JP2015072485A5 - 発光装置または電子機器 - Google Patents
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Claims (5)
- 駆動用トランジスタと、
電流供給線と、
容量素子と、
発光素子と、を有し、
前記発光素子は、前記駆動用トランジスタと電気的に接続され、
前記電流供給線は、前記駆動用トランジスタと電気的に接続され、
前記駆動用トランジスタは、導電層と、半導体層とを有し、
前記導電層は、前記電流供給線の下方に、前記電流供給線と重なるように配置された領域を有し、
前記半導体層は、前記電流供給線の下方に、前記電流供給線と重なるように配置された領域を有し、
前記導電層は、前記半導体層とは前記半導体層のチャネル形成領域においてのみ重なり、
前記半導体層は、U字状、渦巻状、S字状、ミアンダ状または蛇行状の形状の部分を有し、
前記チャネル形成領域は、前記部分の全てを含み、
前記容量素子は、前記チャネル形成領域と重なるように配置された領域を有し、
前記容量素子は、一方の電極として前記導電層と、他方の電極として前記電流供給線とを有することを特徴とする発光装置。 - 駆動用トランジスタと、
電流供給線と、
容量素子と、
発光素子と、を有し、
前記発光素子は、前記駆動用トランジスタと電気的に接続され、
前記電流供給線は、前記駆動用トランジスタと電気的に接続され、
前記駆動用トランジスタは、導電層と、半導体層とを有し、
前記導電層は、前記電流供給線の下方に、前記電流供給線と重なるように配置された領域を有し、
前記半導体層は、前記電流供給線の下方に、前記電流供給線と重なるように配置された領域を有し、
前記導電層は、前記半導体層とは前記半導体層のチャネル形成領域においてのみ重なり、
前記半導体層は、湾曲状の部分を有し、
前記チャネル形成領域は、前記部分の全てを含み、
前記容量素子は、前記チャネル形成領域と重なるように配置された領域を有し、
前記容量素子は、一方の電極として前記導電層と、他方の電極として前記電流供給線とを有することを特徴とする発光装置。 - 請求項1または請求項2において、
前記駆動用トランジスタのチャネル長がL、チャネル幅がWであるとき、L>5Wであることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至請求項3のいずれか一項において、
第1の基板と、
第2の基板と、を有し
前記発光素子は、前記第1の基板と前記第2の基板との間に配置され、
前記第1の基板または前記第2の基板の少なくとも一方は、プラスチック材であることを特徴する発光装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014225975A JP5840749B2 (ja) | 2002-01-18 | 2014-11-06 | 発光装置または電子機器 |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002010848 | 2002-01-18 | ||
JP2002010848 | 2002-01-18 | ||
JP2002025065 | 2002-02-01 | ||
JP2002025065 | 2002-02-01 | ||
JP2014225975A JP5840749B2 (ja) | 2002-01-18 | 2014-11-06 | 発光装置または電子機器 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013230199A Division JP5789649B2 (ja) | 2002-01-18 | 2013-11-06 | 発光装置、電子機器 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015072485A JP2015072485A (ja) | 2015-04-16 |
JP2015072485A5 true JP2015072485A5 (ja) | 2015-08-06 |
JP5840749B2 JP5840749B2 (ja) | 2016-01-06 |
Family
ID=27667410
Family Applications (8)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009233325A Expired - Lifetime JP5106506B2 (ja) | 2002-01-18 | 2009-10-07 | 発光装置 |
JP2011254752A Expired - Lifetime JP5337860B2 (ja) | 2002-01-18 | 2011-11-22 | 発光装置 |
JP2012036212A Withdrawn JP2012150483A (ja) | 2002-01-18 | 2012-02-22 | 発光装置およびモジュール |
JP2012255260A Withdrawn JP2013080233A (ja) | 2002-01-18 | 2012-11-21 | 発光装置 |
JP2013230199A Expired - Lifetime JP5789649B2 (ja) | 2002-01-18 | 2013-11-06 | 発光装置、電子機器 |
JP2014225975A Expired - Fee Related JP5840749B2 (ja) | 2002-01-18 | 2014-11-06 | 発光装置または電子機器 |
JP2015105640A Expired - Fee Related JP6025914B2 (ja) | 2002-01-18 | 2015-05-25 | 発光装置 |
JP2016094761A Expired - Fee Related JP6239684B2 (ja) | 2002-01-18 | 2016-05-10 | 発光装置 |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009233325A Expired - Lifetime JP5106506B2 (ja) | 2002-01-18 | 2009-10-07 | 発光装置 |
JP2011254752A Expired - Lifetime JP5337860B2 (ja) | 2002-01-18 | 2011-11-22 | 発光装置 |
JP2012036212A Withdrawn JP2012150483A (ja) | 2002-01-18 | 2012-02-22 | 発光装置およびモジュール |
JP2012255260A Withdrawn JP2013080233A (ja) | 2002-01-18 | 2012-11-21 | 発光装置 |
JP2013230199A Expired - Lifetime JP5789649B2 (ja) | 2002-01-18 | 2013-11-06 | 発光装置、電子機器 |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015105640A Expired - Fee Related JP6025914B2 (ja) | 2002-01-18 | 2015-05-25 | 発光装置 |
JP2016094761A Expired - Fee Related JP6239684B2 (ja) | 2002-01-18 | 2016-05-10 | 発光装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US6909240B2 (ja) |
JP (8) | JP5106506B2 (ja) |
KR (2) | KR100938641B1 (ja) |
CN (2) | CN1432984A (ja) |
TW (1) | TWI280532B (ja) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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EP2284605A3 (en) * | 1999-02-23 | 2017-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
JP4149168B2 (ja) | 2001-11-09 | 2008-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
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TWI713943B (zh) | 2013-09-12 | 2020-12-21 | 日商新力股份有限公司 | 顯示裝置及電子機器 |
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- 2003-01-17 TW TW092101037A patent/TWI280532B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-01-17 CN CN2009101604671A patent/CN101673508B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-18 KR KR1020030003483A patent/KR100938641B1/ko active IP Right Grant
-
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- 2005-06-08 US US11/147,317 patent/US7262556B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-08-01 US US11/832,307 patent/US8723760B2/en active Active
-
2009
- 2009-06-04 KR KR1020090049567A patent/KR100937443B1/ko active IP Right Grant
- 2009-10-07 JP JP2009233325A patent/JP5106506B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2011
- 2011-11-22 JP JP2011254752A patent/JP5337860B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2012
- 2012-02-22 JP JP2012036212A patent/JP2012150483A/ja not_active Withdrawn
- 2012-11-21 JP JP2012255260A patent/JP2013080233A/ja not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-02-20 US US13/771,662 patent/US20130248892A1/en not_active Abandoned
- 2013-11-06 JP JP2013230199A patent/JP5789649B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2014
- 2014-11-06 JP JP2014225975A patent/JP5840749B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-05-25 JP JP2015105640A patent/JP6025914B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-05-10 JP JP2016094761A patent/JP6239684B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-08-09 US US15/672,452 patent/US10978613B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2021
- 2021-04-05 US US17/221,927 patent/US20210295773A1/en not_active Abandoned
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