JP7386443B2 - 太陽電池 - Google Patents
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Description
第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極の間に位置する光電変換層と、
前記第1電極及び前記光電変換層の間に位置する半導体層と、
を具備し、
前記第1電極及び前記第2電極からなる群より選ばれる少なくとも1つの電極が透光性を有し、
前記半導体層は、Na、Zn及びOを含有する化合物を含む。
本明細書において用いられる用語「ペロブスカイト化合物」とは、化学式ABX3(ここで、Aは1価のカチオン、Bは2価のカチオン、及びXはハロゲンアニオンである)で示されるペロブスカイト結晶構造体及びそれに類似する結晶を有する構造体を意味する。本明細書において用いられる用語「ペロブスカイト太陽電池」とは、ペロブスカイト化合物を光吸収材料として含む太陽電池を意味する。
本開示の基礎となった知見は、次のとおりである。
以下、本開示の実施形態が、図面を参照しながら説明される。
基板1は、太陽電池100を構成する各層を保持する。基板1は、透明な材料から形成されうる。基材1の例は、ガラス基板及びプラスチック基板である。プラスチック基板は、プラスチックフィルムであってもよい。各層を保持できる十分な強度を第1電極2が有する場合、太陽電池100は基板1を備えていなくてもよい。
第1電極2及び第2電極6は、導電性を有する。第1電極2及び第2電極6からなる群より選ばれる少なくとも1つの電極は、透光性を有する。透光性を有する電極を、例えば、可視から近赤外に至る領域に属する光が透過する。透光性を有する電極は、例えば、透明であり、かつ導電性を有する金属酸化物から構成されうる。透明であり、かつ導電性を有する金属酸化物の例は、(i)インジウム-錫複合酸化物、(ii)アンチモンがドープされた酸化錫、(iii)フッ素がドープされた酸化錫、(iv)ホウ素、アルミニウム、ガリウム及びインジウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素がドープされた酸化亜鉛、並びに(v)これらの複合物である。
光電変換層4は、1価のカチオン、2価のカチオン及びハロゲンアニオンにより構成されるペロブスカイト化合物を光吸収材料として含んでいてもよい。この場合、太陽電池100は、ペロブスカイト太陽電池である。上述のように、ペロブスカイト化合物は、化学式ABX3で示されるペロブスカイト結晶構造体及びそれに類似する結晶を有する構造体である。Aは1価のカチオン、Bは2価のカチオン、及びXはハロゲンアニオンである。1価のカチオンAの例は、アルカリ金属カチオン及び有機カチオンである。カチオンAの具体例は、メチルアンモニウムカチオン(CH3NH3 +)、ホルムアミジニウムカチオン(NH2CHNH2 +)及びセシウムカチオン(Cs+)である。2価のカチオンBの例は、Pbカチオン(鉛カチオン)、Snカチオンである。2価のカチオンBは、Pbカチオンであってもよい。カチオンA、カチオンB及びアニオンXのそれぞれのサイトは、複数の種類のイオンによって占有されていてもよい。
図1に示される太陽電池100は、第2電極6及び光電変換層4の間に位置する正孔輸送層5をさらに備える。正孔輸送層5は、例えば、有機半導体又は無機半導体により構成される。正孔輸送層5は、互いに異なる材料から構成される複数の層を有していてもよい。
太陽電池100は、上述した以外の他の層を備えうる。他の層の例は、多孔質層である。多孔質層は、例えば、半導体層3及び光電変換層4の間に位置する。多孔質層は、多孔質体を含む。多孔質体は、空孔を含む。半導体層3及び光電変換層4の間に位置する多孔質層に含まれる空孔は、半導体層3と接する部分から光電変換層4と接する部分に至るまで繋がっている。当該空孔は、典型的には、光電変換層4を構成する材料によって充填されており、電子は、直接、光電変換層4から半導体層3に移動しうる。
以下、本開示の太陽電池が、実施例を参照しながらより詳細に説明される。ただし、本開示の太陽電池は、以下の例に示される各態様に限定されない。
図1に示される太陽電池100と同じ構成を有するペロブスカイト太陽電池が、非特許文献3を参考に作製された。例1の太陽電池を構成する各要素は、以下のとおりである。
基板1:ガラス基板
第1電極2:インジウムドープSnO2層(ジオマテック製、表面抵抗率10Ω/sq)
半導体層3:化合物Na2Zn2O3を含む層(厚さ10nm)
光電変換層4:ペロブスカイト化合物であるCH(NH2)PbI3を主として含む層。
正孔輸送層5:PTAA層(支持電解質及び溶媒として、それぞれLiN(SO2C2F5)2及び4-tert-ブチルピリジン(t-BP)を含む)
第2電極6:金層(厚さ80nm)
・0.92mol/LのPbI2(東京化成製)、
・0.17mol/LのPbBr2(東京化成製)、
・0.83mol/Lのヨウ化ホルムアミジニウム(FAI:Great Cell Solar製)、
・0.17mol/Lの臭化メチルアンモニウム(MABr:Great Cell Solar製)、
・0.05mol/LのCsI(岩谷産業製)を含む、ジメチルスルホキシド(acros製)
なお、第1の原料溶液におけるジメチルスルホキシド及びN,N-ジメチルホルムアミドの混合比は、体積比により表示して1:4であった。
・10mgのPTAA(Aldrich製)、
・5μLのtBP(Aldrich製)、
・4μLのLiN(SO2C2F5)2(東京化成製)アセトニトリル溶液(濃度1.8mol/L)
半導体層3の形成に使用された混合溶液における酢酸ナトリウム及び酢酸亜鉛の混合比(モル比)が以下の表1に示されるように変更されたこと以外は、例1と同様にして、例2から例10の各太陽電池が作製された。
例1から例10の各太陽電池について、半導体層3に対するXRD分析が実施された。XRD分析は、第2電極7を剥離し、かつ溶剤を用いて正孔輸送層5を溶解除去して露出させた半導体層3に対して実施された。溶剤には、N,N-ジメチルホルムアミドが使用された。XRD分析には、X線回折測定装置(Rigaku製、Cuアノード、λ=0.15418nm)が使用された。XRD分析は、薄膜に対する2θ/θ法に基づいて実施された。
第1電極2の上に塗布する溶液が、上記混合溶液から、酢酸亜鉛のみを溶解させたエトキシメタノール溶液(濃度0.55mol/L)に変更されたこと以外は、例1と同様にして、比較例である例11の太陽電池が得られた。この太陽電池は、ZnOから構成される電子輸送層を備えていた。
光電変換層4の形成の前に、ZnOから構成される電子輸送層が形成された基板1及び第1電極2がNaOH水溶液(濃度0.01mol/L)に60秒間浸漬されて電子輸送層の表面をNa処理したこと以外は、例11と同様にして、比較例である例12の太陽電池が得られた。この太陽電池は、ZnOから構成され、かつNa処理された表面を有する電子輸送層を備えていた。
第1電極2の上に塗布する溶液が、上記混合溶液から、炭酸ナトリウム(Wako製)及び酢酸亜鉛の混合溶液に変更された以外は、例1と同様にして、比較例である例13の太陽電池が得られた。例13で使用された混合溶液は、炭酸ナトリウム及び酢酸亜鉛がモル比1:1で溶解したエトキシメタノールの溶液であった。混合溶液における炭酸ナトリウム及び酢酸亜鉛の濃度は、それぞれ0.55mol/Lであった。この太陽電池は、炭酸ナトリウム(Na2CO3)及びZnOの混合物から構成される電子輸送層を備えていた。
半導体層3が形成されることなく、TiO2から構成される電子輸送層がスパッタ法により形成されたこと以外は、例1と同様にして、比較例である例14の太陽電池が得られた。
作製された各太陽電池の開放電圧及び変換効率が、ソーラーシミュレータ(BAS製、ALS440B)により評価された。評価は、照度100mW/cm2の疑似太陽光を使用して実施された。
2 第1電極
3 半導体層
4 光電変換層
5 正孔輸送層
6 第2電極
100 太陽電池
Claims (6)
- 第1電極と、
第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極の間に位置する光電変換層と、
前記第1電極及び前記光電変換層の間に位置する半導体層と、
を具備し、
前記第1電極及び前記第2電極からなる群より選ばれる少なくとも1つの電極が透光性を有し、かつ
前記半導体層は、Na、Zn及びOを含有する化合物を含み、
前記化合物は、Na 2 Zn 2 O 3 である、
太陽電池。 - 前記半導体層は、前記光電変換層に接している、
請求項1に記載の太陽電池。 - 前記半導体層は、電子輸送層である、
請求項1又は2に記載の太陽電池。 - 前記太陽電池は、前記第2電極及び前記光電変換層の間に位置する正孔輸送層をさらに具備する、
請求項1から3のいずれか一項に記載の太陽電池。 - 前記光電変換層は、1価のカチオン、2価のカチオン、及びハロゲンアニオンにより構成されるペロブスカイト化合物を含む、
請求項1から4のいずれか一項に記載の太陽電池。 - 前記2価のカチオンは、鉛カチオンである、
請求項5に記載の太陽電池。
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