JP2007246880A - 半導体光装置及び透明光学部材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】次のかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物を含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止する。
(AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)m−n−s
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r
(Aは炭素−炭素不飽和結合を有する基、B及びEは飽和アルキル基あるいは水酸基、R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8はメチル基又はフェニル基等、m及びqは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数、sは0〜m−n)
【選択図】図1
Description
(式(1)中、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、sは0〜m−nの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
(式(2)中、Eは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R5,R6,R7,R8は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、pは6,8,10,12から選ばれた数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数を表す)
また本発明の請求項2に係る透明光学部材は、下記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物と、下記式(2)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物とを含有するケイ素化合物を、重合して成ることを特徴とするものである。
(式(1)中、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4は各々独立にメチル基又はフェニル基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、sは0〜m−nの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
(式(2)中、Eは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R5,R6,R7,R8は各々独立にメチル基又はフェニル基を表し、pは6,8,10,12から選ばれた数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
上記の式(1)において、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する基を表すものであり、炭素−炭素二重結合または炭素−炭素三重結合を基の一部に含むものであれば特に限定はされない。例えば、アルケニル基、アルキニル基、シクロヘキセニル基を含むものを挙げることができるものであり、アルケニル基またはアルキニル基を含む基としては、例えばビニル基、アリル基等の炭素−炭素二重結合を有する基や、エチニル基、プロピニル基等の炭素−炭素三重結合を有する基を挙げることができる。また炭素−炭素二重結合または炭素−炭素三重結合を有する基と、不飽和基を有しない2価の基が結合した基を挙げることもできるものであり、この不飽和基を有しない2価の基が結合した基の例としては、シクロヘキセニルエチルジメチルシロキシ基等を挙げることができる。
還流管と滴下ロートを取り付けた1000mlのフラスコに水酸化テトラメチルアンモニウム334ml、メタノール164ml、水123mlを投入して攪拌した。そして滴下ロートに179mlのテトラエトキシシラン(TEOS)を装てんし、フラスコ全体を氷浴で約5℃になるまで冷却して、約5℃になった時点でTEOSを滴下した。滴下開始から約1時間で179mlのTEOSの滴下を完了させた。滴下完了後、10分間氷浴中での攪拌を継続した後、氷浴を取り除き、その後、室温で10時間攪拌して反応を進めた。10時間の室温攪拌を完了した後、反応生成物をろ過し、ろ液にオクタアニオン/メタノール溶液を得た。
三口フラスコに滴下ロート、温度計、試薬注入弁を取り付け、三口フラスコにヘキサン188ml、アリルジメチルクロルシラン10.6mlを投入した(オクタアニオンに対してアリルジメチルクロルシランは8倍当量)。次に系内全体を5℃以下になるように氷浴で冷却し、系内の温度が5℃以下になった時点で、滴下ロートからオクタアニオン70mlを1〜2滴/秒の速さで滴下した。
3 封止材
Claims (2)
- 下記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物と、下記式(2)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物とを含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止して成ることを特徴とする半導体光装置。
(AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)m−n−s …(1)
(式(1)中、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、sは0〜m−nの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
(式(2)中、Eは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R5,R6,R7,R8は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、pは6,8,10,12から選ばれた数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数を表す) - 下記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物と、下記式(2)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物とを含有するケイ素化合物を、重合して成ることを特徴とする透明光学部材。
(AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)m−n−s …(1)
(式(1)中、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、sは0〜m−nの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
(式(2)中、Eは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R5,R6,R7,R8は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、pは6,8,10,12から選ばれた数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数を表す)
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