JP2014168060A - 発光素子封止用シリコーン組成物及び発光装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】支持基材との接着性に優れた発光素子封止用シリコーン組成物及びこの硬化物により発光素子が封止された発光装置を提供する。
【解決手段】(A)25℃で固体で、平均単位式:(SiO4/2(ViRSiO1/2(RSiO1/2で表される三次元網目状構造のビニル基含有オルガノポリシロキサン、(A)直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン、(B)2個以上のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、(C)ヒドロシリル化反応用触媒、および式:CH=C(CH)COO(CHSi(OCHと、式:[(CH)HSiO](CHSiOとの反応生成物を含有し、充填剤を含有しない組成物であり、硬化後の線膨張係数が10〜290×10−6/℃である発光素子封止用シリコーン組成物。
【選択図】図1

Description

本発明は、例えば、ダイオード、トランジスタ等の発光素子を封止するための発光素子封止用シリコーン組成物及び該組成物を使用して得られる発光装置に関する。
発光ダイオード(LED)、フォトカプラー等の発光装置において、発光素子の封止用組成物は、外部から発光素子を保護する機能の他に、発光素子又は発光素子を支持するポリフタルアミド、セラミックス等の支持基材と良好かつ安定に接着することが要求される。また、発光素子の輝度低下を防ぐために高度の透明性が要求される。
従来、このような封止用組成物としては、例えばエポキシ樹脂などが使用されていた。しかしながら、エポキシ樹脂などを使用した場合、近年のLEDなどの高輝度化に伴う発熱量の増大や光の短波長化によって、クラッキングや黄変が生じ輝度低下の原因となっていた。
そのため、耐熱性および耐紫外線特性に優れた封止用組成物として、オルガノポリシロキサン組成物(シリコーン組成物)が使用されている。特に、ヒドロシリル化を利用した付加反応型シリコーン組成物は、加熱することにより短時間で硬化するため生産性に優れ、硬化時に副生成物を発生しないため広く用いられている。
付加反応型シリコーン組成物としては、例えば、特許文献1には、ケイ素原子に結合するアルケニル基を少なくとも2個含有するジオルガノポリシロキサン、SiO4/2単位、Vi(RSiO1/2単位及びR SiO1/2単位(式中、Viはビニル基を表し、Rは脂肪族不飽和結合を含まない、非置換又は置換の一価炭化水素基を表す。)からなるオルガノポリシロキサン、1分子中にケイ素原子に結合する水素原子を少なくとも2個含有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン及び白金族金属系触媒を含有するシリコーン組成物が記載されている。
しかしながら、特許文献1に記載されたシリコーン組成物は、支持基材に比べて硬化後の線膨張係数が大きいため、加熱硬化後の残留応力が大きく、支持基材との界面での剥離や支持基材の変形を生じるという問題があった。(例えば、特許文献1参照)
特開2000−198930公報
本発明は、これらの課題を解決するためになされたもので、発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物と支持基材との接着性に優れた発光素子封止用シリコーン組成物及びこの硬化物により発光素子が封止された発光装置を提供することを目的とする。
本発明の発光素子封止用シリコーン組成物は、(A)25℃で固体であり、平均単位式:(SiO4/2(ViRSiO1/2(RSiO1/2(式中、Viはビニル基を表し、Rは同じかまたは異なる、アルケニル基を除く、非置換もしくは水素原子の一部または全部がハロゲン原子あるいはシアノ基で置換された1価炭化水素基であり、a、b及びcはそれぞれ正数であり、且つa/(a+b+c)は0.2〜0.6の数であり、b/(a+b+c)は0.001〜0.2の数である。)で表される三次元網目状構造のビニル基含有オルガノポリシロキサン、(A)25℃における粘度が1〜100,000mPa・sである直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン (A)成分と(A)成分との合計量に対し10〜80重量%、(B)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン (A)成分中のケイ素原子に結合するビニル基と(A)中のケイ素原子に結合するアルケニル基との合計1モルに対して、Si−H結合が0.3〜3モルとなる量、(C)ヒドロシリル化反応用触媒(触媒量)、およびシランカップリング剤として、式:CH=C(CH)COO(CHSi(OCHで表されるシランと、式:[(CH)HSiO](CHSiOで表されるオルガノシロキサンとの反応生成物 前記(A)〜(C)成分の合計量100重量部あたり0.1〜5重量部を含有し、充填剤を含有しない組成物であり、硬化後の線膨張係数が10〜290×10−6/℃であることを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、前記発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物により発光素子が封止されていることを特徴とする。
本発明の発光素子封止用シリコーン組成物によれば、硬化後の線膨張係数を10〜290×10−6/℃とすることによって、硬化物と支持基材との残留応力を小さくして、長期にわたり良好かつ安定な接着性を有する硬化物を得ることができる。
さらに、本発明の発光装置によれば、該硬化物と支持基材との間に優れた接着性をもつため高い信頼性を有することができる。
本発明の発光装置の一例を示す断面図である。
次に、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
本発明の実施形態の発光素子封止用シリコーン組成物は、(A)平均単位式:(SiO4/2(ViRSiO1/2(RSiO1/2(式中、Viはビニル基を表し、Rは同じかまたは異なるアルケニル基を除く置換もしくは非置換の1価炭化水素基であり、a、b及びcはそれぞれ正数であり、且つa/(a+b+c)は0.2〜0.6の数であり、b/(a+b+c)は0.001〜0.2の数である。)で表される三次元網目状構造のビニル基含有オルガノポリシロキサンと、(B)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンと、(C)ヒドロシリル化反応用触媒を含有する。
(A)成分は、得られる組成物の主成分であり、平均単位式:
(SiO4/2(ViRSiO1/2(RSiO1/2
で表される三次元網目状構造のビニル基含有オルガノポリシロキサンである。1分子中にケイ素原子と結合したビニル基を1個以上有することが必要であり、特にビニル基を2個以上有することが好ましい。
上式中、Viはビニル基を表し、Rは同じか、または異なるアルケニル基を除く置換もしくは非置換の1価炭化水素基を表し、a、b及びcはそれぞれ正数を表す。
Rは、アルケニル基を除く炭素数が1〜12、好ましくは1〜8の置換又は非置換の1価炭化水素基を表す。Rとしては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基のようなアルキル基;フェニル基、トリル基のようなアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基のようなアラルキル基;およびこれらの基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子やシアノ基で置換されているもの、例えばクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基、シアノエチル基などを挙げることができる。特に、メチル基、フェニル基が好ましい。
上式中、a、b及びcはそれぞれ正数であり、且つa/(a+b+c)は0.2〜0.6の数であり、b/(a+b+c)は0.001〜0.2の数である。
すなわち、SiO4/2単位は、(A)成分中0.2〜0.6、特に0.2〜0.4の割合を有することが好ましい。このような範囲にすることで本組成物に優れた流動性を付与することができる。
ViRSiO1/2単位は、得られる組成物の架橋点であり、(A)成分中0.001〜0.2、特に0.001〜0.1の割合を有することが好ましい。0.001未満では硬化物に適度な硬度を与えることができず、ビニル基を有するポリマーを収率よく合成することが困難となる。一方、0.2を超えると、本組成物を硬化して得られる硬化物の硬度が高くなりすぎて、十分なゴム弾性を得ることが困難となる。
このような三次元網目状構造のビニル基含有オルガノポリシロキサンは、周知の方法によって、各単位源となる化合物を上述した割合で組み合わせ、これを例えば、塩酸等の酸の存在下で共加水分解することによって製造することができる。
(A)成分は、単独または2種以上を混合して使用することができる。(A)成分は固体又は液体であり、特に25℃における粘度が1〜100,000mPa・sの液状であることが好ましい。
また、(A)成分が、25℃で固体の場合には、例えば、25℃での粘度が1〜100,000mPa・sの直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンで希釈して、25℃での粘度を100〜100,000mPa・sとすることが好ましい。このとき、本組成物の硬化後の線膨張係数が290×10−6/℃を越えないようにする。
この直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンの該アルケニル基は、分子鎖の両末端にのみ存在していても、或いは分子鎖の両末端及び分子鎖の途中に存在していてもよい。このような直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンの代表例としては、例えば、下記一般式:
Figure 2014168060
(式中、Rは同じか又は異なるアルケニル基を除く、炭素数1〜10、好ましくは1〜6の置換または非置換の1価炭化水素基であり、Xはアルケニル基であり、Yは独立にアルケニル基又はRであり、nは0又は1以上の整数であり、mは0又は1以上の整数である。)が挙げられる。
1としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、クロロメチル基、ブロモエチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、シアノエチル基などの非置換又は置換の炭素原子数1〜3のアルキル基;及びフェニル基、クロロフェニル基、フルオロフェニル基等の非置換又は置換のフェニル基が挙げられる。
Xはアルケニル基であり、例えば、ビニル基、アリル基、プロペニル基、イソプロペニル基、ブテニル基、ヘキセニル基、シクロヘキセニル基等の炭素原子数2〜8程度のものが挙げられ、ビニル基、アリル基等の炭素原子数2〜4の低級アルケニル基がより好ましい。
Yはアルケニル基又はR1であり、このアルケニル基としては、前記Xで例示したものと同じものが挙げられる。R1は前記と同じ意味を有するが、分子鎖両末端のケイ素原子に結合する置換基としての二つのYは同一でも異なってもよいが、いずれもアルケニル基であることが好ましい。
nは0又は1以上、好ましくは0〜1000の整数、より好ましくは0〜800の整数である。mは0又は1以上、好ましくは0〜1000の整数である。また、n及びmは、1≦m+n≦1000で、かつ、0≦m/(m+n)≦1を満たすことが好ましく、特に100≦m+n≦800で、かつ0≦m/(m+n)≦0.5を満足することが好ましい。
この直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサンの配合量は、(A)成分との合計量(100重量%)に対して10〜80重量%、好ましくは10〜60重量%である。10重量%未満では、組成物に十分な流動性を付与することが困難になり、80重量%を越えると硬化物の線膨張係数を290×10−6/℃以下に調整することが困難になる。
(B)成分は、(A)成分とヒドロシリル化反応により組成物を硬化させる架橋剤として作用する。1分子中に平均2個以上のケイ素原子に結合した水素原子(SiH基)を有する必要がある。このSiH基を好ましくは2〜200個、より好ましくは3〜100個有することが望ましい。ケイ素原子に結合した水素原子は、分子鎖末端のケイ素原子に結合していても、また分子鎖中間のケイ素原子のいずれかに結合していてもよく、さらには両方に結合していてもよい。
(B)成分としては、平均組成式:
SiO[4−(d+e)]/2
で示されるものが用いられる。上式中Rは、脂肪族不飽和炭化水素基を除く、炭素原子数1〜12、好ましくは1〜8の置換または非置換の1価炭化水素基である。
としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基のようなアルキル基;フェニル基、トリル基のようなアリール基;ベンジル基、フェニルエチル基のようなアラルキル基;およびこれらの基の水素原子の一部または全部がフッ素、塩素、臭素などのハロゲン原子やシアノ基で置換されているもの、例えばクロロメチル基、ブロモエチル基、トリフルオロプロピル基、シアノエチル基などを挙げることができる。これらのうちで、炭素数が1〜4のものが好適であり、合成のし易さ、コストの面からアルキル基が好ましい。メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、tert-ブチル基であることが好ましく、特に、メチル基であることが好ましい。
上式中、d、eは、それぞれ正数であり、0.8≦d≦2.2、0.002≦e≦1、0.8<d+e<3を満足する数であり、好ましくは、1≦d≦2.2、0.01≦e≦1、1.8≦d+e≦2.5を満足する数である。
分子構造としては、直鎖状、分岐鎖状または環状のいずれであってもよいが、ジオルガノハイドロジェンシロキサン単位とSiO4/2単位を含有し、適宜にトリオルガノシロキサン単位やジオルガノシロキサン単位を含有している三次元網目状構造であることが好ましい。
(B)成分としては、例えば、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、メチルハイドロジェンシクロポリシロキサン、メチルハイドロジェンシロキサン・ジメチルシロキサン環状共重合体、両末端トリメチルシロキシ基封鎖メチルハイドロジェンポリシロキサン、両末端トリメチルシロキシ基封鎖ジメチルシロキサン・メチルハイドロジェンシロキサン共重合体、両末端ジメチルハイドロジェンシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサンなどが挙げられる。
25℃における粘度は、1〜500mPa・sであることが好ましく、特に1〜100mPa・sであることが好ましい。
(B)成分の配合量は、(A)成分中のケイ素原子に結合するビニル基と直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン中のケイ素原子に結合するアルケニル基(特に、ビニル基)との合計1モルに対して、Si−H結合が0.3〜3モルとなる量とすることが好ましく、0.4〜2モルとなる量とすることがより好ましい。0.3モル未満では十分な架橋が得られず、3モルを越えると未反応のSi−H結合が多く残存し、物性が不安定となるためである。
(C)成分は、前記(A)成分のビニル基と(B)成分のSiH基とのヒドロシリル化反応を促進するための触媒である。
(C)成分としては、例えば、白金黒、塩化第2白金、塩化白金酸、塩化白金酸と一価アルコールとの反応物、塩化白金酸とオレフィン類やビニルシロキサンとの錯体、白金ビスアセトアセテート等の白金系触媒、パラジウム系触媒、ロジウム系触媒などの白金族金属触媒が挙げられる。
(C)成分の配合量は、硬化に必要な量であれば特に限定されず、(A)成分と(B)成分の種類、所望の硬化速度などに応じて適宜調整することができる。通常、白金分に換算して、得られる組成物の合計重量に対して、0.01〜100ppmの範囲とすればよく、硬化物の光透過率(透明性)、コストの面から、1〜50ppmの範囲であることが好ましい。
本発明の実施形態の発光素子封止用シリコーン組成物は、上記(A)〜(C)の各成分を基本成分とし、各種支持基材への接着性を付与するために、さらにシランカップリング剤を含有してもよい。シランカップリング剤としては、例えば、エポキシ基含有アルコキシシラン、Si−H含有アルコキシシラン、ビニル基含有アルコキシシランなどが挙げられる。シランカップリング剤の配合量は、(A)〜(C)成分の合計量100重量部あたり、0.1〜5重量部であることが好ましい。
また、強度を向上させるために各種充填剤を配合してもよい。硬化物の透明性を考慮すると、平均粒子径が100nm以下が好ましく、特に平均粒子径が50nm以下であるものが好ましい。充填剤としては、例えば、BET法による比表面積が150m/g以上のフュームドシリカ、湿式シリカなどが挙げられる。充填剤は、そのまま使用してもよいが、ヘキサメチルジシラザンなどの処理剤で予め表面処理されたものを使用してもよく、上記処理剤とインプロセスで反応させたものであってもよい。充填剤の配合量は、(A)成分100重量部に対して0.5〜100重量部とすることが好ましい。100重量部を越えると、未硬化時における組成物の粘度が著しく上昇して、成形時の作業性は悪くなる。一方0.5重量部未満であると、硬化物に付与される特性が十分でなくなる。
さらに、リン、窒素、硫黄などの化合物またはアセチレン系化合物等の反応抑制剤、硬化物の透明性に影響を与えない範囲で染料、顔料、難燃性付与剤、耐熱剤等を配合してもよい。
本発明の実施形態の発光素子封止シリコーン組成物は、(A)〜(C)の基本成分と上述した任意成分を攪拌機により均一に混合することにより得ることができる。得られる組成物は液状であることが好ましく、25℃における粘度が10,000mPa・s以下、特に500〜5,000mPa・s程度であることが好ましい。
(A)〜(C)の基本成分と上述した任意成分を攪拌機により均一に混合することによって、室温もしくは加熱により硬化が進行するが、迅速に硬化させるためには加熱することが好ましい。加熱温度としては、50〜200℃の範囲内であることが好ましい。このようにして得られる硬化物はゴム状、特に硬質のゴム状、あるいは可撓性を有するレジン状である。
硬化後の線膨張係数は10〜290×10−6/℃であり、特に10〜250×10−6/℃であることが好ましい。硬化後の線膨張係数をセラミック、プラスチック等の支持基材の線膨張係数に近い値にすることによって、支持基材と硬化物との残存応力を小さくすることができ、長期にわたり優れた接着性を有することが可能となる。
本発明の発光素子封止用シリコーン組成物は、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護剤、被覆剤、封止剤あるいはアンダーフィル剤として使用することができる。特に光透過率が高いことから発光装置の保護剤、被覆剤あるいは封止剤等に好適である。
次に、本発明の実施形態の発光装置について説明する。
本発明の実施形態の発光装置は、上述した発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物によって発光素子が封止されている。発光素子を封止する態様は特に限定されるものではないが、例えば、図1に示すような表面実装型と称される発光装置が挙げられる。
図1に示すように、発光装置1は、発光素子2、開口部を有する支持基材3及び発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物4を有する。
発光素子2の封止方法としては、リード電極5を有し、ガラス繊維強化ポリフタルアミド樹脂からなる支持基材3上に、発光素子2を銀ペースト等の接着剤で加熱固定する。次に、発光素子2とリード電極5とをAu線などのボンディングワイヤ6で接続する。その後、発光素子2に本発明の実施形態の発光素子封止用シリコーン組成物をポッティングし、50〜200℃で加熱して、硬化させる。これによって、発光装置1を得ることができる。
発光素子としては、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、固体撮像素子、モノリシックIC、さらにはハイブリッドIC中の半導体素子が挙げられる。
発光装置としては、ダイオード、発光ダイオード(LED)、トランジスタ、サイリスタ、フォトカプラー、電荷結合素子(CCD)、モノリシックIC、ハイブリッドIC、LSI、VLSIが例示され、好ましくは、発光ダイオード(LED)、フォトカプラー等が挙げられる。
ここでは、支持基材としてガラス繊維強化ポリフタルアミド樹脂を用いたが、これに限定されるものではなく、各種繊維強化プラスチック、セラミックス等を用いてもよい。
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。各例中、部は重量部、実施例中の粘度は、25℃において測定した値である。
発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物の特性は、次のようにして測定した。
[硬化物の線膨張係数]
発光素子封止用シリコーン組成物を150℃で1時間加熱することによって硬化物を作製した。この硬化物の線膨張係数をTMA(熱機械的分析)により25〜150℃の範囲で測定した。
[硬化物の剥離試験]
発光素子封止用シリコーン組成物を10×10×45mmのガラスセル中に0.85g充填し、80℃で2時間加熱し、さらに150℃で1時間加熱することによって硬化させ、硬化物を作製した。その後、60℃、90%RHで24時間吸湿後、260℃で10分間加熱した。これを冷却後、ガラスセルと硬化物との界面状態を観察した。
実施例1
25℃において固体であり、式1:
[(CHSiO1/2(SiO4/2[CH=CH(CHSiO1/2
で表されるビニル基含有オルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基含有量1.0mmol/g)62重量部、粘度400mPa・sであり、式2:
[(CH=CH)(CHSiO1/2][(CHSiO]130[(CH=CH)(CHSiO1/2
で表される直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基含有量0.2mmol/g)38重量部、粘度20mPa・sであり、式3:
[(CHHSiO1/2(SiO4/2
で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原子結合水素原子の含有量10mmol/g)12.4重量部、シランカップリング剤としてCH=C(CH)COO(CHSi(OCHと式4:
[(CH)HSiO](CHSiOで表されるオルガノシロキサンとの反応生成物1.5重量部、白金触媒を白金原子として5ppm、式5:
[(CH=CH)(CH)SiO]で表される反応抑制剤0.02重量部を混合して攪拌し、発光素子封止用シリコーン組成物を調整した。
この発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物の特性を測定した。これらの結果を表1に示した。
実施例2
25℃において固体であり、式1:
[(CHSiO1/2(SiO4/2[CH=CH(CHSiO1/2
で表されるビニル基含有オルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基含有量1.0mmol/g)50重量部、粘度50mPa・sであり、式6:
[(CHSiO1/213(SiO4/2[CH=CH(CHSiO1/2
で表されるビニル基含有オルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基含有量0.7mmol/g)50重量部、粘度20mPa・sであり、式3:
[(CHHSiO1/2(SiO4/2
で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原子結合水素原子の含有量10mmol/g)14.9重量部、シランカップリング剤としてCH=C(CH)COO(CHSi(OCHと式4:
[(CH)HSiO](CHSiOで表されるオルガノシロキサンとの反応生成物1.5重量部、白金触媒を白金原子として5ppm、式5:
[(CH=CH)(CH)SiO]で表される反応抑制剤0.02重量部を均一に配合して、発光素子封止用シリコーン組成物を調整した。
この発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物の特性を測定した。これらの結果を表1に示した。
実施例3
25℃において固体であり、式1:
[(CHSiO1/2(SiO4/2[CH=CH(CHSiO1/2
で表されるビニル基含有オルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基含有量1.0mmol/g)40重量部、粘度3,000mPa・sであり、式7:
[(CH=CH)(CHSiO1/2][(CHSiO]340[(CH=CH)(CHSiO1/2
で表される直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基含有量0.08mmol/g)60重量部、粘度20mPa・sであり、式3:
[(CHHSiO1/2(SiO4/2
で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原子結合水素原子の含有量10mmol/g)7.9重量部、シランカップリング剤としてCH=C(CH)COO(CHSi(OCHと、式4:
[(CH)HSiO](CHSiO
で表されるオルガノシロキサンとの反応生成物1.5重量部、白金触媒を白金原子として5ppm、式5:
[(CH=CH)(CH)SiO]
で表される反応抑制剤0.02重量部を均一に配合して、発光素子封止用シリコーン組成物を調整した。
この発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物の特性を測定した。これらの結果を表1に示した。
比較例1
25℃において固体であり、式1:
[(CHSiO1/2(SiO4/2[CH=CH(CHSiO1/2
で表されるビニル基含有オルガノポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基含有量1.0mmol/g)10重量部、粘度3000mPa・sであり、式7:
[(CH=CH)(CHSiO1/2][(CHSiO]340[(CH=CH)(CHSiO1/2
で表される直鎖状の分子鎖両末端ジメチルビニルシロキシ基封鎖ジメチルポリシロキサン(ケイ素原子結合ビニル基含有量0.08mmol/g)90重量部、粘度20mPa・sであり、式3:
[(CHHSiO1/2(SiO4/2
で表されるオルガノハイドロジェンポリシロキサン(ケイ素原子結合水素原子の含有量10mmol/g)3.0重量部、シランカップリング剤としてCH=C(CH)COO(CHSi(OCHと式4:
[(CH)HSiO](CHSiOで表されるオルガノシロキサンとの反応生成物1.5重量部、白金触媒を白金原子として5ppm、式5:
[(CH=CH)(CH)SiO]で表される反応抑制剤0.02重量部を均一に配合して、発光素子封止用シリコーン組成物を調整した。
この発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物の特性を測定した。これらの結果を表1に示した。
Figure 2014168060
表1から明らかなように、比較例1では、直鎖状のビニル基含有オルガノポリシロキサンの配合量が三次元網目状構造のビニル基含有オルガノポリシロキサンとの合計量に対して80重量%を超えるため、硬化後の線膨張係数を290×10−6以下にすることができなかった。これに対して、実施例1〜3の発光素子封止用シリコーン組成物によれば、硬化後の線膨張係数を10〜290×10−6/℃とすることができ、硬化物とガラスセルとの接着性を著しく改善することができる。
本発明の発光素子封止用シリコーン組成物は、硬化後の線膨張係数をポリフタルアミド等の支持基材の線膨張係数に近い値にすることができる。これによって、支持基材と硬化物との残存応力を小さくして、長期にわたり優れた接着性を有することができる。したがって、電気・電子用の接着剤、ポッティング剤、保護剤、被覆剤、封止剤あるいはアンダーフィル剤などとして使用することができる。特に、光透過率が高いことから、発光装置の保護剤、被覆剤あるいは封止剤等として好適である。
1…発光装置、2…発光素子、3…支持基材、4…発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物、5…リード電極、6…ボンディングワイヤ。
本発明の発光素子封止用シリコーン組成物は、
(A)25℃で固体であり、平均単位式:(SiO4/2(ViRSiO1/2(RSiO1/2(式中、Viはビニル基を表し、Rは同じかまたは異なる、アルケニル基を除く、非置換もしくは水素原子の一部または全部がハロゲン原子あるいはシアノ基で置換された1価炭化水素基であり、a、b及びcはそれぞれ正数であり、且つa/(a+b+c)は0.2〜0.6の数であり、b/(a+b+c)は0.001〜0.2の数である。)で表される三次元網目状構造のビニル基含有オルガノポリシロキサン、
(A)25℃における粘度が1〜100,000mPa・sである直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン (A)成分と(A)成分との合計量に対し10〜80重量%、
(B)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン (A)成分中のケイ素原子に結合するビニル基と(A)中のケイ素原子に結合するアルケニル基との合計1モルに対して、Si−H結合が0.3〜3モルとなる量、
(C)ヒドロシリル化反応用触媒(触媒量)、および
シランカップリング剤として、式:CH=C(CH)COO(CHSi(OCHで表されるシランと、式:[(CH)HSiO](CHSiOで表されるオルガノシロキサンとの反応生成物 前記(A)〜(C)成分の合計量100重量部あたり0.1〜5重量部
を含有し、充填剤を含有しない組成物であり、
硬化後の線膨張係数が25〜150℃の範囲で10〜290×10−6/℃であることを特徴とする。

Claims (6)

  1. (A)25℃で固体であり、平均単位式:
    (SiO4/2(ViRSiO1/2(RSiO1/2
    (式中、Viはビニル基を表し、Rは同じかまたは異なる、アルケニル基を除く、非置換もしくは水素原子の一部または全部がハロゲン原子あるいはシアノ基で置換された1価炭化水素基であり、a、b及びcはそれぞれ正数であり、且つa/(a+b+c)は0.2〜0.6の数であり、b/(a+b+c)は0.001〜0.2の数である。)で表される三次元網目状構造のビニル基含有オルガノポリシロキサン、
    (A)25℃における粘度が1〜100,000mPa・sである直鎖状のアルケニル基含有オルガノポリシロキサン (A)成分と(A)成分との合計量に対し10〜80重量%、
    (B)1分子中に少なくとも2個のケイ素原子結合水素原子を有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン (A)成分中のケイ素原子に結合するビニル基と(A)中のケイ素原子に結合するアルケニル基との合計1モルに対して、Si−H結合が0.3〜3モルとなる量、
    (C)ヒドロシリル化反応用触媒(触媒量)、および
    シランカップリング剤として、式:CH=C(CH)COO(CHSi(OCHで表されるシランと、式:[(CH)HSiO](CHSiOで表されるオルガノシロキサンとの反応生成物 前記(A)〜(C)成分の合計量100重量部あたり0.1〜5重量部
    を含有し、充填剤を含有しない組成物であり、
    硬化後の線膨張係数が10〜290×10−6/℃であることを特徴とする発光素子封止用シリコーン組成物。
  2. 前記(A)成分は、下記一般式:
    Figure 2014168060
    (式中、Rは同じか又は異なるアルケニル基を除く、炭素数1〜10、好ましくは1〜6の非置換もしくは水素原子の一部または全部がハロゲン原子あるいはシアノ基で置換された1価炭化水素基であり、Xはアルケニル基であり、Yは独立にアルケニル基又はR1であり、nは0〜1000の整数、mは0〜1000の整数、n及びmは1≦m+n≦1000、且つ0≦m/(m+n)≦1である。)で表されることを特徴とする請求項1に記載の発光素子封止用シリコーン組成物。
  3. 前記(B)成分であるオルガノハイドロジェンポリシロキサンは、ジオルガノハイドロジェンシロキサン単位とSiO4/2単位を含む三次元網目状構造を有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子封止用シリコーン組成物。
  4. 25℃における粘度が100〜100,000mPa・sになるように、前記(A)成分を前記(A)成分で希釈することを特徴とする請求項1に記載の発光素子封止用シリコーン組成物。
  5. 25℃における粘度が10,000mPa・s以下であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子封止用シリコーン組成物。
  6. 請求項1に記載の発光素子封止用シリコーン組成物の硬化物によって発光素子が封止されていることを特徴とする発光装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017199845A1 (ja) * 2016-05-19 2017-11-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 止水用シリコーンゴム組成物、止水用シリコーンゴム成形体およびワイヤーハーネス
WO2019202837A1 (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 信越化学工業株式会社 有機el用透明乾燥剤及びその使用方法
JP2020122035A (ja) * 2019-01-29 2020-08-13 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光学素子

Families Citing this family (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5247979B2 (ja) * 2005-06-01 2013-07-24 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 透明な硬化物を与えるポリオルガノシロキサン組成物
JP2007063538A (ja) * 2005-08-03 2007-03-15 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード用付加硬化型シリコーン樹脂組成物
JP2007246880A (ja) * 2006-02-20 2007-09-27 Matsushita Electric Works Ltd 半導体光装置及び透明光学部材
KR101395027B1 (ko) * 2006-10-19 2014-05-22 모멘티브 파포만스 마테리아루즈 쟈판 고도가이샤 경화성 폴리오르가노실록산 조성물
JP2008115302A (ja) * 2006-11-06 2008-05-22 Kaneka Corp シリコーン系重合体粒子を含有する光学材料用シリコーン系組成物
JP5210880B2 (ja) * 2006-11-27 2013-06-12 パナソニック株式会社 半導体光装置及び透明光学部材
WO2008065787A1 (en) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Optical semiconductor device and transparent optical member
WO2008065786A1 (fr) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Dispositif optique à semiconducteur et élément optique transparent
WO2008065967A1 (fr) * 2006-11-27 2008-06-05 Panasonic Electric Works Co., Ltd. Dispositif optique semi-conducteur et élément optique transparent
EP2118202B1 (en) * 2007-02-07 2011-06-22 Dow Corning Toray Co., Ltd. Sponge-forming liquid silicone-rubber composition and silicone rubber sponge made therefrom
JP2008222828A (ja) * 2007-03-12 2008-09-25 Momentive Performance Materials Japan Kk 凸レンズ形成用シリコーンゴム組成物及びそれを用いた光半導体装置
TWI458780B (zh) 2007-07-31 2014-11-01 Dow Corning Toray Co Ltd 提供高透明矽酮硬化物之硬化性矽酮組合物
JP5211059B2 (ja) * 2007-08-17 2013-06-12 パナソニック株式会社 半導体光装置及び透明光学部材
CN101230197B (zh) * 2007-12-20 2011-01-19 宁波安迪光电科技有限公司 用于制造发光二极管封装用胶水的有机硅组合物
JP5149022B2 (ja) * 2008-01-25 2013-02-20 モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社 光半導体封止用シリコーン組成物及びそれを用いた光半導体装置
EP2311912B1 (en) 2008-07-31 2017-11-15 Dow Corning Toray Co., Ltd. Multi-component sponge-forming liquid silicone rubber composition and silicone rubber sponge manufacturing method
JP5475295B2 (ja) 2009-02-02 2014-04-16 東レ・ダウコーニング株式会社 高透明のシリコーン硬化物を与える硬化性シリコーン組成物
JP5568240B2 (ja) * 2009-02-02 2014-08-06 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物
JP5475296B2 (ja) 2009-02-02 2014-04-16 東レ・ダウコーニング株式会社 高透明のシリコーン硬化物を与える硬化性シリコーン組成物
US20100289055A1 (en) * 2009-05-14 2010-11-18 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Silicone leaded chip carrier
CN101712800B (zh) * 2009-11-06 2012-10-03 陈俊光 大功率led的有机硅树脂封装料及其制备方法
CN101717584B (zh) * 2009-11-20 2012-01-25 陈俊光 大功率led的有机硅凝胶封装料及其制备方法
JP5549568B2 (ja) 2009-12-15 2014-07-16 信越化学工業株式会社 光半導体素子封止用樹脂組成物及び当該組成物で封止した光半導体装置
PL2519588T3 (pl) * 2009-12-29 2015-04-30 Dow Corning Toray Co Ltd Utwardzalna ciekła kompozycja kauczuku silikonowego do wytwarzania członu uszczelniającego i człon uszczelniający
CN106025053B (zh) * 2010-03-23 2020-01-10 株式会社朝日橡胶 有机硅树脂制反射基材及其制造方法、以及用于该反射基材的原材料组合物
JPWO2011136302A1 (ja) 2010-04-28 2013-07-22 三菱化学株式会社 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置
KR101277722B1 (ko) 2010-07-14 2013-06-24 제일모직주식회사 하이브리드 실록산 중합체, 상기 하이브리드 실록산 중합체로부터 형성된 봉지재 및 상기 봉지재를 포함하는 전자 소자
JP2012049519A (ja) * 2010-07-26 2012-03-08 Mitsubishi Chemicals Corp 半導体発光装置用パッケージ及び発光装置
CN101974228B (zh) * 2010-10-11 2012-12-05 广州亿锘有机硅技术有限公司 一种发光元件封装用有机硅胶材料及其制备方法
CN102115605B (zh) * 2010-12-23 2013-12-04 东莞市良展有机硅科技有限公司 一种封装硅胶的制备方法、制品及其应用
JP6300218B2 (ja) 2010-12-31 2018-03-28 サムスン エスディアイ カンパニー, リミテッドSamsung Sdi Co., Ltd. 封止材用透光性樹脂組成物、該透光性樹脂を含む封止材および電子素子
EP2733178A4 (en) * 2011-07-14 2015-03-04 Sekisui Chemical Co Ltd SEALING AGENT FOR OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND OPTICAL SEMICONDUCTOR DEVICE
JP5839880B2 (ja) * 2011-08-04 2016-01-06 日東電工株式会社 シリコーン樹脂組成物、封止材料および発光ダイオード装置
JP6057503B2 (ja) * 2011-09-21 2017-01-11 東レ・ダウコーニング株式会社 光半導体素子封止用硬化性シリコーン組成物、樹脂封止光半導体素子の製造方法、および樹脂封止光半導体素子
EP2752459B1 (en) * 2011-12-08 2017-11-15 Momentive Performance Materials Japan LLC Hydrosilylation-curable silicone rubber composition
KR101946914B1 (ko) 2012-06-08 2019-02-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지 및 라이트 유닛
WO2014019195A1 (en) 2012-08-02 2014-02-06 Henkel (China) Company Limited Curable compositions for LED encapsulants comprising a polycarbosilane and a hydrosilicone
CN104662068A (zh) 2012-08-02 2015-05-27 汉高股份有限公司 聚碳硅烷和包含其的用于led封装剂的可固化组合物
CN104662100B (zh) * 2012-09-27 2017-06-30 迈图高新材料日本合同公司 光半导体元件密封用有机硅组合物以及光半导体装置
JP5851970B2 (ja) * 2012-10-29 2016-02-03 信越化学工業株式会社 シリコーン樹脂組成物、並びにこれを用いたシリコーン積層基板とその製造方法、及びled装置
WO2014084624A1 (ko) * 2012-11-30 2014-06-05 코오롱생명과학 주식회사 광디바이스용 경화형 투명 실리콘 조성물
WO2014088451A1 (ru) * 2012-12-06 2014-06-12 Vishnyakov Anatoly Vasilyevich Способ получения модифицированных трехцветных светодиодных источников белого света
CN103013433B (zh) * 2012-12-27 2014-04-09 广州天赐有机硅科技有限公司 一种高透明、高折光、自粘结的有机硅材料及其制备方法
KR20140103696A (ko) * 2013-02-19 2014-08-27 한국다우코닝(주) 인광체-함유 경화성 실리콘 조성물 및 이로부터 제조된 경화성 핫멜트 필름
JP6010503B2 (ja) 2013-05-14 2016-10-19 信越化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物、その硬化物及び光半導体デバイス
CN103320087A (zh) * 2013-06-03 2013-09-25 曹坚林 一种液体光学透明有机硅材料及其制备方法
CN105440694B (zh) * 2014-08-27 2018-01-23 广州慧谷化学有限公司 有机聚硅氧烷组合物及其制备方法及半导体器件
EP3213006B1 (en) * 2014-10-28 2020-06-24 Maxheat Hot Water Pty Ltd. Hot water storage device
CN107001803B (zh) 2014-12-18 2021-02-26 迈图高新材料日本合同公司 阻燃性聚有机硅氧烷组合物、阻燃性固化物、光学用部件、光源用透镜或盖子以及成型方法
CN105778515A (zh) * 2014-12-26 2016-07-20 广东生益科技股份有限公司 一种无卤无磷硅树脂组合物以及使用它的预浸料、层压板、覆铜板以及印制电路板
JP6544962B2 (ja) * 2015-03-27 2019-07-17 東レエンジニアリング株式会社 Ledモジュールおよびledモジュールの製造方法
CN106147602A (zh) * 2016-07-27 2016-11-23 天津凯华绝缘材料股份有限公司 一种电子元件封装用有机硅组合物及其制备方法
KR20180034937A (ko) * 2016-09-28 2018-04-05 모멘티브퍼포먼스머티리얼스코리아 주식회사 유기 전자 소자 봉지재용 조성물 및 이를 이용하여 형성된 봉지재
TW201946976A (zh) * 2018-05-11 2019-12-16 美商陶氏有機矽公司 可固化聚矽氧組成物及其固化產物

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000129132A (ja) * 1998-10-28 2000-05-09 Dow Corning Corp シリコ―ン組成物、それらの製造法及びシリコ―ンエラストマ―
JP2000198930A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコ―ン組成物
JP2001002922A (ja) * 1999-06-21 2001-01-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体装置封止用付加硬化型シリコーン組成物及び半導体装置
JP2004323764A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 接着性ポリオルガノシロキサン組成物

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62232460A (ja) 1986-04-01 1987-10-12 Toray Silicone Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JP3270489B2 (ja) 1991-01-30 2002-04-02 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
US5717010A (en) * 1992-01-23 1998-02-10 General Electric Company Low compression set silicone elastomers
AU5131793A (en) 1992-09-21 1994-04-12 Thermoset Plastics, Inc. Thermoplastic modified, thermosetting polyester encapsulants for microelectronics
GB9317813D0 (en) * 1993-08-27 1993-10-13 Dow Corning Sa Silicone emulsion compositions
JP3553632B2 (ja) * 1994-03-16 2004-08-11 ダウ コーニング アジア株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JP3615784B2 (ja) * 1994-04-21 2005-02-02 ダウ コーニング アジア株式会社 光学素子用樹脂組成物及び光学素子
JPH1112470A (ja) * 1997-06-25 1999-01-19 Toray Dow Corning Silicone Co Ltd 高電圧電気絶縁部品用液状シリコーンゴム組成物
US6262188B1 (en) 1998-12-23 2001-07-17 General Electric Company Functionalized MQ resin as an adhesion enhancing additive
WO2001040379A2 (en) * 1999-11-30 2001-06-07 Corning O.T.I., S.P.A. Method of fixing a fibre-optic component in an optical device, the optical device so obtained and the polymer composition used therein
CA2406534A1 (en) * 2000-04-21 2002-10-17 Kaneka Corporation Curable composition, composition for optical material, optical material, liquid-crystal display, transparent conductive film, and process for producing the same
JP3910080B2 (ja) * 2001-02-23 2007-04-25 株式会社カネカ 発光ダイオード
JP4880837B2 (ja) * 2001-09-05 2012-02-22 株式会社カネカ 硬化性組成物および硬化物
JP2004002810A (ja) * 2002-04-18 2004-01-08 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 光学材料用硬化性組成物、光学用材料、光学用材料の製造方法および光学材料を用いた発光ダイオード
JP4360595B2 (ja) 2002-10-18 2009-11-11 ペルノックス株式会社 光電変換装置
JP4409160B2 (ja) * 2002-10-28 2010-02-03 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
JP2004186168A (ja) * 2002-11-29 2004-07-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光ダイオード素子用シリコーン樹脂組成物
US20040138396A1 (en) 2003-01-13 2004-07-15 Gabriel Karim M. Resins and diluents for use in single component low volatile organic
US7160972B2 (en) * 2003-02-19 2007-01-09 Nusil Technology Llc Optically clear high temperature resistant silicone polymers of high refractive index
JP4766222B2 (ja) * 2003-03-12 2011-09-07 信越化学工業株式会社 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
TW200427111A (en) * 2003-03-12 2004-12-01 Shinetsu Chemical Co Material for coating/protecting light-emitting semiconductor and the light-emitting semiconductor device
JP2004359756A (ja) 2003-06-03 2004-12-24 Wacker Asahikasei Silicone Co Ltd Led用封止剤組成物
JP2005008657A (ja) * 2003-06-16 2005-01-13 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 低透湿性ポリオルガノシロキサン組成物
TWI373150B (en) * 2003-07-09 2012-09-21 Shinetsu Chemical Co Silicone rubber composition, light-emitting semiconductor embedding/protecting material and light-emitting semiconductor device
JP4586967B2 (ja) * 2003-07-09 2010-11-24 信越化学工業株式会社 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
US7287573B2 (en) * 2003-09-30 2007-10-30 General Electric Company Silicone binders for investment casting
KR100603247B1 (ko) * 2003-12-31 2006-07-20 동부일렉트로닉스 주식회사 시모스 이미지 센서 및 그 제조방법
JP2006137895A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 光学材料用ポリオルガノシロキサン組成物

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000129132A (ja) * 1998-10-28 2000-05-09 Dow Corning Corp シリコ―ン組成物、それらの製造法及びシリコ―ンエラストマ―
JP2000198930A (ja) * 1998-12-28 2000-07-18 Shin Etsu Chem Co Ltd 付加硬化型シリコ―ン組成物
JP2001002922A (ja) * 1999-06-21 2001-01-09 Shin Etsu Chem Co Ltd 半導体装置封止用付加硬化型シリコーン組成物及び半導体装置
JP2004323764A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Ge Toshiba Silicones Co Ltd 接着性ポリオルガノシロキサン組成物

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017199845A1 (ja) * 2016-05-19 2017-11-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 止水用シリコーンゴム組成物、止水用シリコーンゴム成形体およびワイヤーハーネス
WO2019202837A1 (ja) * 2018-04-16 2019-10-24 信越化学工業株式会社 有機el用透明乾燥剤及びその使用方法
JPWO2019202837A1 (ja) * 2018-04-16 2021-05-13 信越化学工業株式会社 有機el用透明乾燥剤及びその使用方法
US11495776B2 (en) 2018-04-16 2022-11-08 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Transparent desiccant for organic EL, and method for using same
JP2020122035A (ja) * 2019-01-29 2020-08-13 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光学素子
JP7014745B2 (ja) 2019-01-29 2022-02-01 信越化学工業株式会社 付加硬化型シリコーン樹脂組成物及び光学素子

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