JP7270136B2 - 太陽電池 - Google Patents
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- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 49
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 42
- -1 halogen anion Chemical group 0.000 claims description 32
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 29
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 19
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 15
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 13
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 11
- ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L stannous fluoride Chemical compound F[Sn]F ANOBYBYXJXCGBS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 11
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 41
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 33
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 30
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 18
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 229910008449 SnF 2 Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 9
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 9
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 8
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 4
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000002608 ionic liquid Substances 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 3
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000003115 supporting electrolyte Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002971 CaTiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical group CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical group [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004693 imidazolium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003473 lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide Inorganic materials 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N lithium;bis(trifluoromethylsulfonyl)azanide Chemical compound [Li+].FC(F)(F)S(=O)(=O)[N-]S(=O)(=O)C(F)(F)F QSZMZKBZAYQGRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910001512 metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 150000002892 organic cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L tin(ii) iodide Chemical compound I[Sn]I JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylpyridine Chemical compound CC(C)(C)C1=CC=CC=N1 UUIMDJFBHNDZOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 9,9'-spirobi[fluorene] Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C21C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C21 SNFCXVRWFNAHQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical group [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001290 LiPF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O Methylammonium ion Chemical compound [NH3+]C BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003090 WSe2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005360 alkyl sulfoxide group Chemical group 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- XLKNMWIXNFVJRR-UHFFFAOYSA-N boron potassium Chemical compound [B].[K] XLKNMWIXNFVJRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940006165 cesium cation Drugs 0.000 description 1
- PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M copper(1+);thiocyanate Chemical compound [Cu+].[S-]C#N PDZKZMQQDCHTNF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N copper(I) oxide Inorganic materials [Cu]O[Cu] BERDEBHAJNAUOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N cuprous oxide Chemical compound [O-2].[Cu+].[Cu+] KRFJLUBVMFXRPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical class OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002391 heterocyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- OOBPIWAAJBRELM-UHFFFAOYSA-N imidazol-1-yl-(2-methylfuran-3-yl)methanone Chemical compound O1C=CC(C(=O)N2C=NC=C2)=C1C OOBPIWAAJBRELM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M iodide Chemical compound [I-] XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940006461 iodide ion Drugs 0.000 description 1
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M lithium perchlorate Chemical compound [Li+].[O-]Cl(=O)(=O)=O MHCFAGZWMAWTNR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001486 lithium perchlorate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001496 lithium tetrafluoroborate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920000301 poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl) polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004053 quinones Chemical class 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229910052959 stibnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010345 tape casting Methods 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M tetrabutylazanium;perchlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)(=O)=O.CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC KBLZDCFTQSIIOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
- H01G9/20—Light-sensitive devices
- H01G9/2027—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode
- H01G9/2031—Light-sensitive devices comprising an oxide semiconductor electrode comprising titanium oxide, e.g. TiO2
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
- H10K30/80—Constructional details
- H10K30/81—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Description
透光性を有する第1電極、
第2電極、
前記第1電極および前記第2電極の間に位置する光吸収層、および
前記第1電極および前記光吸収層の間に位置する中間層
を具備し、
ここで、
前記光吸収層は、フッ素化合物および組成式ASnX3(ここで、Aは1価のカチオンであり、かつXはハロゲンアニオンである)で示されるペロブスカイト化合物を含有し、
前記中間層は、金属酸化物、金属硫化物、金属カルコゲナイドおよび金属窒化物からなる群から選択される少なくとも1つを含有し、
前記中間層の上面は前記光吸収層の下面に接しており、かつ
前記光吸収層および前記中間層の間の界面において、前記ペロブスカイト化合物に対するフッ素原子のモル比が49%以上である。
本明細書において用いられる用語「ペロブスカイト化合物」とは、化学式ABX3(ここで、Aは1価のカチオン、Bは2価のカチオン、およびXはハロゲンアニオンである)で示されるペロブスカイト結晶構造体およびそれに類似する結晶を有する構造体を意味する。
本明細書において用いられる用語「スズ系ペロブスカイト化合物」とは、スズを含有するペロブスカイト化合物を意味する。
本明細書において用いられる用語「スズ系ペロブスカイト太陽電池」とは、スズ系ペロブスカイト化合物を光吸収材料として含む太陽電池を意味する。
以下、本開示の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図1は、第1実施形態による太陽電池100の断面図を示す。図1に示されるように、第1実施形態による太陽電池100は、第1電極2、第2電極4、光吸収層3、および中間層7を具備する。
光吸収層3は、光吸収材料として、化学式ASnX3(ここで、Aは1価のカチオンであり、かつXはハロゲンアニオンである)で示されるペロブスカイト化合物を含有する。Aサイトに位置している1価のカチオンは、限定されない。1価のカチオンの例は、有機カチオンまたはアルカリ金属カチオンである。有機カチオンの例は、メチルアンモニウムカチオン(すなわち、CH3NH3 +)、ホルムアミジニウムカチオン(すなわち、NH2CHNH2 +)、フェネチルアンモニウムカチオン(すなわち、C6H5CH2CH2NH3 +)、またはグアニジニウムカチオン(すなわち、CH6N3 +)である。アルカリ金属カチオンの例は、セシウムカチオン(Cs+)である。Aサイトに位置している1価のカチオンは、ホルムアミジニウムカチオンであることが望ましい。Aサイトに位置している1価のカチオンは、2種以上のカチオンから構成されていてもよい。Xサイトに位置しているハロゲンアニオンの例は、ヨウ化物イオンである。Xサイトに位置しているハロゲンアニオンは、2種以上のハロゲンイオンから構成されていてもよい。
中間層7は、金属酸化物、金属硫化物、金属カルコゲナイド、または金属窒化物を含有する。
モル比=(区間d2でのフッ素原子のモル数)/{(光吸収層3に含有されるペロブスカイト化合物に含まれるハロゲンアニオン(例えば、ヨウ化物イオン)のモル数)/3} (2)
基板1は、第1電極2、電子輸送層5、光吸収層3、および第2電極4を保持する。基板1は、透明な材料から形成され得る。基板1の例は、ガラス基板またはプラスチック基板である。プラスチック基板の例は、プラスチックフィルムである。第1電極2が十分な強度を有している場合、第1電極2が、電子輸送層5、光吸収層3、および第2電極4を保持するので、太陽電池100は、基板1を有しなくてもよい。
第1電極2は、導電性および透光性を有する。第2電極4は、導電性を有する。第2電極4は、透光性をさらに有していてもよい。可視領域から近赤外領域の光が、第1電極2を通過する。可視領域から近赤外領域の光は、第2電極4を透過してもよい。
(i) リチウム、マグネシウム、ニオブ、およびフッ素からなる群から選択される少なくとも1つによってドープされた酸化チタン、
(ii) 錫およびシリコンからなる群から選択される少なくとも1つによってドープされた酸化ガリウム、
(iii) インジウム-錫複合酸化物、
(iv) アンチモンおよびフッ素からなる群から選択される少なくとも1つによってドープされた酸化錫、または
(v) ホウ素、アルミニウム、ガリウム、およびインジウムからなる群から選択される少なくとも1つによってドープされた酸化亜鉛
である。
電子輸送層5は、半導体を含有する緻密な層である。当該半導体は、3.0eV以上のバンドギャップを有する。電子輸送層5が、3.0eV以上のバンドギャップを有する半導体を含む場合、可視光および赤外光が光吸収層3に到達する。半導体の例は、有機または無機のn型半導体である。
正孔輸送層6は、有機物または無機半導体によって構成される。正孔輸送層6として用いられる代表的な有機物の例は、2,2′,7,7′-tetrakis-(N,N-di-p-methoxyphenylamine)9,9′-spirobifluorene(以下、「spiro-OMeTAD」という)、poly[bis(4-phenyl)(2,4,6-trimethylphenyl)amine](以下、「PTAA」という)、poly(3-hexylthiophene-2,5-diyl(以下、「P3HT」という)、poly(3,4-ethylenedioxythiophene)(以下、「PEDOT」という)、または銅フタロシアニン(以下、「CuPC」という)である。
次に、太陽電池100の基本的な作用効果を説明する。太陽電池100に光が照射されると、光吸収層3が光を吸収し、励起された電子および正孔を発生させる。励起された電子は、電子輸送層5に移動する。一方、光吸収層3で発生した正孔は、正孔輸送層6に移動する。前述のとおり、電子輸送層5および正孔輸送層6は、それぞれ、第1電極2および第2電極4に電気的に接続されているので、負極および正極としてそれぞれ機能する第1電極2および第2電極4から電流が取り出される。
本開示の基礎となった知見が説明される。
理論的には、スズ系ペロブスカイト太陽電池は、高い変換効率を有する。しかし、スズ系ペロブスカイト化合物の欠陥密度が高いため、実際には、スズ系ペロブスカイト太陽電池の変換効率は低い。非特許文献1は、スズ系ペロブスカイト太陽電池の変換効率が低い理由が、スズ系ペロブスカイト化合物におけるスズの欠陥密度が高いからためであることを開示している。さらに、非特許文献1は、スズ系ペロブスカイト化合物におけるスズの欠陥密度を低減するために、ドーパントとしてフッ化スズを用いることを開示している。スズ系ペロブスカイト化合物の前駆体およびフッ化スズを含有する溶液を用いてスズ系ペロブスカイト化合物を調製すると、スズ系ペロブスカイト化合物におけるスズの欠陥密度が低減する。
太陽電池100は、例えば、以下の方法によって作製することができる。まず、基板1の表面に第1電極2を、化学気相蒸着法(以下、「CVD法」という)またはスパッタ法により形成する。次に、第1電極2の上に、電子輸送層5をスパッタ法により形成する。
図2は、第2実施形態による太陽電池100の断面図を示す。第2実施形態においては、中間層7は、緻密な層から形成される電子輸送層5である。言い換えれば、電子輸送層5は、中間層7を兼ねる。第2実施形態において、電子輸送層5は、金属酸化物から形成される。中間層7を兼ねる電子輸送層5は、TiO2から形成されることが望ましい。
以下の実施例を参照しながら、本開示がより詳細に説明される。
(ペロブスカイト太陽電池の作製)
実施例1では、図1に示されるペロブスカイト太陽電池200が以下のように作製された。
実施例1による太陽電池について、光吸収層3および中間層7の間の界面3aでのペロブスカイト化合物に対するフッ素原子のモル比を次の方法によって測定した。
X線源はAlであった。
X線は、単色化されていた。
X線の出力は、24.8Wであった。
モル比=(区間d2でのフッ素原子のモル数)/{(光吸収層3に含有されるペロブスカイト化合物に含まれるヨウ化物イオンのモル数)/3} (2)
ソーラーシミュレータを用いて、実施例1による太陽電池に100mW/cm2の照度の擬似太陽光を照射し、実施例1による太陽電池の変換効率を測定した。
実施例2では、以下の事項(i)を除き、実施例1と同様の実験が行われた。
(i) SnF2を含有するDMSO溶液が、0.3mol/LのSnF2濃度を有していたこと。
実施例3では、以下の事項(i)を除き、実施例1と同様の実験が行われた。
(i) SnF2を含有するDMSO溶液が、0.7mol/LのSnF2濃度を有していたこと。
実施例4では、以下の事項(i)を除き、実施例1と同様の実験が行われた。
(i) SnF2を含有するDMSO溶液が、1.0mol/LのSnF2濃度を有していたこと。
比較例1では、以下の事項(i)を除き、実施例1と同様の実験が行われた。
(i) SnF2を含有するDMSO溶液を中間層7上に滴下しなかったこと。
表1および表2から明らかなように、界面3aでのモル比が0.502以上0.663以下である場合、太陽電池は4.11%以上という特に高い変換効率を有している。
2 第1電極
3 光吸収層
4 第2電極
5 電子輸送層
6 正孔輸送層
7 中間層
100 太陽電池
Claims (7)
- 太陽電池であって、
透光性を有する第1電極、
第2電極、
前記第1電極および前記第2電極の間に位置する光吸収層、および
前記第1電極および前記光吸収層の間に位置する中間層
を具備し、
ここで、
前記光吸収層は、フッ素化合物および組成式ASnX3(ここで、Aは1価のカチオンであり、かつXはハロゲンアニオンである)で示されるペロブスカイト化合物を含有し、
前記中間層は、金属酸化物、金属硫化物、金属カルコゲナイドおよび金属窒化物からなる群から選択される少なくとも1つを含有し、
前記中間層の上面は前記光吸収層の下面に接しており、
前記中間層が多孔質体から形成され、
前記多孔質体の内部に前記ペロブスカイト化合物が含有されており、
前記光吸収層および前記中間層の間の界面から、前記界面より前記中間層側に10nm離れた位置までの区間において、前記ペロブスカイト化合物に対するフッ素原子のモル比が49%以上75%以下である、
太陽電池。 - 太陽電池であって、
透光性を有する第1電極、
第2電極、
前記第1電極および前記第2電極の間に位置する光吸収層、および
前記第1電極および前記光吸収層の間に位置する中間層
を具備し、
ここで、
前記光吸収層は、フッ素化合物および組成式ASnX 3 (ここで、Aは1価のカチオンであり、かつXはハロゲンアニオンである)で示されるペロブスカイト化合物を含有し、
前記中間層は、金属酸化物、金属硫化物、金属カルコゲナイドおよび金属窒化物からなる群から選択される少なくとも1つを含有し、
前記中間層の上面は前記光吸収層の下面に接しており、
前記中間層が多孔質体から形成され、
前記多孔質体の内部に前記ペロブスカイト化合物が含有されており、
前記光吸収層および前記中間層の間の界面近傍において、前記ペロブスカイト化合物に対するフッ素原子のモル比が49%以上75%以下である、
太陽電池。 - 請求項1または2に記載の太陽電池であって、
前記多孔質体の内部に前記フッ素化合物がさらに含有されている、
太陽電池。 - 請求項1または2に記載の太陽電池であって、
前記中間層が電子輸送層として機能する、
太陽電池。 - 請求項1または2に記載の太陽電池であって、
前記モル比が50.2%以上66.3%以下である、
太陽電池。 - 請求項1または2に記載の太陽電池であって、
前記フッ素化合物がSnF2である、
太陽電池。 - 請求項1または2に記載の太陽電池であって、さらに
前記第2電極および前記光吸収層の間に位置する正孔輸送層
を具備する、
太陽電池。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018101835 | 2018-05-28 | ||
JP2018101835 | 2018-05-28 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019208011A JP2019208011A (ja) | 2019-12-05 |
JP7270136B2 true JP7270136B2 (ja) | 2023-05-10 |
Family
ID=68614013
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019046367A Active JP7270136B2 (ja) | 2018-05-28 | 2019-03-13 | 太陽電池 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11133425B2 (ja) |
JP (1) | JP7270136B2 (ja) |
CN (1) | CN110544745A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023060770A (ja) * | 2021-10-18 | 2023-04-28 | Ckd株式会社 | 錫系ペロブスカイト層の製造方法 |
TWI827340B (zh) * | 2022-11-04 | 2023-12-21 | 國立清華大學 | 鈣鈦礦太陽能電池及其製造方法 |
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JP2004274006A (ja) | 2003-01-17 | 2004-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置およびその製造方法 |
CN106784324A (zh) | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 上海科技大学 | 一种低维锡卤化物钙钛矿及其制备和应用 |
WO2017170869A1 (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 国立大学法人九州大学 | ペロブスカイト膜の製造方法、ペロブスカイト膜、太陽電池およびペロブスカイト膜形成用溶媒 |
CN107369766A (zh) | 2017-07-10 | 2017-11-21 | 陕西师范大学 | 一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
US20170346031A1 (en) | 2014-11-06 | 2017-11-30 | Postech Academy-Industry Foundation | Perovskite light emitting device containing exciton buffer layer and method for manufacturing same |
-
2019
- 2019-03-13 JP JP2019046367A patent/JP7270136B2/ja active Active
- 2019-04-08 US US16/377,917 patent/US11133425B2/en active Active
- 2019-05-21 CN CN201910421880.2A patent/CN110544745A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004274006A (ja) | 2003-01-17 | 2004-09-30 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置およびその製造方法 |
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WO2017170869A1 (ja) | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 国立大学法人九州大学 | ペロブスカイト膜の製造方法、ペロブスカイト膜、太陽電池およびペロブスカイト膜形成用溶媒 |
CN106784324A (zh) | 2016-12-23 | 2017-05-31 | 上海科技大学 | 一种低维锡卤化物钙钛矿及其制备和应用 |
CN107369766A (zh) | 2017-07-10 | 2017-11-21 | 陕西师范大学 | 一种高质量金属氧化物电子传输层的钙钛矿太阳电池及其制备方法 |
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---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11133425B2 (en) | 2021-09-28 |
US20190363202A1 (en) | 2019-11-28 |
JP2019208011A (ja) | 2019-12-05 |
CN110544745A (zh) | 2019-12-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220829 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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