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  1. 第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、第1の容量素子と、第2の容量素子と、発光素子と、を有し、
    前記第1のトランジスタは、第1のゲート電極と、第2のゲート電極と、チャネル形成領域を有する半導体層と、を有し、
    前記第1のトランジスタは、前記発光素子に電流を供給する機能を有し、
    前記半導体層は、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極とに挟まれている領域を有し、
    前記第1のゲート電極は、前記第2のトランジスタを介してデータ信号線と電気的に接続され、
    前記第1のゲート電極は、前記第1の容量素子と電気的に接続され、
    前記第2のゲート電極は、前記第3のトランジスタを介して電位供給線と電気的に接続され、
    前記第2のゲート電極は、前記第2の容量素子と電気的に接続されることを特徴とする発光装置。
  2. 請求項1において、
    前記半導体層は、酸化物半導体層であることを特徴とする発光装置。
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