JP4991162B2 - 半導体光装置及び透明光学部材 - Google Patents
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Description
(AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)m−n…(1)
(式(1)中、Aはアルコキシ基、Bは置換又は非置換のアルキル基又は水素、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数を表す)
上記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分加水分解したかご型シルセスキオキサン化合物部分加水分解物を含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止して成ることを特徴とするものである。
(AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)m−n…(1)
(式(1)中、Aはアルコキシ基、Bは置換又は非置換のアルキル基又は水素、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数を表す)
上記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分加水分解したかご型シルセスキオキサン化合物部分加水分解物を含有するケイ素化合物を、加水分解・重縮合すると共に成形して成ることを特徴とするものである。
上記の式(1)において、Aは加水分解性を有する基を表すものであり、加水分解が可能な基であれば特に限定はされないが、例えば、アルコキシ基、アセトキシ基、オキシム基、エノキシ基、アミノ基、アミノキシ基、アミド基、ハロゲン等の加水分解性基を挙げることができる。これらの中でも、加水分解の容易さから加水分解性基としてアルコキシ基を有することが好ましい。また、加水分解性を有さない2価の基とこれらの加水分解性基とが結合したものでも良い。この例としては、ジメチルエトキシシリルエチルジメチルシロキシ基等を挙げることができる。
還流管と滴下ロートを取り付けた1000mlのフラスコに水酸化テトラメチルアンモニウム334ml、メタノール164ml、水123mlを投入して攪拌した。そして滴下ロートに179mlのテトラエトキシシラン(TEOS)を装てんし、フラスコ全体を氷浴で約5℃になるまで冷却して、約5℃になった時点でTEOSを滴下した。滴下開始から約1時間で179mlのTEOSの滴下を完了させた。滴下完了後、10分間氷浴中での攪拌を継続した後、氷浴を取り除き、その後、室温で10時間攪拌して反応を進めた。10時間の室温攪拌を完了した後、反応生成物をろ過し、ろ液にオクタアニオン/メタノール溶液を得た。
3 封止材
Claims (2)
- (AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)m−n…(1)
(式(1)中、Aはアルコキシ基、Bは置換又は非置換のアルキル基又は水素、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数を表す)
上記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分加水分解したかご型シルセスキオキサン化合物部分加水分解物を含有するケイ素化合物で、半導体発光素子又は半導体受光素子を封止して成ることを特徴とする半導体光装置。 - (AR1R2SiOSiO1.5)n(BR3R4SiOSiO1.5)m−n…(1)
(式(1)中、Aはアルコキシ基、Bは置換又は非置換のアルキル基又は水素、R1,R2,R3,R4は各々独立に低級アルキル基、フェニル基、低級アリールアルキル基から選ばれる官能基を表し、mは6,8,10,12から選ばれた数、nは2〜mの整数を表す)
上記式(1)で表されるかご型シルセスキオキサン化合物、又はこの化合物が部分加水分解したかご型シルセスキオキサン化合物部分加水分解物を含有するケイ素化合物を、加水分解・重縮合すると共に成形して成ることを特徴とする透明光学部材。
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