JP2015088739A5 - - Google Patents

Claims (5)

1. 絶縁表面上に設けられたトランジスタ及び容量素子を有し、
   前記トランジスタは、前記絶縁表面上に設けられたゲート電極と、
   前記ゲート電極と少なくとも一部が重なる酸化物半導体膜と、
   前記ゲート電極及び前記酸化物半導体膜の間に設けられるゲート絶縁膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
   前記一対の電極の少なくとも一部を覆う酸化物絶縁膜と、
   前記酸化物絶縁膜に接する窒化物絶縁膜と、を有し、
   前記容量素子は、前記ゲート絶縁膜と接する金属酸化物膜と、
   前記金属酸化物膜と少なくとも一部が重なる透光性を有する導電膜と、
   前記金属酸化物膜及び前記透光性を有する導電膜の間に設けられる前記窒化物絶縁膜と、を有し、
   前記酸化物半導体膜および前記金属酸化物膜において、透過電子回折測定装置を用いて、一次元的に３００ｎｍの範囲で観察箇所を変化させたとき、配向性を示す輝点を有する回折パターンが観察される領域の割合が、８０％以上１００％未満である領域を有することを特徴とする半導体装置。
2. 絶縁表面上に設けられたトランジスタ及び容量素子を有し、
   前記トランジスタは、前記絶縁表面上に設けられた開口部を有する酸化物絶縁膜と接する酸化物半導体膜と、
   前記酸化物半導体膜に接する一対の電極と、
   前記酸化物半導体膜と接するゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜を介して前記酸化物半導体膜と重なるゲート電極と、を有し、
   前記容量素子は、前記絶縁表面及び前記開口部を有する酸化物絶縁膜の間に設けられた窒化物絶縁膜と、前記開口部において接する金属酸化物膜と、
   前記金属酸化物膜と接する前記ゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜と接する導電膜と、を有し、
   前記酸化物半導体膜および前記金属酸化物膜において、透過電子回折測定装置を用いて、一次元的に３００ｎｍの範囲で観察箇所を変化させたとき、配向性を示す輝点を有する回折パターンが観察される領域の割合が、８０％以上１００％未満である領域を有することを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は請求項２において、
   前記金属酸化物膜の水素濃度は、８×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜の水素濃度は、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であることを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
   前記酸化物半導体膜および前記金属酸化物膜は、同じ金属元素で構成されることを特徴とする半導体装置。