JP2017022354A - ペロブスカイト太陽電池 - Google Patents
ペロブスカイト太陽電池 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017022354A JP2017022354A JP2016002234A JP2016002234A JP2017022354A JP 2017022354 A JP2017022354 A JP 2017022354A JP 2016002234 A JP2016002234 A JP 2016002234A JP 2016002234 A JP2016002234 A JP 2016002234A JP 2017022354 A JP2017022354 A JP 2017022354A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar cell
- perovskite solar
- light absorption
- collector electrode
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims abstract description 88
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 64
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- -1 halogen anion Chemical group 0.000 claims abstract description 20
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 24
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 7
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 27
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=N1 UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 207739-72-8 Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 XDXWNHPWWKGTKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O Imidazolium Chemical compound C1=C[NH+]=CN1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000007611 bar coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- XLKNMWIXNFVJRR-UHFFFAOYSA-N boron potassium Chemical compound [B].[K] XLKNMWIXNFVJRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229940006165 cesium cation Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000004693 imidazolium salts Chemical class 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- VDVLPSWVDYJFRW-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(fluorosulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FS(=O)(=O)[N-]S(F)(=O)=O VDVLPSWVDYJFRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/30—Coordination compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
- H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
- H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/102—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising tin oxides, e.g. fluorine-doped SnO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
【課題】さらなる耐久性の向上を有するペロブスカイト太陽電池を提供する。
【解決手段】第1の集電極2と、第1の集電極上に配置され、半導体を含む電子輸送層3と、電子輸送層上に配置され、多孔質体を含む多孔質層4と、多孔質層上に配置され、Aを1価のカチオンとし、Bを2価のカチオンとし、Xをハロゲンアニオンとしたとき、組成式ABX3で示されるペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、2価のカチオンを含み第1の化合物とは異なる第2の化合物と、を含み、2価のカチオンのモル数に対する1価のカチオンのモル数の比が、0.5以上0.9以下である、光吸収層5と、光吸収層上に配置される第2の集電極6と、を備えるペロブスカイト太陽電池。
【選択図】図1
【解決手段】第1の集電極2と、第1の集電極上に配置され、半導体を含む電子輸送層3と、電子輸送層上に配置され、多孔質体を含む多孔質層4と、多孔質層上に配置され、Aを1価のカチオンとし、Bを2価のカチオンとし、Xをハロゲンアニオンとしたとき、組成式ABX3で示されるペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、2価のカチオンを含み第1の化合物とは異なる第2の化合物と、を含み、2価のカチオンのモル数に対する1価のカチオンのモル数の比が、0.5以上0.9以下である、光吸収層5と、光吸収層上に配置される第2の集電極6と、を備えるペロブスカイト太陽電池。
【選択図】図1
Description
本開示は、ペロブスカイト太陽電池に関する。
近年、組成式ABX3(Aは1価のカチオン、Bは2価のカチオン、Xはハロゲンアニオン)で示されるペロブスカイト型結晶、およびその類似の構造体を光吸収材料として用いた、ペロブスカイト太陽電池の研究開発が進められている。非特許文献1には、光吸収材料としてCH3NH3PbI3ペロブスカイト層を用いた、ペロブスカイト太陽電池が開示されている。
Jeong−Hyeok Im、他4名、" Nature Nanotechnology"(米国)、2014年11月、第9巻、p.927−932
ペロブスカイト太陽電池は、さらなる耐久性の向上が求められている。
上記課題を解決するために、本開示のペロブスカイト太陽電池は、第1の集電極と、第1の集電極上に配置され、半導体を含む電子輸送層と、電子輸送層上に配置され、多孔質体を含む多孔質層と、多孔質層上に配置され、Aを1価のカチオンとし、Bを2価のカチオンとし、Xをハロゲンアニオンとしたとき、組成式ABX3で示されるペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、2価のカチオンを含み第1の化合物とは異なる第2の化合物と、を含み、2価のカチオンのモル数に対する1価のカチオンのモル数の比が、0.5以上0.9以下である、光吸収層と、光吸収層上に配置される第2の集電極と、を備える。
また、本開示の別のペロブスカイト太陽電池は、第1の集電極と、第1の集電極上に配置され、半導体を含む電子輸送層と、電子輸送層上に配置され、多孔質体を含む多孔質層と、多孔質層上に配置され、Aを1価のカチオンとし、Bを2価のカチオンとし、Xをハロゲンアニオンとしたとき、組成式ABX3で示されるペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、組成式BX2で示される第2の化合物、とを含み、CuKα線を用いたX線回折において、第2の化合物の(001)面のピーク強度I[BX2]が、第1の化合物の(110)面のピーク強度I[ABX3]よりも大きい、光吸収層と、光吸収層の上に配置される第2の集電極と、を備える。
本開示のある実施形態によるペロブスカイト太陽電池は、高い耐久性を実現することが可能である。
本開示の実施の形態を説明する前に、発明者によって見出された知見を説明する。非特許文献1に示されるペロブスカイト太陽電池には、耐久性が低いという課題が存在する。耐久性の低さの一因としては、光吸収層に含まれるペロブスカイト構造を有する化合物の分解が挙げられる。以降の説明において、「ペロブスカイト構造を有する化合物」を「ペロブスカイト化合物」と呼ぶことがある。ペロブスカイト化合物の分解が起こる原因は、以下のように推察される。組成式ABX3で表されるペロブスカイト化合物作製の過程で、原料のハロゲン化物AXが未反応のまま光吸収層中に残存してしまう。このハロゲン化物AXが、ペロブスカイト化合物ABX3の分解反応を引き起こす。
一方、本開示の一様態の構成であれば、高耐久なペロブスカイト太陽電池を提供することが可能となる。
(第1の実施の形態)
以下、図面を参照しながら、本開示の実施の形態を説明する。
以下、図面を参照しながら、本開示の実施の形態を説明する。
図1に示すように、本実施の形態に係るペロブスカイト太陽電池100では、基板1上に、第1の集電極2と、電子輸送層3と、多孔質層4と、光吸収層5と、第2の集電極6と、がこの順に積層されている。電子輸送層3は、半導体を含む。多孔質層4は、多孔質体を含む。多孔質体は、空孔を含む。光吸収層5は、組成式ABX3で示されるペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、Bを含み第1の化合物とは異なる第2の化合物とを含む。ここで、Aは1価のカチオンであり、Bは2価のカチオンであり、Xはハロゲンアニオンである。光吸収層5において、カチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比は、0.5以上0.9以下である。
なお、ペロブスカイト太陽電池100は基板1を省略してもよい。
多孔質層4中の空孔は、光吸収層5と接する部分から、電子輸送層3と接する部分まで繋がっている。これにより、光吸収層5の材料は多孔質層4の空孔を充填し、電子輸送層3の表面まで到達することができる。したがって、光吸収層5と電子輸送層3とは接触しているため、直接電子の授受が可能である。
次に、本実施形態のペロブスカイト太陽電池100の、基本的な作用効果を説明する。ペロブスカイト太陽電池100に光が照射されると、光吸収層5が光を吸収し、励起された電子と、正孔とを発生させる。この励起された電子は、電子輸送層3を介して第1の集電極2に移動する。一方、光吸収層5で生じた正孔は、第2の集電極6に移動する。これにより、ペロブスカイト太陽電池100は、負極としての第1の集電極2と、正極としての第2の集電極6とから、電流を取り出すことができる。
また、光吸収層5中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比が、0.5以上0.9以下であるので、耐久性の高いペロブスカイト太陽電池を提供することができる。この理由は、以下に説明される。
光吸収層5中のペロブスカイト化合物ABX3は、例えば、ハロゲン化物AXとハロゲン化物BX2とを原料として合成される。光吸収層5中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比が、0.5以上0.9以下であるとは、光吸収層5中において、カチオンAの量が、カチオンBの量に対して一割以上少ないことになる。
このことは、原料中のカチオンAがほぼすべてペロブスカイト化合物ABX3の形成において消費され、ハロゲン化物AXとしては光吸収層5中に存在しない可能性が高いこと
を意味する。したがって、光吸収層5中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比を0.9以下とすることにより、光吸収層5中に、ペロブスカイト化合物ABX3とカチオンBを含む化合物のみが存在する可能性を高くすることができる。したがって、ハロゲン化物AXがペロブスカイト化合物ABX3の分解反応を起こす可能性を低減できるので、ペロブスカイト太陽電池100の耐久性を向上させることができる。一方、変換効率の観点からは、光吸収層5中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比は0.5以上であることが望ましい。したがって、光吸収層5中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比は0.5以上0.9以下が望ましい。より望ましくは、0.8以上0.9以下である。
を意味する。したがって、光吸収層5中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比を0.9以下とすることにより、光吸収層5中に、ペロブスカイト化合物ABX3とカチオンBを含む化合物のみが存在する可能性を高くすることができる。したがって、ハロゲン化物AXがペロブスカイト化合物ABX3の分解反応を起こす可能性を低減できるので、ペロブスカイト太陽電池100の耐久性を向上させることができる。一方、変換効率の観点からは、光吸収層5中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比は0.5以上であることが望ましい。したがって、光吸収層5中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比は0.5以上0.9以下が望ましい。より望ましくは、0.8以上0.9以下である。
光吸収層5中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比は、例えば、EPMA(電子線マイクロアナライザ)によって測定することが可能である。例えば、光吸収層5中のペロブスカイト化合物ABX3がCH3NH3PbI3である場合、カチオンAはCH3NH3 +であり、カチオンBはPb2+である。この場合、カチオンAのモル数は炭素量の分析結果から求めることができ、カチオンBのモル数は鉛量の分析結果から求めることができる。そしてこれらの結果から、モル数の比を計算することができる。
また、電子輸送層3の上に多孔質層4を設けたことにより、光吸収層5を容易に形成できるという効果が得られる。すなわち、多孔質層4を設けたことにより、多孔質層4の空孔に光吸収層5の材料が侵入し、多孔質層4が光吸収層5の足場となる。そのため、光吸収層5の材料が多孔質層4の表面で弾かれたり、凝集したりすることが起こりにくい。したがって、光吸収層5を均一な膜として形成することができる。
また、多孔質層4によって光散乱が起こることにより、光吸収層5を通過する光の光路長が増大する効果が期待される。光路長が増大すると、光吸収層5中で発生する電子と正孔の量が増加すると予測される。
本実施形態のペロブスカイト太陽電池100は、例えば以下の方法によって作製することができる。まず、基板1の表面に第1の集電極2を、Chemical Vapor Deposition(CVD)、スパッタ法などにより形成する。次に、第1の集電極2の上に電子輸送層3をスパッタ法などによって形成する。電子輸送層3の上に、塗布法などによって多孔質層4を形成する。そして、多孔質層4の上に光吸収層5を塗布法などによって形成する。それから、光吸収層5の上に、第2の集電極6を形成することにより、ペロブスカイト太陽電池100を得ることができる。
以下、ペロブスカイト太陽電池100の各構成要素について、具体的に説明する。
<基板1>
基板1は、付随的な構成要素である。基板1は、ペロブスカイト太陽電池100の各層を保持する役割を果たす。基板1は、透明な材料から形成することができる。例えば、ガラス基板またはプラスチック基板(プラスチックフィルムを含む)を用いることができる。また、第1の集電極2が十分な強度を有している場合、第1の集電極2によって各層を保持することができるので、必ずしも基板1を設けなくてもよい。
基板1は、付随的な構成要素である。基板1は、ペロブスカイト太陽電池100の各層を保持する役割を果たす。基板1は、透明な材料から形成することができる。例えば、ガラス基板またはプラスチック基板(プラスチックフィルムを含む)を用いることができる。また、第1の集電極2が十分な強度を有している場合、第1の集電極2によって各層を保持することができるので、必ずしも基板1を設けなくてもよい。
<第1の集電極2>
第1の集電極2は、導電性を有する。また、第1の集電極2は、透光性を有する。例えば、可視領域から近赤外領域の光を透過する。第1の集電極2は、例えば、透明であり導電性を有する金属酸化物を用いて形成することができる。このような金属酸化物としては、例えば、インジウム−錫複合酸化物、アンチモンをドープした酸化錫、フッ素をドープした酸化錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムの少なくとも一種をドープし
た酸化亜鉛、あるいはこれらの複合物が挙げられる。また、第1の集電極2は、透明でない材料を用いて、光が透過するパターン状に形成することができる。光が透過するパターンとしては、例えば、線状(ストライプ状)、波線状、格子状(メッシュ状)、パンチングメタル状(多数の微細な貫通孔が規則的または不規則に配列された様子をいう。)のパターン、または、これらとはネガ・ポジが反転したパターンが挙げられる。これらのパターンを有すると、電極材料が存在しない開口部分を光が透過することができる。透明でない電極材料として、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム、チタン、鉄、ニッケル、スズ、亜鉛、またはこれらのいずれかを含む合金を挙げることができる。また、導電性を有する炭素材料を用いることもできる。
第1の集電極2は、導電性を有する。また、第1の集電極2は、透光性を有する。例えば、可視領域から近赤外領域の光を透過する。第1の集電極2は、例えば、透明であり導電性を有する金属酸化物を用いて形成することができる。このような金属酸化物としては、例えば、インジウム−錫複合酸化物、アンチモンをドープした酸化錫、フッ素をドープした酸化錫、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウムの少なくとも一種をドープし
た酸化亜鉛、あるいはこれらの複合物が挙げられる。また、第1の集電極2は、透明でない材料を用いて、光が透過するパターン状に形成することができる。光が透過するパターンとしては、例えば、線状(ストライプ状)、波線状、格子状(メッシュ状)、パンチングメタル状(多数の微細な貫通孔が規則的または不規則に配列された様子をいう。)のパターン、または、これらとはネガ・ポジが反転したパターンが挙げられる。これらのパターンを有すると、電極材料が存在しない開口部分を光が透過することができる。透明でない電極材料として、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム、チタン、鉄、ニッケル、スズ、亜鉛、またはこれらのいずれかを含む合金を挙げることができる。また、導電性を有する炭素材料を用いることもできる。
第1の集電極2の光の透過率は、例えば50%以上であってもよく、80%以上であってもよい。第1の集電極2が透過すべき光の波長は、光吸収層5の吸収波長に依存する。第1の集電極2の厚さは、例えば、1nm以上1000nm以下である。
<電子輸送層3>
電子輸送層3は、半導体を含む。特に、バンドギャップが3.0eV以上の半導体が望ましい。バンドギャップが3.0eV以上の半導体で電子輸送層3を形成することにより、可視光および赤外光を光吸収層5まで透過させることができる。半導体の例としては、有機のn型半導体や無機のn型半導体が挙げられる。
電子輸送層3は、半導体を含む。特に、バンドギャップが3.0eV以上の半導体が望ましい。バンドギャップが3.0eV以上の半導体で電子輸送層3を形成することにより、可視光および赤外光を光吸収層5まで透過させることができる。半導体の例としては、有機のn型半導体や無機のn型半導体が挙げられる。
有機のn型半導体としては、例えば、イミド化合物、キノン化合物、フラーレンおよびその誘導体が挙げられる。また無機のn型半導体としては、例えば、金属元素の酸化物、ペロブスカイト酸化物が挙げられる。金属元素の酸化物としては、例えば、Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Bi、Cu、Hg、Ti、Ag、Mn、Fe、V、Sn、Zr、Sr、Ga、Crの酸化物が挙げられる。より具体的な例として、TiO2が挙げられる。ペロブスカイト酸化物の例としては、SrTiO3、CaTiO3が挙げられる。
また、電子輸送層3は、バンドギャップが6eVよりも大きな物質によって形成されていてもよい。バンドギャップが6eVよりも大きな物質としては、例えば、フッ化リチウムなどのアルカリ金属のハロゲン化物、フッ化カルシウムなどのアルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化マグネシウムのようなアルカリ金属酸化物、二酸化ケイ素が挙げられる。この場合、電子輸送層3の電子輸送性を確保するために、電子輸送層3の厚みは、例えば10nm以下である。
電子輸送層3は、互いに異なる材料からなる複数の層を含んでいてもよい。
<多孔質層4>
多孔質層4は、光吸収層5を形成する際の土台となる。多孔質層4は、光吸収層5の光吸収や、光吸収層5から電子輸送層3への電子移動を阻害しない。
多孔質層4は、光吸収層5を形成する際の土台となる。多孔質層4は、光吸収層5の光吸収や、光吸収層5から電子輸送層3への電子移動を阻害しない。
多孔質層4は、多孔質体を含む。多孔質体としては、例えば、絶縁性または半導体の粒子が連なった多孔質体が挙げられる。絶縁性の粒子としては、例えば、酸化アルミニウム、酸化ケイ素の粒子を用いることができる。半導体粒子としては、無機半導体粒子を用いることができる。無機半導体としては、金属元素の酸化物、金属元素のペロブスカイト酸化物、金属元素の硫化物、金属カルコゲナイドを用いることができる。金属元素の酸化物の例としては、Cd、Zn、In、Pb、Mo、W、Sb、Bi、Cu、Hg、Ti、Ag、Mn、Fe、V、Sn、Zr、Sr、Ga、Si、Crの酸化物が挙げられる。より具体的な例としては、TiO2が挙げられる。金属元素のペロブスカイト酸化物の例としては、SrTiO3、CaTiO3が挙げられる。金属元素の硫化物の例としては、Cd
S、ZnS、In2S3、PbS、Mo2S、WS2、Sb2S3、Bi2S3、ZnCdS2、Cu2Sが挙げられる。金属カルコゲナイドの例としては、CdSe、In2Se3、WSe2、HgS、PbSe、CdTeが挙げられる。
S、ZnS、In2S3、PbS、Mo2S、WS2、Sb2S3、Bi2S3、ZnCdS2、Cu2Sが挙げられる。金属カルコゲナイドの例としては、CdSe、In2Se3、WSe2、HgS、PbSe、CdTeが挙げられる。
多孔質層4の層さは、0.01μm以上10μm以下が望ましく、0.1μm以上1μm以下がさらに望ましい。また、多孔質層4の表面粗さは大きい方が望ましい。具体的には、実効面積/投影面積で与えられる表面粗さ係数が10以上であることが望ましく、100以上であることがさらに望ましい。なお、投影面積とは、物体を真正面から光で照らしたときに、後ろにできる影の面積である。実効面積とは、物体の実際の表面積のことである。実効面積は、物体の投影面積および厚さから求められる体積と、物体を構成する材料の比表面積および嵩密度とから計算することができる。
<光吸収層5>
光吸収層5は、組成式ABX3で示されるペロブスカイト構造を有する化合物を含む。Aは1価のカチオンである。カチオンAの例としては、アルカリ金属カチオンや有機カチオンのような1価のカチオンが挙げられる。さらに具体的には、メチルアンモニウムカチオン(CH3NH3 +)、ホルムアミジニウムカチオン(NH2CHNH2 +)、セシウムカチオン(Cs+)が挙げられる。Bは2価のカチオンである。カチオンBの例としては、遷移金属元素や第13族元素〜第15族元素の2価のカチオンである。さらに具体的には、Pb2+、Ge2+、Sn2+が挙げられる。Xはハロゲンアニオンなどの1価のアニオンである。カチオンA、カチオンB、アニオンXのそれぞれのサイトは、複数種類のイオンによって占有されていてもよい。ペロブスカイト構造を有する化合物の具体例としては、CH3NH3PbI3、NH2CHNH2PbI3、CH3CH2NH3PbI3、CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbCl3、CsPbI3、CsPbBr3があげられる。
光吸収層5は、組成式ABX3で示されるペロブスカイト構造を有する化合物を含む。Aは1価のカチオンである。カチオンAの例としては、アルカリ金属カチオンや有機カチオンのような1価のカチオンが挙げられる。さらに具体的には、メチルアンモニウムカチオン(CH3NH3 +)、ホルムアミジニウムカチオン(NH2CHNH2 +)、セシウムカチオン(Cs+)が挙げられる。Bは2価のカチオンである。カチオンBの例としては、遷移金属元素や第13族元素〜第15族元素の2価のカチオンである。さらに具体的には、Pb2+、Ge2+、Sn2+が挙げられる。Xはハロゲンアニオンなどの1価のアニオンである。カチオンA、カチオンB、アニオンXのそれぞれのサイトは、複数種類のイオンによって占有されていてもよい。ペロブスカイト構造を有する化合物の具体例としては、CH3NH3PbI3、NH2CHNH2PbI3、CH3CH2NH3PbI3、CH3NH3PbBr3、CH3NH3PbCl3、CsPbI3、CsPbBr3があげられる。
光吸収層5の厚みは、その光吸収の大きさにもよるが、例えば100nm以上1000nm以下である。光吸収層5は、溶液による塗布法などを用いて形成することができる。
<第2の集電極6>
第2の集電極6は、導電性を有する。また、第2の集電極6は、光吸収層5とオーミック接触しない。さらに、光吸収層5からの電子に対するブロック性を有する。光吸収層5からの電子に対するブロック性とは、光吸収層5で発生した正孔のみを通過させ、電子を通過させない性質のことである。このような性質を有する材料とは、光吸収層5の伝導帯上端のエネルギー準位よりも、フェルミ準位が高い材料である。具体的な材料としては、金、グラフェンなどの炭素材料が挙げられる。
第2の集電極6は、導電性を有する。また、第2の集電極6は、光吸収層5とオーミック接触しない。さらに、光吸収層5からの電子に対するブロック性を有する。光吸収層5からの電子に対するブロック性とは、光吸収層5で発生した正孔のみを通過させ、電子を通過させない性質のことである。このような性質を有する材料とは、光吸収層5の伝導帯上端のエネルギー準位よりも、フェルミ準位が高い材料である。具体的な材料としては、金、グラフェンなどの炭素材料が挙げられる。
(第2の実施の形態)
本実施の形態に係るペロブスカイト太陽電池200は、第1の実施の形態に係るペロブスカイト太陽電池100と、光吸収層の定義が異なる。多くの場合、第1の実施形態のペロブスカイト太陽電池と第2の実施形態のペロブスカイト太陽電池は、共通している。しかし、第1の実施形態には該当するが第2の実施形態には該当しないペロブスカイト太陽電池も存在しうる。その逆もありうる。
本実施の形態に係るペロブスカイト太陽電池200は、第1の実施の形態に係るペロブスカイト太陽電池100と、光吸収層の定義が異なる。多くの場合、第1の実施形態のペロブスカイト太陽電池と第2の実施形態のペロブスカイト太陽電池は、共通している。しかし、第1の実施形態には該当するが第2の実施形態には該当しないペロブスカイト太陽電池も存在しうる。その逆もありうる。
以下、ペロブスカイト太陽電池200について説明する。第1の実施の形態のペロブスカイト太陽電池100について説明したものと同一の機能および構成を有する構成要素は、共通する符号を付して説明を省略する。
図2に示すように、本実施の形態に係るペロブスカイト太陽電池200では、基板1上に、第1の集電極2と、電子輸送層3と、多孔質層4と、光吸収層25と、正孔輸送層7
と、第2の集電極6と、がこの順に積層されている。
と、第2の集電極6と、がこの順に積層されている。
光吸収層25は、組成式ABX3で示されるペロブスカイト化合物と、組成式BX2で示される化合物とを含む。光吸収層25のX線回折の測定結果において、化合物BX2の(001)面由来のピーク強度I[BX2]は、ペロブスカイト化合物ABX3の(110)面由来のピーク強度I[ABX3]よりも大きい。ここで、「ピーク強度」とは、X線回折の回折強度のピークの高さを意味する。
ペロブスカイト太陽電池200は基板1を省略してもよい。
次に、本実施形態のペロブスカイト太陽電池200の、基本的な作用効果を説明する。
ペロブスカイト太陽電池200の動作は、第1の実施の形態のペロブスカイト太陽電池100と同様である。
また、光吸収層25のX線回折の測定結果において、ハロゲン化物BX2の(001)面由来のピーク強度I[BX2]は、ペロブスカイト化合物ABX3の(110)面由来のピーク強度I[ABX3]よりも大きい。これにより、耐久性の高いペロブスカイト太陽電池を提供することができる。この理由は以下のように説明される。
光吸収層25中のペロブスカイト化合物ABX3は、例えば、ハロゲン化物AXとハロゲン化物BX2とを原料として合成される。光吸収層25のX線回折の測定結果において、ハロゲン化物BX2の(001)面由来のピーク強度I[BX2]は、ペロブスカイト化合物ABX3の(110)面由来のピーク強度I[ABX3]よりも大きい。このことは、光吸収層25中において、一定以上の割合でハロゲン化物BX2が存在することを示す。
このことは、原料中のカチオンAがほぼすべてペロブスカイト化合物ABX3の形成において消費され、ハロゲン化物AXとしては光吸収層25中に存在しない可能性が高いことを意味する。したがって、X線回折の測定結果において、ハロゲン化物BX2の(001)面由来のピーク強度I[BX2]を、ペロブスカイト化合物ABX3の(110)面由来のピーク強度I[ABX3]よりも大きくすることにより、光吸収層25中に、ペロブスカイト化合物ABX3とハロゲン化物BX2のみが存在する可能性を高くすることができる。したがって、ハロゲン化物AXがペロブスカイト化合物ABX3の分解反応を起こす可能性を低減できるので、ペロブスカイト太陽電池200の耐久性を向上させることができる。なお、ピーク強度I[ABX3]に対するピーク強度I[BX2]の比を3.5以上とすることにより、さらに耐久性を向上させることができる。
ペロブスカイト太陽電池200は、ペロブスカイト太陽電池100と同様の方法によって作製することができる。
光吸収層25は、第1の実施の形態の光吸収層5と同様の材料から形成することができる。
(第3の実施の形態)
本実施の形態に係るペロブスカイト太陽電池300は、第1の実施の形態のペロブスカイト太陽電池100と、正孔輸送層を付加した点で異なる。
本実施の形態に係るペロブスカイト太陽電池300は、第1の実施の形態のペロブスカイト太陽電池100と、正孔輸送層を付加した点で異なる。
以下、ペロブスカイト太陽電池300について説明する。第1の実施の形態のペロブスカイト太陽電池100について説明したものと同一の機能および構成を有する構成要素は
、共通する符号を付して説明を省略する。
、共通する符号を付して説明を省略する。
図3に示すように、本実施の形態に係るペロブスカイト太陽電池300では、基板31上に、第1の集電極32と、電子輸送層3と、多孔質層4と、光吸収層35と、正孔輸送層7と、第2の集電極36と、がこの順に積層されている。
ペロブスカイト太陽電池300は基板31を省略してもよい。
次に、本実施形態のペロブスカイト太陽電池300の、基本的な作用効果を説明する。
ペロブスカイト太陽電池300に光が照射されると、光吸収層35が光を吸収し、励起された電子と、正孔とを発生させる。この励起された電子は電子輸送層3に移動する。一方、光吸収層35で生じた正孔は、正孔輸送層7に移動する。電子輸送層3は第1の集電極32に接続され、正孔輸送層7は第2の集電極36に接続されている。これにより、太陽電池300は、負極としての第1の集電極32と、正極としての第2の集電極36とから電流を取り出すことができる。
本実施の形態においても、第1の実施の形態と同様の効果が得られる。
また、本実施の形態においては、正孔輸送層7を設けている。そのため、第2の集電極36は、光吸収層35からの電子に対するブロック性を有さなくてもよい。したがって、第2の集電極36の材料選択の幅が広がる。
以下、ペロブスカイト太陽電池300の各構成要素について、具体的に説明する。なお、ペロブスカイト太陽電池100と共通する要素については、説明を省略する。
<第1の集電極32および第2の集電極36>
本実施形態では正孔輸送層7を用いるため、第2の集電極36は、光吸収層35からの電子に対するブロック性を有さなくてもよい。すなわち、第2の集電極36の材料は、光吸収層35とオーミック接触する材料であってもよい。そのため、第2の集電極36も透光性を有するように形成しうる。
本実施形態では正孔輸送層7を用いるため、第2の集電極36は、光吸収層35からの電子に対するブロック性を有さなくてもよい。すなわち、第2の集電極36の材料は、光吸収層35とオーミック接触する材料であってもよい。そのため、第2の集電極36も透光性を有するように形成しうる。
第1の集電極32および第2の集電極36の少なくとも一方は、透光性を有し、第1の実施の形態の第1の集電極2と同様に構成される。
第1の集電極32および第2の集電極36の一方は、透光性を有さなくともよい。すなわち、必ずしも透光性を有する材料を用いる必要はなく、また開口部分を有するパターン状にする必要もない。
<基板31>
第1の実施の形態の基板1と同様の構成とすることができる。また、第2の集電極36が透光性を有している場合には、基板31の材料は、透光性を有さない材料であってもよい。例えば、基板31の材料として、金属やセラミックス、透過性の小さい樹脂材料を用いることができる。
第1の実施の形態の基板1と同様の構成とすることができる。また、第2の集電極36が透光性を有している場合には、基板31の材料は、透光性を有さない材料であってもよい。例えば、基板31の材料として、金属やセラミックス、透過性の小さい樹脂材料を用いることができる。
<光吸収層35>
第1の実施の形態の光吸収層5または第2の実施の形態の光吸収層25と同様の構成とすることができる。
第1の実施の形態の光吸収層5または第2の実施の形態の光吸収層25と同様の構成とすることができる。
<正孔輸送層7>
正孔輸送層7は、有機物や、無機半導体などによって構成される。正孔輸送層7は、互いに異なる材料からなる複数の層を含んでいてもよい。
正孔輸送層7は、有機物や、無機半導体などによって構成される。正孔輸送層7は、互いに異なる材料からなる複数の層を含んでいてもよい。
有機物としては、例えば、3級アミンを骨格内に含む、フェニルアミン、トリフェニルアミン誘導体、および、チオフェン構造を含むPEDOT化合物、が挙げられる。分子量は、特に限定されず、高分子体であってもよい。有機物で正孔輸送層7を形成する場合、膜厚は、1nm以上1000nm以下であることが望ましく、100nm以上500nm以下であることがより望ましい。膜厚がこの範囲内であれば、十分な正孔輸送性を発現できる。また、低抵抗を維持できるので、高効率に光発電を行うことができる。
無機半導体としては、CuO、Cu2O、CuSCN、酸化モリブデン、酸化ニッケルといったp型の半導体を用いることができる。無機半導体で正孔輸送層7を形成する場合、膜厚は、1nm以上1000nm以下であることが望ましく、10nm以上50nm以下であることがより望ましい。膜厚がこの範囲内であれば、十分な正孔輸送性を発現できる。また、低抵抗を維持できるので、高効率に光発電を行うことができる。
正孔輸送層7の形成方法としては、塗布法または印刷法を採用することができる。塗布法としては、例えば、ドクターブレード法、バーコート法、スプレー法、ディップコーティング法、スピンコート法が挙げられる。印刷法としては、例えば、スクリーン印刷法が挙げられる。また、必要に応じて、複数の材料を混合して正孔輸送層7を作製し、加圧、または焼成するなどしてもよい。正孔輸送層7の材料が有機の低分子体や無機半導体である場合には、真空蒸着法などによって作製することも可能である。
正孔輸送層7は、支持電解質および溶媒を含んでいてもよい。支持電解質および溶媒は、正孔輸送層7中の正孔を安定化させる効果を有する。
支持電解質としては、例えば、アンモニウム塩、アルカリ金属塩が挙げられる。アンモニウム塩としては、例えば、過塩素酸テトラブチルアンモニウム、六フッ化リン酸テトラエチルアンモニウム、イミダゾリウム塩やピリジニウム塩が挙げられる。アルカリ金属塩としては、例えば、過塩素酸リチウムや四フッ化ホウ素カリウムが挙げられる。
正孔輸送層7に含まれる溶媒は、イオン伝導性に優れるものが望ましい。水系溶媒および有機溶媒のいずれも使用できるが、溶質をより安定化するため、有機溶媒が望ましい。具体例としては、tert-ブチルピリジン、ピリジン、n-メチルピロリドンなどの複素環化合物溶媒が挙げられる。
また、溶媒としてイオン液体を、単独で、または他種の溶媒に混合して用いてもよい。イオン液体は、揮発性が低く、難燃性が高い点で望ましい。
イオン液体としては、例えば、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムテトラシアノボレートなどイミダゾリウム系、ピリジン系、脂環式アミン系、脂肪族アミン系、アゾニウムアミン系のイオン液体を挙げることができる。
以下、本開示を実施例によって具体的に説明する。実施例1〜2および比較例1〜3のペロブスカイト太陽電池を作製し、特性を評価した。
[実施例1]
図3に示したペロブスカイト太陽電池300と同じ構造を有するペロブスカイト太陽電池を作製した。各構成要素は、以下の通りである。
図3に示したペロブスカイト太陽電池300と同じ構造を有するペロブスカイト太陽電池を作製した。各構成要素は、以下の通りである。
基板:ガラス基板
第1の集電極:フッ素ドープSnO2層(表面抵抗10Ω/sq.)
電子輸送層:酸化チタン 30nm
多孔質層:多孔質酸化チタン
光吸収層: CH3NH3PbI3、PbI2
正孔輸送層:Spiro−OMeTAD(Merk社製)
第2の集電極:金 80nm
実施例1のペロブスカイト太陽電池は、以下のようにして作製した。
第1の集電極:フッ素ドープSnO2層(表面抵抗10Ω/sq.)
電子輸送層:酸化チタン 30nm
多孔質層:多孔質酸化チタン
光吸収層: CH3NH3PbI3、PbI2
正孔輸送層:Spiro−OMeTAD(Merk社製)
第2の集電極:金 80nm
実施例1のペロブスカイト太陽電池は、以下のようにして作製した。
基板および第1の集電極として、フッ素ドープSnO2層が形成された厚さ1mmの導電性ガラス基板(日本板硝子製)を用いた。
第1の集電極上に、スパッタ法により厚さが約30nmの酸化チタン層を、電子輸送層として形成した。
次に、平均1次粒子径が20nmの高純度酸化チタン粉末をエチルセルロース中に分散させ、スクリーン印刷用の酸化チタンペーストを作製した。
電子輸送層の上に酸化チタンペーストを塗布して乾燥した。さらに500℃で30分間、空気中で焼成することによって、厚さが0.2μmの多孔質酸化チタン(チタンコート)からなる多孔質層を形成した。
次に、PbI2を3mol/Lの濃度で含む DMSO(ジメチルスルホキシド)溶液を用意した。そして、多孔質層の上にPbI2溶液をスピンコートした。それから基板を130℃のホットプレート上で熱処理することにより、PbI2膜を形成した。
次に、CH3NH3Iを1mol/Lの濃度で含むイソプロピルアルコール溶液を用意した。基板をCH3NH3I溶液に浸漬し、乾燥させることによって、光吸収層であるCH3NH3PbI3ペロブスカイト層を形成した。なお、光吸収層の厚みは約300nmであった。
Spiro−OMeTADを60mmol/Lの濃度で含み、LiTFSi(リチウムビス(フルオロスルホニル)イミド)を30mmol/Lの濃度で含み、tBP(tert−ブチルピリジン)を200mmol/Lの濃度で含み、Co錯体(FK209:dyesol社製)を1.2mmol/Lの濃度で含むクロロベンゼン溶液を用意し、光吸収層上にスピンコートすることによって、正孔輸送層を作製した。なお、正孔輸送層の厚みは約100nmであった。
最後に、正孔輸送層上に金を80nm蒸着し、第2の集電極とした。
[実施例2]
実施例1のペロブスカイト太陽電池の作製工程において、光吸収層の材料溶液中のPbI2濃度を、4mol/Lに変更した。
実施例1のペロブスカイト太陽電池の作製工程において、光吸収層の材料溶液中のPbI2濃度を、4mol/Lに変更した。
[比較例1]
実施例1のペロブスカイト太陽電池の作製工程において、光吸収層の材料溶液を、PbI2を1mol/Lの濃度で含み、CH3NH3Iを1mol/Lの濃度で含むDMSO溶液とした。そして、この溶液を多孔質層4上にスピンコートした。
実施例1のペロブスカイト太陽電池の作製工程において、光吸収層の材料溶液を、PbI2を1mol/Lの濃度で含み、CH3NH3Iを1mol/Lの濃度で含むDMSO溶液とした。そして、この溶液を多孔質層4上にスピンコートした。
[比較例2]
比較例1のペロブスカイト太陽電池の作製工程において、光吸収層の材料溶液中のPbI2濃度を3mol/Lとした。
比較例1のペロブスカイト太陽電池の作製工程において、光吸収層の材料溶液中のPbI2濃度を3mol/Lとした。
[比較例3]
比較例1のペロブスカイト太陽電池の作製工程において、光吸収層の材料溶液中のPbI2濃度を4mol/Lとした。
比較例1のペロブスカイト太陽電池の作製工程において、光吸収層の材料溶液中のPbI2濃度を4mol/Lとした。
[特性評価]
<組成分析>
各ペロブスカイト太陽電池の光吸収層について、EPMA測定を行った。各実施例および比較例において、光吸収層に含まれるペロブスカイト化合物はCH3NH3PbI3である。つまり、ペロブスカイト化合物の組成式ABX3におけるカチオンAはCH3NH3 +、カチオンBはPb2+、ハロゲンアニオンXはI−である。したがって、カチオンAおよびカチオンBのモル数は、光吸収層中のPbおよびCの分析結果から求めることができるので、その結果からカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比を算出した。結果を「モル数比」として表1に示す。
<組成分析>
各ペロブスカイト太陽電池の光吸収層について、EPMA測定を行った。各実施例および比較例において、光吸収層に含まれるペロブスカイト化合物はCH3NH3PbI3である。つまり、ペロブスカイト化合物の組成式ABX3におけるカチオンAはCH3NH3 +、カチオンBはPb2+、ハロゲンアニオンXはI−である。したがって、カチオンAおよびカチオンBのモル数は、光吸収層中のPbおよびCの分析結果から求めることができるので、その結果からカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比を算出した。結果を「モル数比」として表1に示す。
また、実施例1、2、比較例3のペロブスカイト太陽電池については、光吸収層のXRD測定を行った。光吸収層中のPbI2の(001)面由来のピーク強度をI[BX2]、CH3NH3PbI3の(110)面由来のピーク強度をI[ABX3]として求め、ピーク強度比I[BX2]/I[ABX3]を計算した。結果を表1に示す。
なお、EPMA測定、XRD測定ともに、光吸収層形成後、正孔輸送層7を形成する前に行った。
なお、EPMA測定、XRD測定ともに、光吸収層形成後、正孔輸送層7を形成する前に行った。
<耐久性測定>
ソーラーシミュレータを用いて、100mW/cm2の照度の光をペロブスカイト太陽電池に照射した。電流−電圧特性が安定した後、電流−電圧特性を測定して変換効率を求め、これを初期変換効率とした。また、初期変換効率を測定した後、温度85℃で300時間の加熱試験を行った。加熱試験後の変換効率も、電流―電圧特性の測定により求めた。初期変換効率に対する、加熱試験後の変換効率の割合を、維持率として算出した。
ソーラーシミュレータを用いて、100mW/cm2の照度の光をペロブスカイト太陽電池に照射した。電流−電圧特性が安定した後、電流−電圧特性を測定して変換効率を求め、これを初期変換効率とした。また、初期変換効率を測定した後、温度85℃で300時間の加熱試験を行った。加熱試験後の変換効率も、電流―電圧特性の測定により求めた。初期変換効率に対する、加熱試験後の変換効率の割合を、維持率として算出した。
表1において、実施例1、実施例2のペロブスカイト太陽電池では、加熱試験後も、88%以上の維持率が得られている。一方、比較例1〜3のペロブスカイト太陽電池では、維持率は40〜5%にとどまる。
このように、光吸収層中のカチオンBのモル数に対するカチオンAのモル数の比を0.5以上0.9以下とすることにより、ペロブスカイト太陽電池の耐久性を向上させることができる。また、XRD測定における、ピーク強度I[BX2]をI[ABX3]よりも大きくすることにより、ペロブスカイト太陽電池の耐久性を向上させることができる。
本開示におけるペロブスカイト太陽電池は、光発電素子や光センサとして有用である。
1、31 基板
2、32 第1の集電極
3 電子輸送層
4 多孔質層
5、25、35 光吸収層
6、36 第2の集電極
7 正孔輸送層
2、32 第1の集電極
3 電子輸送層
4 多孔質層
5、25、35 光吸収層
6、36 第2の集電極
7 正孔輸送層
Claims (8)
- 第1の集電極と、
前記第1の集電極上に配置され、半導体を含む電子輸送層と、
前記電子輸送層上に配置され、多孔質体を含む多孔質層と、
前記多孔質層上に配置され、Aを1価のカチオンとし、Bを2価のカチオンとし、Xをハロゲンアニオンとしたとき、組成式ABX3で示されるペロブスカイト構造を有する第1の化合物と、前記2価のカチオンを含み前記第1の化合物とは異なる第2の化合物と、を含み、前記2価のカチオンのモル数に対する前記1価のカチオンのモル数の比が、0.5以上0.9以下である、光吸収層と、
前記光吸収層上に配置される第2の集電極と、
を備えるペロブスカイト太陽電池。 - 前記光吸収層において、前記2価のカチオンのモル数に対する前記1価のカチオンのモル数の比が、0.8以上0.9以下である、
請求項1に記載のペロブスカイト太陽電池。 - 第1の集電極と、
前記第1の集電極上に配置され、半導体を含む電子輸送層と、
前記電子輸送層上に配置され、多孔質体を含む多孔質層と、
前記多孔質層上に配置され、Aを1価のカチオンとし、Bを2価のカチオンとし、Xをハロゲンアニオンとしたとき、組成式ABX3で示されるペロブスカイト構造を有する化合物と、組成式BX2で示される第2の化合物、とを含み、CuKα線を用いたX線回折において、前記第2の化合物の(001)面のピーク強度I[BX2]が、前記第1の化合物の(110)面のピーク強度I[ABX3]よりも大きい、光吸収層と、
前記光吸収層の上に配置される第2の集電極と、
を備えるペロブスカイト太陽電池。 - 前記ピーク強度I[ABX3]に対する前記ピーク強度I[BX2]の比は、3.5以上である、
請求項3に記載のペロブスカイト太陽電池。 - 前記1価のカチオンは、メチルアンモニウムカチオン、ホルムアミジニウムカチオンからなる群から選ばれる少なくとも一種を含む、
請求項1から4のいずれか一項に記載のペロブスカイト太陽電池。 - 前記2価のカチオンは、Pb2+、Ge2+、Sn2+からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む、
請求項1から5のいずれか一項に記載のペロブスカイト太陽電池。 - 前記光吸収層と前記第2の集電極との間に配置された正孔輸送層をさらに含む、
請求項1から6のいずれか一項に記載のペロブスカイト太陽電池。 - 前記多孔質体は、酸化チタンを含む、
請求項1から7のいずれか一項に記載のペロブスカイト太陽電池。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015140172 | 2015-07-14 | ||
JP2015140172 | 2015-07-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017022354A true JP2017022354A (ja) | 2017-01-26 |
Family
ID=57776259
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016002234A Withdrawn JP2017022354A (ja) | 2015-07-14 | 2016-01-08 | ペロブスカイト太陽電池 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170018371A1 (ja) |
JP (1) | JP2017022354A (ja) |
CN (1) | CN106356454A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017050426A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 株式会社日本触媒 | 有機無機ペロブスカイト太陽電池の正孔輸送層用添加剤 |
JP2020088316A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 国立大学法人東京工業大学 | 積層体、太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
JPWO2020059022A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-12-17 | 株式会社東芝 | 光電変換素子 |
US11292728B2 (en) | 2017-02-10 | 2022-04-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-absorbing material, method for producing the same, and solar cell including the same |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6382781B2 (ja) * | 2015-09-15 | 2018-08-29 | 株式会社東芝 | 半導体素子の製造方法および製造装置 |
KR101702239B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2017-02-02 | 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 | 페로브스카이트 태양전지의 재생방법 |
CN107304167B (zh) * | 2016-04-25 | 2021-05-25 | 松下知识产权经营株式会社 | 光吸收材料以及使用该光吸收材料的太阳能电池 |
KR102141264B1 (ko) * | 2016-07-29 | 2020-08-04 | 주식회사 엘지화학 | 유무기 복합 태양전지 제조방법 |
US10651334B2 (en) | 2017-02-14 | 2020-05-12 | International Business Machines Corporation | Semitransparent chalcogen solar cell |
JP7029639B2 (ja) * | 2017-07-20 | 2022-03-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | ペロブスカイト型化合物を含む光電変換層を備える光センサ及びそれを用いた光検出装置 |
CN109285952B (zh) * | 2017-07-20 | 2024-04-12 | 松下知识产权经营株式会社 | 光吸收材料以及使用了该光吸收材料的太阳能电池 |
US20190237267A1 (en) * | 2018-02-01 | 2019-08-01 | Panasonic Corporation | Solar cell |
US10573766B2 (en) * | 2018-02-01 | 2020-02-25 | Panasonic Corporation | Solar cell |
RU2692110C1 (ru) * | 2018-09-20 | 2019-06-21 | АО "Красноярская ГЭС" | Способ формирования пленки перовскитоподобного материала |
RU2694086C1 (ru) * | 2018-12-25 | 2019-07-09 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС" | Гибридный фотопреобразователь, модифицированный максенами |
CN111540836B (zh) * | 2020-05-11 | 2023-10-10 | 北京工业大学 | 一种通过改变钙钛矿表面终端来提高其湿度稳定性的方法 |
CN112071987A (zh) * | 2020-09-02 | 2020-12-11 | 西北工业大学 | 一种离子液体钙钛矿介质及制备方法 |
CN112071991B (zh) * | 2020-09-02 | 2022-02-08 | 西北工业大学 | 一种丝网印刷制备钙钛矿薄膜的方法 |
CN112071988B (zh) * | 2020-09-02 | 2021-12-10 | 西北工业大学 | 一种全丝网印刷钙钛矿太阳能电池的制备方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014109610A1 (ko) * | 2013-01-10 | 2014-07-17 | 한국화학연구원 | 고효율 무-유기 하이브리드 태양전지의 제조 방법 |
CN103346018B (zh) * | 2013-06-26 | 2016-08-17 | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 | 通过固液反应制备具有钙钛矿结构的碘化物太阳能电池 |
CN104021941A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-09-03 | 中国科学院物理研究所 | 具有高效电荷分离层的光伏电池 |
-
2016
- 2016-01-08 JP JP2016002234A patent/JP2017022354A/ja not_active Withdrawn
- 2016-03-18 CN CN201610157454.9A patent/CN106356454A/zh active Pending
- 2016-06-23 US US15/190,186 patent/US20170018371A1/en not_active Abandoned
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017050426A (ja) * | 2015-09-02 | 2017-03-09 | 株式会社日本触媒 | 有機無機ペロブスカイト太陽電池の正孔輸送層用添加剤 |
US11292728B2 (en) | 2017-02-10 | 2022-04-05 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Light-absorbing material, method for producing the same, and solar cell including the same |
JPWO2020059022A1 (ja) * | 2018-09-18 | 2020-12-17 | 株式会社東芝 | 光電変換素子 |
JP7102501B2 (ja) | 2018-09-18 | 2022-07-19 | 株式会社東芝 | 光電変換素子 |
JP2020088316A (ja) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 国立大学法人東京工業大学 | 積層体、太陽電池、及び太陽電池の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106356454A (zh) | 2017-01-25 |
US20170018371A1 (en) | 2017-01-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2017022354A (ja) | ペロブスカイト太陽電池 | |
US20160359119A1 (en) | Perovskite solar cell | |
WO2018123402A1 (ja) | 太陽電池、光吸収層および光吸収層の形成方法 | |
JP2017103450A (ja) | 太陽電池 | |
JP2016219793A (ja) | 太陽電池および太陽電池モジュール | |
US20170018372A1 (en) | Solar cell including compound having perovskite structure | |
JP7316603B2 (ja) | 太陽電池 | |
US10573766B2 (en) | Solar cell | |
JP2017126731A (ja) | ペロブスカイト太陽電池 | |
JP7429881B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP6857868B2 (ja) | 光吸収材料およびそれを用いた太陽電池 | |
JP2019012819A (ja) | 太陽電池 | |
JP6796814B2 (ja) | 太陽電池システムおよび太陽電池システムの運転方法 | |
JP7165942B2 (ja) | 光吸収材料及びそれを用いた太陽電池 | |
JP2019208011A (ja) | 太陽電池 | |
US20220246362A1 (en) | Solar cell | |
WO2021181842A1 (ja) | 太陽電池 | |
JP2019125773A (ja) | 光吸収材料及びそれを用いた太陽電池 | |
JP6628119B1 (ja) | 太陽電池 | |
US20190237267A1 (en) | Solar cell | |
JP7357247B2 (ja) | 太陽電池 | |
JP7386443B2 (ja) | 太陽電池 | |
WO2021038897A1 (ja) | 太陽電池 | |
US20210327654A1 (en) | Solar cell | |
US20220285640A1 (en) | Solar cell |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20170417 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180809 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20181205 |