JP2007251123A - 半導体光装置及び透明光学部材 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】次のかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応した部分重合物を含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止する。
(AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)m−n−s
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r
(Aは炭素−炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基、B及びEは飽和アルキル基あるいは水酸基、R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8はメチル基又はフェニル基等、m及びqは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数、sは0〜m−n)
【選択図】図1
Description
(式(1)中、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、sは0〜m−nの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
(式(2)中、Eは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R5,R6,R7,R8は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、pは6,8,10,12から選ばれた数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数を表す)
また本発明の請求項2に係る透明光学部材は、下記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物と、下記式(2)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物とを含有するケイ素化合物を、重合して成ることを特徴とするものである。
(式(1)中、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4は各々独立にメチル基又はフェニル基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、sは0〜m−nの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
(式(2)中、Eは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R5,R6,R7,R8は各々独立にメチル基又はフェニル基を表し、pは6,8,10,12から選ばれた数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
上記の式(1)において、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基を表すものであり、炭素−炭素二重結合または炭素−炭素三重結合を基の一部に含むものであれば特に限定はされない。例えば、アルケニル基、アルキニル基を含むものを挙げることができるものであり、アルケニル基またはアルキニル基を含む基としては、例えばビニル基、アリル基等の炭素−炭素二重結合を有する基や、エチニル基、プロピニル基等の炭素−炭素三重結合を有する基を挙げることができる。また炭素−炭素二重結合または炭素−炭素三重結合を有する基と、不飽和基を有しない2価の基が結合した基を挙げることもできる。尚、これらの炭素−炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基の炭素−炭素不飽和結合の位置は、加水分解時の立体障害を減らす点から、末端に有することが好ましい。
三口フラスコに滴下ロート、温度計、試薬注入弁を取り付けた器具を組み、三口フラスコにヘキサン188ml、アリルジメチルクロルシラン28.35mlを投入した。次に三口フラスコ内の系全体を5℃以下になるように氷浴で冷却し、系内の温度が5℃以下になったことを確認した後、窒素気流下で滴下ロートからオクタアニオン50mlを1〜2滴/秒の速さで滴下した。このとき、オクタアニオンの8つの反応サイトの全てにアリルジメチルシクロルシランを置換させるために、アリルジメチルクロルシランの配合量はオクタアニオンに対して大過剰(30倍当量以上)に設定する必要がある。
三口フラスコに滴下ロート、温度計、試薬注入弁を取り付け、三口フラスコにヘキサン188ml、アリルジメチルクロルシラン10.6mlを投入した(オクタアニオンに対してアリルジメチルクロルシランは8倍当量)。次に系内全体を5℃以下になるように氷浴で冷却し、系内の温度が5℃以下になった時点で、滴下ロートからオクタアニオン70mlを1〜2滴/秒の速さで滴下した。
3 封止材
Claims (2)
- 下記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物と、下記式(2)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物とを含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止して成ることを特徴とする半導体光装置。
(AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)m−n−s …(1)
(式(1)中、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、sは0〜m−nの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
(式(2)中、Eは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R5,R6,R7,R8は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、pは6,8,10,12から選ばれた数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数を表す) - 下記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物と、下記式(2)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分付加反応したかご型シルセスキオキサン化合物部分重合物とを含有するケイ素化合物を、重合して成ることを特徴とする透明光学部材。
(AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)s(HOSiO1.5)m−n−s …(1)
(式(1)中、Aは炭素−炭素不飽和結合を有する鎖状炭化水素基、Bは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数、sは0〜m−nの整数を表す)
(R5R6HSiOSiO1.5)q(ER7R8SiOSiO1.5)r(HOSiO1.5)p−q−r …(2)
(式(2)中、Eは置換又は非置換の飽和アルキル基もしくは水酸基、R5,R6,R7,R8は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、pは6,8,10,12から選ばれた数、qは2〜pの整数、rは0〜p−qの整数を表す)
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