JP2006299150A - 封止材用組成物及び光学デバイス - Google Patents
封止材用組成物及び光学デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006299150A JP2006299150A JP2005124954A JP2005124954A JP2006299150A JP 2006299150 A JP2006299150 A JP 2006299150A JP 2005124954 A JP2005124954 A JP 2005124954A JP 2005124954 A JP2005124954 A JP 2005124954A JP 2006299150 A JP2006299150 A JP 2006299150A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- composition
- sealing material
- organosilicon compound
- compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
【課題】透明であり、厚膜形成が可能であり、しかも耐光性に優れた封止材用組成物及び光学デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の封止材用組成物は、カゴ状シルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物と、前記有機ケイ素化合物と反応し得る官能基を複数有する環状化合物と、を含有することを特徴とする。本発明の光学デバイスは、基体上に搭載された光学素子と、前記光学素子上に被覆され、前記封止材用組成物を硬化させてなる封止材と、を具備することを特徴とする。
【選択図】なし
【解決手段】本発明の封止材用組成物は、カゴ状シルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物と、前記有機ケイ素化合物と反応し得る官能基を複数有する環状化合物と、を含有することを特徴とする。本発明の光学デバイスは、基体上に搭載された光学素子と、前記光学素子上に被覆され、前記封止材用組成物を硬化させてなる封止材と、を具備することを特徴とする。
【選択図】なし
Description
本発明は封止材用組成物及び光学デバイスに関し、特に、透明であり、厚膜形成が可能であり、しかも耐光性に優れた封止材用組成物及び光学デバイスに関する。
近年、波長400nm以下の短波長の光を発光する光学素子、例えば発光ダイオード(LED)や半導体レーザ(LD)などが開発されてきており、情報通信、情報記録、ディスプレイの分野において使用されてきている。このような光学素子は、基板などに搭載して封止材で封止されて使用されている。従来、LEDなどの光学素子の封止材としては透明エポキシ樹脂が使用されている。この透明エポキシ樹脂は、耐光性が悪く、可視光や紫外線により経時的に黄変するという問題がある。
特開2004−359933号公報においては、このような光学素子の封止材として、ケイ素を含んだネットワーク型オリゴマーであるシルセスキオキサンからなる材料を用いることが開示されている(特許文献1)。シルセスキオキサンからなる材料を用いた封止材は透明エポキシ樹脂を用いた封止材よりも耐光性に優れているので、光学素子の封止材用の材料として期待されている。
特開2004−359933号公報
しかしながら、シルセスキオキサンのみからなる封止材は、厚膜形成すると、クラックが発生してしまうという問題があり、厚膜形成やバルク形成により封止材を所望の形状に成形したりすることができないという問題がある。
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、透明であり、厚膜形成が可能であり、しかも耐光性に優れた封止材用組成物及び光学デバイスを提供することを目的とする。
本発明の封止材用組成物は、カゴ状シルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物と、前記有機ケイ素化合物と反応し得る官能基を複数有する環状化合物と、を含有することを特徴とする。
この構成によれば、カゴ状シルセスキオキサン間に環状化合物が介在している構造を有する。この構造において環状化合物がカゴ状シルセスキオキサン間でクッションの役割を果たすと考えられるので、封止材を構成する材料がフレキシブルになる。その結果、厚膜形成やバルク形成を行ったとしてもクラックの発生を防止することが可能となる。しかも有機ケイ素化合物がカゴ状シルセスキオキサンを含むので、硬化後の封止材としては透明で耐光性に優れたものとなる。
本発明の封止材用組成物においては、前記有機ケイ素化合物が、構造式(R1SiO3/2)n(6≦n≦14、複数のR1が存在する場合、R1同士は同じでも良く、異なっていても良い)で表されるシルセスキオキサン及び/又はその重合体であることが好ましい。この場合において、少なくとも一つのR1が、水素原子、ビニル基、アルケニルを有する重合性置換基、及び炭素数1〜6のアルキル基を有する置換基からなる群より選ばれた少なくとも一つの官能基であることが好ましい。
本発明の封止材用組成物においては、前記環状化合物が、多官能ビニルシクロアルカン又は多官能シクロシロキサンであることが好ましい。
本発明の光学デバイスは、基体上に搭載された光学素子と、前記光学素子上に被覆され、上記封止材用組成物を硬化させてなる封止材と、を具備することを特徴とする。
この構成によれば、封止材用組成物がクラックのない状態で厚膜形成やバルク形成可能であるので、所望の形状に成形したりすることや、キャビティなどの凹部に充填させることが可能である。したがって、通常の封止材と同じような供給方法で簡単に光学素子を封止することができる。その結果、透明であり、耐光性に優れ、光学素子を封止してなる光学デバイスを得ることができる。
本発明の封止材用組成物は、カゴ状シルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物と、前記有機ケイ素化合物と反応し得る官能基を複数有する環状化合物と、を含有するので、透明であり、厚膜形成が可能であり、しかも耐光性に優れたものである。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
本発明の封止材用組成物は、カゴ状シルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物と、前記有機ケイ素化合物と反応し得る官能基を複数有する環状化合物と、を含有することを特徴とする。
本発明の封止材用組成物は、カゴ状シルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物と、前記有機ケイ素化合物と反応し得る官能基を複数有する環状化合物と、を含有することを特徴とする。
本発明の封止材用組成物における有機ケイ素化合物のカゴ状シルセスキオキサンとしては、重合していないカゴ状シルセスキオキサン、複数のカゴ状シルセスキオキサンが重合してなるカゴ状シルセスキオキサン重合体を含む。
カゴ状シルセスキオキサンの具体的な構造は下記一般式(1)で表される。
(R1SiO3/2)n …(1)
一般式(1)において、nは6から14の整数である。R1同士は同じでも良く、異なっていても良い。R1は水素原子、水酸基、アルコキシル基、アリールオキシ基、置換若しくは無置換の炭化水素基、ケイ素原子含有基、及びそれらを組み合わせた基から選ばれる。また、少なくとも一つのR1が、水素原子、ビニル基、アルケニル基を有する重合性置換基、及び炭素数1〜6のアルキル基を有する置換基からなる群より選ばれた少なくとも一つの官能基であることが好ましい。
(R1SiO3/2)n …(1)
一般式(1)において、nは6から14の整数である。R1同士は同じでも良く、異なっていても良い。R1は水素原子、水酸基、アルコキシル基、アリールオキシ基、置換若しくは無置換の炭化水素基、ケイ素原子含有基、及びそれらを組み合わせた基から選ばれる。また、少なくとも一つのR1が、水素原子、ビニル基、アルケニル基を有する重合性置換基、及び炭素数1〜6のアルキル基を有する置換基からなる群より選ばれた少なくとも一つの官能基であることが好ましい。
上記アルコキシル基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロピルオキシ基、i−プロピルオキシ基、n−ブチルオキシ基、t−ブチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基などが挙げられる。アルコキシル基の炭素原子数としては、1から6が好ましい。
上記アリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、2,6−ジメチルフェノキシ基などが挙げられる。
上記炭化水素基の例としては、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、ブチル(n−ブチル、i−ブチル、t−ブチル、sec−ブチル)、ペンチル(n−ペンチル、i−ペンチル、ネオペンチル、シクロペンチルなど)、ヘキシル(n−ヘキシル、i−ヘキシル、シクロヘキシルなど)、ヘプチル(n−ヘプチル、i−ヘプチル、ビシクロヘプチルなど)、オクチル(n−オクチル、i−オクチル、t−オクチルなど)、ノニル(n−ノニル、i−ノニルなど)、デシル(n−デシル、i−デシルなど)、ウンデシル(n−ウンデシル、i−ウンデシルなど)、ドデシル(n−ドデシル、i−ドデシルなど)などの非環式又は環式の脂肪族炭化水素基;ビニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、ノルボルネニル、シクロヘキセニルエチル、ノルボルネニルエチル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、スチレニルなどの非環式又は環式のアルケニル基;ベンジル、フェネチル、2−メチルベンジル、3−メチルベンジル、4−メチルベンジルなどのアラルキル基;PhCH=CH−基のようなアラアルケニル基;フェニル基、トリル基あるいはキシリル基のようなアリール基;4−アミノフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−ビニルフェニル基のような置換アリール基などが挙げられる。なかでも、シクロヘキシル、シクロペンチル、ビシクロヘプチル、ノルボルネニルなどの環式の官能基は、耐熱性が高いので好ましい。
前記炭化水素基の水素原子又は主鎖骨格の一部は、エーテル結合、エステル基(結合)、水酸基、カルボニル基、カルボン酸無水物結合、チオール基、チオエーテル結合、スルホン基、アルデヒド基、エポキシ基、アミノ基、アミド基(結合)、ウレア基(結合)、イソシアネート基、シアノ基などの極性基(極性結合);フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子などの置換基で部分的に置換されていても良い。
前記置換又は無置換の炭化水素基中の置換基も含めた全炭素原子数は、通常20以下であるが、これに限定されるものではない。絶縁膜の耐熱性を考慮すると、全炭素原子数は、好ましくは16以下、より好ましくは6以下であることが好ましい。
前記ケイ素含有基としては、例えば、下記一般式(2)、一般式(3)で表す構造の基などが挙げられる。ケイ素原子含有基中のケイ素原子数は、通常1〜10、好ましくは1〜6、より好ましくは1〜3であるが、これに限定されるものではない。
前記アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。
前記炭素数1〜10の有機基の例としては、各種の置換又は無置換の炭化水素基が挙げられ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基などの脂肪族炭化水素基;ビニル基、プロペニル基などの不飽和炭化水素結合含有基;フェニル基、ベンジル基、又はフェネチル基のような芳香族炭化水素基;CF3CH2CH2−などの含フッ素アルキル基;アミノアルキル基などの極性基置換アルキル基などが挙げられる。
一般式(2)で表されるケイ素原子含有基の具体的な例としては、トリメチルシロキシ基(Me3Si−)、ジメチルフェニルシロキシ基(Me2PhSiO−)、ジフェニルメチルシロキシ基、フェネチルジメチルシロキシ基、ジメチル−n−ヘキシルシロキシ基、ジメチルシクロヘキシルシロキシ基、ジメチルオクチルシロキシ基、(CH3)3SiO[Si(CH3)2O]q−(q=1〜9)、2−フェニル−2,4,4,4−テトラメチルジシロキシ基(OSiPhMeOSiMe3)、4,4−ジフェニル−2,2,4−トリメチルジシロキシ(OSiMe2OSiMePh2)、2,4−ジフェニル−2,4,4−トリメチルジシロキシ(OSiPhMeOSiPhMe2)、ビニルジメチルシロキシ基、3−グリシジルプロピルジメチルシロキシ基、3−アミノプロピルジメチルシロキシ基(H2NCH2CH2CH2Me2SiO−)、H2NCH2CH2CH2Me(HO)SiO−、3−(2−アミノエチルアミノ)プロピルジメチルシロキシ基(H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Me2SiO−)、H2NCH2CH2NHCH2CH2CH2Me(HO)SiO−などが挙げられる。
一般式(3)におけるR2,R3,R4,R5,R6は、一般式(2)におけるR2,R3,R4と同じである。n'は、0又は1〜9の整数であるが、好ましくは0又は1〜5の整数、特に好ましくは0,1又は2である。
アルケニル基の例としては、ビニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、シクロヘキセニル、シクロヘキセニルエチル、ノルボルネニルエチル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、スチレニルなどの非環式又は環式のアルケニル基などが挙げられる。
上記で説明したカゴ状シルセスキオキサンの具体的な例としては、一般式(1)においてn=6で表される一般式(4)のような構造、一般式(1)においてn=8で表される一般式(5)のような構造、一般式(1)においてn=10で表される一般式(6)のような構造、一般式(1)においてn=12で表される一般式(7)のような構造、一般式(1)においてn=14で表される一般式(8)のような構造などが挙げられる。ただし、一般式(4)〜(8)におけるRは、一般式(1)におけるR1と同様若しくは他のカゴ状シルセスキオキサン構造ヘの結合を表し、Rのうちのn個(すなわち1個以上m個以下)は他の(部分開裂型)カゴ状シルセスキオキサン構造ヘの結合を表す。
次に、複数のカゴ状シルセスキオキサンが重合してなるカゴ状シルセスキオキサン重合体について説明する。上記カゴ状シルセスキオキサン重合体は、直鎖状、分枝状、三次元網目状、ペンダント状に結合していても良い。シルセスキオキサン構造同士は、直接結合されていても良く、任意の原子又は官能基、例えば、酸素原子又は有機基を介して結合されていても良い。なお、有機基としては、炭化水素基、オキシアルキレン基、シロキサン基、それらの重合体、並びにそれらを組み合わせた構造などが挙げられる。
前記炭化水素基及びその重合体としては、−(CH2)s−、(sは自然数)で表されるアルキレン基、芳香族炭化水素基などが挙げられる。−(CH2)s−におけるsは、1以上100以下が好ましく、1以上20以下がより好ましい。具体的には、アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、ポリエチレン構造などが挙げられ、芳香族炭化水素基としては、フェニレン基などが挙げられる。
前記オキシアルキレン基及びその重合体−(R’O)t−(tは自然数)としては、オキシメチレン基、オキシエチレン基、オキシプロピレン基、ポリオキシメチレン、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレンなどが挙げられる。上記tは1以上10000以下が好ましく、1以上500以下がより好ましい。
前記シロキサン基及びその重合体としては、例えば、下記一般式(9)で表される構造が挙げられる。
ここで、R7,R8は、水素原子、ヒドロキシル基、アルコキシ基、塩素原子、又は炭素数1〜10、好ましくは炭素数1〜6の有機基である。また、n‘’は自然数である。
前記アルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。
前記炭素数1〜10の有機基の例としては、各種の置換又は無置換の炭化水素基が挙げられ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基などの脂肪族炭化水素基;ビニル基、プロペニル基などの不飽和炭化水素結合含有基;フェニル基、ベンジル基、又はフェネチル基のような芳香族炭化水素基;CF3CH2CH2−などの含フッ素アルキル基;アミノアルキル基などの極性基置換アルキル基などが挙げられる。
上記の炭化水素基、オキシアルキレン基、シロキサン基及びそれらの重合体は、水素原子又は骨格の一部が有機基によって部分的に置換されていても良い。有機基としては、例えば、エーテル結合、エステル基(結合)、水酸基、カルボニル基、カルボン酸無水物結合、チオール基、チオエーテル結合、スルホン基、アルデヒド基、エポキシ基、アミノ基、アミド基(結合)、ウレア基(結合)、イソシアネート基、シアノ基などの極性基(極性結合)、ジエン(結合)、共役ジエン(結合)、フェニレン基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などのハロゲン原子などが挙げられる。
封止材用組成物を厚膜で形成する場合には、有機基にシロキサン基が含有されていることが好ましい。
前記重合体の数平均分子量としては、封止材用組成物の粘度を考慮すると、500以上40万以下が好ましく、500以上5万以下がより好ましい。カゴ状シルセスキオキサン構造の含有量としては、20質量%以上100質量%以下が好ましく、40質量%以上100質量%以下がより好ましい。
なお、含シルセスキオキサン化合物の構造は、1H−NMR及び29Si−NMRを用いることにより確認することができる。
本発明の封止材用組成物における環状化合物は、封止材用組成物が硬化した際に、有機ケイ素化合物におけるカゴ状シルセスキオキサン同士の間に介在して、分子や原子の動きを許容する、いわゆるクッションのような役割を果たす。すなわち、環状化合物が介在することにより、分子構造がフレキシブルになる。これにより、硬化後の封止材にクラックが発生することを防止できる。そのため、封止材用組成物を厚膜形成したりバルク形成したりすることができる。
この環状化合物の骨格としては、シクロブタン、シクロペンタン、シクロヘキサンなどのシクロアルカン構造;テトラシクロシロキサンなどのシクロシロキサン構造;ベンゼンなどの芳香環構造などが挙げられる。環状化合物の骨格としては、シクロアルカン構造やシクロシロキサン構造であることが好ましい。特に、環状化合物が、多官能ビニルシクロアルカン(例えば、多官能ビニルシクロヘキサン)又は多官能シクロシロキサンであることが好ましい。
また、環状化合物は、上記有機ケイ素化合物と反応し得る官能基を複数有する。有機ケイ素化合物と反応し得る官能基は、該有機ケイ素化合物に結合されている官能基に応じて適宜選択することができる。例えば、有機ケイ素化合物又は環状化合物の一方に、ビニル基やアリル基などのオレフィンが結合されている場合には、他方の官能基には、Si−H基、アリル基、ビニル基、アクリル基、メタクリル基などを選択する。また、有機ケイ素化合物又は環状化合物の一方に、アミン、酸無水物、フェノール、チオール、アルコール、ルイス酸、イミダゾール、ホスホニウム塩、アンモニウム塩、スルホニウム塩などが結合されている場合には、他方の官能基には、エポキシ基などを選択する。さらに、有機ケイ素化合物又は環状化合物の一方に、アクリル基やメタクリル基が結合されている場合には、他方の官能基には、アリル基、ビニル基、アクリル基、メタクリル基などを選択することができる。
本発明の封止材用組成物において、有機ケイ素化合物と環状化合物との間の割合は、硬化後の封止材を構成する材料の分子構造のフレキシブル度を考慮して、同程度であることが好ましい。特に、両者間の割合は、ユニット換算で有機ケイ素化合物:環状化合物=1:2〜2:1であることが好ましい。封止材用組成物において両者がこのような割合で存在することにより、有機ケイ素化合物中のカゴ状シルセスキオキサン間に効率良く環状化合物を介在させることができ、封止材を構成する材料のフレキシブル度をより高めることができる。なお、本発明の封止材用組成物において、有機ケイ素化合物及び環状化合物以外に他の化合物、例えば硬化後の封止材を構成する材料の分子構造をフレキシブルにする化合物(例えば、直鎖状構造を有する化合物など)が含まれていても良い。
本発明の封止材用組成物において、有機ケイ素化合物と環状化合物とを混合する方法としては、それぞれの化合物を固相で混合する方法や、それぞれの化合物を有機溶剤、例えばテトラヒドロフランやトルエンで溶解し、液相で混合し、その後有機溶剤を揮発させる方法などが挙げられる。
上述した本発明に係る封止材用組成物が光学デバイスの封止に用いられる場合には、基体上に被封止材である光学素子を搭載し、この光学素子が被覆されるように上記封止材用組成物を供給し、その後封止材用組成物を硬化させる。ここで、光学素子が被覆されるように封止材用組成物を供給する方法としては、封止材用組成物を必要に応じて所定の粘度となるように粘度調整し、光学素子上に吐出して封止材用組成物を硬化させる方法(ポッティング)や、光学素子に吐出した後に、所定の型を用いて封止材用組成物を硬化させる方法などが挙げられる。封止材用組成物の供給の際の条件は、封止材用組成物における有機ケイ素化合物や環状化合物の種類、粘度などを考慮して適宜設定する。また、封止材用組成物を硬化させる方法としては、加熱硬化法や光硬化法などが挙げられる。なお、加熱硬化や光硬化は、有機ケイ素化合物や環状化合物の官能基を加熱硬化タイプの官能基や光硬化タイプの官能基にすることにより適宜選択することができる。また、硬化条件は、封止材用組成物における有機ケイ素化合物や環状化合物の官能基の種類などを考慮して適宜設定する。
このようにして封止材用組成物を硬化させてなる封止材は、例えば一般式(10)に示すような構造を有する。
すなわち、カゴ状シルセスキオキサン間に環状化合物が介在している構造を有する。この構造において環状化合物がカゴ状シルセスキオキサン間でクッションの役割を果たすと考えられるので、封止材を構成する材料がフレキシブルになる。その結果、厚膜形成やバルク形成を行ったとしてもクラックの発生を防止することが可能となる。しかも有機ケイ素化合物がカゴ状シルセスキオキサンを含むので、硬化後の封止材としては透明で耐光性に優れたものとなる。
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例について説明する。
(実施例1)
磁気攪拌子、三方コック、セプタムキャップを備えた200mL容のスリ付三口フラスコを、脱気・乾燥してアルゴン置換する。これに、アルゴン雰囲気下でオクタキス(ジメチルシロキシ)−T8−シルセスキオキサン(Gelest社製)20.3g(20.0mL)を加える。反応系をアルゴン気流下とし、テフロン(登録商標)チューブにより脱水トルエン80mLをセプタムから加え、水浴下で室温攪拌して均一溶液とする。次いで、この均一溶液に、白金(0)ジビニルジシロキサン錯体溶液(アルドリッチ社製)100μLをシリンジにより加え、最後に1,9−デカジエン(アルドリッチ社製)2.84g(20.0mmoL)を約5分かけてシリンジにより添加し、水浴下で室温にて24時間攪拌する。反応後の反応液を、脱水アセトニトリル600mLに攪拌しつつ混合すると、目的物が液状となって沈降する。この液状物からアセトニトリル部を除去し、新しい脱水アセトニトリル100mLを加えて攪拌して上澄みを除去する操作を3回繰り返して液状物を得る。この液状物を減圧(<1mmHg)下で乾燥し、有機ケイ素化合物を得る。得られた有機ケイ素化合物は、白色蝋状の固体であり、収量が18.3gであり、収率が79%である。
(実施例1)
磁気攪拌子、三方コック、セプタムキャップを備えた200mL容のスリ付三口フラスコを、脱気・乾燥してアルゴン置換する。これに、アルゴン雰囲気下でオクタキス(ジメチルシロキシ)−T8−シルセスキオキサン(Gelest社製)20.3g(20.0mL)を加える。反応系をアルゴン気流下とし、テフロン(登録商標)チューブにより脱水トルエン80mLをセプタムから加え、水浴下で室温攪拌して均一溶液とする。次いで、この均一溶液に、白金(0)ジビニルジシロキサン錯体溶液(アルドリッチ社製)100μLをシリンジにより加え、最後に1,9−デカジエン(アルドリッチ社製)2.84g(20.0mmoL)を約5分かけてシリンジにより添加し、水浴下で室温にて24時間攪拌する。反応後の反応液を、脱水アセトニトリル600mLに攪拌しつつ混合すると、目的物が液状となって沈降する。この液状物からアセトニトリル部を除去し、新しい脱水アセトニトリル100mLを加えて攪拌して上澄みを除去する操作を3回繰り返して液状物を得る。この液状物を減圧(<1mmHg)下で乾燥し、有機ケイ素化合物を得る。得られた有機ケイ素化合物は、白色蝋状の固体であり、収量が18.3gであり、収率が79%である。
このようにして得られた有機ケイ素化合物について、1H−NMR(重クロロホルム、テトラメチルシラン内部基準)、13C−NMR(重クロロホルム、テトラメチルシラン内部基準)、29Si−NMR(重クロロホルム、テトラメチルシラン内部基準)を調べる。その結果、1H−NMRについては、0.05(s;Si(CH 3 )2CH2−)、0.15(s;Si(CH 3 )2H)、0.55(m;Si(CH3)2 CH 2 −)、0.75〜0.85(m;Si(CH3)2 CH 2 −)、1.20〜1.40(m;Si(CH3)2CH2(CH 2 )8CH2(CH3)2Si−)、4.63〜4.68(m;Si−H)、であり、13C−NMRについては、−0.3、0.2、14、18、22、23、29、30、32、34であり、29Si−NMRについては、−108、−1.0、14である。これにより、この有機ケイ素化合物がカゴ状シルセスキオキサンを含むことが同定される。なお、NMR測定装置としては、スペクトルメータVarian Unity 400(Varian社製、商品名)を用いる。また、この有機ケイ素化合物について、GPC(ゲル濾過クロマトグラフィー)システム(日本分光株式会社製の高速液体クロマトグラフィーシステム)にSEC用カラムKF−805L(昭和電工株式会社製、商品名)を取り付けてなる装置を用いて数平均分子量を測定したところ5000である。なお、GPCの溶媒としては、テトラヒドロフランなどを用いる。
このカゴ状シルセスキオキサンを含む有機ケイ素化合物1.64gを、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン(アルドリッチ社製)0.36g及び1,2,4−トリビニルシクロヘキサン(アルドリッチ社製)0.77gに溶解させ、それに白金(0)ジビニルジシロキサン錯体溶液(アルドリッチ社製)5μLを加えてメノウ乳鉢により混練する。この混練材料(封止材用組成物)を図1に示す型に流し込む。ここで、図1に示す型は、ガラス基板1上にポリイミド層2を介して開口部3aを有するガラス型枠3が設けられてなるものであり、ガラス型枠3の開口部3aに混練材料を流し込む。混練材料を流し込んだ型をアスピレータに入れて脱泡し、その後オーブンに投入して100℃で30分間加熱して混練材料を仮硬化させて仮硬化物4を得る。次いで、仮硬化物4を型から外して、オーブンに投入して200℃で3時間加熱して硬化させて無色透明の成形体を得る。
(実施例2)
磁気攪拌子、三方コック、セプタムキャップを備えた200mL容のスリ付三口フラスコを、脱気・乾燥してアルゴン置換する。これに、アルゴン雰囲気下でオクタキス(ジメチルシロキシ)−T8−シルセスキオキサン(Gelest社製)20.3g(20.0mL)を加える。反応系をアルゴン気流下とし、テフロン(登録商標)チューブにより脱水トルエン80mLをセプタムから加え、水浴下で室温攪拌して均一溶液とする。次いで、この均一溶液に、白金(0)ジビニルジシロキサン錯体溶液(アルドリッチ社製)100μLをシリンジにより加え、最後に1,9−デカジエン(アルドリッチ社製)2.84g(20.0mmoL)を約5分かけてシリンジにより添加し、水浴下で室温にて24時間攪拌する。次いで、これにシクロヘキセン(東京化成社製)3.28g(40.0mmoL)を加え、24時間加熱還流する。反応後の反応液を、脱水アセトニトリル600mLに攪拌しつつ混合すると、目的物が液状となって沈降する。この液状物からアセトニトリル部を除去し、新しい脱水アセトニトリル100mLを加えて攪拌して上澄みを除去する操作を3回繰り返して液状物を得る。この液状物を減圧(<1mmHg)下で乾燥し、有機ケイ素化合物を得る。得られた有機ケイ素化合物は、無色透明の粘稠な液状であり、収量が21.7gであり、収率が82%である。
磁気攪拌子、三方コック、セプタムキャップを備えた200mL容のスリ付三口フラスコを、脱気・乾燥してアルゴン置換する。これに、アルゴン雰囲気下でオクタキス(ジメチルシロキシ)−T8−シルセスキオキサン(Gelest社製)20.3g(20.0mL)を加える。反応系をアルゴン気流下とし、テフロン(登録商標)チューブにより脱水トルエン80mLをセプタムから加え、水浴下で室温攪拌して均一溶液とする。次いで、この均一溶液に、白金(0)ジビニルジシロキサン錯体溶液(アルドリッチ社製)100μLをシリンジにより加え、最後に1,9−デカジエン(アルドリッチ社製)2.84g(20.0mmoL)を約5分かけてシリンジにより添加し、水浴下で室温にて24時間攪拌する。次いで、これにシクロヘキセン(東京化成社製)3.28g(40.0mmoL)を加え、24時間加熱還流する。反応後の反応液を、脱水アセトニトリル600mLに攪拌しつつ混合すると、目的物が液状となって沈降する。この液状物からアセトニトリル部を除去し、新しい脱水アセトニトリル100mLを加えて攪拌して上澄みを除去する操作を3回繰り返して液状物を得る。この液状物を減圧(<1mmHg)下で乾燥し、有機ケイ素化合物を得る。得られた有機ケイ素化合物は、無色透明の粘稠な液状であり、収量が21.7gであり、収率が82%である。
このようにして得られた有機ケイ素化合物について、実施例1と同様にして、1H−NMR(重クロロホルム、テトラメチルシラン内部基準)、13C−NMR(重クロロホルム、テトラメチルシラン内部基準)、29Si−NMR(重クロロホルム、テトラメチルシラン内部基準)を調べる。その結果、1H−NMRについては、0.01〜0.02(m;Si(CH 3 )2−C)、0.22(s;Si(CH 3 )2H)、0.58〜0.70(m;Si(CH3)2 CH 2 −)、0.82〜0.86(m;Si(CH3)2 CH 2 −)、1.10〜1.50(m;Si(CH3)2CH2(CH 2 )8CH2(CH3)2Si−)、1.70〜1.80(m;シクロ環)、4.70〜4.808(m;Si−H)であり、13C−NMRについては、−2.0、0.5、14、18、23、26.5、27、27.5、28、29、30、34であり、29Si−NMRについては、−109、−2.0、12、13である。これにより、この有機ケイ素化合物がカゴ状シルセスキオキサンを含むことが同定される。また、この有機ケイ素化合物について、実施例1と同様にして数平均分子量を測定したところ2400である。
このカゴ状シルセスキオキサンを含む有機ケイ素化合物1.78gを、1,3,5,7−テトラメチルシクロテトラシロキサン(アルドリッチ社製)0.36g及び1,2,4−トリビニルシクロヘキサン(アルドリッチ社製)0.77gに溶解させ、それに白金(0)ジビニルジシロキサン錯体溶液(アルドリッチ社製)5μLを加えてメノウ乳鉢により混練する。この混練材料(封止材用組成物)を図1に示す型に流し込む。混練材料を流し込んだ型をアスピレータに入れて脱泡し、その後オーブンに投入して100℃で30分間加熱して混練材料を仮硬化させて仮硬化物4を得る。次いで、仮硬化物4を型から外して、オーブンに投入して200℃で3時間加熱して硬化させて無色透明の成形体を得る。
次に、本発明に係る封止材用組成物を光学デバイスに使用した場合の実施例について説明する。ここで使用される光学素子は、青色光〜紫外光を含む比較的短波長域(200nm〜500nm程度の波長範囲)の光学素子である。この光学素子としては、例えば、レーザダイオード(LD)などのレーザ、発光ダイオード(LED)、有機発光ダイオード(OLED)などの発光素子;フォトダイオードなどの受光素子;導波路、光混合器などの光回路部品;光集積回路が挙げられる。これらの光学素子を用いた光学デバイスは、耐光性及び放熱性に優れていることが必要であるので、セラミックパッケージ、LTCC−M(Low Temperature Cofired Ceramic on Metal)パッケージ、メタルベース基板パッケージなどのパッケージを用いることが好ましい。以下の実施例においては、光学素子としてLEDを用いた場合について説明する。
(実施例3)
まず、光学素子の搭載領域を含むキャビティ部を有するLTCC−MパッケージBL−1300−0061(Lamina Ceramics社製、商品名)を準備する。このLTCC−Mパッケージのキャビティ部内には、インナーリードを含む配線層が形成されていた。次いで、サファイア基板上にLEDのダイスを形成し、このダイスをLTCC−Mパッケージのキャビティ部にAgペーストを用いてダイボンドする。このとき、Agペーストを160℃で100分間加熱して硬化させ、LEDのダイスをLTCC−Mパッケージのキャビティ部に固定する。次いで、LEDのダイスの正負各電極とLTCC−MパッケージのインナーリードとをAu線を用いてワイヤーボンディングして両者を電気的に接続する。次いで、実施例1により製造された封止材用組成物をLEDが搭載されたLTCC−Mパッケージのキャビティ部に流し込み、LEDのダイス、Auワイヤー、インナーリード部を被覆する。この状態で、100℃で1時間、その後150℃で1時間加熱して封止材用組成物を硬化させて光学デバイスを作製する。
まず、光学素子の搭載領域を含むキャビティ部を有するLTCC−MパッケージBL−1300−0061(Lamina Ceramics社製、商品名)を準備する。このLTCC−Mパッケージのキャビティ部内には、インナーリードを含む配線層が形成されていた。次いで、サファイア基板上にLEDのダイスを形成し、このダイスをLTCC−Mパッケージのキャビティ部にAgペーストを用いてダイボンドする。このとき、Agペーストを160℃で100分間加熱して硬化させ、LEDのダイスをLTCC−Mパッケージのキャビティ部に固定する。次いで、LEDのダイスの正負各電極とLTCC−MパッケージのインナーリードとをAu線を用いてワイヤーボンディングして両者を電気的に接続する。次いで、実施例1により製造された封止材用組成物をLEDが搭載されたLTCC−Mパッケージのキャビティ部に流し込み、LEDのダイス、Auワイヤー、インナーリード部を被覆する。この状態で、100℃で1時間、その後150℃で1時間加熱して封止材用組成物を硬化させて光学デバイスを作製する。
この光学デバイスについて、透明性、耐光性、クラックの発生、表面タック性を調べる。なお、透明性及びクラックの発生は、目視により判断し、表面タック性は、硬化した封止材を指で触ったときの感触により判断する。また、耐光性は、超高圧水銀ランプ スポットキュアUVF352S(三永電機社製、商品名)を用いたスポットキュア装置から石英ファイバを介して、封止材が存在する領域のうちの5mmφ程度の領域に5000mW/cm2のエネルギー密度の光を照射し、封止材の光透過率の変化を観察することにより調べる。また、封止材の温度を変化させて光透過率の変化も観察する。なお、ここでは、光源に分光フィルタUV−33(旭テクノガラス社製、商品名)を用いて、300nm以下の波長成分をカットして評価する。その結果、LEDを封止した封止材は、透明であり、クラックの発生がなく、指で触ってもべたつかず、光透過率の変化が現れず耐光性に優れていることが分かる。
(実施例4)
まず、光学素子の搭載領域を含むキャビティ部を有するセラミックパッケージを準備する。このセラミックパッケージのキャビティ部内には、インナーリードを含む配線層が形成されている。次いで、フィリップチップ接続用のバンプをLEDのダイスに形成し、セラミックパッケージのキャビティ部にフィリップチップ接続用バンプを形成する。そして、ダイスとセラミックパッケージとをフィリップチップボンディングすることにより、セラミックパッケージのインナーリードとLEDの正負各電極とを電気的に接続する。次いで、実施例1により製造された封止材用組成物をLEDが搭載されたセラミックパッケージのキャビティ部に流し込み、LEDのダイス、インナーリード部を被覆する。この状態で、100℃で1時間、その後150℃で1時間加熱して封止材用組成物を硬化させて光学デバイスを作製する。
まず、光学素子の搭載領域を含むキャビティ部を有するセラミックパッケージを準備する。このセラミックパッケージのキャビティ部内には、インナーリードを含む配線層が形成されている。次いで、フィリップチップ接続用のバンプをLEDのダイスに形成し、セラミックパッケージのキャビティ部にフィリップチップ接続用バンプを形成する。そして、ダイスとセラミックパッケージとをフィリップチップボンディングすることにより、セラミックパッケージのインナーリードとLEDの正負各電極とを電気的に接続する。次いで、実施例1により製造された封止材用組成物をLEDが搭載されたセラミックパッケージのキャビティ部に流し込み、LEDのダイス、インナーリード部を被覆する。この状態で、100℃で1時間、その後150℃で1時間加熱して封止材用組成物を硬化させて光学デバイスを作製する。
この光学デバイスについて、透明性、耐光性、表面タック性を実施例4と同様にして調べる。その結果、LEDを封止した封止材は、透明であり、クラックの発生がなく、指で触ってもべたつかず、光透過率の変化が現れず耐光性に優れていることが分かる。
(実施例5)
0.5mm厚のアルミニウム基板上にアルミナをフィラーとする絶縁性接着剤で厚さ32μmの圧延銅箔を接着し、フォトリソグラフィーにより形成したマスクを用いて銅箔上にNiメッキ及びAuメッキを順次行ってボンディング電極を形成する。次いで、フォトリソグラフィーにより形成したマスクを用いて銅箔をエッチングして配線パターンを形成する。この上に、LEDのダイスを収納するキャビティ部を形成するために、離型剤を塗布した金型を密着させる。この状態で、酸化チタン表面をシリカでコーティングした微粒子をフィラーとする絶縁性及び光反射性を有する樹脂を金型内に注入して樹脂を硬化させる。樹脂硬化後に金型を取り外すことにより、配線層を被覆すると共にLEDダイスを収納するキャビティ部を形成する。次いで、サファイア基板上にLEDのダイスを形成し、このダイスをメタルベース基板パッケージのキャビティ部に絶縁性ペーストを用いてダイボンドする。このとき、絶縁性ペーストを160℃で100分間加熱して硬化させ、LEDのダイスをメタルベース基板パッケージのキャビティ部に固定する。次いで、LEDのダイスの正負各電極とメタルベース基板パッケージのボンディング電極とをAu線を用いてワイヤーボンディングして両者を電気的に接続する。次いで、実施例1により製造された封止材用組成物をLEDが搭載されたメタルベース基板パッケージのキャビティ部に流し込み、LEDのダイスを被覆する。この状態で、100℃で1時間、その後150℃で1時間加熱して封止材用組成物を硬化させて光学デバイスを作製する。
0.5mm厚のアルミニウム基板上にアルミナをフィラーとする絶縁性接着剤で厚さ32μmの圧延銅箔を接着し、フォトリソグラフィーにより形成したマスクを用いて銅箔上にNiメッキ及びAuメッキを順次行ってボンディング電極を形成する。次いで、フォトリソグラフィーにより形成したマスクを用いて銅箔をエッチングして配線パターンを形成する。この上に、LEDのダイスを収納するキャビティ部を形成するために、離型剤を塗布した金型を密着させる。この状態で、酸化チタン表面をシリカでコーティングした微粒子をフィラーとする絶縁性及び光反射性を有する樹脂を金型内に注入して樹脂を硬化させる。樹脂硬化後に金型を取り外すことにより、配線層を被覆すると共にLEDダイスを収納するキャビティ部を形成する。次いで、サファイア基板上にLEDのダイスを形成し、このダイスをメタルベース基板パッケージのキャビティ部に絶縁性ペーストを用いてダイボンドする。このとき、絶縁性ペーストを160℃で100分間加熱して硬化させ、LEDのダイスをメタルベース基板パッケージのキャビティ部に固定する。次いで、LEDのダイスの正負各電極とメタルベース基板パッケージのボンディング電極とをAu線を用いてワイヤーボンディングして両者を電気的に接続する。次いで、実施例1により製造された封止材用組成物をLEDが搭載されたメタルベース基板パッケージのキャビティ部に流し込み、LEDのダイスを被覆する。この状態で、100℃で1時間、その後150℃で1時間加熱して封止材用組成物を硬化させて光学デバイスを作製する。
この光学デバイスについて、透明性、耐光性、表面タック性を実施例4と同様にして調べる。その結果、LEDを封止した封止材は、透明であり、クラックの発生がなく、指で触ってもべたつかず、光透過率の変化が現れず耐光性に優れていることが分かる。
このように本実施の形態に係る封止材用組成物は、クラックのない状態で厚膜形成やバルク形成可能であるので、所望の形状に成形したりすることや、キャビティなどの凹部に充填させることが可能である。したがって、通常の封止材と同じような供給方法で簡単に光学素子を封止することができる。その結果、透明であり、耐光性に優れ、光学素子を封止してなる光学デバイスを得ることができる。
本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態における数値や材料についてこれに限定されず、適宜変更して実施することが可能である。また、上記実施の形態においては、硬化後の封止材を構成する材料において有機ケイ素化合物中のカゴ状シルセスキオキサン間に介在して膜又はバルクをフレキシブルにする材料として環状化合物を用いた場合について説明しているが、本発明においては、このような膜又はバルクをフレキシブルにする材料として、上述した機能を発揮する範囲内で環状化合物以外の化合物を単独でもしくは環状化合物と共に用いても良い。その他、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
1 ガラス基板
2 ポリイミド層
3 ガラス型枠
3a 開口部
4 封止材
2 ポリイミド層
3 ガラス型枠
3a 開口部
4 封止材
Claims (5)
- カゴ状シルセスキオキサン構造を有する有機ケイ素化合物と、前記有機ケイ素化合物と反応し得る官能基を複数有する環状化合物と、を含有することを特徴とする封止材用組成物。
- 前記有機ケイ素化合物が、構造式(R1SiO3/2)n(6≦n≦14、複数のRが存在する場合、R1同士は同じでも良く、異なっていても良い)で表されるシルセスキオキサン及び/又はその重合体であることを特徴とする請求項1記載の封止材用組成物。
- 少なくとも一つのR1が、水素原子、ビニル基、アルケニル基を有する重合性置換基、及び炭素数1〜6のアルキル基を有する置換基からなる群より選ばれた少なくとも一つの官能基であることを特徴とする請求項2記載の封止材用組成物。
- 前記環状化合物が、多官能ビニルシクロアルカン又は多官能シクロシロキサンであることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれかに記載の封止材用組成物。
- 基体上に搭載された光学素子と、前記光学素子上に被覆され、請求項1から請求項4のいずれかに記載の封止材用組成物を硬化させてなる封止材と、を具備することを特徴とする光学デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005124954A JP2006299150A (ja) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 封止材用組成物及び光学デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005124954A JP2006299150A (ja) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 封止材用組成物及び光学デバイス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006299150A true JP2006299150A (ja) | 2006-11-02 |
Family
ID=37467828
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005124954A Pending JP2006299150A (ja) | 2005-04-22 | 2005-04-22 | 封止材用組成物及び光学デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006299150A (ja) |
Cited By (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007031619A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nagase Chemtex Corp | 光素子封止用樹脂組成物 |
JP2007063394A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Asahi Kasei Corp | かご状シルセスキオキサン重合体 |
JP2007221071A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JP2007251123A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JP2007251122A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JP2007246880A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JP2007251121A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
WO2008010545A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Kaneka Corporation | Polysiloxane composition, molded body obtained from the same, and optodevice member |
WO2008065786A1 (fr) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Dispositif optique à semiconducteur et élément optique transparent |
WO2008065787A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Optical semiconductor device and transparent optical member |
WO2008065966A1 (fr) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Dispositif optique semi-conducteur et élément optique transparent |
WO2008065967A1 (fr) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Dispositif optique semi-conducteur et élément optique transparent |
WO2008069193A1 (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Panasonic Corporation | 光ヘッド、光情報記録再生装置および光情報システム装置 |
JP2008201832A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シロキサン重合体とその製造方法、該重合体を含有する多孔質膜形成用塗布液ならびに多孔質膜と、該多孔質膜を用いた半導体装置 |
WO2009025017A1 (ja) * | 2007-08-17 | 2009-02-26 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JPWO2007119627A1 (ja) * | 2006-04-10 | 2009-08-27 | 宇部興産株式会社 | 硬化性組成物、シルセスキオキサン硬化物、及びこれらの製造方法 |
JP2009269989A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Jsr Corp | 含ケイ素ポリマーおよびその製造方法並びに光学材料 |
JPWO2009123032A1 (ja) * | 2008-04-02 | 2011-07-28 | Jsr株式会社 | 含ケイ素重合体を含む組成物およびその硬化物 |
JP2012052055A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Kaneka Corp | オルガノポリシロキサン系組成物および硬化物。 |
JP2013057030A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Kaneka Corp | 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物 |
JP2013057031A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Kaneka Corp | オルガノポリシロキサン系組成物および硬化物 |
US20130099395A1 (en) * | 2011-10-25 | 2013-04-25 | Haruka ONA | Silicone resin composition, encapsulating layer, reflector, and optical semiconductor device |
KR20140096311A (ko) | 2011-10-25 | 2014-08-05 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 실록산계 조성물 및 그 경화물 및 그 용도 |
US9035009B2 (en) | 2007-04-17 | 2015-05-19 | Kaneka Corporation | Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product |
US9657143B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-23 | Cheil Industries, Inc. | Curable polysiloxane composition for optical device and encapsulant and optical device |
US9688851B2 (en) | 2010-05-28 | 2017-06-27 | Kaneka Corporation | Polysiloxane composition, hardened material and optical device |
US9698320B2 (en) | 2010-09-22 | 2017-07-04 | Kaneka Corporation | Modified product of polyhedral structure polysiloxane, polyhedral structure polysiloxane composition, cured product, and optical semiconductor device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002363414A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | Asahi Kasei Corp | 籠状シルセスキオキサン含有組成物 |
JP2004189840A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Nippon Kayaku Co Ltd | 樹脂組成物及びその硬化物 |
JP2004196958A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Asahi Kasei Corp | 架橋基含有籠状シルセスキオキサン化合物 |
JP2004359933A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-24 | Nagase Chemtex Corp | 光素子用封止材 |
-
2005
- 2005-04-22 JP JP2005124954A patent/JP2006299150A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002363414A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-18 | Asahi Kasei Corp | 籠状シルセスキオキサン含有組成物 |
JP2004189840A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Nippon Kayaku Co Ltd | 樹脂組成物及びその硬化物 |
JP2004196958A (ja) * | 2002-12-18 | 2004-07-15 | Asahi Kasei Corp | 架橋基含有籠状シルセスキオキサン化合物 |
JP2004359933A (ja) * | 2003-05-14 | 2004-12-24 | Nagase Chemtex Corp | 光素子用封止材 |
Cited By (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007031619A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nagase Chemtex Corp | 光素子封止用樹脂組成物 |
JP2007063394A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Asahi Kasei Corp | かご状シルセスキオキサン重合体 |
JP2007251121A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JP2007251123A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JP2007251122A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JP2007246880A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-09-27 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JP2007221071A (ja) * | 2006-02-20 | 2007-08-30 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JPWO2007119627A1 (ja) * | 2006-04-10 | 2009-08-27 | 宇部興産株式会社 | 硬化性組成物、シルセスキオキサン硬化物、及びこれらの製造方法 |
WO2008010545A1 (en) * | 2006-07-21 | 2008-01-24 | Kaneka Corporation | Polysiloxane composition, molded body obtained from the same, and optodevice member |
JP5666775B2 (ja) * | 2006-07-21 | 2015-02-12 | 株式会社カネカ | ポリシロキサン系組成物およびそれから得られる成形体、オプトデバイス部材 |
JP2014210922A (ja) * | 2006-07-21 | 2014-11-13 | 株式会社カネカ | ポリシロキサン系組成物およびそれから得られる成形体、オプトデバイス部材 |
US8299198B2 (en) | 2006-07-21 | 2012-10-30 | Kaneka Corporation | Polysiloxane composition, molded body obtained from the same, and optodevice member |
JPWO2008010545A1 (ja) * | 2006-07-21 | 2009-12-17 | 株式会社カネカ | ポリシロキサン系組成物およびそれから得られる成形体、オプトデバイス部材 |
WO2008065786A1 (fr) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Dispositif optique à semiconducteur et élément optique transparent |
WO2008065966A1 (fr) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Dispositif optique semi-conducteur et élément optique transparent |
WO2008065787A1 (en) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Optical semiconductor device and transparent optical member |
JP5210881B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2013-06-12 | パナソニック株式会社 | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JP5210880B2 (ja) * | 2006-11-27 | 2013-06-12 | パナソニック株式会社 | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JPWO2008065967A1 (ja) * | 2006-11-27 | 2010-03-04 | パナソニック電工株式会社 | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JPWO2008065966A1 (ja) * | 2006-11-27 | 2010-03-04 | パナソニック電工株式会社 | 半導体光装置及び透明光学部材 |
WO2008065967A1 (fr) * | 2006-11-27 | 2008-06-05 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Dispositif optique semi-conducteur et élément optique transparent |
WO2008069193A1 (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Panasonic Corporation | 光ヘッド、光情報記録再生装置および光情報システム装置 |
JPWO2008069193A1 (ja) * | 2006-12-04 | 2010-03-18 | パナソニック株式会社 | 光ヘッド、光情報記録再生装置および光情報システム装置 |
US8208359B2 (en) | 2006-12-04 | 2012-06-26 | Panasonic Corporation | Optical head, optical information recording and reproducing device, and optical information system device |
JP5154440B2 (ja) * | 2006-12-04 | 2013-02-27 | パナソニック株式会社 | 光ヘッド、光情報記録再生装置および光情報システム装置 |
JP2008201832A (ja) * | 2007-02-16 | 2008-09-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シロキサン重合体とその製造方法、該重合体を含有する多孔質膜形成用塗布液ならびに多孔質膜と、該多孔質膜を用いた半導体装置 |
US9035009B2 (en) | 2007-04-17 | 2015-05-19 | Kaneka Corporation | Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product |
US9416231B2 (en) | 2007-04-17 | 2016-08-16 | Kaneka Corporation | Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product |
US9422405B2 (en) | 2007-04-17 | 2016-08-23 | Kaneka Corporation | Polyhedral polysiloxane modified product and composition using the modified product |
JP5211059B2 (ja) * | 2007-08-17 | 2013-06-12 | パナソニック株式会社 | 半導体光装置及び透明光学部材 |
WO2009025017A1 (ja) * | 2007-08-17 | 2009-02-26 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | 半導体光装置及び透明光学部材 |
JPWO2009123032A1 (ja) * | 2008-04-02 | 2011-07-28 | Jsr株式会社 | 含ケイ素重合体を含む組成物およびその硬化物 |
JP2009269989A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Jsr Corp | 含ケイ素ポリマーおよびその製造方法並びに光学材料 |
US9688851B2 (en) | 2010-05-28 | 2017-06-27 | Kaneka Corporation | Polysiloxane composition, hardened material and optical device |
US9822248B2 (en) | 2010-05-28 | 2017-11-21 | Kaneka Corporation | Polysiloxane composition, hardened material and optical device |
JP2012052055A (ja) * | 2010-09-03 | 2012-03-15 | Kaneka Corp | オルガノポリシロキサン系組成物および硬化物。 |
US9698320B2 (en) | 2010-09-22 | 2017-07-04 | Kaneka Corporation | Modified product of polyhedral structure polysiloxane, polyhedral structure polysiloxane composition, cured product, and optical semiconductor device |
JP2013057031A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Kaneka Corp | オルガノポリシロキサン系組成物および硬化物 |
JP2013057030A (ja) * | 2011-09-09 | 2013-03-28 | Kaneka Corp | 多面体構造ポリシロキサン変性体、該変性体を含有する組成物、該組成物を硬化させてなる硬化物 |
US8810046B2 (en) * | 2011-10-25 | 2014-08-19 | Nitto Denko Corporation | Silicone resin composition, encapsulating layer, reflector, and optical semiconductor device |
US9080017B2 (en) | 2011-10-25 | 2015-07-14 | Central Glass Company, Limited | Siloxane-based composition and cured product thereof, and use therefor |
KR20140096311A (ko) | 2011-10-25 | 2014-08-05 | 샌트랄 글래스 컴퍼니 리미티드 | 실록산계 조성물 및 그 경화물 및 그 용도 |
US20130099395A1 (en) * | 2011-10-25 | 2013-04-25 | Haruka ONA | Silicone resin composition, encapsulating layer, reflector, and optical semiconductor device |
US9657143B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-23 | Cheil Industries, Inc. | Curable polysiloxane composition for optical device and encapsulant and optical device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006299150A (ja) | 封止材用組成物及び光学デバイス | |
JP2006299149A (ja) | 封止材用組成物及び光学デバイス | |
JP4322949B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物及び光半導体封止材 | |
TWI403566B (zh) | 黏著促進劑、可硬化有機聚矽氧烷組合物及半導體裝置 | |
JP4908736B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置 | |
JP5469874B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 | |
KR100976075B1 (ko) | 경화성 오가노폴리실록산 조성물 및 당해 조성물을사용하여 제조한 반도체 장치 | |
JP5769622B2 (ja) | 硬化性オルガノポリシロキサン組成物、光半導体素子封止剤および光半導体装置 | |
JP5025438B2 (ja) | アリール(チオ)エーテルアリールポリシロキサン組成物およびその製造方法および使用方法 | |
TWI504683B (zh) | A hardened silicon oxide composition, a hardened product thereof, and an optical semiconductor device | |
US20090189180A1 (en) | Silicone resin composition | |
US20090166665A1 (en) | Encapsulated optoelectronic device | |
JP4360595B2 (ja) | 光電変換装置 | |
WO2007125785A1 (ja) | 硬化性樹脂組成物 | |
WO2003091338A1 (en) | Hardenable composition, hardening product, process for producing the same and light emitting diode sealed with the hardening product | |
JPWO2011155459A1 (ja) | ケイ素含有硬化性組成物、該ケイ素含有硬化性組成物の硬化物及び該ケイ素含有硬化性組成物より形成されるリードフレーム基板 | |
JP2009102574A (ja) | 光半導体素子用硬化性組成物 | |
KR20220146520A (ko) | 무용제형의 광경화성 액상 조성물, 이의 경화물, 이를 포함하는 광학 충전제, 및 이의 경화물로 이루어진 층을 포함하는 표시 장치 | |
JP5293525B2 (ja) | 光半導体素子封止用組成物 | |
CN110229524B (zh) | 光反射材料用固化性硅酮组合物、硅树脂固化物、反射器及led装置 | |
WO2008065967A1 (fr) | Dispositif optique semi-conducteur et élément optique transparent | |
WO2008065786A1 (fr) | Dispositif optique à semiconducteur et élément optique transparent | |
KR20070095799A (ko) | 반도체 장치의 제조 방법 | |
JP2008201828A (ja) | 発光ダイオード | |
JP2019163424A (ja) | 硬化性樹脂組成物及び該樹脂組成物を封止剤として用いた光半導体装置。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080313 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20111108 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20121106 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |