JP2015072485A5 - 発光装置または電子機器 - Google Patents

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  1. 駆動用トランジスタと、
    電流供給線と、
    容量素子と、
    発光素子と、を有し、
    前記発光素子は、前記駆動用トランジスタと電気的に接続され、
    前記電流供給線は、前記駆動用トランジスタと電気的に接続され、
    前記駆動用トランジスタは、導電層と、半導体層とを有し、
    前記導電層は、前記電流供給線の下方に、前記電流供給線と重なるように配置された領域を有し、
    前記半導体層は、前記電流供給線の下方に、前記電流供給線と重なるように配置された領域を有し、
    前記導電層は、前記半導体層とは前記半導体層のチャネル形成領域においてのみ重なり、
    前記半導体層は、U字状、渦巻状、S字状、ミアンダ状または蛇行状の形状の部分を有し、
    前記チャネル形成領域は、前記部分の全てを含み、
    前記容量素子は、前記チャネル形成領域と重なるように配置された領域を有し、
    前記容量素子は、一方の電極として前記導電層と、他方の電極として前記電流供給線とを有することを特徴とする発光装置。
  2. 駆動用トランジスタと、
    電流供給線と、
    容量素子と、
    発光素子と、を有し、
    前記発光素子は、前記駆動用トランジスタと電気的に接続され、
    前記電流供給線は、前記駆動用トランジスタと電気的に接続され、
    前記駆動用トランジスタは、導電層と、半導体層とを有し、
    前記導電層は、前記電流供給線の下方に、前記電流供給線と重なるように配置された領域を有し、
    前記半導体層は、前記電流供給線の下方に、前記電流供給線と重なるように配置された領域を有し、
    前記導電層は、前記半導体層とは前記半導体層のチャネル形成領域においてのみ重なり、
    前記半導体層は、湾曲状の部分を有し、
    前記チャネル形成領域は、前記部分の全てを含み、
    前記容量素子は、前記チャネル形成領域と重なるように配置された領域を有し、
    前記容量素子は、一方の電極として前記導電層と、他方の電極として前記電流供給線とを有することを特徴とする発光装置。
  3. 請求項1または請求項2において、
    前記駆動用トランジスタのチャネル長がL、チャネル幅がWであるとき、L>5Wであることを特徴とする発光装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
    第1の基板と、
    第2の基板と、を有し
    前記発光素子は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置され、
    前記第1の基板または前記第2の基板の少なくとも一方は、プラスチック材であることを特徴する発光装置。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。
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