つを含む中間層と、添加剤としてフルオロボロン系化合物を含む正孔輸送層を備える太陽電池は、優れた光耐久性を有する。実施例3および4の太陽電池の結果からわかるように、中間層に含まれる臭化物の炭素数が4以上の場合、単位時間当たりの光電変換効率の低下が確認されなかった。したがって、中間層に含まれる臭化物の炭素数が4以上の場合、太陽電池はさらに優れた光耐久性を有する。
[ヨウ素アニオンの変化率の評価]
実施例3および比較例3の太陽電池の光照射試験前後のヨウ素アニオンの変化率が、硬X線光電子分光(HAXPES)を用いて測定された。
実施例3および比較例3の太陽電池の光照射試験前後のヨウ素アニオンの変化率が、硬X線光電子分光(HAXPES)を用いて測定された。
第2電極6を取り除いた太陽電池の表面近傍におけるゼロ価のヨウ素のピーク積分強度(I0)および、1価のヨウ素(すなわち、ヨウ素アニオン)のピーク積分強度(I-)が測定された。
ゼロ価のヨウ素の割合は、I0/(I0+I-)×100により算出された。
ヨウ素アニオンの変化率は、(光照射試験後のゼロ価のヨウ素の割合-光照射試験前のゼロ価のヨウ素の割合)/光照射試験前のゼロ価のヨウ素の割合×100(%)により算出された。
実施例3の太陽電池のヨウ素アニオンの変化率は-1.9%であった。比較例3の太陽電池のヨウ素アニオンの変化率は+9.6%であった。したがって、臭化物を含む中間層および添加剤としてフルオロボロン系化合物を含む正孔輸送層を備える太陽電池では、添加剤としてフルオロボロン系化合物を含む正孔輸送層を備えるが中間層を備えない太陽電池と比較して、ヨウ素アニオンのゼロ価のヨウ素への変化量が少ないことがわかる。以上の結果から、臭化物を含む中間層および添加剤としてフルオロボロン系化合物を含む正孔輸送層を備える太陽電池では、ヨウ素アニオンによる正孔輸送材料の還元が抑制されていると考えられる。このようにして、正孔輸送層内の酸化還元反応が設計通りに動作することによって光耐久性が向上していることを確認した。
本開示の太陽電池は、従来の太陽電池の用途を含む種々の用途に使用できる。
1 基板
2 第1電極
3 光電変換層
4 中間層
5 正孔輸送層
6 第2電極
7 電子輸送層
8 多孔質層
100、200、300 太陽電池
2 第1電極
3 光電変換層
4 中間層
5 正孔輸送層
6 第2電極
7 電子輸送層
8 多孔質層
100、200、300 太陽電池
Claims (9)
- 第1電極、光電変換層、中間層、正孔輸送層、および第2電極、をこの順で備え、
ここで、
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料および酸化剤を含み、
前記光電変換層は、ヨウ素を含むペロブスカイト化合物を含み、かつ
前記中間層は、臭化物、塩化物、およびフッ化物からなる群より選択される少なくとも一つを含む、
太陽電池。 - 前記正孔輸送材料は、トリフェニルアミン誘導体を含む、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記トリフェニルアミン誘導体は、poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine]またはpoly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine]誘導体である、
請求項2に記載の太陽電池。 - 前記酸化剤は、フルオロボロン系化合物である、
請求項1から3のいずれか一項に記載の太陽電池。 - 前記フルオロボロン系化合物は、tris(pentafluorophenyl)boranまたはtris(pentafluorophenyl)boran誘導体である、
請求項4に記載の太陽電池。 - 前記中間層は、臭化物を含む、
請求項1から5のいずれか一項に記載の太陽電池。 - 前記臭化物は、臭化アルキルアンモニウムである、
請求項6に記載の太陽電池。 - 前記臭化アルキルアンモニウムの炭素数は4以上である、
請求項7に記載の太陽電池。 - 第1電極、光電変換層、中間層、正孔輸送層、および第2電極、をこの順で備え、
ここで、
前記正孔輸送層は、正孔輸送材料および酸化剤を含み、
前記光電変換層は、ヨウ素を含むペロブスカイト化合物を含み、かつ
前記中間層が電離したときに生じるアニオンが中性になるための酸化還元電位の絶対値よりも、カチオン化した前記正孔輸送材料が中性になるための酸化還元電位の絶対値の方が大きい、
太陽電池。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022532486A JPWO2021261190A1 (ja) | 2020-06-24 | 2021-06-02 | |
EP21827933.9A EP4174970A4 (en) | 2020-06-24 | 2021-06-02 | SOLAR CELL |
CN202180040466.2A CN115700037A (zh) | 2020-06-24 | 2021-06-02 | 太阳能电池 |
US18/059,917 US20230088816A1 (en) | 2020-06-24 | 2022-11-29 | Solar cell |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020-109179 | 2020-06-24 | ||
JP2020109179 | 2020-06-24 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
US18/059,917 Continuation US20230088816A1 (en) | 2020-06-24 | 2022-11-29 | Solar cell |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2021261190A1 true WO2021261190A1 (ja) | 2021-12-30 |
Family
ID=79282548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2021/021041 WO2021261190A1 (ja) | 2020-06-24 | 2021-06-02 | 太陽電池 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230088816A1 (ja) |
EP (1) | EP4174970A4 (ja) |
JP (1) | JPWO2021261190A1 (ja) |
CN (1) | CN115700037A (ja) |
WO (1) | WO2021261190A1 (ja) |
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- 2021-06-02 EP EP21827933.9A patent/EP4174970A4/en active Pending
- 2021-06-02 JP JP2022532486A patent/JPWO2021261190A1/ja active Pending
- 2021-06-02 CN CN202180040466.2A patent/CN115700037A/zh active Pending
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EP4174970A4 (en) | 2023-11-29 |
CN115700037A (zh) | 2023-02-03 |
JPWO2021261190A1 (ja) | 2021-12-30 |
US20230088816A1 (en) | 2023-03-23 |
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